李時(shí)榮聲稱，“客戶對(duì)代工企業(yè)的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力與穩(wěn)定供應(yīng)有嚴(yán)格要求，而4
nm工藝已步入成熟良率階段。我們正積極籌備后半年第二代3
nm工藝及明年2
nm工藝的量產(chǎn)，并積極與潛在客戶協(xié)商?！?/div>
2024-03-21 15:51:43
90 近日消息稱，蘋果 Vision Pro頭戴式顯示器目前已在美國(guó)正式上市，隨后將擴(kuò)展到更多區(qū)域。MacRumors通過(guò)挖掘發(fā)現(xiàn)，蘋果即將為Vision Pro頭顯的虛擬鍵盤增添12種新語(yǔ)言。
2024-03-14 10:25:0376 正式量產(chǎn)。 現(xiàn)在Marvell 已正式宣布，將與臺(tái)積電合作開發(fā)業(yè)界首款針對(duì)加速基礎(chǔ)設(shè)施優(yōu)化的2nm 芯片生產(chǎn)平臺(tái)。 Marvell將與臺(tái)積電的長(zhǎng)期合作伙伴關(guān)系擴(kuò)展到2nm制造領(lǐng)域。 成立于1995年的Marvell（美滿科技集團(tuán)有限公司）總部在硅谷，是全球頂尖的無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司之一。Marvell已經(jīng)
2024-03-11 16:32:59258 據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道稱，三星電子旗下的3納米工藝良品比例仍是一個(gè)問(wèn)題。報(bào)道中僅提及了“3nm”這一籠統(tǒng)概念，并沒(méi)有明確指出具體的工藝類型。知情者透露，盡管有部分分析師認(rèn)為其已經(jīng)超過(guò)60%
2024-03-07 15:59:19167 近期，科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個(gè)引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:14315 瑞薩日前宣布，公司已基于STT-MRAM的電路技術(shù)開發(fā)出具有快速讀寫能力的測(cè)試芯片。該MCU 測(cè)試芯片采用 22 納米工藝制造，包括一個(gè) 10.8Mbit嵌入式 MRAM 存儲(chǔ)單元陣列。
2024-03-05 10:05:46192 
臺(tái)積電：13座晶圓廠（6/8/12英寸），產(chǎn)能1420萬(wàn)片/年（12英寸），主要覆蓋工藝節(jié)點(diǎn)（0.5μm~3nm），工藝平臺(tái)覆蓋邏輯、混合信號(hào)與射頻、圖像傳感器、模擬與電源管理、嵌入式存儲(chǔ)等，代工
2024-02-27 17:08:37149 
梯隊(duì)的廠商們還在成熟工藝上穩(wěn)扎穩(wěn)打。 ? 早在兩年前，我們還會(huì)將28nm視作成熟工藝以及先進(jìn)工藝的分水嶺。但隨著3nm的推出，以及即將到來(lái)的2nm，成熟工藝的定義已經(jīng)發(fā)生了變化，分水嶺已然換成了T2和T3晶圓廠不愿投入的7nm/8nm工藝
2024-02-21 00:17:002598 
在熊本縣菊陽(yáng)町，臺(tái)積電、索尼和日本電裝聯(lián)合開發(fā)了一個(gè)12英寸晶圓加工基地，該基地應(yīng)用12nm、16nm和22nm至28nm技術(shù)，預(yù)計(jì)月底建成。此外，其量產(chǎn)時(shí)間已定為2024年第四期。
2024-01-30 09:38:35333 目前，臺(tái)積電已完成與日本的一項(xiàng)聯(lián)合建設(shè)晶圓廠協(xié)議，預(yù)計(jì)在今年2月24日舉行投產(chǎn)慶典。日本的這處晶圓廠使用12nm、16nm、22nm及28nm等先進(jìn)制程工藝，自啟動(dòng)以來(lái)進(jìn)展順利，引來(lái)業(yè)界廣泛關(guān)注。
2024-01-29 14:00:42178 2nm工藝是臺(tái)積電采用的革新性GAA（Gate-All-Around）技術(shù)，在相同功耗下相比當(dāng)前最先進(jìn)的N3E工藝，速度提升10%至15%，或在相同速度下功耗降低25%至30%。這一突破將大大提升蘋果設(shè)備的性能，并延長(zhǎng)電池使用時(shí)間。
2024-01-26 15:51:50208 例如，盡管iPhone 15 Pro已發(fā)布四個(gè)月，A17 Pro仍在使用臺(tái)積電專有的3nm工藝。根據(jù)MacRumors的報(bào)告，這一趨勢(shì)似乎仍將延續(xù)至2nm工藝。
2024-01-26 09:48:34202 聯(lián)電共同總經(jīng)理王石指出，聯(lián)電與英特爾在美國(guó)全資本開支的12nmFinFET制程合作，是公司探尋具備成本效益的產(chǎn)能擴(kuò)張以及先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)升級(jí)的關(guān)鍵舉措。這個(gè)行動(dòng)也預(yù)示著我們堅(jiān)持對(duì)客戶的鄭重承諾。
2024-01-26 09:09:43190 據(jù)報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電在次世代MRAM存儲(chǔ)器相關(guān)技術(shù)方面取得了重大進(jìn)展。該公司成功開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創(chuàng)新的運(yùn)算架構(gòu)，使其功耗僅為其他類似技術(shù)的1%。
2024-01-19 14:35:126646 臺(tái)積電在MRAM技術(shù)方面已經(jīng)取得了顯著進(jìn)展，成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線，并積累了大量?jī)?nèi)存和車用市場(chǎng)訂單。
2024-01-18 16:44:044838 MAX9736A能否接受 DC 模擬輸入信號(hào)并將其擴(kuò)展至 DC 輸出 ? 一些 TI 類D 放大器, 如 TPA3130D2 , 得到了 DC 保護(hù), 無(wú)法接受 DC 輸入 。
但在ADI MAX9736A數(shù)據(jù)表中沒(méi)有描述DC輸入保護(hù)。 而MAX9736A的生產(chǎn)周期是什么?
2024-01-10 06:39:15
更先進(jìn)的技術(shù)自然會(huì)帶來(lái)更高的利潤(rùn)，這是臺(tái)積電無(wú)與倫比的優(yōu)勢(shì)，7nm及更先進(jìn)的制程占比越高，也就意味著臺(tái)積電的營(yíng)收會(huì)越高，毛利率會(huì)越高，其他從業(yè)者與臺(tái)積電的差距也會(huì)被拉大。
2024-01-09 14:16:21175 
據(jù)悉，臺(tái)積電自2022年12月份起開始量產(chǎn)3nm工藝，然而由于成本考量，第一代3納米工藝僅由蘋果使用。其他如聯(lián)發(fā)科、高通等公司則選擇了4nm工藝。
2024-01-05 10:13:06193 這座晶圓廠于2022年4月開始新建，大樓主結(jié)構(gòu)已完工，且辦公室部分區(qū)域也在今年8月啟用。將生產(chǎn)N28 28nm級(jí)工藝芯片，這是日本目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝。22ULP工藝也會(huì)在這里生產(chǎn)，但注意它不是22nm，而是28nm的一個(gè)變種，專用于超低功耗設(shè)備。
2024-01-03 15:53:27433 據(jù)悉，2024年臺(tái)積電的第二代3nm工藝（稱為N3E）有望得到更廣泛運(yùn)用。此前只有蘋果有能力訂購(gòu)第一代N3B高端晶圓。經(jīng)過(guò)解決工藝難題及提升產(chǎn)量后，臺(tái)積電推出經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的3nm版型，吸引更多企業(yè)采用。
2024-01-03 14:15:17279 奎斯特區(qū)，在RF頻率下具有出色的噪聲和線性性能，將其可用范圍擴(kuò)展到第三奈奎斯特區(qū)以外。ADC12D1800RF提供靈活的LVDS接口，具有多個(gè)SPI可編程選項(xiàng)，有
2023-12-21 11:36:06
英特爾的Intel 20A和Intel 18A工藝已經(jīng)開始流片，意味著量產(chǎn)階段已經(jīng)不遠(yuǎn)。而2nm工藝和1.8nm工藝的先進(jìn)程度無(wú)疑已經(jīng)超過(guò)了三星和臺(tái)積電的3nm工藝。
2023-12-20 17:28:52799 12 月 14 日消息，臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）的小組研討會(huì)上透露，其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開。同時(shí)，臺(tái)積電重申，2nm 級(jí)制程將按計(jì)劃于 2025
2023-12-18 15:13:18191 ：可以實(shí)現(xiàn)CCLINKIE網(wǎng)絡(luò)中的數(shù)據(jù)采集和傳輸，并將其轉(zhuǎn)換為EtherCAT協(xié)議，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的高速傳輸和實(shí)時(shí)性。
多設(shè)備兼容性：可以實(shí)現(xiàn)不同設(shè)備之間的通信和數(shù)據(jù)交換，提高系統(tǒng)的兼容性和可擴(kuò)展
2023-12-17 13:02:59
1. 臺(tái)積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù)，2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn) ? 臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）的小組研討會(huì)上透露，其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)
2023-12-14 11:16:00733 芯片的7nm工藝我們經(jīng)常能聽到，但是7nm是否真的意味著芯片的尺寸只有7nm呢？讓我們一起來(lái)看看吧！
2023-12-07 11:45:311602 
1.關(guān)閉虛擬機(jī)，點(diǎn)擊虛擬機(jī)->設(shè)置->硬盤->擴(kuò)展，這里設(shè)置為210GB，點(diǎn)擊擴(kuò)展。此時(shí)只是給了虛擬機(jī)一段未分配的空間，需要將其擴(kuò)展到根目錄。
2.點(diǎn)擊開啟
2023-12-06 10:51:24
3nm工藝剛量產(chǎn)，業(yè)界就已經(jīng)在討論2nm了，并且在調(diào)整相關(guān)的時(shí)間表。2nm工藝不僅對(duì)晶圓廠來(lái)說(shuō)是一個(gè)重大挑戰(zhàn)，同樣也考驗(yàn)著EDA公司，以及在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)芯片的客戶。
2023-12-06 09:09:55693 今天分享另一篇網(wǎng)上流傳很廣的22nm 平面 process flow. 有興趣的可以與上一篇22nm gate last FinFET process flow 進(jìn)行對(duì)比學(xué)習(xí)。 言歸正傳，接下來(lái)介紹平面工藝最后一個(gè)節(jié)點(diǎn)22nm process flow。
2023-11-28 10:45:514233 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對(duì)MRAM的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。
2023-11-22 14:43:53213 
的最新工藝成果及未來(lái)的發(fā)展規(guī)劃。電子發(fā)燒友網(wǎng)作為受邀行業(yè)媒體作采訪并報(bào)道。 ? ?GlobalFoundries Chief Commercial Officer Juan Cordovez在論壇上發(fā)言介紹
2023-11-15 14:53:38793 
晶體管尺寸在3nm時(shí)達(dá)到臨界點(diǎn)，納米片F(xiàn)ET可能會(huì)取代finFET來(lái)滿足性能、功耗、面積和成本目標(biāo)。同樣，正在評(píng)估2nm銅互連的重大架構(gòu)變化，此舉將重新配置向晶體管傳輸電力的方式。
2023-11-14 10:12:51192 
2023年8月，龍芯中科推出了龍芯3A6000處理器，這是龍芯第四代微架構(gòu)的首款產(chǎn)品，基于12nm制程工藝制造，集成4個(gè)最新研發(fā)的高性能6發(fā)射64位LA664處理器核，核心頻率2.5GHz，支持128位向量處理擴(kuò)展指令（LSX）和256位高級(jí)向量處理擴(kuò)展指令（LASX）。
2023-10-30 16:47:061394 
來(lái)源：WCAX 新的聯(lián)邦資金將幫助佛蒙特州邁向半導(dǎo)體制造的前沿。 近日，GlobalFoundries宣布從美國(guó)國(guó)防部獲得3500萬(wàn)美元用于擴(kuò)大其半導(dǎo)體制造。 GlobalFoundries生產(chǎn)氮化
2023-10-20 10:31:17391 
2nm芯片什么時(shí)候出 2nm芯片什么時(shí)候出這個(gè)問(wèn)題目前沒(méi)有相關(guān)官方的報(bào)道，因此無(wú)法給出準(zhǔn)確的回答。根據(jù)網(wǎng)上的一些消息臺(tái)積電于6月16日在2022年度北美技術(shù)論壇上首次宣布，將推出下一代先進(jìn)工藝制程
2023-10-19 17:06:18799 2nm芯片是什么意思 2nm芯片指的是采用了2nm制程工藝所制造出來(lái)的芯片，制程工藝的節(jié)點(diǎn)尺寸表示芯片上元件的最小尺寸。這意味著芯片上的晶體管和其他電子元件的尺寸可以達(dá)到2納米級(jí)別。 更小的節(jié)點(diǎn)尺寸
2023-10-19 16:59:161958 ，然后將采集到的Modbus RTU數(shù)據(jù)封裝在SNMP OPC UA協(xié)議中，并通過(guò)網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)较鄳?yīng)的系統(tǒng)。
IEC61850、IEC101和PLC協(xié)議轉(zhuǎn)SNMP OPC UA網(wǎng)關(guān)同樣可以實(shí)現(xiàn)這三種協(xié)議
2023-10-09 19:52:15
的大部分時(shí)間里，用于制造芯片的工藝節(jié)點(diǎn)的名稱是由晶體管柵極長(zhǎng)度的最小特征尺寸（以納米為單位）或最小線寬來(lái)指定的。350nm工藝節(jié)點(diǎn)就是一個(gè)例子。
2023-09-19 15:48:434477 
Plus、iPhone 15 Pro/Max 四款型號(hào)，全系靈動(dòng)島、USB-C 口，其中 15/Plus 將采用A16 芯片、6GB 內(nèi)存，15 Pro/Max 則采用最新的 3nm 工藝 A17
2023-09-11 16:17:15727 接口采用12nm工藝制造，每個(gè)D2D單元為8通道設(shè)計(jì)，合計(jì)提供高達(dá)256Gb/s的傳輸帶寬，可采用更少的封裝互連線以降低對(duì)封裝的要求，最少僅需要3層基板進(jìn)行2D互連；基于專門優(yōu)化的精簡(jiǎn)協(xié)議層和物理層，可實(shí)現(xiàn)ns級(jí)別的端到端延遲，各項(xiàng)指標(biāo)符合《芯粒互聯(lián)接口標(biāo)準(zhǔn)》要求及設(shè)計(jì)預(yù)期
2023-09-11 15:03:07409 
如何設(shè)定NM1200為48M CPU Clock
2023-09-06 07:59:15
PinView 可以看的到 各個(gè)Pin的狀態(tài)，重新Download 程式后，外部PinView 無(wú)法看的到各個(gè)Pin的狀態(tài)
4. 也無(wú)法使用PInView 觀看個(gè)個(gè)Pin
5. 使用 NM1200的project 設(shè)定反而看的到
2023-09-06 06:40:30
強(qiáng)大的Arm? Cortex?-M33 MCU運(yùn)行頻率高達(dá)250 MHz的Arm?Cortex?-M33內(nèi)核32位MCU滿足絕大多數(shù)工業(yè)應(yīng)用的需求安全性可擴(kuò)展，滿足各類需求從基本的安全構(gòu)建模塊到經(jīng)過(guò)
2023-09-06 06:29:56
最新的32Gb DDR5內(nèi)存芯片，繼續(xù)采用12nm級(jí)別工藝制造，相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款內(nèi)存產(chǎn)品，容量已經(jīng)增加了50多萬(wàn)倍！
2023-09-04 14:28:11264 作為一種磁性技術(shù)，MRAM本質(zhì)上是抗輻射的。這使得獨(dú)立版本在航空航天應(yīng)用中很受歡迎，而且這些應(yīng)用對(duì)價(jià)格的敏感度也較低。它相對(duì)較大，在內(nèi)存領(lǐng)域，尺寸意味著成本。
2023-08-30 15:28:50407 隨著 Amazon Sidewalk 開發(fā)者版本的發(fā)布，低功耗廣域網(wǎng)（ LPWAN ）解決方案正在將物聯(lián)網(wǎng)連接擴(kuò)展到家居以外的領(lǐng)域。某些 LPWAN 協(xié)議（如 Wi-SUN ）屬于開源且基于標(biāo)準(zhǔn)
2023-08-24 17:40:04203 
。 一. 制造工藝 制造工藝是芯片性能的一個(gè)重要方面。RK3588采用的是臺(tái)積電的6nm工藝，而MTKI1200則是采用的臺(tái)積電的12nm工藝。從工藝上來(lái)看，RK3588具有更好的處理能力和更高的性能
2023-08-21 17:32:551290 您可以將協(xié)議檢查器與任何旨在實(shí)現(xiàn)AMBA 3 AXI協(xié)議v1.0的接口一起使用。協(xié)議檢查器中的一系列斷言會(huì)根據(jù)協(xié)議檢查您測(cè)試的接口的行為。
本指南介紹Verilog文件的內(nèi)容以及如何將其集成到設(shè)計(jì)中。它還描述了在設(shè)計(jì)模擬過(guò)程中，在模擬器中正確使用這些斷言來(lái)標(biāo)記錯(cuò)誤、警告或兩者
2023-08-10 06:18:56
根據(jù)外媒報(bào)道，據(jù)稱臺(tái)積電新的3nm制造工藝的次品率約為30%。不過(guò)根據(jù)獨(dú)家條款，該公司僅向蘋果收取良品芯片的費(fèi)用！
2023-08-08 15:59:27780 8月8日消息，據(jù)外媒報(bào)道，臺(tái)積電新的3nm制造工藝的次品率約為30%，但根據(jù)獨(dú)家條款，該公司僅向蘋果收取良品芯片的費(fèi)用！
2023-08-08 14:13:40491 作為行業(yè)老大，臺(tái)積電稱將如期在2025年上線2nm工藝，2025年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。2nm可謂是臺(tái)積電的一個(gè)重大節(jié)點(diǎn)，該工藝將采用納米片晶體管（Nanosheet），取代FinFET，意味著臺(tái)積電工藝正式進(jìn)入GAA時(shí)代。
2023-08-07 16:22:53456 加速等功能，性能強(qiáng)勁。而S922X是AmlogIC在2019年推出的芯片，采用了12nm工藝，集成了四個(gè)A73核心和兩個(gè)A53核心，同樣支持NPU加速和AI加速等功能。兩者在大多數(shù)方面性能差別不大。
2023-08-06 14:53:277359 
Intel將在下半年發(fā)布的Meteor Lake酷睿Ultra處理器將首次使用Intel 4制造工藝，也就是之前的7nm，但是Intel認(rèn)為它能達(dá)到4nm級(jí)別的水平，所以改了名字。
2023-08-01 09:41:50561 如果工藝制程繼續(xù)按照摩爾定律所說(shuō)的以指數(shù)級(jí)的速度縮小特征尺寸，會(huì)遇到兩個(gè)阻礙，首先是經(jīng)濟(jì)學(xué)的阻礙，其次是物理學(xué)的阻礙。 經(jīng)濟(jì)學(xué)的阻礙是，隨著特征尺寸縮小，由于工藝的復(fù)雜性設(shè)計(jì)規(guī)則的復(fù)雜度迅速增大，導(dǎo)致芯片的成本迅速上升。
2023-07-31 10:41:15710 
近幾年，芯片產(chǎn)業(yè)越來(lái)越火熱，一些行業(yè)內(nèi)的術(shù)語(yǔ)大家也聽得比較多了。那么工藝節(jié)點(diǎn)、制程是什么，"7nm" 、"5nm"又是指什么？
2023-07-28 17:34:335639 
據(jù)悉，微軟Teams的用戶將能夠在通話和聊天消息中訪問(wèn)新的人工智能支持的微軟365 Copilot功能。微軟宣布將Copilot擴(kuò)展到團(tuán)隊(duì)的通話界面和定期聊天中，超越了今年早些時(shí)候概述的會(huì)議
2023-07-20 16:20:24543 目前三星在4nm工藝方面的良率為75%，稍低于臺(tái)積電的80%。然而，通過(guò)加強(qiáng)對(duì)3nm技術(shù)的發(fā)展，三星有望在未來(lái)趕超臺(tái)積電。
2023-07-19 16:37:423176 來(lái)源：半導(dǎo)體芯科技編譯 CEA-Leti和英特爾宣布了一項(xiàng)聯(lián)合研究項(xiàng)目，旨在開發(fā)二維過(guò)渡金屬硫化合物（2D TMD）在300mm晶圓上的層轉(zhuǎn)移技術(shù)，目標(biāo)是將摩爾定律擴(kuò)展到2030年以后。 2D
2023-07-18 17:25:15265 英特爾獨(dú)立運(yùn)作代工部門IFS后，將向三方開放芯片制造加工服務(wù)，可能是為了吸引客戶，英特爾日前發(fā)布了全新的16nm制程工藝。
2023-07-15 11:32:58757 卡爾曼濾波本質(zhì)上是尋找兩個(gè)分布線性組合取得最新小均方差的問(wèn)題。然后擴(kuò)展到多維向量空間。
2023-07-13 16:40:59511 
電池保護(hù)IC（Integrated Circuit）的納米工藝并沒(méi)有固定的規(guī)定或標(biāo)準(zhǔn)。電池保護(hù)IC的制造工藝通常與集成電路制造工藝一樣，采用從較大的微米級(jí)工藝（如180nm、90nm、65nm等）逐漸進(jìn)化到更先進(jìn)的納米級(jí)工藝（如45nm、28nm、14nm等）。
2023-07-11 15:42:371171 
近日，臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副總裁張凱文在日本橫濱舉行的新聞發(fā)布會(huì)上表示，臺(tái)積電目前正在日本和美國(guó)建廠，其中日本熊本工廠將重點(diǎn)推出12nm/16nm和22nm/28nm生產(chǎn)線。
2023-07-07 15:39:01380 
據(jù)Fast Company報(bào)道，美國(guó)運(yùn)輸安全管理局（Transportation Security Administration，TSA）將在未來(lái)幾年將其面部識(shí)別項(xiàng)目擴(kuò)展到約430個(gè)美國(guó)機(jī)場(chǎng)，此前
2023-07-06 15:42:23291 外媒在報(bào)道中提到，根據(jù)公布的計(jì)劃，三星電子將在2025年開始，采用2nm制程工藝量產(chǎn)移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用所需的芯片，2026年開始量產(chǎn)高性能計(jì)算設(shè)備的芯片，2027年則是利用2nm制程工藝開始量產(chǎn)汽車所需的芯片。
2023-06-30 16:55:07458 分別為18.46%、14.49%、18.66%。在制程方面，安凱微主流產(chǎn)品采用40nm 和 22nm 工藝制程，且已經(jīng)開始12nm FinFET 工藝設(shè)計(jì)的研發(fā)工作。
2023-06-28 15:55:19828 
于2023年2月正式投片，2023年6月2日流片完成，元器件電性(WAT)測(cè)試結(jié)果全部達(dá)標(biāo)。充分驗(yàn)證了積塔半導(dǎo)體12英寸特色工藝產(chǎn)線已具備量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)積塔未來(lái)的工藝技術(shù)提升、產(chǎn)品開拓、產(chǎn)線擴(kuò)建具有重要意義。 積塔12英寸汽車芯片工藝線項(xiàng)目，著力90nm到40nm車
2023-06-26 17:37:03510 
自耦變壓器除了使用外部MOSFET或反激式變壓器外，還提供了一種擴(kuò)展反相DC-DC穩(wěn)壓器輸出電壓范圍的替代方法。使用自耦變壓器，輸入輸出電壓可以擴(kuò)展到集成電路（IC）的規(guī)格限制之外。
2023-06-26 09:27:43519 
盡管英特爾的第14代酷睿尚未發(fā)布，但第15代酷睿（代號(hào)Arrow Lake）已經(jīng)曝光。新的酷睿系列產(chǎn)品將改為酷睿Ultra系列，并使用臺(tái)積電的3nm工藝，預(yù)計(jì)會(huì)有顯著的性能提升。
2023-06-20 17:48:571100 高級(jí)存儲(chǔ)器接口 IP 解決方案擴(kuò)展到 SF3 并支持具有豐富接口協(xié)議的完整 SF5A 設(shè)計(jì) IP 組合 中國(guó)上海，2023 年 6 月 16 日——楷登電子（美國(guó) Cadence 公司，NASDAQ
2023-06-16 12:15:06412 
跪求新唐NM1200和NM1330詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊(cè)
2023-06-15 08:57:31
的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)14nm 晶圓芯片零的突破，并在梁孟松等專家的帶領(lǐng)下，向著更加先進(jìn)的芯片制程發(fā)起沖鋒。 然而，最近在中芯國(guó)際的公司官網(wǎng)上，有關(guān)于14nm芯片制程的工藝介紹，已經(jīng)全部下架，這讓很多人心存疑惑，作為自家最為先進(jìn)的
2023-06-06 15:34:2117913 在探討半導(dǎo)體行業(yè)時(shí)，我們經(jīng)常會(huì)聽到兩個(gè)概念：晶圓尺寸和工藝節(jié)點(diǎn)。本文將為您解析8寸晶圓以及5nm工藝這兩個(gè)重要的概念。
2023-06-06 10:44:001421 
Everspin型號(hào)MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲(chǔ)芯片，組織為16位的65536個(gè)字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時(shí)序，續(xù)航時(shí)間無(wú)限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時(shí)間內(nèi)始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 為了進(jìn)行性能比較，使用了三種不同的存儲(chǔ)芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR閃存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND閃存。
2023-05-31 17:14:24788 
HPM6750手冊(cè)中支持256MB，但是地址線只有13位.
是否支持擴(kuò)展到256MB？
2023-05-26 07:24:38
造成芯片短缺的原因十分復(fù)雜，其中之一在于制造產(chǎn)能的缺口不均。傳統(tǒng)工藝節(jié)點(diǎn)的制造產(chǎn)能明顯不足，但12nm、16nm等工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能卻仍有富余，因此前者受到的影響遠(yuǎn)大于后者。有數(shù)據(jù)顯示，全球每年
2023-05-25 14:32:27751 
SPC5644的wafer有多少nm？
2023-05-25 08:46:07
S9S12G128的wafer有多少nm？
2023-05-24 07:38:27
在代工行業(yè)，采用先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)更能帶來(lái)明顯的成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。2020年，臺(tái)積電（TSMC）是業(yè)界唯一同時(shí)使用7nm和5nm工藝節(jié)點(diǎn)用于IC制造的企業(yè)，此舉也使得TSMC每片晶圓的總收入大幅增加，達(dá)到1634美元。這一數(shù)字比GlobalFoundries高66%，是UMC和中芯國(guó)際的兩倍多。
2023-05-20 14:58:50628 3nm 時(shí)代來(lái)臨了！Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術(shù)研討會(huì)期間發(fā)布了面向臺(tái)積電 3nm 工藝（N3E）的 112G 超長(zhǎng)距離（112G-ELR）SerDes IP 展示，這是
2023-05-19 16:25:12784 
，這些庫(kù)肯定會(huì)讓他建立很多偉大的項(xiàng)目并學(xué)習(xí)大量關(guān)于 MCU 和 IOT 的問(wèn)題，你打算將 ESP Basic 擴(kuò)展到 ESP32 嗎
？
2023-05-10 07:55:04
1300NM
金屬封裝工藝是指采用金屬外殼作為封裝殼體或底座，在其內(nèi)部安裝芯片或基板并進(jìn)行鍵合連接，外引線通過(guò)金屬-玻璃（或陶瓷）組裝工藝穿過(guò)金屬外殼，將內(nèi)部元件的功能引出、外部電源信號(hào)等輸人的一種電子
2023-05-09 11:23:07
S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲(chǔ)芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)性能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)系統(tǒng)?？梢匀〈哂邢嗤δ芎头且资缘拈W存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允許帶寬擴(kuò)展選項(xiàng)。
2023-04-27 17:33:44420 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462542 我想將 iMX RT1024 連接到 MR5A16A MRAM MR5A16A MRAM 數(shù)據(jù)表聲明它與 SRAM 接口兼容但是，通過(guò)比較 MR5A16A 數(shù)據(jù)表和 iMX RT1024 參考手冊(cè)
2023-04-17 07:52:33
臺(tái)積電的16nm有多個(gè)版本，包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus技術(shù)（16FF +）和16nm FinFET Compact技術(shù)（16FFC）。
2023-04-14 10:58:15636 搞定2nm工藝需要至少3方面的突破，一個(gè)是技術(shù)，一個(gè)是資金，一個(gè)是市場(chǎng)，在技術(shù)上日本是指望跟美國(guó)的IBM公司合作，后者前兩年就演示過(guò)2nm工藝，但I(xiàn)BM的2nm工藝還停留在實(shí)驗(yàn)室級(jí)別，距離量產(chǎn)要很遠(yuǎn)。
2023-04-14 10:24:55507 STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執(zhí)行）功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制。SPl（串行外圍接口）是一個(gè)帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號(hào)的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758 的可擦寫次數(shù)多，并且性能有所提高。如果這兩種存儲(chǔ)器的成本一樣，肯定會(huì)選擇MRAM。當(dāng)采用65nm工藝的自旋注入MRAM量產(chǎn)時(shí),將有可能實(shí)現(xiàn)對(duì)車載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代。原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:41:05
8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引腳BGA封裝。MR3A16ACMA35的優(yōu)點(diǎn)與富士通FRAM相比，升級(jí)到Everspin MRAM具有許多優(yōu)勢(shì)：?更快的隨機(jī)訪問(wèn)操作時(shí)間?高可靠性和數(shù)
2023-04-07 16:26:28
ESP32擴(kuò)展板ESP32 30P DEVKIT V1電源板模塊 ESP32S開發(fā)板擴(kuò)展板
2023-04-04 11:05:05
在PLC(可編程邏輯控制器)產(chǎn)品中，MRAM芯片的應(yīng)用也日漸普及，本文將介紹MRAM芯片應(yīng)用于PLC產(chǎn)品上的特性。--代理商：吉芯澤科技
2023-03-29 16:31:221169 
鎵（GaN）產(chǎn)品。PI之前有650V硅器件，后來(lái)發(fā)布的氮化鎵器件是750V，現(xiàn)在把氮化鎵產(chǎn)品擴(kuò)展到900V，以滿足汽車、家電及工業(yè)類應(yīng)用的需求。
2023-03-24 10:28:28609 
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