柵極驅(qū)動(dòng)器的 +16V/-8V 電壓，能夠通過具有外部 BJT/MOSFET 緩沖器的單極或雙極電源為柵極驅(qū)動(dòng)器供電可針對反相/非反相工作情況配置柵極驅(qū)動(dòng)器輸入可選擇通過如下方式評估系統(tǒng)：柵極驅(qū)動(dòng)器和 IGBT 之間的雙絞線電纜柵極和發(fā)射極之間的外部電容
2018-12-27 11:41:40
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時(shí)間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高
2019-10-06 07:00:00
驅(qū)動(dòng)半橋配置中的并聯(lián) IGBT。并聯(lián) IGBT 在柵極驅(qū)動(dòng)器級（驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度不足）以及系統(tǒng)級均會(huì)帶來挑戰(zhàn)：難以在兩個(gè) IGBT 中保持相等電流分布的同時(shí)確保更快的導(dǎo)通和關(guān)斷。此參考設(shè)計(jì)使用增強(qiáng)型隔離式
2018-12-07 14:05:13
描述TIDA-00174 參考設(shè)計(jì)是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器偏置。它產(chǎn)生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負(fù)偏置電壓
2018-09-05 08:54:59
下降低開關(guān)損耗?！ ×硪环矫?，正是這種高開關(guān)速度會(huì)對電機(jī)絕緣等其他組件的使用壽命產(chǎn)生負(fù)面影響，并可能導(dǎo)致EMI問題。憑借其新型柵極驅(qū)動(dòng)器 BM60059FV-C，ROHM 可在有限的 dv/dt 下將
2023-02-21 16:36:47
的重要任務(wù)由驅(qū)動(dòng)IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)器完成。光電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器已成功用于驅(qū)動(dòng)IGBT，并提供電流安全隔離。光電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的輸入級包含單個(gè)鋁鎵砷（AlGaAs）LED。輸出級包括一個(gè)光電探測器和放大器
2022-11-10 06:40:24
Q1。如何計(jì)算IGBT柵極電阻。我想使用 STGD18N40LZ IGBT 來操作感性開關(guān)負(fù)載。開關(guān)頻率：- 在 400Hz 到 1Khz 之間集電極到發(fā)射極電壓：- 24V。平均最大電流：- 5A。Q2。使用1Kohm電阻會(huì)有什么影響？
2023-01-04 09:00:04
的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在 IGBT 的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓,則 MOSFET 導(dǎo)通,這樣 PNP 晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若 IGBT 的柵極
2021-03-19 15:22:33
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高的 短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路
2018-08-20 07:40:12
的選擇要考慮開關(guān)速度的要求和損耗的大小。柵極電阻也不是越小越好， 當(dāng)柵極電阻很小時(shí)， IGBT的CE間電壓尖峰過大， 柵極電阻很大時(shí)， 又會(huì)增大開關(guān)損耗?！ ∷裕?選擇時(shí)要在CE間尖峰電壓能夠承受
2011-09-08 10:12:26
防止由米勒電容引起的故障的另一種方法包括在IGBT的柵極發(fā)射極之間進(jìn)行短路。配置電路以從外部組件安全地鉗位柵極是復(fù)雜的并且需要額外的PWB空間。 TLP5214具有內(nèi)部功能，稱為有源米勒鉗位功能，可
2020-05-11 09:00:09
的門極驅(qū)動(dòng)問題做了一些總結(jié)，希望對廣大IGBT應(yīng)用人員有一定的幫助?！ ? IGBT門極驅(qū)動(dòng)要求 1.1 柵極驅(qū)動(dòng)電壓 因IGBT柵極-發(fā)射極阻抗大，故可使用MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，但
2016-11-28 23:45:03
的門極驅(qū)動(dòng)問題做了一些總結(jié)，希望對廣大IGBT應(yīng)用人員有一定的幫助?！ ? IGBT門極驅(qū)動(dòng)要求 1.1 柵極驅(qū)動(dòng)電壓 因IGBT柵極-發(fā)射極阻抗大，故可使用MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，但
2016-10-15 22:47:06
描述此參考設(shè)計(jì)在單個(gè) 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。此參考設(shè)計(jì)采用 Fly-Buck&trade(...)主要特色? 隔離型
2018-09-06 09:07:35
`描述此參考設(shè)計(jì)在單個(gè) 24 伏直流輸入電源中提供絕緣
柵極雙極型晶體管 (
IGBT)
柵極驅(qū)動(dòng)器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。此參考設(shè)計(jì)采用 Fly-Buck? 控制拓?fù)?，從單一變壓器生成用于三相逆變?/div>
2015-03-23 14:53:06
NCV57001FDWR2G是一款具有簡化的軟的?轉(zhuǎn)動(dòng)?關(guān)閉時(shí)間適合驅(qū)動(dòng)大型IGBT或電源模塊。是一個(gè)高性能的傳感器?電流型單通道IGBT驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電流隔離，設(shè)計(jì)用于高系統(tǒng)效率和高功率應(yīng)用的可靠性
2022-01-06 09:53:36
電子書“IGBT 和 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器基礎(chǔ)知識”
2022-10-25 17:20:12
描述TIDA-00174參考設(shè)計(jì)是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器偏置。它產(chǎn)生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負(fù)偏置電壓用于
2022-09-26 07:54:11
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車充電樁（電動(dòng)汽車充電站）應(yīng)用的功率級提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
(x2) 和 -8V (x2)使用預(yù)調(diào)制的 24V 輸入進(jìn)行操作輸出功率：每個(gè) IGBT 2W可以選擇關(guān)閉電源以促進(jìn)安全扭矩切斷 (STO) 功能輸出波紋：< 200mV輸出電容器的額定值支持高達(dá) 6A 的峰值柵極驅(qū)動(dòng)電流旨在滿足 IEC61800-1-5`
2015-03-23 14:35:34
(x2) 和 -8V (x2)使用預(yù)調(diào)制的 24V 輸入進(jìn)行操作輸出功率：每個(gè) IGBT 2W可以選擇關(guān)閉電源以促進(jìn)安全扭矩切斷 (STO) 功能輸出波紋：< 200mV輸出電容器的額定值支持高達(dá) 6A 的峰值柵極驅(qū)動(dòng)電流旨在滿足 IEC61800-1-5`
2015-04-27 17:31:57
IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng)是IGBT 應(yīng)用中的關(guān)鍵問題。本文闡明構(gòu)成IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)電路的注意事項(xiàng)，基本電路參數(shù)的選擇原則，還介紹丁幾種驅(qū)動(dòng)電路實(shí)例。
2010-08-31 16:33:41
213
IGBT模塊驅(qū)動(dòng)及保護(hù)技術(shù)
摘要：對IGBT柵極驅(qū)動(dòng)特性、柵極串聯(lián)電阻及其驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了探討。提出了慢降柵壓過流保護(hù)和過
2009-07-15 07:57:59
2426 
單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
IGBT絕緣柵極雙極晶體管過壓保護(hù)電路
IGBT的柵極過壓的
2010-02-17 17:13:011796 
利用silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行了仿真，在同一電流密度下提取了不同柵極寬度IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨柵極寬度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于相同的元
2011-12-05 15:28:5431 東芝新推出一系列采用小型SO8封裝的IC光電耦合器TLP2451是一款使用圖騰柱輸出的IGBT / MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器
2012-03-13 11:08:413462 
ACPL-P343 (W343) IGBT柵極驅(qū)動(dòng)方案
2015-12-30 15:47:1757 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作，同時(shí)對IGBT模塊進(jìn)行保護(hù)。IGBT 驅(qū)動(dòng)電路的作用對整個(gè)IGBT構(gòu)成的系統(tǒng)來說至關(guān)重要
2017-06-05 14:21:1227214 
的柵極驅(qū)動(dòng)要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動(dòng)器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 igbt驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)igbt并對其整體性能進(jìn)行調(diào)控的裝置，它不僅影響了igbt 的動(dòng)態(tài)性能，同時(shí)也影響系統(tǒng)的成本和可靠性。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致 igbt 和驅(qū)動(dòng)器損壞。
2017-11-23 08:38:1745074 由式(5)和式(6)可知，反饋電流IL值為正。IL不能直接加在柵極，以免對柵極電流造成沖擊，因此需要引入一個(gè)由Q5、Q6組成的鏡像電路，將流過Q6的電流鏡像到流過Q5的電路上反饋到柵極。這樣，實(shí)現(xiàn)了對IGBT開通時(shí)柵極電流的調(diào)控，IGBT開通時(shí)di/dt得到控制，如式(7)所示。
2018-04-17 08:48:5012138 
本參考設(shè)計(jì)采用一個(gè) 22kW 功率級以及 TI 全新的增強(qiáng)型隔離式 (IGBT) 柵極驅(qū)動(dòng)器 ISO5852S，適用于交流驅(qū)動(dòng)器等各類 三相逆變器。
2018-05-08 17:03:2524 該參考設(shè)計(jì)包含具有增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器以及專用柵極驅(qū)動(dòng)器電源的單個(gè)模塊。該緊湊型參考設(shè)計(jì)可控制光伏逆變器中的 IGBT。該設(shè)計(jì)使用具有內(nèi)置 IGBT DESAT 檢測和米勒鉗位保護(hù)
2018-06-28 08:00:0011 熟練掌握高壓MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
2018-08-16 00:24:004344 熟練掌握高壓MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
2019-05-07 06:34:002054 
ADI公司的ADuM4137是單路IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，采用ADI的iCoupler?技術(shù)，使得輸入信號和輸出柵驅(qū)動(dòng)之間絕緣。器件還對過流，遙控溫度過熱，欠壓鎖住（UVLO）和熱關(guān)斷（TSD）等事件提供故障報(bào)告。
2019-04-05 11:26:002853 
通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394943 
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動(dòng)功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個(gè)柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替
2019-07-03 16:26:554307 
,通態(tài)損耗最小,又可以限制短路電流。因此柵極驅(qū)動(dòng)電壓Uge需要選擇一個(gè)合適的數(shù)值,以保證IGBT的可靠運(yùn)行。柵極電壓增高時(shí),有利于減小IGBT的開通損耗和導(dǎo)通損耗,但同時(shí)將使IGBT能承受的短路時(shí)間變短
2019-07-26 09:46:2516179 
在電源電子（例如驅(qū)動(dòng)技術(shù)）中，IGBT（隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器 - Insulated Gate Bipolar Transistor）經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。
2019-08-07 14:27:1410786 
IGBT的驅(qū)動(dòng)電路必須具備兩種功能：一是實(shí)現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動(dòng)IGBT柵極的電位隔離；二是提供合適的柵極驅(qū)動(dòng)脈沖。實(shí)現(xiàn)電位隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓器及光耦合器。
2019-10-07 14:26:0012785 
不熟悉MOSFET或IGBT輸入特性的設(shè)計(jì)人員首先根據(jù)數(shù)據(jù)表中列出的柵源或輸入電容來確定元件值，從而開始驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)?；?b class="flag-6" style="color: red">柵極對源電容的RC值通常會(huì)導(dǎo)致柵極驅(qū)動(dòng)嚴(yán)重不足。雖然柵極對源電容是一個(gè)重要
2020-03-09 08:00:0024 柵極電路的正偏壓VGE、負(fù)偏壓-VGE和柵極電阻RG的大小，對IGBT的通態(tài)壓降、開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗、承受短路能力以及dV/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。
2020-06-18 08:00:0042 中的功率消耗或損耗、發(fā)送到功率半導(dǎo)體開關(guān) (IGBT/MOSFET) 的功率以及驅(qū)動(dòng)器 IC 和功率半導(dǎo)體開關(guān)之間的外部組件（例如外部柵極電阻器兩端）的功率損耗。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動(dòng)器）的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。本
2021-06-14 03:51:003144 
工業(yè)快速以太網(wǎng) 隔離式IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器需要隔離式電源，以實(shí)現(xiàn)安全隔離和電平轉(zhuǎn)換。不幸的是，基于標(biāo)準(zhǔn)電源控制IC的隔離式電源設(shè)計(jì)并非易事。要使用離散的組件定制解決方案，就需要專門知識和大量的驗(yàn)證工作
2021-05-26 18:05:172342 
FET柵極驅(qū)動(dòng)器和電源的支持組件集成在柵極驅(qū)動(dòng)器中，從而縮減了串聯(lián)柵極電阻器、柵極灌電流路徑二極管、柵源電壓(VGS)鉗位二極管、柵極無源下拉電阻器和電源等組件的物料清單(BOM)和組裝成本。
2021-01-13 14:06:282800 摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 ADuM4135：提供米勒箝位的單電源 / 雙電源 高電壓隔離 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器
2021-03-21 13:47:029 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 本文對IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)特性、柵極串聯(lián)電阻及IGBT的驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了探討。給出了過電流保護(hù)及換相過電壓吸收的有效方法。
2022-08-23 09:40:2427 柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器FOD31xx系列的功能是用作電源緩沖器 ,來控制功率MOSFET或IGBT的柵極 。它為 MOSFET或 IGBT的柵極輸入供應(yīng)所需的峰值充電電 流 ,來打開器件。該目標(biāo)通過
2022-10-24 09:00:07920 
IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
2022-11-15 19:51:245 本文介紹了在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中為功率級選擇隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，您有多種選擇。柵極驅(qū)動(dòng)器可簡單可復(fù)雜，具有集成米勒箝位、分離輸出或絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 發(fā)射極的欠壓 （UVLO） 鎖定參考等功能。
2022-11-30 09:58:211105 
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)設(shè)備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對于IGBT，它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:121151 
IGBT的驅(qū)動(dòng)電路在它的應(yīng)用中有著特別重要的作用，IGBT應(yīng)用的關(guān)鍵問題之一是驅(qū)動(dòng)電路的合理設(shè)計(jì)。由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨柵-射極驅(qū)動(dòng)電路的變化而變化，因而驅(qū)動(dòng)電路性能不好，常常會(huì)造成IGBT的損壞。
2023-02-16 15:07:431771 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS絕緣柵型場效應(yīng)管組成的復(fù)
合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件
2023-02-23 09:52:070 柵極驅(qū)動(dòng)參考 1.PWM直接驅(qū)動(dòng)2.雙極Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器4.速度增強(qiáng)電路5.dv/dt保護(hù) 1.PWM直接驅(qū)動(dòng) 在電源應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)主開關(guān)
2023-02-23 15:59:0017 柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器，它接受來自控制器IC的低功耗輸入，并為功率器件產(chǎn)生適當(dāng)?shù)母唠娏?b class="flag-6" style="color: red">柵極驅(qū)動(dòng)。隨著對電力電子器件的要求不斷提高，柵極驅(qū)動(dòng)器電路的設(shè)計(jì)和性能變得越來越重要。
功率
2023-04-04 10:23:45547 點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復(fù)雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點(diǎn)，并且有三個(gè)端子：一個(gè)柵極、一個(gè)集電極和一個(gè)發(fā)射極。就柵極驅(qū)動(dòng)而言，該器件
2023-06-21 19:15:01398 
IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因？
2023-09-16 08:32:131715 
igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件，常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管，由一個(gè)PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《柵極寬度對IGBT通態(tài)壓降的影響.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-25 10:45:410 深度剖析 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
2023-11-24 14:48:25220 
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，關(guān)鍵元件該怎么選？
2023-11-30 18:02:38294 
報(bào)告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動(dòng)變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能
驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
由于IGBT高電壓、大電流和高頻特性，IGBT需要一個(gè)專門的驅(qū)動(dòng)電路來控制其開通和關(guān)斷。本文將介紹IGBT驅(qū)動(dòng)電路。 一、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用 IGBT驅(qū)動(dòng)電路的主要作用是向IGBT提供適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">柵極
2024-01-17 13:56:55554 
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
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