Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補(bǔ)器件
2011-05-13 08:44:56
928 Diodes公司推出一對(duì)互補(bǔ)性雙MOSFET組合DMC4040SSD，可用于低壓?jiǎn)蜗?三相無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)控制應(yīng)用
2011-06-24 09:00:341178 Diodes公司（Diodes Incorporated） 推出雙低壓差 （LDO） 穩(wěn)壓器AP7346。新器件專為智能手機(jī)、平板電腦和類似的消費(fèi)電子產(chǎn)品中的指紋辨識(shí)模塊提供功率及輸入／輸出電源。
2015-09-14 11:51:00609 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出DMN61D8LVTQ雙通道電感負(fù)載驅(qū)動(dòng)器，適用於汽車電感負(fù)載開關(guān)應(yīng)用，包括窗戶、門鎖、天線繼電器、螺線管及小型直流電機(jī)。片上集成式齊納二極管和偏置電阻器可排除對(duì)多個(gè)外部元件的需求，有效節(jié)省成本及縮減印刷電路板占位面積。
2015-09-22 09:19:09783 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作為符合IEEE 802.3標(biāo)準(zhǔn)的48V以太網(wǎng)供電 （PoE） 系統(tǒng)的開關(guān)，能夠通過(guò)以太網(wǎng)線纜向無(wú)線接入點(diǎn)、VoIP網(wǎng)絡(luò)電話、銷售點(diǎn)終端、呼叫系統(tǒng)、IP網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控鏡頭及樓房管理設(shè)備等終端應(yīng)用供電。
2015-10-19 13:36:16955 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DMN3027LFG 30V N通道MOSFET作為開關(guān)使用，確保在現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 （FPGA） 電源軌上使用的大型大容量
2015-10-27 09:47:591006 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出DMP4015SPSQ 40V P通道MOSFET，旨在為車用電子控制單元提供電池反向保護(hù)。電子控制單元在愈來(lái)愈多車用控制
2015-11-05 16:08:271176 PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節(jié)省了超過(guò)36%的空間。
2020-04-23 11:05:58799 汽車級(jí)MOSFET導(dǎo)通電阻比最接近的DPAK封裝競(jìng)品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導(dǎo)通功耗，節(jié)省能源，同時(shí)增加功率密度提高輸出。
2021-04-07 10:34:071562 4路PWM如何控制電機(jī)H橋？
2022-02-17 08:05:03
的技術(shù)信息，RDS(ON)不到60mΩ，占位面積5mm × 0.8mm (1.2mm2) （參見圖1），是專為諸如信息娛樂(lè)系統(tǒng)等空間受限的應(yīng)用情況設(shè)計(jì)的。圖1：CSD18541F5l與網(wǎng)格陣列封裝相比您的那些家用電器采用的SOT-23 (6.75mm2) 封裝（參見圖2…
2022-11-16 07:06:25
`Diodes公司繼續(xù)擴(kuò)展其功率MOSFET產(chǎn)品組合，采用新型N和P通道器件，擊穿電壓高達(dá)450V，并提供多種封裝選擇。 Diodes Inc. MOSFET產(chǎn)品系列非常適合各種應(yīng)用，包括DC-DC
2019-05-13 11:07:19
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的直流-直流降壓轉(zhuǎn)換器AP3405針對(duì)手機(jī)、可穿戴設(shè)備及同類型電池供電產(chǎn)品，在輕載和重載的情況下實(shí)現(xiàn)高效率。新產(chǎn)品以2MHz
2018-10-09 10:59:43
的元件在實(shí)際電路中常采用功率MOSFET管． 由步進(jìn)電機(jī)H橋驅(qū)動(dòng)電路原理可知，電流在繞組中流動(dòng)是兩個(gè)完全相反的方向．推動(dòng)級(jí)的信號(hào)邏輯應(yīng)使
2009-08-20 18:24:15
P,N型晶體管H橋上橋發(fā)熱問(wèn)題怎么解決
2013-05-12 22:59:18
本文的內(nèi)容是要告訴大家什么是H橋以及它如何是工作的。我們首先來(lái)看馬達(dá)是如何轉(zhuǎn)動(dòng)的呢？舉個(gè)例子：你手里拿著一節(jié)電池，用導(dǎo)線將馬達(dá)和電池兩端對(duì)接，馬達(dá)就轉(zhuǎn)動(dòng)了；然后如果你把電池極性反過(guò)來(lái)會(huì)怎么樣呢？沒有
2018-10-10 17:57:33
目前一般將H橋驅(qū)動(dòng)當(dāng)作電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)，如下圖1所示，要做好驅(qū)動(dòng)電路，必須得了解清楚MOSFET的一些原理，才不會(huì)出錯(cuò)。圖1 H橋全橋驅(qū)動(dòng)電機(jī)1、單個(gè)MOSFET作驅(qū)動(dòng)先來(lái)看一下MOSFET
2021-07-05 07:18:34
我和H-Bridge'VNH5180A'進(jìn)行了交互。我試圖找到問(wèn)題好幾天了，但我找不到它。 H橋的輸出電壓不正確。 在橋的Pins是這些電壓。我用示波器測(cè)量它們：指定電阻前的電壓H橋引腳的電壓
2019-01-11 16:04:21
請(qǐng)問(wèn)這個(gè)驅(qū)動(dòng)H橋仿真有什么問(wèn)題?。恳恢憋@示仿真錯(cuò)誤
2022-03-25 16:59:52
H橋驅(qū)動(dòng)電路原理
2015-04-07 13:05:37
，A點(diǎn)的電壓就是一個(gè)方波，最大值是12V+VBAT，最小值是12V（假設(shè)二極管為理想二極管）。A點(diǎn)的方波經(jīng)過(guò)簡(jiǎn)單的整流濾波，可提供高于12V的電壓，在驅(qū)動(dòng)控制電路中，H橋由4個(gè)N溝道功率MOSFET
2020-07-15 17:35:23
H橋因?yàn)殡娐烽L(zhǎng)得像字母H而得名，通常它會(huì)包含四個(gè)獨(dú)立控制的開關(guān)元器件，例如下圖有四個(gè)MOSFET開關(guān)元器件Q1、Q2、Q3、Q4。它們通常用于驅(qū)動(dòng)電流較大的負(fù)載，比如電機(jī)。H橋電路中間有一個(gè)直流電機(jī)
2022-10-24 11:00:10
0、小敘閑言最開始學(xué)習(xí)三極管的時(shí)候，很注重它的工作原理，后來(lái)到了實(shí)際應(yīng)用，就直接把三極管或MOSFET直接當(dāng)作一個(gè)開關(guān)器件使用。直到前這幾天，接觸到MOSFET組成的H橋驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，發(fā)現(xiàn)把它純當(dāng)作一
2021-08-31 06:49:35
摘要：針對(duì)橋式拓?fù)涔β?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET因柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)振蕩產(chǎn)生的橋臂直通問(wèn)題，給出了計(jì)及各寄生參數(shù)的驅(qū)動(dòng)電路等效模型，對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)振蕩的機(jī)理進(jìn)行了深入研究，分析了驅(qū)動(dòng)電路各參數(shù)與振蕩的關(guān)系，并以此為依據(jù)
2018-08-27 16:00:08
(POL)、高效負(fù)載開關(guān)和低端切換、穩(wěn)壓器模塊(VRM)以及ORing功能。設(shè)計(jì)人員使用FDMC8010器件，能夠?qū)⒎庋b尺寸從5mmx6mm減小為3.3mmx3.3mm，節(jié)省66%的MOSFET占位面積
2012-04-28 10:21:32
of laser diodes.An example which compares the dispersion of q^ and q/ /characteristics of our
2009-05-12 10:57:51
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
`<p>Diodes公司擴(kuò)展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm
2009-01-07 16:01:44
介紹了一個(gè)完整的 H 橋直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，它使用四個(gè) IR3205 功率 MOSFET 和兩個(gè) IR2104 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。理論上，上述 MOSFET 可以處理高達(dá) 80A 的電流，但在實(shí)踐中，如果 MOSFET 溫度保持盡可能低，使用大散熱器甚至風(fēng)扇，我們可以預(yù)期電流高達(dá) 40A。
2022-06-20 07:29:22
原文鏈接0、小敘閑言最開始學(xué)習(xí)三極管的時(shí)候，很注重它的工作原理，后來(lái)到了實(shí)際應(yīng)用，就直接把三極管或MOSFET直接當(dāng)作一個(gè)開關(guān)器件使用。直到前這幾天，接觸到MOSFET組成的H橋驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，發(fā)現(xiàn)把它
2021-09-13 08:14:12
它會(huì)包含四個(gè)獨(dú)立控制的開關(guān)元器件（例如 MOSFET），它們通常用于驅(qū)動(dòng)電流較大的負(fù)載，比如電機(jī)，至于為什么要叫H橋（H-Bridge），因?yàn)殚L(zhǎng)得比較像 字母H，具體如下圖所示；這里有四個(gè)開關(guān)
2021-06-29 06:10:22
什么是H橋驅(qū)動(dòng)？
2021-10-28 06:22:37
什么是H橋？H橋的原理是什么？如何利用H橋驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)？
2021-10-25 06:11:06
什么是H橋？H橋的原理是什么？
2021-10-20 06:28:12
一次。目前，我計(jì)劃使用MCU和單片MOSFET H橋，但希望減少元件數(shù)量。所以，有沒有這樣的節(jié)拍？謝爾斯達(dá)格爾 以上來(lái)自于百度翻譯 以下為原文 I have an application
2018-10-29 11:16:42
我想問(wèn)一下，我想用0到+15V的方波驅(qū)動(dòng)全橋的4個(gè)MOSFET，但是老師說(shuō)要先讓這個(gè)方波經(jīng)過(guò)IR2110，再去驅(qū)動(dòng)MOSFET，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)IR2110有什么作用？不能直接把方波用來(lái)驅(qū)動(dòng)MOSFET嗎？
2016-03-01 05:45:05
百度查了一下關(guān)于H全/半橋電路的知識(shí)，但是可能本人理解能力不夠，看得有些不懂，有沒有大神可以通俗點(diǎn)的講解關(guān)于H全/半橋的電路原理。。最好的是講解三極管和MOS管的
2019-05-14 09:17:06
還是有點(diǎn)不懂H橋電路。。TA為0和TD置5V。怎么知道TD晶體管集電極的電勢(shì)？望各位指教
2017-02-25 15:02:19
我用IR2110連接的H橋，上面2個(gè)MOSFET用高頻方波驅(qū)動(dòng)，下面2個(gè)用低頻方波驅(qū)動(dòng)。當(dāng)我的主路電源（也就是給H橋上負(fù)載的供電電源）斷開，上面2個(gè)MOSFET方波正常，當(dāng)我把主路電源打開并慢慢調(diào)
2016-04-06 06:20:15
本帖最后由 厲害liuh 于 2021-8-21 22:59 編輯
制作一個(gè)h橋芯片測(cè)試設(shè)備，過(guò)程中測(cè)試h橋發(fā)現(xiàn)輸出波形有下沖，測(cè)試電路和h橋內(nèi)部電路如下輸入電壓vs為30v，aout
2021-08-14 15:47:00
在Keysight Power Sensor上節(jié)省50％
2019-10-17 11:00:32
MOSFET的原理是什么？MOSFET的作用是什么？H橋全橋驅(qū)動(dòng)的原理是什么？如何將H橋驅(qū)動(dòng)當(dāng)作電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路？
2021-08-06 07:33:11
MOSFET一般工作在橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)模式下，如圖1所示。由于下橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的參考點(diǎn)為地，較容易設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路，而上橋的驅(qū)動(dòng)電壓是跟隨相線電壓浮動(dòng)的，因此如何很好地驅(qū)動(dòng)上橋MOSFET成了設(shè)...
2021-07-27 06:44:41
應(yīng)用電路使用ADuM3100數(shù)字隔離器是由高功率開關(guān)MOSFET組成的H橋，由低壓邏輯信號(hào)控制。該電路在邏輯信號(hào)和高功率電橋之間提供了方便的接口。該橋使用低成本N溝道功率MOSFET用于H橋的高側(cè)
2019-11-07 08:53:19
怎么實(shí)現(xiàn)MOSFET的半橋驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)？
2021-10-11 07:18:56
MOSFET減小了75%。圖2：傳統(tǒng)SOT-23封裝，旁邊是CSD18541F5LGA封裝和這位工程師做了一些快速計(jì)算，我們的結(jié)論是如果每個(gè)電路板用10個(gè)元件，他就能節(jié)省大約55mm2占位面積——每個(gè)元件的節(jié)省
2018-08-29 16:09:11
→線圈繞組BA→VD1→電源+Vs．步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中，實(shí)現(xiàn)上述開關(guān)功能的元件在實(shí)際電路中常采用功率MOSFET管． 由步進(jìn)電機(jī)H橋驅(qū)動(dòng)電路
2008-10-21 00:50:02
求教各位大佬：MOSFET半橋驅(qū)動(dòng)芯片空載時(shí)為什么HO和LO都沒有輸出波形？最近我在做D類放大，由于是分模塊做的，半橋驅(qū)動(dòng)芯片沒有與mosfet相連，是空載。當(dāng)我把pwm波輸入半橋驅(qū)動(dòng)芯片后，半橋驅(qū)動(dòng)器HO和LO無(wú)輸出。調(diào)試了半天也沒發(fā)現(xiàn)問(wèn)題。各位大佬如果知道的話，請(qǐng)指點(diǎn)下小弟。萬(wàn)分感謝?。?！
2018-04-09 23:54:28
描述H橋逆變器用于將直流電壓轉(zhuǎn)換為交流電壓。H 橋通常用于從 DC 方波生成純正弦波。H 橋由 4 個(gè)開關(guān)組成，可以是晶體管或 MOSFET。在這些開關(guān)中，負(fù)載兩端的電壓在用于順序驅(qū)動(dòng)開關(guān)的控制信號(hào)
2022-08-30 07:30:39
請(qǐng)問(wèn)mosfet搭建的H橋為什么比二極管搭建的H橋功耗要低呢？
2023-03-31 13:56:01
個(gè)上拉電阻器。雖然這對(duì)開關(guān)電源軌來(lái)說(shuō)是業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的有效解決方案，但它具有較大的占位面積?，F(xiàn)在我們可獲得更緊湊的解決方案，如德州儀器（TI）的TPS22915等負(fù)載開關(guān) —— 它們的占位面積不到1mm2！使用雙通道TPS22968更能顯著節(jié)省空間…
2022-11-18 07:38:15
EVAL-CN0196-EB1Z，H橋驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板，采用隔離式半橋驅(qū)動(dòng)器。 CN0196是由高功率開關(guān)MOSFET組成的H橋，其由低壓邏輯信號(hào)控制。該電路在邏輯信號(hào)和高功率電橋之間提供了方便的接口
2019-05-17 09:15:02
用MOSFET來(lái)替代或二極管以減少發(fā)熱和節(jié)省空間
高可用性電信繫統(tǒng)采用冗餘電源或電池供電來(lái)增強(qiáng)繫統(tǒng)的可靠性。人們通常采用分立二極管來(lái)把這些電源組
2010-03-18 10:11:13
30 MOSFET將封裝面積減半-Zetex新款無(wú)鉛型Zetex 新款無(wú)鉛型 MOSFET 將占位面積減半模擬信號(hào)處理及功率管理方案供應(yīng)商Zetex Semiconductors (捷特科)公司推出其
2008-03-22 14:46:02484 AP21x6 Diodes推出的新型USB電源開關(guān)系列
Diodes公司擴(kuò)展其AP21x1/x2產(chǎn)品陣營(yíng)，推出AP21x6雙USB電源開關(guān)系列。相比同類器件，該系列器件擁有更小的占位面
2009-07-29 14:14:24548 隨著這種新器件的發(fā)布，采用四種表面貼裝封裝類型的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET現(xiàn)已供貨，其中包括耐熱增強(qiáng)型PowerPAK® SO-8封裝，它可在SO-8占位面積
2009-09-12 17:42:02772 Diodes推出為VoIP應(yīng)用優(yōu)化的全新MOSFET
Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)一種更堅(jiān)固的解決方案，極大地降低了電路的復(fù)雜性
2009-12-03 09:50:37764 Diodes針對(duì)VoIP應(yīng)用優(yōu)化的全新MOSFET，可極大降低成本
Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)一種更堅(jiān)固的解決方案，極大地降低了電路
2009-12-04 08:33:09626 MJWI10占位面積為1x1吋的10W轉(zhuǎn)換器
Minmax推出占位面積為1 x 1吋的10W轉(zhuǎn)換器MJWI10，dc/dc轉(zhuǎn)換器MJWI10系列具有16個(gè)模塊，提供高達(dá)10 W的功率，采用1x1x0.4吋封
2010-05-10 11:10:061203 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間
2011-05-31 09:31:183330 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線
2011-06-01 08:54:01452 Diodes公司推出AL8807降壓型開關(guān)模式LED驅(qū)動(dòng)器。AL8807 LED驅(qū)動(dòng)器采用占位面積較小的SOT25封裝。
2011-12-09 10:05:19996 Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計(jì)。
2012-01-11 09:12:44775 Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為 -25V的P通道器
2012-05-03 10:08:401839 Diodes公司近日推出一系列採(cǎi)用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道和P通道MOSFET。採(cǎi)用DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4mm，面積只有4mm2，是一款額定電壓為 -25V的P通道元件，較同類
2012-05-04 11:34:53926 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出首款采用了晶圓級(jí)芯心尺寸封裝的肖特基（Schottky） 二極管，為智能手機(jī)及平板電腦的設(shè)計(jì)提供除微型DFN0603器件以外的又一選擇。新器件能夠以同樣的電路板占位面積，實(shí)現(xiàn)雙倍功率密度。
2013-07-03 13:55:001355 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 為L(zhǎng)ED照明及通用功率管理應(yīng)用，推出支持升、降壓和電壓反向電路拓?fù)涞奈⑿椭绷?直流轉(zhuǎn)換器。AL8811采用3.0mm x 4.9mm x 1.1mm MSOP-8L封裝，只需少量外部元件，就能有效減少電路占位面積及物料清單成本。
2013-07-24 15:19:151121 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出行業(yè)首款采用了DFN0806-3微型封裝的小信號(hào)雙極型晶體管。這些器件的占位面積為0.48mm2，離板厚度僅0.4mm，面積比采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封裝的同類型器件少20%。
2013-08-06 12:26:271220 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出低壓差 （LDO） 穩(wěn)壓器AP7340，在1kHz頻率下提供高達(dá)75dB的電源抑制比，以及在10Hz到100kHz的頻率范圍內(nèi)達(dá)到60μVrms的低噪聲性能，能夠?yàn)閷?duì)噪聲敏感的音頻、視頻及射頻應(yīng)用中的模擬電路提供優(yōu)質(zhì)供電。
2014-01-15 14:26:17879 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出具有升、降壓和逆變功能的直流-直流轉(zhuǎn)換器AL8812。這款器件集成了60V/3.6A的NMOS通道以滿足直流-直流控制器采用緊湊的雙帶散熱焊盤DFN6040-12封裝的基本功能，能夠減少M(fèi)R16 LED燈電路的波形因數(shù)。
2014-07-25 10:23:00794 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出全球首批采用DFN0606封裝的NPN晶體管MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP晶體管MMBT3906FZ和BC857BFZ。
2015-01-28 14:07:571385 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出雙向MOSFET DMN2023UCB4，提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護(hù)。
2015-02-02 17:23:421032 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的100V全H橋DMHC10H170SFJ，把雙N通道及P通道 MOSFET集成到微型DFN5045封裝 （5mm x 4.5mm）。
2016-02-16 10:56:361385 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的兩款40V車用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ溫度額定值高達(dá)+175°C，非常適合在高溫環(huán)境下工作。
2016-03-23 11:41:391070 了解MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中的安全工作面積（SOA）下
2018-08-23 05:27:001998 關(guān)鍵詞：Diodes , LCD , MOSFET , 背光 , 器件 Diodes 公司進(jìn)一步擴(kuò)展其多元化的MOSFET 產(chǎn)品系列，推出15款針對(duì) LCD 電視和顯示器背光應(yīng)用的新型器件。新器件
2018-09-10 00:05:02344 關(guān)鍵詞：邏輯器件 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出兩款采用了全球最小封裝形式DFN0808的單門邏輯器件系列74AUP1G及74LVC1G。兩款微型邏輯器件的占位
2018-09-23 12:38:02221 該視頻展示了16nm FinFet器件的性能，并討論了Xilinx RFSoC技術(shù)如何減少占位面積和功耗，同時(shí)提高下一代無(wú)線電和RF通信系統(tǒng)的硬件靈活性。
2018-11-30 06:27:003124 了解MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中的安全工作面積（SOA）上
2019-04-23 06:19:001557 
您的功耗相關(guān)設(shè)計(jì)可以節(jié)省雙MOSFET的空間，因?yàn)槟?jīng)常成對(duì)使用這些功能。飛兆半導(dǎo)體（圖片）的P溝道FDZ2552P和類似的N溝道FDZ2551N MOSFET用于低閾值電池保護(hù)應(yīng)用（V GS
2019-08-12 15:08:402772 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。
2020-05-09 11:07:263165 ，但是使用的方法不一樣，芯片的面積是不一樣的?；赟RAM有兩個(gè)事實(shí)： （1）1R1W的SRAM面積要比1RW的SRAM的面積大不少。 同樣規(guī)格的SRAM，增加一組讀寫接口，其面積會(huì)增加很多。但是有一種辦法其實(shí)有可能將本來(lái)需要使用1R1W的SRAM改用1RW SRAM替掉，從而節(jié)省
2020-06-22 13:36:091116 占位面積為 9mm2 并內(nèi)置微功率比較器的獨(dú)立鋰離子電池充電器
2021-03-21 15:22:500 概述 1、描述：progressbutton是占位面積很小的自定義進(jìn)度指示器。默認(rèn)實(shí)現(xiàn)提供了一個(gè)pin進(jìn)度按鈕。 2、實(shí)現(xiàn)功能： a.自定義圓形進(jìn)度條。 b.實(shí)現(xiàn)根據(jù)Slider滑動(dòng)更新自定義進(jìn)度條
2022-03-18 14:45:103 借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的元件占位面積
2022-11-02 08:16:250 在計(jì)算機(jī)科學(xué)和人機(jī)交互領(lǐng)域中，占位符（Placeholder）是一種用于表示臨時(shí)或未指定值的符號(hào)或字段。占位符在軟件開發(fā)和設(shè)計(jì)中起到重要的作用，特別是在用戶界面設(shè)計(jì)和數(shù)據(jù)處理方面。隨著數(shù)字時(shí)代的發(fā)展
2023-11-30 10:15:34185
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