常見(jiàn)SDRAM編號(hào)識(shí)別

在選購(gòu) SDRAM 內(nèi)存條時(shí)，首先要明白內(nèi)存芯片編號(hào)的含義，在其編號(hào)中包括以下幾個(gè)內(nèi)容： 廠商名稱（代號(hào)）、容量、類型、工作速度等，有些還有電壓和一些特殊標(biāo)志等。通過(guò)對(duì)這 些參數(shù)的分析比較，就可以正確認(rèn)識(shí)和理解該內(nèi)存條的規(guī)格以及特點(diǎn)。

(1)世界主要內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠商的前綴標(biāo)志如下：

▲? HY?? HYUNDAI? -------? 現(xiàn)代

▲?? MT?Micron?-------? 美光

▲?? GM?LG-Semicon

▲?? HYB?SIEMENS? ------? 西門子

▲?? HM?Hitachi? ------?日立

▲?? MB?Fujitsu? ------? 富士通

▲?? TC?Toshiba? ------?東芝

▲?? KM?Samsung? ------?三星

▲?? KS?KINGMAX? ------? 勝創(chuàng)

(2)內(nèi)存芯片速度編號(hào)解釋如下:

★?? -7?標(biāo)記的 SDRAM?符合 PC143? 規(guī)范,速度為 7ns.

★?? –75 標(biāo)記的 SDRAM? 符合 PC133 規(guī)范,速度為 7.5ns.

★?? –8 標(biāo)記的 SDRAM? 符合 PC125 規(guī)范,速度為 8ns.

★?? –7k/-7J/10P/10S 標(biāo)記的 SDRAM? 符合 PC100 規(guī)范,速度為 10ns.

★?? –10K 標(biāo)記的 SDRAM 符合 PC66 規(guī)范,速度為 15ns.

(3)?編? 號(hào)? 形? 式

HY? 5a? b?ccc? dd?? e? f?g? h? ii-jj
其中 5a 中的 a 表示芯片類別,7---SDRAM; D—DDR SDRAM. b 表示電壓,V—3.3V; U---2.5V;? 空白—5V.
CCC 表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M;? 256—256M. dd 表示帶寬。
f 表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2. g 表示版本號(hào)，B—第三代。

h 表示電源功耗， L—低功耗；? 空白—普通型。

ii 表示封裝形式，? TC—400mil TSOP—H.

jj 表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;

10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)

10—100MHZ(非 PC100)。

例：1）?HY57V651620B TC-75

按照解釋該內(nèi)存條應(yīng)為：SDRAM， 3.3V, 64M,? 133MHZ.

2)?HY57V653220B TC-7

按照解釋該內(nèi)存條應(yīng)為：SDRAM， 3.3V, 64M,? 143MHZ.