DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標(biāo)準(zhǔn)，表示其頻率值，具有以下差異
2023-09-26 15:24:18
1105 一般會(huì)選擇什么拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)呢？我想，這個(gè)應(yīng)該和個(gè)人的設(shè)計(jì)習(xí)慣有關(guān)，或者選擇T拓?fù)?，或者選擇Fly-by，沒有標(biāo)準(zhǔn)答案。但是作者最近遇到的一個(gè)項(xiàng)目，一個(gè)主控拖動(dòng)兩個(gè)DDR顆粒，采用Fly-by結(jié)構(gòu)，信號(hào)質(zhì)量
2023-09-07 09:31:15170 
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無(wú)法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:255246 DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片，其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:06674 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 09:50:47
0 DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR是一種技術(shù)，中國(guó)大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國(guó)臺(tái)灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來(lái)稱呼。
2023-07-16 15:27:101766 
`[hide]SD-DDR-DDR2內(nèi)存條標(biāo)準(zhǔn)尺寸[/hide]<br/>`
2009-05-25 11:48:10
DDR PHY 接口 （DFI） 用于包括智能手機(jī)在內(nèi)的多種消費(fèi)電子設(shè)備。DFI 是一種接口協(xié)議，用于定義在 DRAM 設(shè)備之間以及 MC（微控制器）和 PHY 之間傳輸控制信息和數(shù)據(jù)所需的信號(hào)
2023-05-26 15:27:312813 
DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場(chǎng)，直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺有點(diǎn)跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對(duì)比。
2023-04-04 17:08:471667 
隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。 （2）SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一
2023-03-07 13:49:18537 ?
內(nèi)存是數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器以及個(gè)人計(jì)算機(jī)等技術(shù)發(fā)展的重要組成。目前內(nèi)存的發(fā)展是由DDR技術(shù)路線引導(dǎo)，TE?Connectivity（以下簡(jiǎn)稱“TE”）經(jīng)歷了DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的迭代發(fā)展。為了更好地助力數(shù)據(jù)傳輸的帶寬，DDR5 DIMM插槽應(yīng)運(yùn)而生。
?
2023-02-16 10:31:16576 LTC?3876 是一款完整的 DDR 電源解決方案，兼容 DDR1、DDR2、DDR3 和 DDR4 較低電壓標(biāo)準(zhǔn)。該 IC 包括 VDDQ和 VTT DC/DC 控制器和精密線性VTT 參考。差分輸出檢測(cè)放大器和精密內(nèi)部基準(zhǔn)相結(jié)合，提供精確的VDDQ供應(yīng)。
2023-01-17 10:29:271334 
SDRAM在一一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是-一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)。
2023-01-13 16:25:352 和下降沿都發(fā)生數(shù)據(jù)傳輸。 圖1. DDR3結(jié)構(gòu) 二、地址的概念及容量計(jì)算 2.1地址的概念 ? ? ? ? DDR3的內(nèi)部是一個(gè)存儲(chǔ)陣列，將數(shù)據(jù)“填
2022-12-21 18:30:051246 DDR是當(dāng)前最常用的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)技術(shù)之一，其高速、低功耗的特性滿足了眾多消費(fèi)者的需求。隨著傳輸速度的加快，DDR的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證難度呈指數(shù)上升。對(duì)于硬件設(shè)計(jì)人員來(lái)講，DDR的高速率非常容易引起一系列信號(hào)完整性問題，引發(fā)包括時(shí)序沖突、協(xié)議背離、時(shí)鐘抖動(dòng)以及由其他總線引發(fā)的錯(cuò)誤等其它問題。
2022-12-08 09:16:341191 傳統(tǒng)上，雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）技術(shù)依賴于時(shí)序測(cè)量，例如建立和保持時(shí)間。隨著標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展和傳輸速率的提高，信號(hào)完整性變得更具挑戰(zhàn)性。 對(duì)于DDR5，定時(shí)測(cè)量已被數(shù)據(jù)和命令地址信號(hào)的眼圖模板測(cè)量所取
2022-12-07 14:34:271422 
本文檔定義了DDR4 SDRAM規(guī)范，包括特性、功能、交流和直流特性、封裝和球/信號(hào)分配。本標(biāo)準(zhǔn)旨在定義符合JEDEC 2 Gb的最低要求x4、x8和x16 DDR4 SDRAM設(shè)備通過16 Gb
2022-11-29 10:00:1715 DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù)，中國(guó)大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國(guó)臺(tái)灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來(lái)稱呼。
2022-11-28 09:17:062854 初期DDR5可提供超過DDR4 50%數(shù)據(jù)傳輸率，最終預(yù)期可達(dá)2.6倍8.4Gbps?；仡橨EDEC SDRAM歷代演進(jìn)，提升幅度還算驚人，但到頭來(lái)也只是充分反應(yīng)相隔八年累積的制程技術(shù)成長(zhǎng)。
2022-09-21 11:48:072116 DDR,
DDR2,
DDR3,
DDR4,LPDDR區(qū)別作者：AirCity
[email protected] 本文所有權(quán)歸作者Aircity所有1 什么是DDRDDR
2021-11-10 09:51:03149 用于 DDR 終端的高效率 ±6A 開關(guān)穩(wěn)壓器符合 DDR / DDR2 / DDR3 標(biāo)準(zhǔn)
2021-03-21 05:20:164 用于 DDR 電源及終端的高效率、雙通道、±3A同步降壓型穩(wěn)壓器符合 DDR / DDR2 / DDR3 標(biāo)準(zhǔn)
2021-03-19 08:44:5013 ，和普通用戶無(wú)關(guān)。 現(xiàn)在，JEDEC固態(tài)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)發(fā)布了DDR4 NVDIMM-P非易失內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，序列編號(hào)JESD304-4.01，也可以在斷電后不丟失數(shù)據(jù)，而且完全兼容DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。 根據(jù)規(guī)范，這種新內(nèi)存兼容普通的DIMM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)、固件，可以最大程度減少對(duì)于現(xiàn)有設(shè)備、平臺(tái)的更改，同
2021-02-19 10:04:021430 的數(shù)據(jù)傳輸量，這也是 DDR 的意義——Double Data Rate，雙倍數(shù)據(jù)速率。舉例來(lái)說(shuō)，DDR266 標(biāo)準(zhǔn)的 DDR SDRAM 能提供 2.1GB/s 的內(nèi)存帶寬，而傳統(tǒng)的 PC133 SDRAM 卻只能提供 1.06GB/s 的內(nèi)存帶寬。
2020-12-23 11:38:0011 5 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)（JESD79-5），其引腳帶寬（頻率）是DDR4的兩倍，首發(fā)將以4.8Gbps（4800MHz）起跳，比末代DDR4的標(biāo)準(zhǔn)頻率3200MHz增加了50%之多，總傳輸帶寬提升了38
2020-12-12 10:35:393778 的數(shù)據(jù)傳輸量，這也是 DDR 的意義——Double Data Rate，雙倍數(shù)據(jù)速率。舉例來(lái)說(shuō)，DDR266 標(biāo)準(zhǔn)的 DDR SDRAM 能提供 2.1GB/s 的內(nèi)存帶寬，而傳統(tǒng)的 PC133 SDRAM
2020-10-30 10:51:48469 5-4800芯片支持4800到5600 Mbps的速度，潛在的數(shù)據(jù)傳輸速率比DDR4更快，同時(shí)功耗更低。該技術(shù)還允許模塊的大小高達(dá)256GB。 JEDEC的DDR5 RAM標(biāo)準(zhǔn)于今年7月正式發(fā)布，但SK-Hynix
2020-10-20 14:01:293404 DDR SDRAM是具有雙倍數(shù)據(jù)傳輸率的SDRAM，其數(shù)據(jù)傳輸速度為系統(tǒng)時(shí)鐘頻率的兩倍，由于速度增加，其傳輸性能優(yōu)于傳統(tǒng)的SDRAM。DDR SDRAM 在系統(tǒng)時(shí)鐘的上升沿和下降沿都可以進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸
2020-07-16 15:44:101779 （頻率）是DDR4的兩倍，首發(fā)將以4.8Gbps（4800MHz）起跳，比末代DDR4的標(biāo)準(zhǔn)頻率3200MHz增加了50%之多，總傳輸帶寬提升了
2020-07-16 10:00:056677 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是DDR和DDR2與DDR3的設(shè)計(jì)資料總結(jié)包括了：一、DDR的布線分析與設(shè)計(jì)，二、DDR電路的信號(hào)完整性，三、DDR Layout Guide，四、DDR設(shè)計(jì)建議，六、DDR design checklist，七、DDR信號(hào)完整性
2020-05-29 08:00:0049 日前瀾起科技董事長(zhǎng)楊崇和在參與活動(dòng)時(shí)表態(tài)，公司正積極參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定。
2019-12-16 15:41:082894 要求。本標(biāo)準(zhǔn)是根據(jù)DDR2標(biāo)準(zhǔn)（Jesd79-2）和DDR標(biāo)準(zhǔn)（Jesd79）的某些方面制定的。DDR3 SDRAM操作的每個(gè)方面的更改都經(jīng)過了委員會(huì)投票的考慮和批準(zhǔn)。然后將這些投票的累積合并在一起，以制備本文件，即Jesd79-3D，替換整個(gè)將這些更改合并到功能描述和操作中。
2019-11-04 08:00:0065 2014年，推出了第四代DDR內(nèi)存（DDR4），降低了功耗，提高了數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的芯片密度。 DDR4內(nèi)存還具有改進(jìn)的數(shù)據(jù)完整性，增加了對(duì)寫入數(shù)據(jù)的循環(huán)冗余檢查和片上奇偶校驗(yàn)檢測(cè)。
2019-07-26 14:34:0144519 DDR2 設(shè)備概述：DDR2 SDRAM接口是源同步、支持雙速率傳輸。比如DDR SDRAM ,使用SSTL 1.8V/IO電氣標(biāo)準(zhǔn)，該電氣標(biāo)準(zhǔn)具有較低的功耗。與TSOP比起來(lái)，DDR2 SDRAM的FBGA封裝尺寸小得多。
2019-06-22 10:05:011609 
SK海力士官方宣布，公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb（2GB）的下一代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒，且是首款滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的DDR5。
2018-11-17 11:47:494167 關(guān)鍵詞：JEDEC , DDR4 , 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) 微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)：DDR4，它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快一倍，且功耗更低
2018-09-30 00:15:011917 突發(fā)長(zhǎng)度，由于DDR3的預(yù)期為8bit,所以突發(fā)傳輸周期（BL，Burst Length）也固定位8，而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個(gè)
2018-06-21 09:20:5414051 
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic
2018-05-23 16:07:1949251 
差分時(shí)鐘是DDR的一個(gè)非常重要的設(shè)計(jì)，是對(duì)觸發(fā)時(shí)鐘進(jìn)行校準(zhǔn)，主要原因是DDR數(shù)據(jù)的雙沿采樣。由于數(shù)據(jù)是在時(shí)鐘的上下沿觸發(fā)，造成傳輸周期縮短了一半，因此必須要保證傳輸周期的穩(wěn)定以確保數(shù)據(jù)的正確傳輸
2018-04-01 10:32:0714949 
DDR2(Double Data Rate2)SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))制定的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同：雖然采用時(shí)鐘的上升／下降沿同時(shí)傳輸
2017-11-25 01:41:013741 
SDRAM）：DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133～3200 MT/s。
2017-11-17 13:15:4924748 雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們?cè)賮?lái)看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變：
2017-11-08 15:42:2330614 DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133～3200MT/s。DDR4 新增了4 個(gè)Bank Group 數(shù)據(jù)組的設(shè)計(jì)，各個(gè)Bank
2017-11-07 10:48:5152043 
DDR~DDR3的設(shè)計(jì)指導(dǎo)手冊(cè)
2017-11-02 17:02:1189 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始，計(jì)劃明年定稿。
2017-04-01 07:49:522114 藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟(Bluetooth Special Interest Group，SIG)在本周正式公布了最新的藍(lán)牙5.0技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，相比于上一代標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0的重點(diǎn)在于提升至4倍的傳輸范圍(理論上
2016-12-09 18:35:5113133 總結(jié)了DDR和DDR2，DDR3三者的區(qū)別，對(duì)于初學(xué)者有很大的幫助
2015-11-10 17:05:3736 SD-DDR-DDR2內(nèi)存條標(biāo)準(zhǔn)尺寸
2013-09-13 15:19:42162 微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)：DDR4，它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快一倍，且功耗更低。JEDEC的DDR4技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的公布是數(shù)年來(lái)世界各地的內(nèi)存
2012-09-30 20:30:561575 JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，全球微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu)日前公布了廣為業(yè)界期待的DDR4(雙倍數(shù)據(jù)速率4)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵屬性。 預(yù)計(jì)將于2012年中期發(fā)布的JEDEC DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)與之前幾代的技術(shù)
2011-08-24 08:57:461651 DDR 技術(shù)和HSTL 電平標(biāo)準(zhǔn)是近年來(lái)出現(xiàn)的高速數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)，結(jié)合實(shí)際課題探討應(yīng)用了這兩種技術(shù)的DDR SRAM器件的具體使用
2011-06-03 16:30:3882 JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)全球領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu)，今天宣布正式發(fā)布JEDEC DDR3L規(guī)范。這是廣受期待的DDR3存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)JESD79-3 的附件。這是DDR3作為當(dāng)今DRAM主導(dǎo)性標(biāo)準(zhǔn)演變的繼續(xù)
2010-08-05 09:10:503338 DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國(guó)JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:392967 DDR2,DDR2是什么意思
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)
2010-03-24 16:06:361329 嵌入式DDR接口原理及設(shè)計(jì)
有助于SoC設(shè)計(jì)取得成功的十條建議
DDR3等DRAM標(biāo)準(zhǔn)是由JEDEC開發(fā)的。這個(gè)組織已經(jīng)為許多半導(dǎo)體器件制定過標(biāo)準(zhǔn)，而大多數(shù)DR
2010-03-13 11:36:4788 Modem數(shù)據(jù)傳輸標(biāo)準(zhǔn)
數(shù)據(jù)傳輸標(biāo)準(zhǔn)是指MODEM的
2009-12-28 13:29:15866 內(nèi)存最高傳輸標(biāo)準(zhǔn) 內(nèi)存傳輸標(biāo)準(zhǔn)是指主板所支持的內(nèi)存傳輸帶寬大小或主板所支持的內(nèi)存的工作頻率，這里的內(nèi)
2009-12-26 15:56:43244 RDRAM傳輸標(biāo)準(zhǔn)
PC600
2009-12-25 14:16:10174 DDR2傳輸標(biāo)準(zhǔn)
DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級(jí)和擴(kuò)展：DDR的核心頻率與時(shí)鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時(shí)鐘頻率的兩倍，也就是說(shuō)在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)必須傳輸兩次
2009-12-25 14:12:57419 DDR傳輸標(biāo)準(zhǔn)
PC1600如果按照傳統(tǒng)習(xí)慣傳輸標(biāo)準(zhǔn)的命名，PC1600（DDR200）應(yīng)該是PC200。在當(dāng)時(shí)
2009-12-25 13:54:36392 DRAM傳輸標(biāo)準(zhǔn)
PC100 PC100是
2009-12-25 13:52:22373 內(nèi)存傳輸標(biāo)準(zhǔn)有哪些? 內(nèi)存是計(jì)算機(jī)內(nèi)部最
2009-12-25 13:49:07407 主板支持的內(nèi)存傳輸標(biāo)準(zhǔn)有哪些? 內(nèi)存傳輸標(biāo)準(zhǔn)是指主板所支持的內(nèi)存傳輸帶寬大小或主板所支持的內(nèi)存的工作頻率
2009-12-24 14:58:23862 什么是RDRAM傳輸標(biāo)準(zhǔn)
目前RDRAM有PC 600，PC 800，PC 1066和PC 1600等，其工作頻率分別為300MHz，400MHz，533MHz和800MHz，其對(duì)應(yīng)的內(nèi)存傳輸帶寬分別為1.2GB/sec，1.6GB/sec，2.12GB/sec
2009-12-24 14:55:07499 DDR2內(nèi)存傳輸標(biāo)準(zhǔn)
DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級(jí)和擴(kuò)展：DDR的核心頻率與時(shí)鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時(shí)鐘頻率的兩倍，也就是說(shuō)在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)必須傳輸
2009-12-24 14:53:28595 什么是DDR傳輸標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)的DDR SDRAM分為DDR 200，DDR 266，DDR 333以及DDR 400，其標(biāo)準(zhǔn)工作頻率分別100MHz，133MHz，166MHz和200MHz，對(duì)應(yīng)的內(nèi)存傳輸帶寬分別為1.6GB/sec，2.12GB
2009-12-24 14:51:34579 什么是SDRAM傳輸標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)的SDRAM分為66MHz SDRAM（即俗稱的PC 66，但PC 66并非正規(guī)術(shù)語(yǔ)），PC 100以及PC 133，其標(biāo)準(zhǔn)工作頻率分別為66MHz，100MHz和133MHz，對(duì)
2009-12-24 14:49:19384 DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不
2009-12-17 16:26:19691 什么是DDR SDRAM內(nèi)存
DDR是一種繼SDRAM后產(chǎn)生的內(nèi)存技術(shù)，DDR，英文原意為“DoubleDataRate”，顧名思義，就是雙數(shù)據(jù)傳輸模式。之所以稱其為“雙”，也
2009-12-17 11:15:531539 DDR培訓(xùn)教材:DDR概述DDR工作原理DDR相關(guān)概念DDR的兩種形式配置DDR幾個(gè)常用參數(shù)DDR Dial-on-Demand RoutingDDR不是協(xié)議沒有國(guó)際標(biāo)準(zhǔn).兩種拔號(hào)網(wǎng)絡(luò)PSTN ISDN省錢但速度
2009-09-13 10:44:5049 RDRAM傳輸標(biāo)準(zhǔn) 目前RDRAM有PC 600，PC 800，PC 1066和PC 1600等，其工作頻率分別為300MHz，400MHz，533MHz和800MHz，其對(duì)應(yīng)的內(nèi)存傳輸帶
2009-04-26 18:06:23547 
DDR2內(nèi)存傳輸標(biāo)準(zhǔn) DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級(jí)和擴(kuò)展：DDR的核心頻率與時(shí)鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時(shí)鐘頻率的兩倍，也
2009-04-26 18:05:40720 
SDRAM傳輸標(biāo)準(zhǔn) 標(biāo)準(zhǔn)的SDRAM分為66MHz SDRAM（即俗稱的PC 66，但PC 66并非正規(guī)術(shù)語(yǔ)），PC 100以及PC 133，其標(biāo)準(zhǔn)工作頻率
2009-04-26 18:03:38895 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論