MCS-51單片機概述

　　MCS-51單片機是一種集成的電路芯片，是采用超大規(guī)模集成電路技術(shù)把具有數(shù)據(jù)處理能力的中央處理器CPU隨機存儲器RAM、只讀存儲器ROM、多種I/O口和中斷系統(tǒng)、定時器/計時器等功能（可能還包括顯示驅(qū)動電路、脈寬調(diào)制電路、模擬多路轉(zhuǎn)換器、A/D轉(zhuǎn)換器等電路）集成到一塊硅片上構(gòu)成的一個小而完善的計算機系統(tǒng)。

　　51系列單片機的特點

　　-8位cpu

　　-片內(nèi)帶振蕩器，頻率范圍為1.2MHz~12MHz

　　-片內(nèi)帶128B的數(shù)據(jù)存儲器

　　-片內(nèi)帶4KB的程序存儲器

　　-程序存儲器的尋址空間為64KB

　　-片外數(shù)據(jù)存儲器的尋址空間為64KB

　　-128個用戶位尋址空間

　　-21個字節(jié)特殊功能寄存器

　　-4個8位的I/O并行接口：P0、P1、P2、P3

　　-兩個16位定時、計數(shù)器

　　-兩個優(yōu)先級別的五個中斷源

　　-一個全雙工的串行I/O接口，可多機通信

　　-111條指令，包含乘法指令和除法指令

　　-片內(nèi)采用單總線結(jié)構(gòu)

　　-有較強的位處理能力

　　-采用單一+5V電源

　　單片機的應(yīng)用分類

　　通用型

　　這是按單片機（Microcontrollers）適用范圍來區(qū)分的。例如，80C51式通用型單片機，它不是為某種專門用途設(shè)計的；專用型單片機是針對一類產(chǎn)品甚至某一個產(chǎn)品設(shè)計生產(chǎn)的，例如為了滿足電子體溫計的要求，在片內(nèi)集成ADC接口等功能的溫度測量控制電路。

　　總線型

　　這是按單片機（Microcontrollers）是否提供并行總線來區(qū)分的。總線型單片機普遍設(shè)置有并行地址總線、 數(shù)據(jù)總線、控制總線，這些引腳用以擴展并行外圍器件都可通過串行口與單片機連接，另外，許多單片機已把所需要的外圍器件及外設(shè)接口集成一片內(nèi)，因此在許多情況下可以不要并行擴展總線，大大減省封裝成本和芯片體積，這類單片機稱為非總線型單片機。

　　控制型

　　這是按照單片機（Microcontrollers）大致應(yīng)用的領(lǐng)域進行區(qū)分的。一般而言，工控型尋址范圍大，運算能力強；用于家電的單片機多為專用型，通常是小封裝、低價格，外圍器件和外設(shè)接口集成度高。 顯然，上述分類并不是惟一的和嚴格的。例如，80C51類單片機既是通用型又是總線型，還可以作工控用。

　　MCS-51單片機最小系統(tǒng)的組成部分及電路圖

　　圖2 51系列單片機最小系統(tǒng)見

　　下面就圖2所示的單片機最小系統(tǒng)各部分電路進行詳細說明。

　　1、時鐘電路

　　在設(shè)計時鐘電路之前，讓我們先了解下51單片機上的時鐘管腳：

　　XTAL1（19腳）：芯片內(nèi)部振蕩電路輸入端。

　　XTAL2（18腳）：芯片內(nèi)部振蕩電路輸出端。

　　XTAL1和XTAL2是獨立的輸入和輸出反相放大器，它們可以被配置為使用石英晶振的片內(nèi)振蕩器，或者是器件直接由外部時鐘驅(qū)動。圖2中采用的是內(nèi)時鐘模式，即采用利用芯片內(nèi)部的振蕩電路，在XTAL1、XTAL2的引腳上外接定時元件（一個石英晶體和兩個電容），內(nèi)部振蕩器便能產(chǎn)生自激振蕩。一般來說晶振可以在1.2～12MHz之間任選，甚至可以達到24MHz或者更高，但是頻率越高功耗也就越大。在本實驗套件中采用的11.0592M的石英晶振。和晶振并聯(lián)的兩個電容的大小對振蕩頻率有微小影響，可以起到頻率微調(diào)作用。當采用石英晶振時，電容可以在20～40pF之間選擇（本實驗套件使用30pF）；當采用陶瓷諧振器件時，電容要適當?shù)卦龃笠恍?0～50pF之間。通常選取33pF的陶瓷電容就可以了。

　　另外值得一提的是如果讀者自己在設(shè)計單片機系統(tǒng)的印刷電路板（PCB）時，晶體和電容應(yīng)盡可能與單片機芯片靠近，以減少引線的寄生電容，保證振蕩器可靠工作。檢測晶振是否起振的方法可以用示波器可以觀察到XTAL2輸出的十分漂亮的正弦波，也可以使用萬用表測量（把擋位打到直流擋，這個時候測得的是有效值）XTAL2和地之間的電壓時，可以看到2V左右一點的電壓。

　　2、復位電路

　　在單片機系統(tǒng)中，復位電路是非常關(guān)鍵的，當程序跑飛（運行不正常）或死機（停止運行）時，就需要進行復位。

　　MCS-5l系列單片機的復位引腳RST（第9管腳）出現(xiàn)2個機器周期以上的高電平時，單片機就執(zhí)行復位操作。如果RST持續(xù)為高電平，單片機就處于循環(huán)復位狀態(tài)。

　　復位操作通常有兩種基本形式：上電自動復位和開關(guān)復位。圖2中所示的復位電路就包括了這兩種復位方式。上電瞬間，電容兩端電壓不能突變，此時電容的負極和RESET相連，電壓全部加在了電阻上，RESET的輸入為高，芯片被復位。隨之+5V電源給電容充電，電阻上的電壓逐漸減小，最后約等于0，芯片正常工作。并聯(lián)在電容的兩端為復位按鍵，當復位按鍵沒有被按下的時候電路實現(xiàn)上電復位，在芯片正常工作后，通過按下按鍵使RST管腳出現(xiàn)高電平達到手動復位的效果。一般來說，只要RST管腳上保持10ms以上的高電平，就能使單片機有效的復位。圖中所示的復位電阻和電容為經(jīng)典值，實際制作是可以用同一數(shù)量級的電阻和電容代替，讀者也可自行計算RC充電時間或在工作環(huán)境實際測量，以確保單片機的復位電路可靠。

　　3、EA/VPP（31腳）的功能和接法

　　51單片機的EA/VPP（31腳）是內(nèi)部和外部程序存儲器的選擇管腳。當EA保持高電平時，單片機訪問內(nèi)部程序存儲器；當EA保持低電平時，則不管是否有內(nèi)部程序存儲器，只訪問外部存儲器。

　　對于現(xiàn)今的絕大部分單片機來說，其內(nèi)部的程序存儲器（一般為flash）容量都很大，因此基本上不需要外接程序存儲器，而是直接使用內(nèi)部的存儲器。

　　在本實驗套件中，EA管腳接到了VCC上，只使用內(nèi)部的程序存儲器。這一點一定要注意，很多初學者常常將EA管腳懸空，從而導致程序執(zhí)行不正常。

　　4、P0口外接上拉電阻

　　51單片機的P0端口為開漏輸出，內(nèi)部無上拉電阻（見圖3）。所以在當做普通I/O輸出數(shù)據(jù)時，由于V2截止，輸出級是漏極開路電路，要使“1”信號（即高電平）正常輸出，必須外接上拉電阻。

　　圖3P0端口的1位結(jié)構(gòu)

　　另外，避免輸入時讀取數(shù)據(jù)出錯，也需外接上拉電阻。在這里簡要的說下其原因：在輸入狀態(tài)下，從鎖存器和從引腳上讀來的信號一般是一致的，但也有例外。例如，當從內(nèi)部總線輸出低電平后，鎖存器Q＝0，Q＝1，場效應(yīng)管V1開通，端口線呈低電平狀態(tài)。此時無論端口線上外接的信號是低電平還是高電平，從引腳讀入單片機的信號都是低電平，因而不能正確地讀入端口引腳上的信號。又如，當從內(nèi)部總線輸出高電平后，鎖存器Q＝1，Q＝0，場效應(yīng)管V1截止。如外接引腳信號為低電平，從引腳上讀入的信號就與從鎖存器讀入的信號不同。所以當P0口作為通用I/O接口輸入使用時，在輸入數(shù)據(jù)前，應(yīng)先向P0口寫“1”，此時鎖存器的Q端為“0”，使輸出級的兩個場效應(yīng)管V1、V2均截止，引腳處于懸浮狀態(tài)，才可作高阻輸入。

　　總結(jié)來說：為了能使P0口在輸出時能驅(qū)動NMOS電路和避免輸入時讀取數(shù)據(jù)出錯，需外接上拉電阻。在本實驗套件中采用的是外加一個10K排阻。此外，51單片機在對端口P0—P3的輸入操作上，為避免讀錯，應(yīng)先向電路中的鎖存器寫入“1”，使場效應(yīng)管截止，以避免鎖存器為“0”狀態(tài)時對引腳讀入的干擾。

　　5、LED 驅(qū)動電路

　　細心的讀者可能已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在最小系統(tǒng)中，發(fā)光二極管（LED）的接法是采取了電源接到二極管正極再經(jīng)過1K 電阻接到單片機I/O 口上的（見圖4 中的接法1）。為什么這么接呢？首先我們要知道LED 的發(fā)光工作條件，不同的LED 其額定電壓和額定電流不同，一般而言，紅或綠顏色的LED 的工作電壓為1.7V~2.4V，藍或白顏色的LED 工作電壓為2.7~4.2V， 直徑為3mm LED 的工作電流2mA~10mA。在這里采用紅色的3mm 的LED。其次，51 單片機（如本實驗板中所使用的STC89C52單片機）的I/O 口作為輸出口時，拉電流（向外輸出電流）的能力是μA 級別，是不足以點亮一個發(fā)光二極管的。而灌電流（往內(nèi)輸入電流）的方式可高達20mA，故采用灌電流的方式驅(qū)動發(fā)光二極管。當然，現(xiàn)今的一些增強型單片機，是采用拉電流輸出（接法2）的，只要單片機的輸出電流能力足夠強即可。另外，圖4 中的電阻為1K 阻值，是為了限制電流，讓發(fā)光二極管的工作電流限定在2mA~10mA。