本文對非易失性控制器芯片DSl210的主要性能進(jìn)行了介紹，并給出了利用DSl2lO芯片設(shè)計(jì)微處理器存儲系統(tǒng)電源監(jiān)視電路的基本設(shè)計(jì)方法。
l DSl210芯片的主要功能
2010-08-25 11:13:13
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表面貼裝肖特基整流器DSL22 THRU DSL210規(guī)格書免費(fèi)下載。
2022-03-31 17:19:29
5 DS1218非易失控制器芯片供應(yīng)電路要求提供標(biāo)準(zhǔn)CMOS RAM非易失性。
2012-07-19 14:28:141422 
DS1210非易失控制器芯片是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。
2012-07-19 14:30:073272 
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5433資料下載內(nèi)容包括：MAX5433引腳功能MAX5433功能和特性MAX5433應(yīng)用范圍MAX5433內(nèi)部方框圖MAX5433極限參數(shù)MAX5433典型應(yīng)用電路
2021-04-02 07:32:20
DS1312電池監(jiān)視器非易失控制器是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。
2012-07-19 14:26:37867 
作為使用PAL、GAL或CPLD器件實(shí)現(xiàn)非易失性門控功能的替代方案，這些電路使用串行接口控制的數(shù)字電位器（MAX5427或MAX5527）存儲門控信號（模塊或發(fā)送）。
2023-01-12 11:30:52473 
這款新Qorivva微控制器(MCU)系列基于Power Architecture ·技術(shù)，采用獨(dú)特的55納米(nm)非易失性內(nèi)存(NVM)構(gòu)建而成，旨在
2010-11-11 18:05:13850 DS3911是一款四，10位Δ-Σ輸出，非易失(NV)控制器，具有片上溫度傳感器和相關(guān)的模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)
2011-06-30 10:05:021242 
ADM1166：帶余量控制和非易失性故障記錄的超級序列器
2021-04-24 12:29:412 低功耗設(shè)計(jì)的植入人體的增強(qiáng)生命的患者監(jiān)護(hù)設(shè)備，小尺寸內(nèi)存，賽普拉斯FRAM 提供即時(shí)非易失性和幾乎無限的耐用性，而不會影響速度或能源效率。本篇文章介紹64Kbit非易失性鐵電存儲器FM25640B。
2021-06-30 15:42:461436 并非所有非易失性或閃存 FPGA 器件都是一樣的。本文探討了真正的非易失性FPGA的優(yōu)勢 - 包括顯著降低功耗、更快的響應(yīng)時(shí)間、無與倫比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是無法復(fù)制的。
2022-11-14 15:34:191037 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《非易失性NVSRAM存儲器的詳細(xì)講解.pdf》資料免費(fèi)下載
2020-11-25 11:12:0025 DS1323設(shè)計(jì)靈活的非易失控制器帶有鋰電池監(jiān)測器，采用CMOS電路設(shè)計(jì)，用于解決CMOS SRAM轉(zhuǎn)換成非易失存儲器的實(shí)際應(yīng)用問題。
2012-04-16 12:11:02657 UG-932：使用芯片間總線和非易失性故障記錄評估ADM1260超級序列器
2021-04-24 14:38:011 ADM1260：帶芯片間總線和非易失性故障記錄數(shù)據(jù)表的超級序列器
2021-04-16 17:27:200 DS1314非易失控制器，帶有電池監(jiān)視器是一個(gè)CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。
2012-07-19 14:21:121380 
摘要：本文討論如何使用安全數(shù)字(SD)媒體格式擴(kuò)展MAXQ2000的非易失數(shù)據(jù)存儲器。 低功耗、低噪聲的MAXQ2000微控制器適合于多種應(yīng)用。MAXQ2000在閃存中存儲非易失性數(shù)據(jù)，
2009-04-23 16:25:25983 
DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)、CPU監(jiān)控電路和溫度傳感器，可以為加密交易終端和其它安全敏感應(yīng)用提供篡改保護(hù)
2011-04-27 10:23:37841 DS1646是一個(gè)128K的× 8非易失性與全功能實(shí)時(shí)時(shí)鐘，都在一個(gè)字節(jié)寬的格式訪問靜態(tài)RAM。非易失性RAM是計(jì)時(shí)功能等同于
2010-10-22 08:55:09892 
ADM1169：帶裕度控制和非易失性故障記錄數(shù)據(jù)表的超級序列器
2021-04-17 10:06:150 DS1647為512k x 8非易失性靜態(tài)RAM，包括一個(gè)完備的實(shí)時(shí)時(shí)鐘，兩者均以字節(jié)寬度格式訪問。非易失性時(shí)間保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091169 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用XOD訪問ESP32非易失性存儲.zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-15 14:35:410 充分利用MAXQ®處理器的非易失存儲服務(wù)
摘要：需要非易失數(shù)據(jù)存儲的應(yīng)用通常都需要使用外部串行EEPROM。這篇文章介紹了僅使用MAXQ微控制器中已有的閃存提供非易失
2009-05-02 09:28:54727 
非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機(jī)制
2017-01-19 21:22:5414 AN4808_STM32L0和STM32L1系列微控制器上不干擾代碼執(zhí)行寫非易失存儲器
2022-11-21 17:06:490 DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬
2010-09-28 08:58:301054 
英特矽爾Intersil推出小型非易失性按鈕式數(shù)控電位器ISL22511/12
Intersil公司近日宣布推出全球最小的非易失性按鈕式數(shù)控電位器（DCP）ISL22511和ISL22512。Intersil
2008-08-05 09:23:55643 文章介紹一些應(yīng)用在血液透析機(jī)上的非易失性MRAM. 血液透析機(jī)使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM產(chǎn)品是因?yàn)镸RAM固有的非易失性、不需要電池或電容器、無限的非易失性寫入耐久性和非易失性寫入周期和讀取周期的高速。這些獨(dú)特的MRAM屬性提高了
2021-11-11 16:26:49324 MAXQ器件包含的硬件部分可以實(shí)現(xiàn)偽馮諾依曼架構(gòu)，如同訪問數(shù)據(jù)空間一樣訪問代碼空間。這種額外的多功能性，結(jié)合MAXQ的效用函數(shù)，可實(shí)現(xiàn)存儲器的擦寫服務(wù)，為完整的可讀寫非易失存
2011-05-31 11:51:501043 
包括具備同步 NAND 閃存接口的器件。該系列是業(yè)界首款可直接與開放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 總線控制器相連接的非易失性 SRAM 存儲器。16-Mbit 系列
2018-09-30 00:22:02412 因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù)，內(nèi)存需要快速的寫入速度與高耐久性。英尚微提供的非易失性存儲芯片NETSOL MRAM的主要優(yōu)勢包括:與SRAM不同，無需電壓控制器、電池及電池插座；與nvSRAM不同，無需電容器；寫入速度快；近乎無限的耐用性（100兆次的寫入次數(shù)）；斷電即時(shí)數(shù)據(jù)備份。
2023-03-22 14:41:07274 大型廠商的產(chǎn)品導(dǎo)入、存儲級內(nèi)存（SCM）的新興應(yīng)用以及五大邏輯代工廠的涉足將推動非易失性存儲市場的增長。 新興非易失性存儲（NON-VOLATILE MEMORY, NVM）有利的市場環(huán)境 相變存儲
2018-07-04 11:55:006506 
MAX5417/MAX5418/MAX5419為非易失性、線性變化的數(shù)字電位器，實(shí)現(xiàn)機(jī)械電位器的功能，采用簡單的2線數(shù)字接口就取代了機(jī)
2010-12-21 09:51:061098 
Altera的非易失性MAX 10 FPGA和Nios II軟核嵌入式處理器。 MAX 10 NEEK是一個(gè)功能豐富的平臺，為嵌入式設(shè)計(jì)人員提供了一種快速簡便的方法，可以在非易失性FPGA中體驗(yàn)定制嵌入式處理器的功能。 MAX 10 NEEK由Altera及其主板合作伙伴Terasic聯(lián)合開發(fā)。
2019-08-12 14:14:291070 事實(shí)上，除了這些傳統(tǒng)要求，在前兩代非易失FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)上，萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor）公司還認(rèn)識到需要靈活的片上非易失存儲器，以及作為非易失FPGA新要求的用于現(xiàn)場邏輯更新的全面解決方案。
2019-06-16 09:48:471246 概述
可編程邏輯器件已經(jīng)越來越多地用于汽車電子應(yīng)用，以替代ASIC和ASSP器件。Actel FPGA基于非易失性技術(shù)(快閃和反熔絲)，不易發(fā)生由中子引發(fā)的固件錯(cuò)誤，
2010-08-26 10:52:38447 TI推出具備非易失故障日志功能的新型八通道電源定序器與監(jiān)控器
德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備非易失故障日志功能的新型八
2008-10-30 09:09:01526 非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機(jī)制
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和
2010-01-11 10:02:22586 其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39155 Xicro公司生產(chǎn)的X25Fxx 系列非易失性快速擦寫串行 RAM 具有功耗低, 擦寫速度快的特點(diǎn) ,它采用 SPI 三總線接口,可與各種單片機(jī)連接,且具有很完善的數(shù)據(jù)保護(hù)功能。本文從應(yīng)用角度出發(fā)
2009-04-25 16:01:3518 主板上VT602芯片的引腳功能及管腳定義圖
2009-04-08 22:47:392179 NVM物理設(shè)備上的寫性能以及對NVM造成的磨損情況。現(xiàn)有NVM模擬器準(zhǔn)確度不高，且仿真接口不完備，無法滿足內(nèi)存文件系統(tǒng)對NVM的仿真需求。對此，提出一種面向非易失性內(nèi)存文件系統(tǒng)的NVM模擬與驗(yàn)誣方法。首先，結(jié)合非易失性內(nèi)存文件系統(tǒng)本身的數(shù)據(jù)讀寫特性，提出內(nèi)存文件系
2021-05-07 11:05:2013 STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時(shí)間長的存儲。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:581152 非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機(jī)制
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電
2009-12-19 10:37:46577 
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2022-07-12 10:20:410 DS1851雙路溫度控制非易失性(NV) DAC由兩路DAC，兩個(gè)EEPROM查詢表，和一個(gè)數(shù)字式溫度傳感器組成。兩個(gè)DAC可以編程為任意的溫度系數(shù)，這意味著無需任何外部器件，就可以修正任何系統(tǒng)的溫度影響。
2011-01-22 09:29:11535 
選通管（Selector）。為了抑制交叉存儲陣列的漏電流問題，往往引入選通管與存儲單元集成設(shè)計(jì)。相比于非易失性器件，易失性憶阻器作為選通管時(shí)，不需要額外的復(fù)位操作，簡化了外圍電路的設(shè)計(jì)，有助于存儲芯片的高密度集成；
2023-06-02 14:43:37935 
X9511 ─ 按鍵式非易失性數(shù)字電位器簡介X9511 是一個(gè)理想的按鈕控制電位器，其內(nèi)部包含了31 個(gè)電阻單元陣列，在每個(gè)電阻單元之間和任一端都有可以被滑動端訪
2009-11-14 14:50:3838 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款應(yīng)用于嚴(yán)苛環(huán)境的高溫非易失性(nonvolatile)閃存器
2012-11-26 09:23:052041 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、電信、汽車、工業(yè)系統(tǒng)以及無數(shù)電子設(shè)備和系統(tǒng)都依賴于各種形式的固態(tài)存儲器進(jìn)行操作。設(shè)計(jì)人員需要了解易失性和非易失性存儲器件的各種選項(xiàng)，以優(yōu)化系統(tǒng)性能。
2023-09-14 16:06:26460 
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011367 
本文介紹的ET44M210芯片是一款低價(jià)格、高性能、采用CMOS工藝制造、具有RISC架構(gòu)的8位微控制器芯片。芯片采用SMA封裝，引腳數(shù)為100，ET44M210的設(shè)計(jì)充分體現(xiàn)了當(dāng)今SoC化產(chǎn)品的特征，在IP模
2011-08-19 11:56:382085 
存儲器概況 存儲器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，主要是用來存放程序和數(shù)據(jù)。存儲器按存儲特性可分為非易失和易失兩大類。目前常見的多為半導(dǎo)體存儲器。 非易失性存儲器 非易失存儲器是指在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然
2020-12-07 14:26:134976 
ROHM確立了非易失性邏輯IC技術(shù)的可靠性，已經(jīng)開始進(jìn)行批量生產(chǎn)階段。此次采用了非易失性邏輯CMOS同步式的技術(shù)開發(fā)了4 Pin非易失性邏輯計(jì)算IC“BU70013TL”。這個(gè)產(chǎn)品于2009年6月
2020-08-30 08:28:00497 多款光耦的功能及引腳圖免費(fèi)下載。
2022-04-06 15:35:0414 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器。所謂非易失性是指掉電后﹐仍可以保持存儲內(nèi)容完整，此功能與Flash閃存相同;而隨機(jī)存取是指處理器讀取資料時(shí)，不定要從頭開始，隨時(shí)都可用相同的速率，從內(nèi)存的任何
2020-09-21 13:50:342448 NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321425 
DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時(shí)鐘是一個(gè)內(nèi)置的實(shí)時(shí)時(shí)鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性內(nèi)存 。
2012-01-04 10:53:261213 
ADI最新的AD512x / 4x系列非易失性數(shù)字電位計(jì)簡介。最新的創(chuàng)新型專利解決了一個(gè)傳統(tǒng)的對數(shù)增益問題，確保寬輸出范圍和帶寬，且容差誤差小于1%。
2019-07-08 06:13:001870 DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581338 
賽普拉斯半導(dǎo)體子公司AgigA技術(shù)公司日前宣布，推出業(yè)界最高存儲密度的DDR3解決方案，成為其無需電池供電的高速非易失性RAM系列產(chǎn)品中新的一員。AGIGARAM™非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達(dá)8GB的存儲密度，從而為系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計(jì)者提供了充
2011-01-26 16:45:37603 影響，相關(guān)的存儲與事務(wù)處理技術(shù)是其中值得關(guān)注的重要環(huán)節(jié)．首先，概述了事務(wù)型數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)隨存儲環(huán)境發(fā)展的歷史與趨勢；然后，對影響上層數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)的非易失性存儲技術(shù)以及面向大數(shù)據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域與硬件環(huán)境優(yōu)化的事務(wù)技術(shù)進(jìn)行綜述
2018-01-02 19:04:400 英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來說，這是最理想的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲器?？商娲鶱OR?Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-02-23 14:52:5589 DS1855雙路非易失性（NV）數(shù)字電位器和安全存儲器由一個(gè)100級線性變化電位器、一個(gè)256級線性變化電阻器、256字節(jié)EEPROM存貯器、和2線接口組成。
2013-02-19 16:53:302355 
易失性存儲器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計(jì)算機(jī)開機(jī)時(shí)存儲數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時(shí)將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28380 使用賽道存儲單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南
2017-01-07 21:45:571 DSL22-THRU-DSL210-SOD-123FL規(guī)格書
2021-11-30 16:12:299
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