臺(tái)積電的厲害之處

　　臺(tái)積電作為***掛在嘴邊的世界級(jí)企業(yè)，肯定有他的獨(dú)到之處，在芯片代工業(yè)內(nèi)的地位毋庸置疑。但它有什么技術(shù)含量，外人以為無(wú)非就是買(mǎi)荷蘭日本德國(guó)的機(jī)器回來(lái)操作，比富士康高級(jí)那么一點(diǎn)，畢竟是操作極其精密的設(shè)備。 那么臺(tái)積電的技術(shù)優(yōu)勢(shì)在哪里？

　　臺(tái)積電目前是世界排名第3的半導(dǎo)體供應(yīng)商。臺(tái)積電提供客戶(hù)：1專(zhuān)利使用。2開(kāi)放的技術(shù)平臺(tái)。3先進(jìn)制程。4高良率產(chǎn)品?？蛻?hù)有了概念，即可利用臺(tái)積電現(xiàn)成的技術(shù)平臺(tái)及專(zhuān)利，由臺(tái)積電用先進(jìn)制程生產(chǎn)。

　　光有設(shè)備沒(méi)用，主要是如何生產(chǎn)出 體積更小/更高效率/快速/省電/高良率/低成本 的制程，這些都是臺(tái)積電最擅長(zhǎng)的。

　　而評(píng)斷半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)力：1晶體管效能，2芯片金屬層連結(jié)（更細(xì)的線(xiàn)徑），3芯片閘密度。臺(tái)積電都已超越CPU大廠(chǎng)英特爾成為世界第1。

　　英特爾執(zhí)行長(zhǎng)科再奇：未來(lái)會(huì)高度依賴(lài)臺(tái)積電，臺(tái)積電是英特爾很寶貴且很有價(jià)值的合作伙伴。

　　臺(tái)積電每年投資超過(guò)100億美元，研發(fā)費(fèi)超過(guò)20億美元。世界上只有 臺(tái)積電 和 英特爾 用自己技術(shù)生產(chǎn)。其他廠(chǎng)家都要付授權(quán)費(fèi)生產(chǎn)。

　　臺(tái)積電進(jìn)步極快，每一代制程都比上一代效率更高30%左右，速度更快30%左右，省電30%左右，成本低20-40%，體積也更小。所以臺(tái)積電獨(dú)占全球市場(chǎng)利潤(rùn)90%。

　　2012年28nm制程，比40nm制程芯片成本降低30%，全球市場(chǎng)占有率80%以上。

　　2014年20nm制程，比28nm制程芯片成本降低19%，全球市場(chǎng)占有率80%以上，蘋(píng)果i7的A8處理器。

　　2015年16nm/16nm+制程，全球市場(chǎng)占有率80%以上，效率比三星及GF的14nm制程效率高10%。蘋(píng)果A9處理器。

　　2015年12月10nm制程，比16nm制程芯片成本降低33%，仍將占有全球市場(chǎng)80%以上，蘋(píng)果A10處理器。

　　2016年12月7nm制程。為了加快7nm制程進(jìn)度，2013年投資荷蘭AMSL公司數(shù)億美元并提供專(zhuān)利及技術(shù)支援，以加快設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)。

　　原本韓國(guó)三星14nm制程已拿到蘋(píng)果下一代A9處理器，但因良率太低只有30%，無(wú)法突破。蘋(píng)果看到臺(tái)積電16nm+制程效率比三星14nm制程高10%，且良率達(dá)90%，因而蘋(píng)果A9處理器轉(zhuǎn)單給臺(tái)積電。韓國(guó)三星被迫退出蘋(píng)果A9處理器競(jìng)爭(zhēng)。

　　韓國(guó)三星10nm制程一直沒(méi)有進(jìn)展，而臺(tái)積電10nm制程已有樣品產(chǎn)出，設(shè)備已在竹科12廠(chǎng)安裝，預(yù)計(jì)15年12月投片生產(chǎn)，因而蘋(píng)果下下一代的A10處理器，全數(shù)交由臺(tái)積電生產(chǎn)。

　　臺(tái)積電 及 聯(lián)電（全球市場(chǎng)占有率約10%）都是80年代由 政府經(jīng)濟(jì)部-工業(yè)研究院-電子所轉(zhuǎn)制的國(guó)營(yíng)企業(yè)，臺(tái)積電CEO由經(jīng)濟(jì)部工業(yè)研究院院長(zhǎng)張忠謀擔(dān)任。20多年來(lái)一路走來(lái)篳路藍(lán)縷。2000年臺(tái)積電自我評(píng)估為世界較大的2流企業(yè)。立志為一哥，加大將利潤(rùn)轉(zhuǎn)投入研發(fā)，加快了推出下一代的新制程，鯉躍龍門(mén)成為世界排名第3的半導(dǎo)體供應(yīng)商。

　　大者恒大：臺(tái)積電目前全球市場(chǎng)占有率約60%，隨著專(zhuān)利及技術(shù)的累計(jì)，每一代制程的研發(fā)經(jīng)費(fèi)及建廠(chǎng)成本倍數(shù)增長(zhǎng)，和同行的技術(shù)距離越拉越大，越來(lái)越難追趕。幸而市場(chǎng)增長(zhǎng)大于臺(tái)積電建廠(chǎng)速度，其他各廠(chǎng)家仍有低端市場(chǎng)可分食。

　　客戶(hù)要產(chǎn)品：更省電/更快/效率更高/體積更小/更先進(jìn)的制程，只有臺(tái)積電能提供。而臺(tái)積電先進(jìn)制程成本遠(yuǎn)低于其他廠(chǎng)家；產(chǎn)品良率遠(yuǎn)高于同行（臺(tái)積電平均良率90%，同行平均良率70%）；自己專(zhuān)利及技術(shù)不需付授權(quán)費(fèi)；報(bào)價(jià)比同行高15%，所以臺(tái)積電仍將獲取全球市場(chǎng)利潤(rùn)的90%。在過(guò)去幾年及未來(lái)幾年陸續(xù)推出更先進(jìn)制程，產(chǎn)能仍會(huì)維持滿(mǎn)載狀態(tài)。

　　臺(tái)積電的三大優(yōu)勢(shì)匯總

　　近期美林證券就指出，臺(tái)積電雖然整體技術(shù)仍落后于英特爾，但目前仍有三優(yōu)勢(shì)存在：

　　其一、臺(tái)積電于20 納米制程時(shí)的金屬導(dǎo)線(xiàn)寬間距（metal pitch） 為65 納米，而英特爾于22 納米制程時(shí)的金屬導(dǎo)線(xiàn)寬間距則為80 納米，相較之下臺(tái)積電更具密度優(yōu)勢(shì)。

　　其二、若就功耗而言，ARM 架構(gòu)的CPU 和英特爾的Atom 處理器相比，仍舊擁有優(yōu)勢(shì)。

　　其三、臺(tái)積的20 納米制程將于明年初開(kāi)始量產(chǎn)，并在明年下半年放量，這個(gè)時(shí)程仍較英特爾快上一季左右。