由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故PN基本上是不導(dǎo)電的，形成了所謂耗盡區(qū)，從圖1中可見，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí)，如果柵極電壓越負(fù)，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄，漏極電流ID就愈??；反之，如果柵極電壓沒有那么負(fù)，則溝道變寬，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件。
（2）特性曲線
1）轉(zhuǎn)移特性
圖2（a）給出了N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵壓---漏流特性曲線，稱為轉(zhuǎn)移特性曲線，它和電子管的動(dòng)態(tài)特性曲線非常相似，當(dāng)柵極電壓VGS=0時(shí)的漏源電流。用IDSS表示。VGS變負(fù)時(shí)，ID逐漸減小。ID接近于零的柵極電壓稱為夾斷電壓，用VP表示，在0≥VGS≥VP的區(qū)段內(nèi)，ID與VGS的關(guān)系可近似表示為：
ID=IDSS（1-|VGS/VP|）
其跨導(dǎo)gm為：gm=（△ID/△VGS）|VDS=常微（微歐）|
式中：△ID------漏極電流增量（微安）
------△VGS-----柵源電壓增量（伏）

2）漏極特性（輸出特性）
圖2(b)給出了場(chǎng)效應(yīng)管的漏極特性曲線，它和晶體三極管的輸出特性曲線 很相似。
①可變電阻區(qū)（圖中I區(qū)）在I區(qū)里VDS比較小，溝通電阻隨柵壓VGS而改變，故稱為可變電阻區(qū)。當(dāng)柵壓一定時(shí)，溝通電阻為定值，ID隨VDS近似線性增大，當(dāng)VGS＜VP時(shí)，漏源極間電阻很大（關(guān)斷）。IP=0；當(dāng)VGS=0時(shí)，漏源極間電阻很?。▽?dǎo)通），ID=IDSS。這一特性使場(chǎng)效應(yīng)管具有開關(guān)作用。
②恒流區(qū)（區(qū)中II區(qū)）當(dāng)漏極電壓VDS繼續(xù)增大到VDS＞|VP|時(shí)，漏極電流，IP達(dá)到了飽和值后基本保持不變，這一區(qū)稱為恒流區(qū)或飽和區(qū)，在這里，對(duì)于不同的VGS漏極特性曲線近似平行線，即ID與VGS成線性關(guān)系，故又稱線性放大區(qū)。
③擊穿區(qū)（圖中Ⅲ區(qū)）如果VDS繼續(xù)增加，以至超過了PN結(jié)所能承受的電壓而被擊穿，漏極電流ID突然增大，若不加限制措施，管子就會(huì)燒壞。
2、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管
它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成，所以又稱為金屬---氧化物---半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管。
（1）結(jié)構(gòu)原理
它的結(jié)構(gòu)、電極及符號(hào)見圖3所示，以一塊P型薄硅片作為襯底，在它上面擴(kuò)散兩個(gè)高雜質(zhì)的N型區(qū)，作為源極S和漏極D。在硅片表覆蓋一層絕緣物，然后再用金屬鋁引出一個(gè)電極G（柵極）由于柵極與其它電極絕緣，所以稱為絕緣柵場(chǎng)面效應(yīng)管。

1、夾斷電壓VP
當(dāng)VDS為某一固定數(shù)值，使IDS等于某一微小電流時(shí)，柵極上所加的偏壓VGS就是夾斷電壓VP。
2、飽和漏電流IDSS
在源、柵極短路條件下，漏源間所加的電壓大于VP時(shí)的漏極電流稱為IDSS。
3、擊穿電壓BVDS
表示漏、源極間所能承受的最大電壓，即漏極飽和電流開始上升進(jìn)入擊穿區(qū)時(shí)對(duì)應(yīng)的VDS。
4、直流輸入電阻RGS
在一定的柵源電壓下，柵、源之間的直流電阻，這一特性有以流過柵極的電流來表示，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的RGS可達(dá)1000000000歐而絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的RGS可超過10000000000000歐。
5、低頻跨導(dǎo)gm
漏極電流的微變量與引起這個(gè)變化的柵源電壓微數(shù)變量之比，稱為跨導(dǎo)，即
gm= △ID/△VGS
它是衡量場(chǎng)效應(yīng)管柵源電壓對(duì)漏極電流控制能力的一個(gè)參數(shù)，也是衡量放大作用的重要參數(shù)，此參靈敏常以柵源電壓變化1伏時(shí)，漏極相應(yīng)變化多少微安（μA/V）或毫安（mA/V）來表示