氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管在許多電力電子應(yīng)用中持續(xù)獲得關(guān)注，但氮化鎵技術(shù)仍處于其生命周期的早期階段【1】。雖然基本FET性能品質(zhì)因數(shù)還有很大的提升空間，但GaN功率ic的發(fā)展是一條更有前途的道路。 現(xiàn)代
2024-03-05 14:29:42
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氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè)，具有比傳統(tǒng)硅MOSFETs更小的尺寸、更快的開關(guān)速度、更高的效率和更低的成本等優(yōu)勢(shì)。然而，GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時(shí)超過了專用GaN專用柵極
2024-03-05 14:28:16401 
GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢(shì)，為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來了革命性的變化。然而，GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時(shí)超出了專門為GaN設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器和控制器的發(fā)展。因此，電路設(shè)計(jì)師經(jīng)常轉(zhuǎn)向?yàn)楣鐼OSFETs設(shè)計(jì)的通用柵極驅(qū)動(dòng)器，這就需要仔細(xì)考慮多個(gè)因素以實(shí)現(xiàn)最佳性能。
2024-02-29 17:54:08188 
）。另一方面，功率GaN的技術(shù)路線從不同的層面看還有非常豐富的種類。 ? 器件模式 ? 功率GaN FET目前有兩種主流方向，包括增強(qiáng)型E-Mode和耗盡型D-Mode。其中增強(qiáng)型GaN FET是單芯片常關(guān)器件，而耗盡型GaN FET是雙芯片常關(guān)器件（共源共柵Cascode結(jié)構(gòu)）。 ? E-
2024-02-28 00:13:001843 在新一代電力電子技術(shù)領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）技術(shù)因其出色的抗輻射能力和卓越的電氣性能，已成為太空任務(wù)的革命性突破的關(guān)鍵。氮化鎵 (GaN) 技術(shù)已成為天基系統(tǒng)的游戲規(guī)則改變者，與傳統(tǒng)硅 MOSFET 相比，它具有卓越的耐輻射能力和無與倫比的電氣性能。
2024-02-26 17:23:14219 
年出貨量占功率GaN市場(chǎng)的9%，僅次于GaN Systems。而在這次收購(gòu)之后，此前全球出貨量排名前六的功率GaN廠商已經(jīng)有兩家被大廠并購(gòu)。 ? 功率GaN并購(gòu)邏輯 ? 根據(jù)官方說法，英飛凌收購(gòu)GaN
2024-02-26 06:30:001551 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）充電樁市場(chǎng)隨著高壓直流快充的推廣，在一些400kW以上的充電樁中已經(jīng)采用了SiC功率器件。同為第三代半導(dǎo)體的GaN，由于在高頻應(yīng)用上的優(yōu)勢(shì)，一些廠商也在推動(dòng)GaN進(jìn)入到
2024-02-21 09:19:283848 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）隨著智能家居的發(fā)展，高效高性能的小體積電源越來越被市場(chǎng)青睞。想要將電源體積做得更小，但同時(shí)能夠保證最好的性能，氮化鎵（GaN）的出現(xiàn)，讓這一方案得以實(shí)現(xiàn)。在智能家居
2024-01-19 00:21:003337 偉詮電在氮化鎵（GaN）快充市場(chǎng)迎來了新的機(jī)遇，因?yàn)槿毡炯稍O(shè)備制造商（IDM）瑞薩公司近期宣布成功收購(gòu)美國(guó)GaN廠商Transphorm。這對(duì)偉詮電來說意味著未來或?qū)⑦~入瑞薩供應(yīng)鏈，進(jìn)一步加強(qiáng)
2024-01-16 18:43:46506 1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產(chǎn)品在美洲的獨(dú)家銷售渠道，面向功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)。
2024-01-13 17:17:561042 5.10美元的高價(jià)收購(gòu)Transphorm，總估值達(dá)到了3.39億美元。 據(jù)百能云芯電.子元器.件商.城了解，此次收購(gòu)將賦予瑞薩電子自主GaN技術(shù)，進(jìn)一步拓展其業(yè)務(wù)領(lǐng)域，將目光瞄準(zhǔn)電動(dòng)汽車、計(jì)算（數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設(shè)施）、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換等多個(gè)高速增長(zhǎng)的
2024-01-12 14:54:25361 由于宇航電源整體及其組件面臨的綜合挑戰(zhàn)，GaN功率器件的全面應(yīng)用至今尚未達(dá)成。但是，隨著GaN功率器件輻照強(qiáng)化及驅(qū)動(dòng)方式的創(chuàng)新改良，宇航電源將會(huì)得到更大助推。
結(jié)合高集成度電源設(shè)計(jì)，以及優(yōu)化的宇航
2024-01-05 17:59:04272 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢(shì)逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
2023-12-27 09:32:54374 
GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體 材料而備受關(guān)注，近年來其開發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入不斷加速。
2023-12-19 09:21:39342 
報(bào)告內(nèi)容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)
GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)
2023-12-14 11:06:58178 
GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動(dòng)速度以及較低的電阻
2023-12-07 17:27:20337 作為一種新型功率器件，GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優(yōu)勢(shì)。
2023-12-07 09:44:52777 
GaN 技術(shù)的過去和現(xiàn)在
2023-12-06 18:21:00432 
深入了解 GaN 技術(shù)
2023-12-06 17:28:542553 
GaN 如何改變了市場(chǎng)
2023-12-06 17:10:56186 
GaN是常用半導(dǎo)體材料中能隙最寬、臨界場(chǎng)最大、飽和速度最高的材料。
2023-12-06 09:28:15908 
GaN是否可靠？
2023-12-05 10:18:41169 
利用封裝、IC和GaN技術(shù)提升電機(jī)驅(qū)動(dòng)性能
2023-11-23 16:21:17236 
GaN氮化鎵晶圓硬度強(qiáng)、鍍層硬、材質(zhì)脆材質(zhì)特點(diǎn)，與硅晶圓相比在封裝過程中對(duì)溫度、封裝應(yīng)力更為敏感，芯片裂紋、界面分層是封裝過程最易出現(xiàn)的問題。同時(shí)，GaN產(chǎn)品的高壓特性，也在封裝設(shè)計(jì)過程對(duì)爬電距離的設(shè)計(jì)要求也與硅基IC有明顯的差異。
2023-11-21 15:22:36333 
GaN市場(chǎng)規(guī)模還高出數(shù)倍。 ? 這一筆大規(guī)模交易的背后，是對(duì)功率GaN市場(chǎng)發(fā)展潛力的看好。相比于SiC的功率應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化較早，GaN材料最初在LED、射頻等領(lǐng)域經(jīng)歷了漫長(zhǎng)的發(fā)展，功率GaN的市場(chǎng)嚴(yán)格來說是從19年才真正上規(guī)模。 ? 因此功率GaN市場(chǎng)發(fā)展潛力被廣泛看好，集邦咨詢的預(yù)測(cè)
2023-11-10 00:24:001758 
GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。上次帶大家了解了它的基礎(chǔ)特性：氮化鎵（GAN)具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)
2023-11-09 11:43:53434 GaN的驅(qū)動(dòng)電路有哪些挑戰(zhàn)？怎么在技術(shù)上各個(gè)突破？GaN驅(qū)動(dòng)電路有哪些設(shè)計(jì)技巧？ GaN（氮化鎵）是一種新型的半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的電子遷移率和能力，因此在功率電子領(lǐng)域有著廣泛
2023-11-07 10:21:44513 環(huán)保科技半導(dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與臺(tái)灣群光電能科技有限公司（TWSE：6412）和英國(guó)劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部 (CUTS) 簽署了三方協(xié)議，共同設(shè)計(jì)和開發(fā)使用 GaN 的先進(jìn)、高效、高功率密度適配器和數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品。群光電能科技是一家成熟
2023-11-06 17:32:31234 
GaN近期為何這么火？如果再有人這么問你，你可以這樣回答：因?yàn)槲覀冸x不開電源。
2023-11-02 10:32:041265 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaN基藍(lán)光半導(dǎo)體激光器的發(fā)展.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-31 11:13:51
0 隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉(zhuǎn)向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的時(shí)機(jī)已經(jīng)成熟。傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT的性能現(xiàn)在接近材料的理論極限，進(jìn)一步發(fā)展只是以緩慢和高成本實(shí)現(xiàn)微小
2023-10-25 16:24:43641 
交割日，GaN Systems現(xiàn)已成為英飛凌的一部分。 英飛凌首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示：“氮化鎵技術(shù)為支持脫碳的更節(jié)能、更節(jié)能的二氧化碳解決方案鋪平了道路。收購(gòu)GaN Systems顯著加快了我們的GaN路線圖，并通過掌握所有相關(guān)功率半導(dǎo)體技術(shù)，進(jìn)一步加強(qiáng)了英飛凌在電源系統(tǒng)
2023-10-25 14:51:13477 隨著各大手機(jī)和筆記本電腦品牌紛紛進(jìn)入氮化鎵快充市場(chǎng)，氮化鎵功率器件的性能得到進(jìn)一步驗(yàn)證，同時(shí)也加速了氮化鎵技術(shù)在快充市場(chǎng)的普及。目前，快充源市場(chǎng)上氮化鎵主要以三種形式使用，即GaN單管功率器件、內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器的GaN功率芯片以及內(nèi)置控制器、驅(qū)動(dòng)器和GaN功率器件的封裝芯片。其中，GaN單管功率器件發(fā)展最快
2023-10-23 16:38:59292 的GaN賽道的“掃地僧”——在氮化鎵行業(yè)長(zhǎng)期耕耘、專注專精、做深做細(xì)、低調(diào)沉潛的形象，恰如金庸筆下武功深不可測(cè)而又難掩鋒芒的無名僧人。 隨著下游市場(chǎng)需求爆發(fā)，第三代半導(dǎo)體逐漸駛進(jìn)黃金賽道，譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體入場(chǎng)GaN賽道便帶著一份令人驚嘆的成績(jī)單
2023-10-17 14:31:401332 
了GaN繼續(xù)拓展消費(fèi)類電源外的市場(chǎng)領(lǐng)域。 ? GaN 進(jìn)軍汽車應(yīng)用亟待突破 ? GaN上車其實(shí)在幾年前就成為了行業(yè)內(nèi)頭部企業(yè)的主要目標(biāo)之一。2021年納微半導(dǎo)體預(yù)測(cè)，一輛電動(dòng)車中，潛在能夠應(yīng)用到GaN的部件的市場(chǎng)機(jī)會(huì)超過250美元，到了2025年，電動(dòng)汽車中，GaN功率芯片市
2023-10-14 00:07:001549 硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)模商用。基于硅襯底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進(jìn)行工程化開發(fā)。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架構(gòu)尚處于早期研究階段。
2023-10-13 16:02:31317 
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEMT來降低功率并簡(jiǎn)化電路和系統(tǒng)架構(gòu)，這是GaN HEMT技術(shù)的主要挑戰(zhàn)之一。凹進(jìn)的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)常關(guān)操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:11291 
利用GAN技術(shù)扶持5G5G:確定成功表
2023-09-27 14:37:46236 
機(jī)構(gòu)Yole數(shù)據(jù)顯示，2022年GaN功率器件在總功率半導(dǎo)體（功率芯片、功率分立器件和模塊）市場(chǎng)中的占比僅為0.3%。盡管GaN功率率器件的復(fù)合年增長(zhǎng)率很高（59%），Yole預(yù)計(jì)到2027
2023-09-21 17:39:211626 
目前傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開關(guān)拓?fù)?，效率在開關(guān)頻率超過 250 kHz 時(shí)也會(huì)受到影響。 而增強(qiáng)型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注，近年來其開發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長(zhǎng)GaN晶體）和垂直型（原樣使用GaN襯底）。
2023-09-13 15:05:25657 
氮化鎵（GaN）是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料，因其禁帶寬度大于2.2eV，故又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是在藍(lán)色發(fā)光器件中具有重要應(yīng)用價(jià)值的半導(dǎo)體。。GaN材料的研究和應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是發(fā)展微電子器件和光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。
2023-09-07 17:07:551783 
在消費(fèi)類應(yīng)用領(lǐng)域，由于快速充電器的快速增長(zhǎng)，GaN 技術(shù)在 2020-2021 跨越了鴻溝，目前其他交直流應(yīng)用場(chǎng)景中也采用了GaN? 帶有嵌入式驅(qū)動(dòng)程序 / 控制器（MasterGaN、VIPerGaN）的系統(tǒng)封裝 (SiP) 由于集成簡(jiǎn)單，將有助于更廣泛的使用
2023-09-07 07:20:19
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅(qū)動(dòng)器專為特定的GaN FET驅(qū)動(dòng)要求而設(shè)計(jì)，具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過較高的共模瞬態(tài)抗擾度、一套集成式保護(hù)功能
2023-09-05 06:58:54
英諾賽科（Innoscience）一直致力于推動(dòng)GaN技術(shù)的發(fā)展，從而推動(dòng)新一代電力電子設(shè)備的快速普及。2023年8月，英諾賽科推出了一款100V的GaN新品，采用FCQFN封裝，再次彰顯了其在GaN領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-14 15:07:06973 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出首批支持低電壓（100/150 V）和高電壓（650 V）應(yīng)用的 E-mode（增強(qiáng)型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
解決方案帶來了極高的附加值。采用GaN技術(shù)有助于實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)，隨著該項(xiàng)技術(shù)商用步伐的加快，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中也獲得了廣泛運(yùn)用。 GaN晶體管與硅基晶體管相比的優(yōu)點(diǎn) 與硅基晶體管相比，GaN功率晶體管有什么優(yōu)點(diǎn)呢？GaN在品質(zhì)因數(shù)（
2023-08-03 14:43:28225 鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有可靠性。
2023-07-13 15:34:27410 
氮化鎵在服務(wù)器電源領(lǐng)域愈發(fā)扮演著重要角色，今天，“行家說”將為大家?guī)?條該領(lǐng)域的內(nèi)容服務(wù)，并為大家分析GaN備受數(shù)據(jù)中心青睞的原因。
2023-07-06 18:24:35814 GaN開始為人所知是在光電LED市場(chǎng)，廣為人知?jiǎng)t是在功率半導(dǎo)體的消費(fèi)電子快充市場(chǎng)。但實(shí)際上，GaN最初在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的目標(biāo)據(jù)說是新能源汽車市場(chǎng)，而非消費(fèi)電子市場(chǎng)。
2023-06-29 11:43:49398 
作為電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一，基于GaN的電能轉(zhuǎn)換技術(shù)在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，這對(duì)提高電能的高效利用及實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排起著關(guān)鍵作用。
2023-06-29 10:17:12481 
應(yīng)用的良好結(jié)合，將推動(dòng)GaN器件在Class D功放中的快速發(fā)展，迎來GaN Class D技術(shù)的創(chuàng)新時(shí)代。
2023-06-25 15:59:21
GaN在單片功率集成電路中的工業(yè)應(yīng)用日趨成熟
2023-06-25 10:19:10
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體集成驅(qū)動(dòng)性能
2023-06-21 13:24:43
GaN功率半導(dǎo)體器件集成提供應(yīng)用性能
2023-06-21 13:20:16
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
單片GaN器件集成驅(qū)動(dòng)功率轉(zhuǎn)換的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
GaN功率集成電路技術(shù):過去，現(xiàn)在和未來
2023-06-21 07:19:58
通過集成和應(yīng)用相關(guān)壓力測(cè)試的GaN可靠性
2023-06-21 06:02:18
低規(guī)格GaN快速充電器的脈沖ACF
2023-06-19 12:09:55
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導(dǎo)體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率集成電路的進(jìn)展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
采用GaN電源集成電路的300W多模圖騰柱PFC
2023-06-19 08:56:48
GaN功率集成電路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成電路可靠性的系統(tǒng)方法
2023-06-19 06:52:09
GaN技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速充電系統(tǒng)
2023-06-19 06:20:57
GaN高密度300W交直流變換器
2023-06-19 06:03:23
6月16日，蜂巢能源稱，他們首次發(fā)布了戶儲(chǔ)領(lǐng)域的核心創(chuàng)新產(chǎn)品——超薄戶儲(chǔ)逆變器。值得一提的是，該產(chǎn)品搭載了GaN技術(shù)。
2023-06-18 16:41:55550 標(biāo)準(zhǔn)1U CRPS (90mm × 30.5 mm × 11mm)。通過利用卓越的性能在GaN HEMT集成電路中，我們已經(jīng)能夠將開關(guān)頻率推到600 kHz以上，同時(shí)保持97.5%的效率。當(dāng)結(jié)合行業(yè)領(lǐng)先的圖騰柱PFC，峰值整個(gè)系統(tǒng)的效率達(dá)到80Plus制定的Titanium標(biāo)準(zhǔn)。
2023-06-16 11:01:43
設(shè)計(jì)?；陔p向6.6kw OBC和3.0kW LV-DC/DC的一體化“二合一”設(shè)計(jì)，本文提出了一種高效散熱方案采用Navitas集成驅(qū)動(dòng)GaN-Power-IC器件的技術(shù)。CCMPFC的開關(guān)頻率設(shè)置為
2023-06-16 08:59:35
基于平面矩陣的高頻高效LLC模塊基于GaN功率集成電路的CPRS變壓器
2023-06-16 06:48:18
OBC和低壓DC/DC的集成設(shè)計(jì)可以減小系統(tǒng)的體積;提高功率密度，降低成本。寬帶隙半導(dǎo)體器件GaN帶來了進(jìn)一步發(fā)展的機(jī)遇提高電動(dòng)汽車電源單元的功率密度
2023-06-16 06:22:42
極限。而上限更高的氮化鎵，可以將充電效率、開關(guān)速度、產(chǎn)品尺寸和耐熱性的優(yōu)勢(shì)有機(jī)統(tǒng)一，自然更受青睞。
隨著全球能量需求的不斷增加，采用氮化鎵技術(shù)除了能滿足能量需求，還可以有效降低碳排放。事實(shí)上，氮化鎵
2023-06-15 15:47:44
由于GaN在高溫生長(zhǎng)時(shí)N的離解壓很高，很難得到大尺寸的GaN單晶材料，因此，為了實(shí)現(xiàn)低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人員經(jīng)過幾十年的不斷研究，并不斷嘗試?yán)貌煌耐庋由L(zhǎng)方法在Si
2023-06-10 09:43:44681 近幾年碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體異?；馃?，國(guó)內(nèi)外很多半導(dǎo)體企業(yè)都涌入其中。據(jù)Yole Développement統(tǒng)計(jì)，2021全球GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模為1.26億美元，預(yù)計(jì)
2023-06-08 09:40:301692 
賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)基于先進(jìn)的TCAD仿真設(shè)計(jì)平臺(tái)開發(fā)出了晶格匹配的AlInN/GaN DBR模型數(shù)據(jù)庫(kù)，并系統(tǒng)地研究了晶格匹配的AlInN/GaN底部DBR結(jié)構(gòu)對(duì)GaN基垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，VCSEL）電學(xué)和熱學(xué)特性的影響。
2023-06-07 13:49:03271 
氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域被廣泛使用。
2023-06-02 16:41:13330 
氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構(gòu)建RF功率放大器（PA）的主要技術(shù)。GaN 具有獨(dú)特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場(chǎng)比其他射頻半導(dǎo)體技術(shù)高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干擾設(shè)備能夠滿足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:091057 
GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計(jì)者提供了對(duì) LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進(jìn)。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達(dá) 8W/mm、fT 高達(dá) 25 GHz 和低靜態(tài)
2023-05-24 09:40:011374 
，達(dá) 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和軍用雷達(dá)范疇，在所有 RF 細(xì)分市場(chǎng)中獲得應(yīng)用。
2023-05-19 11:50:49626 
GaN 通過實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的效率，在 5G 技術(shù)的發(fā)展中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。GaN 更寬的帶隙使其能夠處理高頻信號(hào)，使其成為 5G 基站和其他通信基礎(chǔ)設(shè)施的理想選擇。
2023-05-15 16:39:09353 隨著GaN功率器件的可靠性提升及成本逐漸接近常規(guī)MOS，相關(guān)中大功率快充方案?jìng)涫?b class="flag-6" style="color: red">市場(chǎng)青睞。為了滿足市場(chǎng)新需求，晶豐明源通過不斷創(chuàng)新，推出了集成GaN磁耦通訊快充BP87618+BP818+BP62610組合方案。
2023-05-08 14:49:32691 
GaN基功率開關(guān)器件能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關(guān)的核心器件增強(qiáng)型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結(jié)構(gòu)。
2023-04-29 16:50:00793 
傳統(tǒng)GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統(tǒng)有Au歐姆接觸通常采用高溫退火工藝（＞800℃），第1層Ti在常溫下
2023-04-29 16:46:00735 
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，GaN 充電器的運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢(shì)在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:212330 
GaN是第三代半導(dǎo)體材料，具有許多傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體所不具備的優(yōu)良特性，因此被視為新一代半導(dǎo)體技術(shù)，具有非常廣闊的應(yīng)用前景。隨著 GaN功率器件技術(shù)的成熟， GaN功率器件已廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、通訊基站
2023-04-21 14:05:42831 是否有關(guān)于 NXP GaN 放大器長(zhǎng)期記憶的任何詳細(xì)信息。數(shù)據(jù)表說“專為低復(fù)雜性線性系統(tǒng)設(shè)計(jì)”。長(zhǎng)期記憶是否不再是當(dāng)前幾代 GaN 器件的關(guān)注點(diǎn)？這是整個(gè)產(chǎn)品堆棧嗎？
2023-04-17 06:12:19
您可以通過多種方式控制GaN功率級(jí)。LMG5200 GaN 半橋功率級(jí)的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用Hercules微控制器驅(qū)動(dòng)它。圖 1 顯示了用于驅(qū)動(dòng) LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:41962 
BM02B-ACHLKS-GAN-ETF
2023-03-28 14:51:28
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
2023-03-27 14:36:14
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