MOSFET，是美格納40~200V溝槽MOSFET的尖端產(chǎn)品組合。 在大功率設(shè)備中，能源效率對(duì)于降低功耗和確保穩(wěn)定性至關(guān)重要。利用美格納尖端的溝槽式MOSFET技術(shù)，這些新發(fā)布的第8代150V MXT MV
2023-10-12 17:15:09
447 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LTC7066:150V 半橋半橋司機(jī),有浮動(dòng)地和可調(diào)整死亡時(shí)間數(shù)據(jù)表相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有LTC7066:150V 半橋半橋司機(jī),有浮動(dòng)地和可調(diào)整死亡時(shí)間
2023-10-10 18:45:09
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電
2010-05-06 08:55:20
AH8673開關(guān)降壓型DC-DC控制器是一款功能強(qiáng)大的電源管理芯片。它支持寬電壓輸入，最高可達(dá)150V，適用于各種需要降壓轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場合。AH8673具有許多突出的特點(diǎn)，使其成為市場上備受青睞的*品。
2023-09-04 11:03:42229 380v變200v三相變壓器怎么接線？? 三相變壓器是一種常見的電氣設(shè)備，用于將高電壓的三相電源轉(zhuǎn)換為低電壓，以便滿足電器設(shè)備的需求。380V變200V三相變壓器是一種功能強(qiáng)大、有效率的三相
2023-08-17 17:47:38600 380v變200v三相變壓器內(nèi)部原理 在工業(yè)生產(chǎn)中，電力系統(tǒng)的負(fù)載比較復(fù)雜，需使用不同的轉(zhuǎn)換裝置進(jìn)行電壓和電流的轉(zhuǎn)換。三相變壓器就是其中一種用于變換交流電壓的裝置。380V變200V的三相
2023-08-17 17:46:39441 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:32494 中國上海， 2023 年 3 月 30 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1
2023-03-30 13:37:14490 
20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZB150UNE
2023-02-27 19:01:55
0 70 V，P 溝道溝槽 MOSFET-PMT200EPE
2023-02-23 18:51:160 RBxx8BM200和RBxx8NS200是具有超低IR（反向電流）的肖特基勢壘二極管（SBD），且實(shí)現(xiàn)了200V耐壓的肖特基勢壘二極管的新產(chǎn)品。主要目標(biāo)應(yīng)用是動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)等車載系統(tǒng)（xEV等）、工業(yè)設(shè)備逆變器、各種電源等。
2023-02-09 10:19:22582 
聯(lián)訊儀器全新推出PXIe精密電源/測量單元S2012C。其最小測量分辨率達(dá)10fA/100nV，輸出電壓高達(dá)±200V。
2023-01-30 17:09:11391 
小，但在某些應(yīng)用領(lǐng)域，P溝道MOSFET因其本身的電性特點(diǎn)，有其不可替代性，目前驪微電子可提供-30~-150V，-3~-46A的P溝道MOSFET解決方案，封裝
2022-11-11 16:00:46581 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高效、200V/520W LLC串聯(lián)諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-07 10:09:138 供應(yīng)150V氮化鎵mos管SVGP15140NL5A，提供SVGP15140NL5A規(guī)格參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-06-07 15:53:520 Corporation，簡稱“東芝”）推出了150V N溝道功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）“TPH9R00CQH”(?https://toshiba.semicon-storage.com
2022-04-06 17:36:553577 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。
2022-04-01 16:42:3610620 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，其中
2022-04-01 09:12:422601 ±120V、24V轉(zhuǎn)±130V、24V轉(zhuǎn)±150V、24V轉(zhuǎn)±160V、24V轉(zhuǎn)±180V、24V轉(zhuǎn)±200VDC、24V轉(zhuǎn)±220VDC、24V轉(zhuǎn)±230VDC、24V轉(zhuǎn)±240VDC、24V轉(zhuǎn)±250VDCHRA系列（6-20W）隔離寬電壓輸入正負(fù)高電壓雙輸出穩(wěn)壓DC/DC模塊電源產(chǎn)品特點(diǎn)●.
2022-01-05 14:59:5221 ）寬輸入電壓范圍(寬電壓輸入模塊電源是指輸入電壓可以允許在很寬的范圍內(nèi)變化)。輸出單電壓：100VDC、110VDC、150DC、200VDC、250VDC等，具有功率密度大，輸出功率高，應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)。技術(shù)參數(shù)輸出特性技術(shù)指標(biāo) 技術(shù)參數(shù) 測試條件穩(wěn)壓精度 3.0 %max 0%~100%負(fù)載范圍電
2022-01-05 14:59:229 PN6006 200V高耐壓電動(dòng)車控制芯片
2021-11-24 15:49:480 LT4356-1演示電路-24V過壓穩(wěn)壓器，在車載時(shí)可承受150V電壓
2021-06-08 14:48:5510 LTC3639演示電路-高效、150V同步降壓轉(zhuǎn)換器(4-150V至3.3V@100 mA)
2021-06-08 08:44:2345 LTC6102演示電路-簡易200V電流監(jiān)控器
2021-06-07 14:52:134 LTC7001接近150V高中NMOS StationSwitch Driver Diseet
2021-05-29 17:20:155 150V低智商同步降壓控制器
2021-05-27 08:13:118 LT1351：250μA、3 MHz、200V/μs運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)表
2021-05-26 10:58:0510 LTC3895：150V低智商、同步降壓DC/DC控制器數(shù)據(jù)表
2021-05-16 19:09:224 同步降壓式DC-DC控制器耐受150V輸入浪涌
2021-04-21 10:12:114 80V至150V非隔離DC/DC
2021-04-20 10:55:4015 LTC3639：高效150V 100 mA同步降壓穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表
2021-04-16 13:27:439 AD5535：32通道14位DAC，全量程輸出電壓可從50V編程至200V數(shù)據(jù)表
2021-04-14 13:44:042 LT4356-1演示電路-24V過壓穩(wěn)壓器，在車載時(shí)可承受150V電壓
2021-04-10 10:17:3512 快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482 高效率開關(guān)浪涌抑制器針對(duì) 200V 及更高瞬態(tài)提供保護(hù)
2021-03-19 11:15:228 150V 快速高壓側(cè)受保護(hù)的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:125 LTC7001: Fast 150V High Side NMOS Static Switch Driver Data Sheet
2021-03-06 14:41:535 LTC7001: Fast 150V High Side NMOS Static Switch Driver Data Sheet
2021-02-05 15:07:301 LTC7801: 150V Low IQ, Synchronous Step-Down DC/DC Controller Data Sheet
2021-01-28 00:25:323 200V HVIC門極驅(qū)動(dòng)器SLM2004S LED鎮(zhèn)流器，步機(jī)無刷電機(jī)運(yùn)用方案 ? General Description描述： SLM2004S是高電壓、高速動(dòng)力MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)，具有
2020-12-21 17:19:151839 NS推出的200V功率放大器輸出級(jí)驅(qū)動(dòng)器系列的另一新型號(hào)。這款型號(hào)為LME49810的200V單芯片驅(qū)動(dòng)器內(nèi)置Baker補(bǔ)償性鉗位電路，可以執(zhí)行許多分立元件的功能，使高功率音頻放大器可以減省超過25顆分立元件。
2020-12-18 09:09:007243 
25V 25V 0402 50V 50V 25V 50V 50V 0603 75V 50V 50V 50V 50V 0805 150V 150V 100V 100V 100V 1206 200V
2020-03-23 11:08:5923917 
輸入模塊電源是指輸入電壓可以允許在很寬的范圍內(nèi)變化)。輸出正負(fù)電壓：50V、100VDC、110VDC、150VDC、200VDC、250VDC等，具有功率密度大，
2020-03-10 15:00:183374 SuperSO8封裝：OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封裝，堪稱封裝界的best-in-class級(jí)別，相比于TO-220封裝，SuperSO8將在減少封裝電感的基礎(chǔ)上進(jìn)一步增大功率密度、減少漏源電壓V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:174045 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都），面向包括xEV在內(nèi)的動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)等車載系統(tǒng)，開發(fā)出200V耐壓的超低IR※1肖特基勢壘二極管※2（以下簡稱“SBD”）“RBxx8BM200”“RBxx8NS200”。
2019-08-27 14:36:101038 所有用PWM都是最簡單的方式，因?yàn)檫@個(gè)是48V 96V使用。太陽能電池板的開路電壓，可能超過200V直流，為了提高可靠性，需要單獨(dú)設(shè)計(jì)獨(dú)立的輔助電源提供給CPU和驅(qū)動(dòng)電路。
2018-02-07 08:40:471831 ，簡稱 ADI） 旗下凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC7001，該器件以高達(dá) 150V 電源電壓運(yùn)行。
2017-07-07 15:00:371791 同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器控制器 LTC3895，該器件可驅(qū)動(dòng)一個(gè)全 N 溝道 MOSFET 電源級(jí)。其 4V 至 140V （150V 絕對(duì)最大值） 輸入電壓范圍允許使用高壓輸入電源或具高壓浪涌的輸入工作，從而無需外部浪涌抑制器件。
2016-05-24 13:55:383508 今天，富士通半導(dǎo)體宣布推出基于硅襯底的氮化鎵（GaN）功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150V。用戶可設(shè)計(jì)出體積更小、效率更高電源組件，可廣泛應(yīng)用于ICT設(shè)備、工業(yè)設(shè)備與汽車電子等領(lǐng)域。
2013-07-23 15:00:171037 凌力爾特公司推出具備 150V 輸入能力并可提供高達(dá) 100mA 連續(xù)輸出電流的同步降壓型轉(zhuǎn)換器 LTC3639。該器件可在 4.5V 至 150V的輸入電壓下工作，因此無需外部瞬態(tài)電壓抑制器。
2013-05-14 11:34:281301 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導(dǎo)通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計(jì)人員在多個(gè)MOSFET并聯(lián)使用時(shí)減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:211163 X-FAB Silicon Foundries 日前推出全新的 XT018 制程，這是180奈米200V MOS的獨(dú)立溝槽電介質(zhì)（SOI）代工制程。
2012-11-28 10:04:091352 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片組，特別為注重成本的19V輸
2010-12-17 08:55:211007 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺(tái)式機(jī)及筆記本電
2010-11-24 09:14:351444 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用IR最新的SO-8封裝,P溝道MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開
2010-09-20 08:59:09977 IR推出二款DirectFET MOSFET芯片組
國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用 (包括服務(wù)器、臺(tái)
2010-04-20 10:24:32829 
英飛凌發(fā)布200V和250V OptiMOSTM系列器件，壯大MOSFET陣容
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進(jìn)一步擴(kuò)大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用
2010-01-29 08:53:011094 英飛凌推出性能領(lǐng)先業(yè)界的200V和250V OptiMOSTM系列器件，壯大功率MOSFET 產(chǎn)品陣
2010年1月21日，德國Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近
2010-01-26 09:25:271022 英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進(jìn)一步擴(kuò)大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)
2010-01-26 09:22:57752 IR 推出24V汽車級(jí)智能功率開關(guān)
國際整流器公司 (International Rectifier，IR) 推出 AUIPS7121R 和 AUIPS7141R 65V 高側(cè)智能功率開關(guān) (IPS) 。新產(chǎn)品具有精確的電流感應(yīng)和內(nèi)置保護(hù)電路
2009-12-18 08:27:39911 
for ±200V input voltage(±500V without damage), it is commonly used in environmentswith very high input noise or with high-voltage in
2009-06-02 11:25:3921
150V電壓檢測電路圖
2009-05-13 14:27:271725 
具有極低失真的振蕩器
2009-04-08 09:11:14345 
輸出150V，50A的伺服驅(qū)動(dòng)電路
2009-02-17 20:20:27897 
50A 150V PWM直流驅(qū)動(dòng)電路
2009-02-09 12:43:16844 
一款0～150V直流穩(wěn)壓電源電路剖析
筆者因?yàn)楣ぷ鞯年P(guān)系，接觸到許多海外的電子儀
2006-04-15 23:25:053450 
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