欧美性猛交xxxx免费看_牛牛在线视频国产免费_天堂草原电视剧在线观看免费_国产粉嫩高清在线观看_国产欧美日本亚洲精品一5区

電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子技術(shù)應(yīng)用>實(shí)驗(yàn)中心>測試測量實(shí)驗(yàn)>納米器件電流-電壓(I-V)特性測試

納米器件電流-電壓(I-V)特性測試

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦

詳解MOS的I/V特性方程

分析MOSFETs 中電荷的產(chǎn)生和傳輸建立它們與各端電壓之間的函數(shù)關(guān)系。推導(dǎo)出I/V特性方程。這樣就能夠?qū)⒊橄蠹?jí)別從器件物理級(jí)提升到電路級(jí)。
2023-10-21 11:38:59288

精確的光伏 I-V 特性分析

光伏 (PV) 模塊是普及和經(jīng)濟(jì)適用的可再生能源。大多數(shù)光伏模塊的壽命約為 20 年,但是,熱應(yīng)力和濕度侵入等其他原因會(huì)導(dǎo)致光伏模塊的輸出功率隨著時(shí)間的推移而下降。為了進(jìn)行調(diào)試,可通過 PV 模塊的電壓-電流特性曲線的變化來測量其性能下降情況。
2023-06-25 10:42:58345

EDA技術(shù)探索之BSIM3模型

BSIM3模型的核心是它的I-V模型,即電流-電壓特性模型,它描述了MOSFET器件在不同的偏置條件下的電流響應(yīng)。
2023-05-10 11:22:18568

用源表測試軟件如何輸出I-V曲線、I-P曲線、恒定輸出

IV曲線測試是一種常用的電源表測試方法,它可以測量電源表的輸出電壓電流之間的關(guān)系,以及電源表的負(fù)載特性。在測試測量實(shí)驗(yàn)中,可以借助源表測試軟件來測試I-V曲線、I-P曲線、恒定輸出等。下面納米軟件Namisoft小編給大家分享一下:用源表測試軟件如何輸出I-V曲線、I-P曲線、恒定輸出。
2023-03-28 16:28:08762

如何利用數(shù)字源表進(jìn)行納米材料電特性表征

該方案主要針對(duì)納米材料溫差器件,在不同溫度激勵(lì)下,測試其輸出電壓以及輸出電流數(shù)據(jù)。如下圖所示,整套測試系統(tǒng)構(gòu)成包括,1臺(tái)S系列源表、溫度控制器,待測器件測試連接線以及上位機(jī)軟件組成測試電路。采用兩
2023-03-09 17:05:51219

Agilent BA1500半導(dǎo)體參數(shù)測試

Agilent BA1500半導(dǎo)體參數(shù)測試儀 直流I-V測試: 具有4路SMU,其中2路中等功率SMU,2路高分辨率SMU, 可同時(shí)測量最小電壓分辨率0.5μV、最小電流分辨率0.1fA DC
2023-03-07 15:54:37168

IGBT器件靜態(tài)測試需要哪些儀器

,輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式,同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。 用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動(dòng)態(tài)測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其 恒流模式對(duì)于快速測量擊穿點(diǎn)具有重大意義。
2023-02-23 10:00:200

大功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)測試專用系統(tǒng)

參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級(jí)電阻,pA級(jí)電流精準(zhǔn)測量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器 件結(jié)電容,如輸入電容,輸出電容、反向傳輸電容等。 普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測試領(lǐng)域,在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表,脈沖源
2023-02-15 16:11:141

何謂二極管?如何用數(shù)字源表測試二極管電特性參數(shù)?

實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表,還可用作精密電子負(fù)載,其高性能架構(gòu)還允許將其用作脈沖發(fā)生器、 波形發(fā)生器和自動(dòng)電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng),支持四象限工作。
2023-02-15 14:51:30649

如何利用IT2800源表快速實(shí)現(xiàn)MOSFET器件I-V特性測試

MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管,是電路設(shè)計(jì)中常用的功率開關(guān)器件,為壓控器件;其特點(diǎn)是用柵極電壓來控制漏極電流,具備驅(qū)動(dòng)電路簡單,驅(qū)動(dòng)功率小,開關(guān)速度快,工作頻率高、熱穩(wěn)定性高于GTR等優(yōu)點(diǎn)
2023-02-12 10:17:22195

納米軟件科普:用源表測試IV參數(shù)的典型應(yīng)用及源表測試軟件

器件I-V功能測試和特征分析是實(shí)驗(yàn)過程中經(jīng)常需要測試的參數(shù)之一,一般我們用到源表進(jìn)行IV參數(shù)的測試,如果需要對(duì)測試的數(shù)據(jù)進(jìn)行實(shí)時(shí)IV曲線圖顯示及保存,可以用到源表測試軟件
2023-02-02 10:50:591112

精細(xì)之至,方顯英雄本色——保證源表測量精度的小秘籍

精準(zhǔn)的測試,幾乎是所有工程師測試工作永恒的追求目標(biāo)。但這絕非易事,特別是小信號(hào)的測量。例如,半導(dǎo)體器件、材料、醫(yī)療、MEMS、發(fā)光器件等,需要測量精確伏安(I-V特性曲線、絕緣特性、電容漏電流、暗電流等小信號(hào),源表往往是首選。
2023-02-01 16:19:23747

精細(xì)之至,方顯英雄本色——保證源表測量精度的小秘籍

精準(zhǔn)的測試,幾乎是所有工程師測試工作永恒的追求目標(biāo)。但這絕非易事,特別是小信號(hào)的測量。例如,半導(dǎo)體器件、材料、醫(yī)療、MEMS、發(fā)光器件等,需要測量精確伏安(I-V特性曲線、絕緣特性、電容漏電流、暗電流等小信號(hào),源表往往是首選。
2023-01-24 19:45:191799

基于模型的GaN PA設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí):內(nèi)部電流-電壓(I-V)波形的定義及其必要性

基于模型的 GaN PA 設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí):內(nèi)部電流-電壓 (I-V) 波形的定義及其必要性
2022-12-26 10:16:23767

MOS晶體管I-V特性

本章定性和定量分析MOS的電流IDS與柵源電壓VGS、漏源電壓VDS間的IV特性關(guān)系。NMOS的剖面結(jié)構(gòu)圖以及其電路符合如下圖所示,由柵極(G),漏極(D)、源極(S)和基板(B)構(gòu)成。當(dāng)GS極加入
2022-11-15 10:05:182421

數(shù)字源表助力光伏電池伏安特性測試

精密型數(shù)字源表(SMU)是對(duì)太陽能電池和各種其他器件I-V特性進(jìn)行表征的最佳解決方案。其寬廣的電流電壓測量范圍,可以為科研及生產(chǎn)制造提供卓越的測量性能。結(jié)合太陽光模擬器以及專用的上位機(jī)軟件,支持
2022-11-11 15:25:24536

TVS的雙極性和單極性區(qū)別的I-V

TVS的雙極性和單極性區(qū)別的I-V
2022-06-21 15:03:444

納米材料與器件的電氣測量方法

特點(diǎn)在電路應(yīng)用中尤為突出。與類似的宏觀器件相比,其開關(guān)速度更快、功率損耗更低。然而,這也意味著測量此類器件I-V曲線的測試儀器在跟蹤較短反應(yīng)時(shí)間的同時(shí)必須對(duì)小電流進(jìn)行測量。 因?yàn)?b style="color: red">納米級(jí)測試應(yīng)用中激勵(lì)
2009-10-14 15:58:21

太陽能電池板特性參數(shù)測試方案

對(duì)太陽能電池進(jìn)行電流-電壓(I-V)特性分析對(duì)推導(dǎo)有關(guān)其性能的重要參數(shù)至關(guān)重要,包括最大電流(Imax)和電壓(Vmax)、開路電壓(Voc)、短路電流(Isc)以及效率(η)。
2022-03-04 15:03:00869

用源表進(jìn)行二級(jí)管測試方法你都用對(duì)了嗎?

源表測試過程中,除了選擇一臺(tái)可靠的儀器,使用操作方法也會(huì)影響測試的準(zhǔn)確可靠性,今天安泰測試帶大家來圍觀一下資深工程師的測試小妙招吧。 I-V測試是二級(jí)管測試必不可少的項(xiàng)目。二極管I-V特性分析通常
2021-12-21 17:42:12451

【技術(shù)大咖測試筆記系列】之六:曲線追蹤儀與I-V曲線追蹤儀軟件

曲線追蹤儀是一種基礎(chǔ)電子測試設(shè)備,通過分析半導(dǎo)體器件(如二極管、晶體管、晶閘管等)的特點(diǎn),用來執(zhí)行I-V曲線追蹤。它們通常用于器件可靠性應(yīng)用中,如故障分析和參數(shù)表征。
2021-09-14 10:51:521629

吉時(shí)利源表在二級(jí)管I-V測試的應(yīng)用

I-V測試是二級(jí)管測試必不可少的項(xiàng)目。二極管I-V特性分析通常需要高靈敏電流表、電壓表、電壓源和電流源。吉時(shí)利源表2450是二極管特性分析的理想選擇,提供四象限精密電壓電流源/負(fù)載,可精確地發(fā)起電壓電流以及同時(shí)測量電壓和/或電流,其電壓電流測量分辨率分別達(dá)到10 nV和10 fA。
2021-08-27 15:14:50489

利用數(shù)字源表進(jìn)行二極管I-V特性測試

二極管是常見的半導(dǎo)體兩端口電子元器件,與電阻、電容、電感等元器件連接可以構(gòu)成不同功能的電路,實(shí)現(xiàn)對(duì)交流電整流、對(duì)調(diào)制信號(hào)檢波、限幅和鉗位以及對(duì)電源電壓的穩(wěn)壓等多種功能。無論在研究實(shí)驗(yàn)室還是生產(chǎn)線,二極管在出廠前必須進(jìn)行三項(xiàng)直流參數(shù)測試:正向電壓(VF)、擊穿電壓(VR)和反向漏流(IR)測試
2021-06-02 14:42:03893

半導(dǎo)體分立器件I-V特性測試方案的詳細(xì)介紹

。 I-V特性測試難點(diǎn): 種類多 微電子器件種類繁多,引腳數(shù)量和待測參數(shù)各不相同,此外,新材料和新器件對(duì)測試設(shè)備提出了更高的要求,要求測試設(shè)備具備更高的低電流測試能力,且能夠支持各種功率范圍的器件。 尺寸小 隨著器件幾何尺寸的減小,
2021-05-19 10:50:251840

LED優(yōu)良的電學(xué)特性是決定其電光轉(zhuǎn)化效率的因素之一

LED(Light-emitting diodes)作為一種電光轉(zhuǎn)換器件,不僅要求其具有較高的外量子效率,優(yōu)良的電學(xué)(I-V特性也是決定其電光轉(zhuǎn)化效率的關(guān)鍵因素之一。因此對(duì)I-V特性的深入研究
2021-05-12 11:57:502004

利用吉時(shí)利源表2450實(shí)現(xiàn)二極管I-V特性分析

吉時(shí)利源表廣泛應(yīng)用于低壓/電阻,LIV, IDDQ ,I-V特征分析,隔離度與引線電阻,溫度系數(shù),正向電壓、反向擊穿、漏電流 ,直流參數(shù)測試,直流電源,HIPOT,介質(zhì)耐壓性等測試,是廣大
2021-04-29 15:00:391011

4200A-SCS參數(shù)分析儀簡化BioFETs DC I-V表征的四種方式

可以通過很多方式在bioFETs上進(jìn)行DC I-V測試。最簡便的方式是使用多個(gè)源測量單元(SMUs),SMU是一種同時(shí)提供和測量電流電壓的儀器。
2021-04-28 09:47:571458

4200A-SCS參數(shù)分析儀的功能特點(diǎn)及應(yīng)用范圍

4200A-SCS是一個(gè)模塊化、可定制、高度一體化的參數(shù)分析儀,可同時(shí)進(jìn)行電流-電壓I-V)、電容-電壓(C-V)和超快脈沖I-V電學(xué)測試。使用其可選的4200A-CVIV多通道開關(guān)模塊,可輕松
2021-02-11 14:36:001458

數(shù)字源表可幫助提取半導(dǎo)體器件的基本 I-V 特性參數(shù)

曲線,來決定器件的基本參數(shù)。微電子器件種類繁多,引腳數(shù)量和待測參數(shù)各不相同,除此以外,新材料和新器件對(duì)測試設(shè)備提出了更高的要求,要求測試設(shè)備具備更高的低電流測試能力,且能夠支持各種功率范圍的器件。 分立器件 I-V 特性測試的主要目的
2021-01-14 16:47:24479

使用數(shù)字源表測量二極管I-V特性,連接方法分析

二極管是兩端口電子器件,支持電流沿著一個(gè)方向流動(dòng)(正向壓),并阻礙電流從反方向流動(dòng)(反向偏壓)。無論在研究實(shí)驗(yàn)室還是生產(chǎn)線,都要對(duì)封裝器件或在晶圓上進(jìn)行二極管I-V測試。
2020-09-29 15:19:473989

泰克TSP-2000-SOLAR半導(dǎo)體器件的多組太陽能電池I-V測試系統(tǒng)方案

的電氣特性成為研究開發(fā)和制造過程中的一部分。對(duì)太陽能電池進(jìn)行 I-V 特性分析對(duì)推導(dǎo)有關(guān)其性能的重要參數(shù)至關(guān)重要,包括最大電流Imax和電壓Vmax、開路電壓Voc、短路電流Isc以及效率η。
2020-09-29 09:11:431185

在選購數(shù)字源表時(shí)有哪些事項(xiàng)需要注意

無論在研究實(shí)驗(yàn)室還是生產(chǎn)線,都要對(duì)封裝器件或在晶圓上的元器件I-V測試。元器件I-V特性分析通常需要高靈敏電流表、電壓表、電壓源和電流源。對(duì)所有分離儀器進(jìn)行編程、同步和連接,既麻煩又耗時(shí),而且需要
2020-09-26 11:21:541662

基于LXI的I-V測試軟件工具TSP Express編程基本的器件特性分析

2657A專門做了這些優(yōu)化:二極管、FETs和IGBTs等功率半導(dǎo)體器件的高壓測試應(yīng)用以及氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等新材料及其它復(fù)合半導(dǎo)體材料和器件特性分析。而且,2657A還適于高速瞬態(tài)分析以及在高達(dá)3000V的各種電子器件上進(jìn)行故障測試和漏電測試
2020-08-09 00:08:391112

詳細(xì)解讀氮化鎵(GaN)功率放大器的I-V波形

對(duì)于氮化鎵(GaN)功率放大器,設(shè)計(jì)師需要考慮非線性操作,包括RF電流-電壓I-V)波形會(huì)發(fā)生的狀況。優(yōu)化非線性行為設(shè)計(jì)的一種方法就是仿真內(nèi)部I-V波形。
2020-07-17 10:25:007

【4200 SMU應(yīng)用文章】之實(shí)例篇:高測試連接電容下穩(wěn)定測試電流

本文探討了4201-SMU和4211-SMU可以進(jìn)行穩(wěn)定的弱電流測量的多種應(yīng)用實(shí)例,包括測試:平板顯示器上的OLED像素器件、長電纜MOSFET傳遞特點(diǎn)、通過開關(guān)矩陣連接的FET、卡盤上的納米FET I-V測量、電容器泄漏測量。
2019-12-09 15:03:391571

LED主要參數(shù)及特性

關(guān)鍵詞:LED , 參數(shù) , 特性 LED是利用化合物材料制成pn結(jié)的光電器件。它具備pn結(jié)結(jié)型器件的電學(xué)特性I-V特性、C-V特性和光學(xué)特性:光譜響應(yīng)特性、發(fā)光光強(qiáng)指向特性、時(shí)間特性以及熱學(xué)特性
2019-02-14 18:52:015563

新型量子光電探測器的I-V特性與讀出電路的對(duì)接測試介紹

探測器的I-V特性可以為讀出電路設(shè)計(jì)提供重要依據(jù),為此在光電測試平臺(tái)采用keithley 4200-SCS半導(dǎo)體特性測試測試探測器特性。探測器陣列為2×8元,單元探測器面積為80×80μm.測試過程中作為公共電極的襯底電位固定,掃描單元探測器一端的電壓。
2018-11-20 09:03:004318

有哪些常用的V-I、I-V轉(zhuǎn)換電路?6個(gè)常用的V-I、I-V轉(zhuǎn)換電路詳細(xì)介紹

圖1是由運(yùn)放和阻容等元件組成的V/I變換電路,能將0—5V的直流電壓信號(hào)線性地轉(zhuǎn)換成0-10mA的電流信號(hào),A1是比較器.A3是電壓跟隨器,構(gòu)成負(fù)反饋回路,輸入電壓Vi與反饋電壓Vf比較,在比較器
2018-09-05 16:30:00139

提高生產(chǎn)效率的6種常見DC測試(技術(shù)干貨)

以6種常見的DC測試作為接入點(diǎn),為大家介紹如何更高效的進(jìn)行直流I-V特性分析。海報(bào)內(nèi)容包括:電阻測試,兩端子器件測量,記錄測量器件數(shù)據(jù),分析三端子器件I-V參數(shù),計(jì)算器件功率和效率,捕獲瞬態(tài)測量。
2018-08-31 10:41:0841

針對(duì)納米器件的脈沖I-V測試小技巧[圖]

在對(duì)納米器件進(jìn)行電流-電壓I-V)脈沖特征分析時(shí)通常需要測量非常小的電壓電流,因?yàn)槠渲行枰謩e加載很小的電流電壓去控制功耗或者減少焦耳熱效應(yīng)。這里,低電平測量技術(shù)不僅對(duì)于器件I-V特征分析
2018-01-21 16:43:01582

關(guān)于I-V轉(zhuǎn)化電路中運(yùn)放的虛短虛斷

虛斷指在理想情況下,流入集成運(yùn)算放大器輸入端電流為零。虛短是指在分析運(yùn)算放大器處于線性狀態(tài)時(shí),可把兩輸入端視為等電位,這一特性稱為虛假短路。本文主要介紹了I-V轉(zhuǎn)化電路中運(yùn)放的虛短虛斷電路分析。
2017-12-26 17:19:385390

微電子器件與電路實(shí)驗(yàn)(集成)實(shí)驗(yàn)

  在二極管 I-V 特性計(jì)算中,二極管的電流是和面積成正比的,面積越大電流也會(huì)越大。本實(shí)驗(yàn)將驗(yàn)證集成二極管的 I-V 特性曲線和二極管面積的關(guān)系。
2017-12-08 14:12:033

4225-PRM遠(yuǎn)程放大器開關(guān)模型實(shí)現(xiàn)對(duì)DC I-V、C-V和脈沖I-V測量的自動(dòng)轉(zhuǎn)換

本文詳細(xì)介紹了用4225-PRM遠(yuǎn)程放大器_開關(guān)模型實(shí)現(xiàn)對(duì)DC I-V、C-V、脈沖I-V測量的自動(dòng)轉(zhuǎn)換。
2017-11-15 15:29:0514

LED的I-V特性解析與高效率LED驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì)

LED 的I-V 特性 圖1是典型InGaAlP LED 的正向電壓特性。LED 電路模型可表示為一個(gè)電壓源串聯(lián)一個(gè)電阻,這個(gè)簡單模型與實(shí)際測量結(jié)果很吻合。電壓源為負(fù)溫度系數(shù),因此正向電壓會(huì)隨著接面
2017-11-03 17:33:152

MAX663_664 PC打印口控制的I-V曲線示蹤儀

MAX663_664 PC打印口控制的I-V曲線示蹤儀
2016-08-18 18:28:5510

MAX531 PC打印口控制的I-V曲線示蹤儀

MAX531 PC打印口控制的I-V曲線示蹤儀
2016-08-18 18:28:5511

MAX189 PC打印口控制的I-V曲線示蹤儀

電子元件應(yīng)用筆記——MAX189 PC打印口控制的I-V曲線示蹤儀
2016-08-18 18:24:0111

MAX478 PC打印口控制的I-V曲線示蹤儀

MAX478 PC打印口控制的I-V曲線示蹤儀
2016-08-18 18:24:013

基于拉格朗日插值多項(xiàng)式的光伏電池I-V特性建模方法

本文提出了一種基于拉格朗日插值多項(xiàng)式的光伏電池I-V特性的新的建模方法。該方法利用桑迪亞(Sandia)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室I-V特性曲線上的五個(gè)點(diǎn)的值作為節(jié)點(diǎn)進(jìn)行拉格朗日插值,最終得到 特性顯式表達(dá)
2016-01-04 17:13:4922

如何進(jìn)行高效DC測試電流電壓檢定

考察了當(dāng)前執(zhí)行的最常見的 DC 電流電壓I-V測試、每項(xiàng)測試本身的復(fù)雜性以及新技術(shù)可以怎樣幫助您克服這些挑戰(zhàn),同時(shí)增強(qiáng)效率和生產(chǎn)力。在研發(fā)中,會(huì)在各種雙端子電子器件上定期執(zhí)行 I-V 檢定
2015-10-27 16:11:55199

2450/2460型數(shù)字源表實(shí)現(xiàn)太陽能電池板I-V特性分析

利用吉時(shí)利2450或2460型觸摸屏數(shù)字源表,可以輕松生成這些I-V特性,該儀器可以提供電流電壓源和測量。由于2450型和2460型數(shù)字源表儀器都具有4象限源能力,因此它們可以起到施加電壓的作用
2015-05-28 11:23:47122

新型數(shù)字源表專為低電壓測試而優(yōu)化

新推出的2401型數(shù)字源表與所有吉時(shí)利SMU(源測量單元)儀器一樣,對(duì)光伏(太陽能)電池、高亮度LED(HBLED)、低壓材料和半導(dǎo)體器件電流電壓(I-V)特性分析以及電阻測量等高精度測試應(yīng)用進(jìn)
2011-12-05 16:57:15818

測試應(yīng)用快速擴(kuò)大陣列持續(xù)推動(dòng)SMUs儀器技術(shù)

SMU通常對(duì)用于確定被測設(shè)備I-V特性電流電壓進(jìn)行掃描。由于這些優(yōu)勢,SMU已被廣泛地應(yīng)用在工業(yè)領(lǐng)域,并且是許多自動(dòng)化測試系統(tǒng)的通用部件。
2011-09-22 09:38:30605

致茂電子發(fā)布太陽能電池?cái)?shù)組I-V仿真電源

致茂電子最新太陽能電池?cái)?shù)組I-V仿真電源,型號(hào)62150H-1000S提供最高可仿真太陽能電池?cái)?shù)組的開路電壓(Voc)達(dá)1000V及短路電流(Isc)達(dá)15A于3U高電源模塊
2011-06-24 09:08:241276

納米器件電學(xué)性能的測量技術(shù)

脈沖式電測試是一種能夠減少器件總能耗的測量技術(shù)。它通過減少焦耳熱效應(yīng)(例如I2R和V2/R),避免對(duì)小型納米器件可能造成的損壞
2011-05-04 09:45:22957

納米器件的脈沖測試

脈沖式電測試是一種能夠減少器件總能耗的測量技術(shù)。它通過減少焦耳熱效應(yīng)(例如I2R和V2/R),免對(duì)小型納米器件可能造成的損壞。脈沖測試采用足夠高的電源對(duì)待測器件(DUT)施加間
2011-04-09 16:05:5044

吉時(shí)利精密直流I-V、交流阻抗以及超快I-V測量電

Ultra-fast I-V tests (pulsed I-V, transient I-V, and pulsed sourcing ) have become increasingly
2011-03-28 17:15:1484

下一代超快直流電流-電壓I-V)測量技術(shù)

  與直流電流-電壓(I-V)和電容-電壓(C-V)測量一樣,是否能夠進(jìn)行超快I-V測量對(duì)于從事新材料、器件或工藝研發(fā)特征
2010-12-27 08:56:481493

LED的參數(shù)與特性

LED的參數(shù)與特性 LED具備pn結(jié)結(jié)型器件的電學(xué)特性I-V特性、C-V特性和光學(xué)特性:光譜響
2010-04-21 17:57:189199

數(shù)字源表用于光電I-V測試使用手冊(cè)

數(shù)字源表用于光電I-V測試使用手冊(cè) 吉時(shí)利數(shù)字源表系列是專為緊密結(jié)合精密電壓源和電流源以及同時(shí)測量(包括源回讀)的測試應(yīng)用要求開發(fā)的。在特性分析過
2010-03-13 09:21:5719

吉時(shí)利宣布推出了最新的4225-PMU超快I-V測試模塊

吉時(shí)利宣布推出了最新的4225-PMU超快I-V測試模塊  吉時(shí)利儀器公司今日宣布推出了最新的4225-PMU超快I-V測試模塊,進(jìn)一步豐富了4200-SCS半導(dǎo)體特征分析系統(tǒng)的可選儀器系
2010-02-24 10:12:24733

晶體硅光伏(PV)方陣I-V特性的現(xiàn)場測量 GB/T 122

晶體硅光伏(PV)方陣I-V特性的現(xiàn)場測量:本標(biāo)準(zhǔn)描述晶體硅光伏方陣特性的現(xiàn)場測量及將測得的數(shù)據(jù)外推到標(biāo)準(zhǔn)測試條件或其他選定的溫度和輻照度條件下的程序.
2009-02-23 22:01:1416

已全部加載完成