器件采用歐翼引線結(jié)構(gòu)PowerPAK? SO-8L小型封裝具有業(yè)界出色FOM并獲得AEC-Q101認證

賓夕法尼亞、MALVERN — 2021年4月7日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出通過AEC-Q101認證、全球先進的p溝道80 V TrenchFET? MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP導通電阻達到80 V p溝道器件優(yōu)異水平，可提高汽車應用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結(jié)構(gòu)5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK? SO-8L小型單體封裝，10 V條件下最大導通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。

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日前發(fā)布的汽車級MOSFET導通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導通功耗，節(jié)省能源，同時增加功率密度提高輸出。SQJA81EP 10 V條件下優(yōu)異的柵極電荷僅為52 nC，減少柵極驅(qū)動損耗，柵極電荷與導通電阻乘積，即用于功率轉(zhuǎn)換應用的MOSFET優(yōu)值系數(shù)（FOM）達到業(yè)界出色水平。

器件可在+175 °C高溫下工作，滿足反向極性保護、電池管理、高邊負載開關(guān)和LED照明等汽車應用牢固性和可靠性要求。此外，SQJA81EP鷗翼引線結(jié)構(gòu)還有助于提高自動光學檢測（AOI）功能，消除機械應力，提高板級可靠性。

器件80 V額定電壓滿足12 V、24 V和48 V系統(tǒng)多種常用輸入電壓軌所需安全裕度。MOSFET提高了功率密度，從而減少需要并聯(lián)的元器件數(shù)量，節(jié)省PCB空間。此外，作為p溝道器件，SQJA81EP可簡化柵極驅(qū)動設(shè)計，無需配置n溝道器件所需的電荷泵。 MOSFET采用無鉛（Pb）封裝、無鹵素、符合RoHS標準，經(jīng)過100 % Rg和UIS測試。

SQJA81EP現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為14周。