隨著條碼技術(shù)、通信技術(shù)和數(shù)據(jù)庫技術(shù)的不斷進(jìn)步，使得食品行業(yè)開始優(yōu)化庫存管理和分銷網(wǎng)絡(luò)，大幅提升管理的精確和實時的效率，進(jìn)而降低相關(guān)的成本和勞動力，提升其市場競爭力。
2013-11-11 14:22:08
1005 了 IGBT 模塊損耗模型和結(jié) 溫預(yù)估算型準(zhǔn)確性。該損耗模型及結(jié)溫估算的方法對于提高功率模塊可靠性及降低成本具有較大工程實際意義。
2023-03-06 15:02:511535 的工業(yè)設(shè)備和家用電器中，例如變頻器在空調(diào)中的應(yīng)用越來越普遍，以及工業(yè)設(shè)備的大型電源需要降低功耗，因此對高效率開關(guān)器件的需求也在增長。這催生了對于PFC電路中低損耗開關(guān)器件和更高開關(guān)頻率的需求。 在新款IGBT中引入了最新的工藝。優(yōu)化的溝槽結(jié)構(gòu)確保了行
2023-03-16 14:50:59771 
---“GT30J65MRB”。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 ? ? 功率半導(dǎo)體器件經(jīng)過業(yè)界驗證，對于節(jié)能工作意義重大，其中包括助力實現(xiàn)碳中和目標(biāo)。由于在高功率的工業(yè)設(shè)備和家用電器中，例如變頻器在空調(diào)中的應(yīng)用越來越普遍，以及工業(yè)設(shè)備的大型電源需要降低功耗，因此對高效率開關(guān)
2023-03-13 09:56:12662 
IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設(shè)計，還會影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計算IGBT的結(jié)溫Tj，已成為大家普遍關(guān)注的焦點。由最基本的計算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計算的關(guān)鍵。
2019-08-13 08:04:18
1、拓?fù)湔f明 基于逆變器的拓?fù)溥M(jìn)行IGBT的損耗計算，如下為三相全橋結(jié)構(gòu)帶N線的方式。調(diào)制方式為SPWM波形，針對IGBT2和DIODE2分析，輸出電流為正弦波形，輸出電壓為電網(wǎng)電壓。其中
2023-02-24 16:47:34
，在線上，世強(qiáng)還通過世強(qiáng)元件電商平臺，進(jìn)一步解決工程師的系列需求，從而幫助企業(yè)
大幅縮短研發(fā)時間，有效
降低開發(fā)成本，快速
提升創(chuàng)新能力。世強(qiáng)希望，通過線上線下的系列努力，最終為中國企業(yè)的全面創(chuàng)新和
工業(yè)4.0的進(jìn)程獻(xiàn)上自己的一份力量?！?/div>
2016-12-16 11:23:20
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高的 短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路
2018-08-20 07:40:12
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高，功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高
2021-08-12 07:00:00
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高
2018-07-30 14:06:29
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高
2018-11-01 11:26:03
柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高的短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路耐受時間。這凸顯了柵極驅(qū)動器電路以及過流檢測和保護(hù)功能的重要性。本文討論現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動中
2018-10-10 18:21:54
盡管當(dāng)今的車輛在多種駕駛場景中實現(xiàn)了自動化，但背后真正推動汽車從部分自動駕駛實現(xiàn)全自動駕駛的不是汽車制造商，而是移動服務(wù)提供商，例如出租車公司、汽車租賃公司、送貨服務(wù)公司以及需要提供安全、高效、方便
2022-11-04 07:53:46
識別機(jī)械構(gòu)件的前提下，可以快速地完成整車組裝，生產(chǎn)效率顯著提升，且失誤率大幅降低，有效保障了人身及設(shè)備財產(chǎn)安全 。2.3 工業(yè)控制系統(tǒng)的安全自動化全面優(yōu)化在機(jī)械自動化技術(shù)在汽車制造的沖壓車間應(yīng)用最為典型
2018-02-28 09:18:44
電位計式扭矩傳感器有哪幾種類型？汽車電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)EPS原理是什么？PS扭矩傳感器以什么的趨勢發(fā)展？
2021-05-13 06:45:34
，提出了汽車級IGBT概念，并詳細(xì)說明了英飛凌汽車級IGBT針對汽車應(yīng)用做出的改進(jìn) 1.簡介混合動力車中IGBT，相對于傳統(tǒng)工業(yè)應(yīng)用，工作環(huán)境惡劣，對IGBT長期使用的可靠性提出了更高的要求，針對汽車功率
2018-12-06 09:48:38
電機(jī)效率的影響因素降低電機(jī)損耗的關(guān)鍵制造技術(shù)
2021-01-26 07:49:16
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進(jìn)行開關(guān)，通過降低電阻和開關(guān)損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特點，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應(yīng)用于高頻電路。降低器件損耗，提升系統(tǒng) EMI 表現(xiàn)。在新能源汽車電機(jī)控制器
2021-11-10 09:10:42
cacheability的1.2倍（比全部在L2中多了EDMA啟動開銷）左右，感覺這個提升幅度有低。理想情況EDMA搬移數(shù)據(jù)到L2中計算，其效率應(yīng)該是在開啟DDR2 cacheability的效率的幾倍？誰能解釋下這個沒有大幅的效率提升可能是什么原因。
2018-06-22 07:56:22
LED照明電路（臨界模式PFC＋DC/DC）：利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例下面的電路摘自實際LED照明電路的相關(guān)部分。該LED驅(qū)動電路是DC/DC轉(zhuǎn)換器通過臨界模式（BCM）的PFC向
2022-04-09 13:36:25
器件的BVCES而異。在比較器件時應(yīng)考慮這測試條件中的VDD，因為在較低的VDD鉗位電壓下進(jìn)行測試和工作將導(dǎo)致Eoff能耗降低。降低柵極驅(qū)動關(guān)斷阻抗對減小IGBT Eoff損耗影響極微。如圖1所示，當(dāng)
2018-08-27 20:50:45
切換進(jìn)行了優(yōu)化，并均是無鉛器件，適用于工業(yè)應(yīng)用?！ “采腊雽?dǎo)體的TO-247-4L Field Stop II IGBT系列采用先進(jìn)的Field Stop II Trench架構(gòu)技術(shù)，可有效地提高IGBT的運(yùn)作效率，并降低Eon損耗，是高功率電源應(yīng)用的理想選擇。
2020-07-07 08:40:25
。通常由于使用條件不同, 通過IGBT 數(shù)據(jù)手冊給出的參數(shù)不能確切得出應(yīng)用條件下IGBT 的損耗。比較好的方法是通過測量行業(yè)確定IGBT 數(shù)據(jù)手冊中參數(shù)的測量條件與實際應(yīng)用環(huán)境的差別, 并介紹IGBT
2018-10-12 17:07:13
二極管通電導(dǎo)致的元件劣化問題等特點的產(chǎn)品。與一般的同規(guī)格IGBT模塊相比，開關(guān)損耗降低了77%，可高頻驅(qū)動，因此還非常有助于周邊元器件和冷卻系統(tǒng)等的小型化。其可用于電機(jī)驅(qū)動、太陽能發(fā)電、轉(zhuǎn)換器等多元化
2019-04-12 05:03:38
低Id）范圍（在本例中是Vd到1V左右的范圍），在IGBT中是可忽略不計的范圍。這在高電壓大電流應(yīng)用中不會構(gòu)成問題，但當(dāng)用電設(shè)備的電力需求從低功率到高功率范圍較寬時，低功率范圍的效率并不高。相比之下
2018-12-03 14:29:26
時間trr快（可高速開關(guān)）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
集電區(qū)NPT型和FS電場截止型；2）IGBT柵極結(jié)構(gòu)：平面柵機(jī)構(gòu)、Trench溝槽型結(jié)構(gòu)；3）硅片加工工藝：外延生長技術(shù)、區(qū)熔硅單晶；其發(fā)展趨勢是：①降低損耗 ②降低生產(chǎn)成本總功耗＝ 通態(tài)損耗
2019-07-16 07:30:00
模塊電源的開關(guān)頻率來降低驅(qū)動損耗，從而進(jìn)一步提高輕負(fù)載條件下的效率，使得系統(tǒng)在待機(jī)工作下，更節(jié)能，進(jìn)一步提高蓄電池供電系統(tǒng)的工作時間，并且還能夠降低EMI的輻射問題;2.通過降低、來減少M(fèi)OSFET
2019-09-25 07:00:00
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高
2019-07-24 04:00:00
電源需要降低功耗，因此對高效率開關(guān)器件的需求也在增長。這催生了對于PFC電路中低損耗開關(guān)器件和更高開關(guān)頻率的需求。東芝在其新款IGBT中引入了最新的工藝。優(yōu)化的溝槽結(jié)構(gòu)確保了行業(yè)領(lǐng)先的0.35mJ
2023-03-09 16:39:58
對新能源車來說，電池、VCU、BSM、電機(jī)效率都缺乏提升空間，最有提升空間的當(dāng)屬電機(jī)驅(qū)動部分，而電機(jī)驅(qū)動部分最核心的元件 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor
2021-03-08 21:11:29
總共可以降低77%。這是前面提到的第一個優(yōu)勢。右圖是以PWM逆變器為例的損耗仿真，是開關(guān)頻率為5kHz和30kHz時開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗的總體損耗。在與IGBT模塊的比較中，5kHz條件下總體損耗降低
2018-11-27 16:37:30
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高
2019-10-06 07:00:00
關(guān)于助力汽車有哪些需要我們考慮的問題？
2021-06-17 11:12:15
關(guān)于變頻電源的效率與損耗，中港揚(yáng)盛技工分析由于輸出的諧波問題，這些諧波會產(chǎn)生相應(yīng)的銅耗和鐵耗,使電機(jī)固定損耗增加,電機(jī)溫升增高,降低運(yùn)行效率和功率因數(shù),因此變頻電源供電下電動機(jī)的諧波損耗是一個大
2021-11-15 06:24:38
，與使用快速恢復(fù)二極管（FRD）的IGBT相比，可以 顯著降低損耗 。該系列產(chǎn)品非常適用于電氣化車輛（xEV）中的車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器、太陽能發(fā)電用的功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)逆變器等處理大功率的汽車
2022-07-27 10:27:04
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT （硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封），使得IGBT的開關(guān)損耗大幅降低。這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結(jié)MOSFET
2023-02-28 16:48:24
SiC-SBD，藍(lán)色是第二代，可確認(rèn)VF的降低。SiC-SBD因高速trr而使開關(guān)損耗降低，加之VF的改善，在功率二極管中可以說是損耗最小的二極管。促進(jìn)電源系統(tǒng)應(yīng)用的效率提高與小型化前面已經(jīng)介紹了
2018-12-04 10:26:52
開關(guān)管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優(yōu)化方法及其利弊關(guān)系
2020-12-23 06:51:06
在本文中，我們將解釋針對不同的應(yīng)用和工作條件仔細(xì)選擇IGBT變體如何提高整體系統(tǒng)效率。IGBT模塊中的損耗大致可分為兩類：傳導(dǎo)開關(guān)眾所周知，對于特定電壓下的任何給定過程，降低傳導(dǎo)損耗的努力將導(dǎo)致
2023-02-27 09:54:52
阻僅為Si-MOSFET（9Ω）的1/8（1.15Ω）。由此，可大幅降低損耗、即可大幅減少發(fā)熱，有些條件下還可實現(xiàn)散熱器的小型化。此外，封裝采用TO-3PFM，可確保工業(yè)設(shè)備要求的絕緣相應(yīng)的爬電距離。同樣
2018-12-05 10:01:25
富士汽車點火IGBT在汽車電子中的應(yīng)用.
2012-08-09 21:43:59
： 0.34mJ 對應(yīng) 0.85mJ），考慮到在 DC/DC 應(yīng)用中開關(guān) 損耗較大，因此 HS3 IGBT 能大大降低系統(tǒng)損耗，提高效率。（如圖 5）圖 5HS3高頻 IGBT（紅色）和標(biāo)準(zhǔn) 3 代 IGBT（紫色
2018-12-06 09:47:30
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗
2018-12-04 10:14:32
的集電極（即PNP管的發(fā)射極）向N-基區(qū)注入空穴。在導(dǎo)通狀態(tài)下，由于有大量的電子和空穴注入到高阻的N-基區(qū)，N-基區(qū)的電阻得以大幅度降低（該現(xiàn)象被稱為電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)），所以IGBT的通態(tài)電阻相對于同等電壓
2015-12-24 18:13:54
的工作時間，并降低無線基站每年的電力消耗?！ ⌒疫\(yùn)的是，經(jīng)過連年不斷努力提升RF效率，這些情況在逐漸改變。這些工作有一些是在器件級，有些則采用了一些創(chuàng)新技術(shù)，比如包絡(luò)跟綜，數(shù)字預(yù)失真/波峰因子降低方案
2017-08-29 10:19:12
電磁感應(yīng)加熱的原理是什么？有什么方法可以將電磁感應(yīng)加熱應(yīng)用的IGBT功率損耗降至最低嗎？
2021-05-10 06:41:13
Grant and S. Fletcher.。幸運(yùn)的是，經(jīng)過連年不斷努力提升RF效率，這些情況在逐漸改變。這些工作有一些是在器件級，有些則采用了一些創(chuàng)新技術(shù)，比如包絡(luò)跟綜，數(shù)字預(yù)失真/波峰因子降低方案，以及采用比常見AB類級別更高級的放大器。那么，還有哪些辦法可以提升射頻功率放大器的效率嗎？
2019-07-31 08:13:39
降（ΔU=-L*dI/dt），而且能夠影響電流上升速度dI/dt。盡管寄生電感使導(dǎo)通速度減緩，但導(dǎo)通損耗卻大幅降低。在該示例中，初始開關(guān)階段的損耗（見圖2時間戳a）隨著雜散電感的增大由30.4mW降至
2018-12-10 10:07:35
得多，逆變器內(nèi)溫度極高，同時還要考慮強(qiáng)振動條件，車規(guī)級的IGBT遠(yuǎn)在工業(yè)級之上。電動汽車用IGBT 模塊的功率導(dǎo)電端子需要承載數(shù)百安培的大電流，對電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率有較高的要求，車載環(huán)境中還要承受一定
2021-01-27 11:30:38
，POWER麟ET。在中大功率產(chǎn)品中IGBT取代GTO使得高頻，高效率的SPWM逆變器進(jìn)入商業(yè)應(yīng)用，也使得有源PFC整流成為可能。在小功率方面，IGBT和POWERMOSFET，取代了BJT，使得效率大幅
2011-03-10 15:46:24
，UPS，焊接或醫(yī)療系統(tǒng)也將這種想法引入快速開關(guān)設(shè)備中。為了滿足高速和低損耗開關(guān)的要求，富士電機(jī)開發(fā)了將硅絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）與碳化硅肖特基勢壘二極管（SiC-SBD）相結(jié)合的高速混合模塊
2020-09-02 15:49:13
旋轉(zhuǎn)引起的風(fēng)阻損耗等。定子損耗降低電動機(jī)定子I^2R損耗的主要方法有：1、增加定子槽截面積，在同樣定子外徑的情況下，增加定子槽截面積會減少磁路面積，增加齒部磁密。2、增加定子槽滿槽率，這對低壓小電動機(jī)
2018-10-11 10:21:49
要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會在有損元器件中同時出現(xiàn)，下面將分別討論。 與功率開關(guān)
2020-08-07 08:06:08
％至 97％的系統(tǒng)效率。此外，CoolSiC 肖特基二極管有助于降低導(dǎo)通和恢復(fù)損耗。相比純硅設(shè)計而言，該器件是實現(xiàn)硬換向的理想器件，損耗可降低 30%。由于具有較低的冷卻要求，該二極管還能降低系統(tǒng)成本，帶來極佳的性價比優(yōu)勢。詳情見附件。。。。。。
2021-03-29 11:00:47
FPGA Editor如何提升設(shè)計效率？如何利用CTRL / Shift快捷鍵進(jìn)行放大縮??？如果利用F11鍵放大選定的項目？
2021-04-08 06:40:00
矩、寬恒功率區(qū)、高動態(tài)響應(yīng)) 、高環(huán)境適應(yīng)性和低成本。在新能源汽車上，除了電極外IGBT是電驅(qū)動最核心器件之一。IGBT負(fù)責(zé)交流直流轉(zhuǎn)換、高低壓轉(zhuǎn)換，決定了整車的功率釋放速度和能源效率。IGBT能讓
2021-04-29 14:59:30
650V IGBT4的損耗增大引起的RMS模塊電流降低的幅度很小。在2kHz至10kHz的開關(guān)頻率范圍內(nèi)（通用應(yīng)用的典型范圍），其降幅為4%至 9%。圖4圖4 在600A EconoDUALTM 3 模塊中
2018-12-07 10:16:11
，相應(yīng)地IGBT關(guān)斷時拖尾電流更短。更薄的晶片和因此而縮短的通道，帶來了三重效益——通態(tài)損耗降低大約40%；開關(guān)損耗未增加；生產(chǎn)成本比早期器件降低10%（圖1c）。這十年，IGBT制造商的重點一直是
2018-12-03 13:47:00
柵極驅(qū)動器，其能夠通過降低開關(guān)損耗幫助提升整體系統(tǒng)效率。當(dāng)FET開關(guān)打開或關(guān)閉時，就會出現(xiàn)開關(guān)損耗。為了打開FET，柵極電容得到的電荷必須超過閾值電壓。柵極驅(qū)動器的驅(qū)動電流能夠有助于柵極電容的充電。驅(qū)動
2019-08-07 04:45:12
閘極電阻，使其具有高導(dǎo)通損耗，同時帶來極低的di/dt。為補(bǔ)償此特性，必須大幅降低導(dǎo)通閘極電阻，其中一種可行的實作方式是使用較為精密的閘極驅(qū)動設(shè)計，讓HS3 IGBT可用做非常高效率的切換開關(guān)。RG設(shè)定
2018-10-10 16:55:17
IGBT損耗計算和損耗模型研究：器件的損耗對系統(tǒng)設(shè)計堯器件參數(shù)及散熱器的選擇相當(dāng)重要。損耗模型主要分為兩大類院基于物理結(jié)構(gòu)的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數(shù)學(xué)方法的IG
2009-06-20 08:33:53
96 德州儀器助力2009數(shù)字電視趨勢，提升電源效率，降低系統(tǒng)成本
2009 年 2 月將成為模擬到數(shù)字電視的轉(zhuǎn)型月，消費(fèi)類電子
2008-09-01 15:17:02375 Fairchild推出提高汽車應(yīng)用的燃油效率的柵極驅(qū)動器--FAN708x系列
Fairchild Semiconductor 為設(shè)計人員提供一系列能夠改進(jìn)汽車應(yīng)用的功耗、雜訊免疫能力和瞬態(tài)
2009-05-20 14:53:23725 器件的損耗對系統(tǒng)設(shè)計堯器件參數(shù)及散熱器的選擇相當(dāng)重要遙損耗模型主要分為兩大類院基于物理結(jié)構(gòu)的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數(shù)學(xué)方法的IGBT損耗模型遙對近年來的各種研究
2011-09-01 16:38:4565 Cadence 設(shè)計系統(tǒng)公司日前宣布，汽車零部件生產(chǎn)商Denso公司在改用了Cadence定制/模擬與數(shù)字流程之后，在低功耗混合信號IC設(shè)計方面實現(xiàn)了質(zhì)量與效率的大幅提升。將Cadence Encounter RTL-to-G
2012-09-04 09:31:59811 加利福尼亞桑尼維爾– 2016 年5月 19日 — 全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild （NASDAQ： FCS）今天發(fā)布了新產(chǎn)品，即適用于混合動力電動汽車（HEV
2016-05-19 17:14:521040 光耦助力提升電動汽車充電站的安全與效率
2017-09-07 17:16:0610 為精確計算光伏逆變器的IGBT損耗，指導(dǎo)系統(tǒng)熱設(shè)計，提出了一種IGBT損耗精確計算的實用方法。以可視化的T程計算T具M(jìn)athCAD為載體，基于SVPWM矢量控制原理，建立了光伏逆變器IGBT實際
2017-12-08 10:36:0264 據(jù)報導(dǎo)，把機(jī)器感測技術(shù)和生產(chǎn)設(shè)備相互集成，可以從各個層面大幅提升運(yùn)轉(zhuǎn)效率。
2018-10-20 08:48:00552 的指標(biāo)之一，這關(guān)系到模塊應(yīng)用的可靠性、損耗以及壽命等問題。那么，導(dǎo)熱材料是如何助力新能源汽IGBT散熱的呢？ 【什么是IGBT？】 IGBT稱絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT和MOS組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體器件，具有自關(guān)斷的特征。對于電動車而言
2020-03-31 15:26:391330 要降低轉(zhuǎn)子的損耗，可以減少轉(zhuǎn)子繞組的電阻，利用比較粗而且電阻率比較低的線材，或者增加了轉(zhuǎn)子的槽截面積，材料當(dāng)然很關(guān)鍵了，有條件生產(chǎn)銅轉(zhuǎn)子，損耗會降低15%左右，目前異步電機(jī)基本上都是鋁轉(zhuǎn)子，所以效率沒有那么高。
2019-03-28 10:09:025099 廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。然而，F(xiàn)S-IGBT的核心技術(shù)都掌握在Infineon、Fairchild、Toshiba等國外大公司手里，目前市場上的產(chǎn)品基本都是由這些公司推出，國內(nèi)的IGBT
2019-12-19 17:59:0025 超高效電機(jī)最重要的是工藝保證程度。電動機(jī)效率不斷提高的過程是產(chǎn)品不斷更新?lián)Q代的過程，同時也是一個國家電機(jī)工業(yè)綜合水平的標(biāo)志。
高效電動機(jī)的設(shè)計要點就是要降低各項損耗，提高電動機(jī)效率
2020-09-10 10:19:051486 由于 IGBT反并聯(lián)SiC 肖特基勢壘二極管，在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下，CoolSiC? Hybrid IGBT能大幅降低開關(guān)損耗。
2021-02-23 10:23:021660 關(guān)于變頻電源的效率與損耗，中港揚(yáng)盛技工分析由于輸出的諧波問題，這些諧波會產(chǎn)生相應(yīng)的銅耗和鐵耗,使電機(jī)固定損耗增加,電機(jī)溫升增高,降低運(yùn)行效率和功率因數(shù),因此變頻電源供電下電動機(jī)的諧波損耗是一個大
2021-11-08 17:21:012 除此之外，我們在評估板上的效率評估結(jié)果，它被模擬為每個應(yīng)用程序的電路，以便讓您知道我們的設(shè)備在應(yīng)用電路中也有良好的性能。例如，下圖顯示了逆變電路中的部分評估結(jié)果。您可以看到瑞薩 IGBT 的良好性能，包括電路效率、作為產(chǎn)品的功率損耗和工作波形。
2022-05-05 09:42:381502 
NVIDIA Triton 推理服務(wù)器在 NVIDIA T4 GPU 上進(jìn)行高效部署，幫助阿里巴巴天貓精靈流式 TTS 服務(wù)將吞吐提升 50%，首包延時降低 35%，大幅提升服務(wù)運(yùn)行效率，提升資源利用率。
2022-07-14 10:05:00817 干貨 | 如何降低晶體管和變壓器損耗，提高開關(guān)電源效率？
2023-01-05 09:51:42388 功率半導(dǎo)體的柵極電阻選型，一般有兩個優(yōu)化目標(biāo)。一方面，選擇電阻值較小的柵極電阻，可以使得功率半導(dǎo)體的開關(guān)速度更快。這將降低開關(guān)損耗，從而降低總體損耗
2023-02-07 17:03:341312 
內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的車載充電器案例中開關(guān)損耗降低67%關(guān)鍵詞 ? SiC肖特基勢壘二極管（...
2023-02-08 13:43:19434 
的工業(yè)設(shè)備和家用電器中，例如變頻器在空調(diào)中的應(yīng)用越來越普遍，以及工業(yè)設(shè)備的大型電源需要降低功耗，因此對高效率開關(guān)器件的需求也在增長。這催生了對于PFC電路中低損耗開關(guān)器件和更高開關(guān)頻率的需求。 在新款IGBT中引入了最新的工藝。
2023-03-16 14:58:09653 IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分
2023-05-26 11:21:231257 
電源的體積進(jìn)一步縮小。要在有限的體積及溫升范圍內(nèi)正常工作，這就對系統(tǒng)的效率提出了更高的要求。影響系統(tǒng)效率的主要損耗有功率管導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗、續(xù)流損耗、變壓器銅損和磁損、二極管整流損耗、驅(qū)動、采樣及控制電路損耗等。下面針對每一種損耗簡單說下自己的理解和分析。
2023-06-23 09:47:00609 
有沒有什么辦法能讓發(fā)動機(jī)的熱效率大幅提升，如果能提升到一半甚至現(xiàn)有水平的一倍，燃油車的未來又會是什么樣子呢？
2023-09-12 11:12:23395 
電力電子產(chǎn)品設(shè)計人員致力于提升工業(yè)和汽車系統(tǒng)的功率效率和功率密度，這些設(shè)計涵蓋多軸驅(qū)動器、太陽能、儲能、電動汽車充電站和電動汽車車載充電器等。
2023-09-26 10:00:04166 
物聯(lián)網(wǎng)監(jiān)控運(yùn)維系統(tǒng)助力膜切行業(yè)協(xié)同效率提升
2023-12-04 13:42:35176 的可能性大幅降低。在功率模塊中，IGBT和二極管的出色性能可帶來更高的電流密度和更大的輸出電流。不僅如此，通過將功率模塊的最高結(jié)溫提升到175 °C，輸出電流可增加50%以上。
2024-01-09 14:24:50233 
IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開關(guān)損耗。開關(guān)損耗分別為開通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028 
SiC器件可以提高電動汽車的充電模塊性能，包括提高頻率、降低損耗、縮小體積以及提升效率等。這有助于提升電動汽車的整體性能表現(xiàn)。
2024-03-18 18:12:341063 
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