本文分析，器件結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)其ESD性能的影響。

圖一.Polysilicon-Bound diode結(jié)構(gòu)參數(shù)示意圖。該二極管的主要器件參數(shù)有：Ld陰陽(yáng)極有源區(qū)長(zhǎng)度，Lg柵極長(zhǎng)度，器件寬度W，F(xiàn)inger數(shù)目。

直流特性：

圖二.Polysilicon-Bound diode的DC特性。所圖所示為Polysilicon-Bound diode在不同參數(shù)下的直流I-V特性。L表示器件寬度（這里的L就是下文的W），d表示柵極長(zhǎng)度（與下文的Lg一致）。從直流特性上看，Total W越大，器件正向?qū)ǖ腞on越低。

ESD瞬態(tài)特性：

圖三.Ld參數(shù)對(duì)性能的影響。從圖中可以看出參數(shù)Ld對(duì)器件在VF-TLP下的過(guò)沖電壓和開(kāi)啟時(shí)間影響都不大。該參數(shù)并不決定P/N結(jié)接觸面處的電場(chǎng)分布。

圖四。寬度W參數(shù)對(duì)性能的影響。從圖中可以看出不同寬度的二極管瞬態(tài)I-V特性。寬度越大，電場(chǎng)縱向分布越均勻，過(guò)沖電壓越低。

圖五.finger數(shù)目對(duì)性能的影響。增加finger數(shù)目與增加器件寬度的機(jī)理相似，但是因?yàn)?a href="http://www.delux-kingway.cn/tags/電流/" target="_blank">電流的趨膚效應(yīng)，增加finger數(shù)目能提高器件的開(kāi)啟均勻性。無(wú)論MOS，SCR，diode適當(dāng)?shù)脑黾觙inger也能適當(dāng)提升ESD性能。

圖六.Lg對(duì)性能的影響。Lg（同上文的參數(shù)d）的長(zhǎng)度決定了P-WeLL的調(diào)制串聯(lián)電阻。Lg越大，P-WeLL的長(zhǎng)度越大，P-WeLL的阱電阻越大，面對(duì)ESD的過(guò)沖電壓越高，開(kāi)啟電阻Ron也隨之增大。同時(shí)載流子的穿透深度越大，其壽命越長(zhǎng)，從而造成二極管的開(kāi)啟時(shí)間也隨之增大。針對(duì)不同長(zhǎng)度Lg的VF-TLP和TLP結(jié)果表明，Lg越大，VF-TLP的Ron越大，CDM防護(hù)性能大幅下降。而其對(duì)TLP影響不大。

圖七。柵極連接對(duì)VF-TLP的影響。如圖所示為柵極不同連接對(duì)VF-TLP的影響，柵極浮空的CDM防護(hù)性能最優(yōu)，而直流性能差距不大。將DC特性與ESD瞬態(tài)特性進(jìn)行對(duì)比后，增加器件寬度與finger數(shù)目能有效提升其直流與ESD性能。減少柵極長(zhǎng)度，能有效改善CDM性能，對(duì)HBM和DC特性影響不大。將柵極浮空能有效提升CDM性能，對(duì)直流性能影響不大。

寄生二極管

凡是器件中存在PN結(jié)，那么就會(huì)存在寄生二極管。此外CMOS工藝普遍采用反偏PN結(jié)進(jìn)行器件隔離，所以寄生二極管在IC中較為常見(jiàn)。就拿MOS舉例，NMOS的源漏與阱，PMOS的源漏與阱都是寄生二極管。雖然寄生二極管與常規(guī)二極管的核心都是PN結(jié)，但是寄生二極管與正常二極管不論是DC直流特性還是ESD瞬態(tài)特性都會(huì)有一定區(qū)別：一。開(kāi)啟電壓寄生二極管的開(kāi)啟電壓普遍高于正常二極管，該差距主要與器件結(jié)構(gòu)有關(guān)。二。開(kāi)啟電阻寄生二極管的開(kāi)啟電阻也普遍高于正常二極管，寄生二極管陰陽(yáng)極一般都會(huì)有較大的阱電阻，導(dǎo)致其開(kāi)啟電阻也較高。三。反向特性寄生二極管的反向特性普遍異于正常二極管，寄生二極管的反向特性一般會(huì)帶來(lái)導(dǎo)電機(jī)制的改變，如GGNMOS，SCR，Bipolar等。

寄生二極管的ESD應(yīng)用

寄生二極管的ESD情況較為復(fù)雜，一方面某些器件中的寄生二極管會(huì)參與ESD泄放，另一方面有些器件又極力避免寄生二極管參與ESD泄放。這主要是出于器件自身魯棒性的考慮。像SCR，GCNMOS等器件都避免器件中的寄生二極管參與ESD。SCR中寄生二極管屬于線性緩變結(jié)，寄生二極管的陽(yáng)極為P-WeLL，陰極為N-WeLL，該P(yáng)N結(jié)的空間電荷區(qū)較大，SCR如果承受反向ESD電流會(huì)有失效風(fēng)險(xiǎn)。除此之外GGNLDMOS因?yàn)橛衅茀^(qū)的存在，導(dǎo)通電阻較大，某些fab也不建議其承受ESD。

圖八.SCR寄生二極管示意圖。而GCNMOS也是同樣的情況，因?yàn)镚CNMOS的工作原理是讓ESD通過(guò)溝道進(jìn)行泄放，所以其不會(huì)像GGNMOS那樣強(qiáng)調(diào)寄生三極管的魯棒性，所以GCNMOS中的寄生二極管承受ESD電流會(huì)有一定風(fēng)險(xiǎn)，如果GCNMOS做為Power Clamp，有些設(shè)計(jì)會(huì)在GND與VDD間加一個(gè)二極管。（內(nèi)部核心電路的NMOS中的寄生二極管不能承受由GND到Output端的負(fù)向ESD也是如此，其器件魯棒性較差，不能承受ESD電流的沖擊。）而GGNMOS，三極管等器件，因?yàn)槠浔旧砭褪峭ㄟ^(guò)寄生器件實(shí)現(xiàn)ESD泄放，所以允許其寄生二極管參與ESD泄放。比如GGNMOS會(huì)拉寬Drain端，并做SAB層，提高器件的魯棒性。而三極管本身就是電流驅(qū)動(dòng)器件，其寄生二極管也允許進(jìn)行ESD泄放。但是“兵無(wú)常勢(shì)，水無(wú)常形”。只要ESD器件設(shè)計(jì)合理，利用寄生二極管參與ESD泄放，提高器件利用率，降低面積也是可行的設(shè)計(jì)方法。

ESD二極管與普通二極管的區(qū)別

雖然工作原理是一樣的，但是相較于常規(guī)二極管器件，ESD-diode更看重過(guò)電流能力，寄生電容，開(kāi)啟電阻等參數(shù)。所以這兩者在版圖上還是有所區(qū)別。

圖九。常規(guī)二極管版圖。如圖所示，有些fab廠提供的常規(guī)二極管的標(biāo)準(zhǔn)單元其陰極有源區(qū)并不會(huì)完全包裹陽(yáng)極?；蛘哂性磪^(qū)寬度較小，或者陰極不會(huì)全部覆蓋金屬。從ESD的角度上說(shuō)這種設(shè)計(jì)存在弊端，首先陰極（陽(yáng)極）如果不能完全包裹陽(yáng)極（陰極），那么電流分布不均，總會(huì)有一個(gè)方向ESD電流會(huì)產(chǎn)生渦流，會(huì)有器件損害風(fēng)險(xiǎn)。有源區(qū)過(guò)窄或者金屬，通孔密度過(guò)低會(huì)限制過(guò)電流能力，增加ESD失效風(fēng)險(xiǎn)。（同時(shí)要兼顧Latch-up風(fēng)險(xiǎn)）ESD器件最好通過(guò)頂金從PAD處過(guò)電流。

圖十.ESD-diode版圖。如圖所示，ESD-diode版圖需要有源區(qū)完全包裹。并且ESD二極管需要盡可能的提高陰陽(yáng)極的接觸長(zhǎng)度，基于此有很多異形ESD二極管設(shè)計(jì)。

圖十一。異形ESD二極管。單從ESD的角度上，Via和Contact數(shù)目越多，金屬單位電流密度越低，相對(duì)的寄生電容也會(huì)增加。一級(jí)ESD防護(hù)單元一般都會(huì)與PAD放置到一起，通過(guò)頂金降低回路電阻。

圖十二。陰極寬度對(duì)ESD電流分布的影響。

二極管在跨電壓域的ESD防護(hù)中也發(fā)揮著極其重要的角色，后續(xù)講跨電壓域的ESD防護(hù)體系的時(shí)候會(huì)講這個(gè)。同時(shí)ESD性能的提升，合理的電路設(shè)計(jì)只是一方面。版圖也很重要。關(guān)于ESD-diode的版圖設(shè)計(jì)后續(xù)也會(huì)專(zhuān)門(mén)進(jìn)行講解。

常規(guī)的ESD器件應(yīng)該都說(shuō)得差不多了，后續(xù)打算做幾期關(guān)于CDM的文章，因?yàn)樽鳛橐粋€(gè)ESD工程師，針對(duì)CDM的防護(hù)是繞不過(guò)去的門(mén)檻。

審核編輯：黃飛