納米光刻中的壓電掃描臺(tái)

納米光刻是一種全新的納米圖形復(fù)制方法，實(shí)質(zhì)是將傳統(tǒng)的模具復(fù)型原理應(yīng)用到微觀制造領(lǐng)域。首先計(jì)算機(jī)將BMP圖轉(zhuǎn)化成灰度圖，然后再通過二維掃描臺(tái)，帶動(dòng)鍍膜鏡片對讀取的圖像信息進(jìn)行優(yōu)化，同時(shí)控制激光器及掃描臺(tái)，完成圖像的納米定位加工。納米光刻技術(shù)是制作納米結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵，具有廣闊的應(yīng)用前景。

利用芯明天P12系列XY二維掃描臺(tái)，可帶動(dòng)鍍膜鏡片對讀取的圖像信息進(jìn)行優(yōu)化，同時(shí)控制激光器及掃描臺(tái)，二者配合完成圖像的納米精度加工。

P12.XY100二維壓電掃描臺(tái)

P12.XY100為二維直線掃描臺(tái)，內(nèi)置高可靠性壓電陶瓷，運(yùn)動(dòng)直線性好，臺(tái)體中心圓形通孔孔徑可選25mm 或35mm，滿足精密加工、掃描顯微等應(yīng)用。

開/閉環(huán)曲線

注：施加至壓電陶瓷的電壓約為輸入控制電壓的12倍。

閉環(huán)線性度

技術(shù)參數(shù)

型號(hào)：P12.XY100

運(yùn)動(dòng)自由度：X、Y

行程范圍@120V：80μm/軸

行程范圍@150V：100μm/軸

閉環(huán)傳感器：SGS

通孔尺寸：?25/?35mm

閉/開環(huán)分辨率：7/4nm

閉環(huán)線性度：0.1%F.S.

閉環(huán)重復(fù)定位精度：0.05%F.S.

推/拉力：25/8N

剛度：0.2N/μm

空載諧振頻率：X180/Y230Hz

閉/開環(huán)空載階躍時(shí)間：15/0.8ms

承載：0.7kg

靜電容量：1.8μF/軸

材質(zhì)：鋼、鋁

重量：200glw

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掃描(24652) 掃描(24652)
BMP(16957) BMP(16957)
納米光刻(5628) 納米光刻(5628)

評(píng)論

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一文帶您了解場發(fā)射掃描電鏡

普通熱發(fā)射掃描電子顯微鏡相比，場發(fā)射掃描電子顯微鏡具有更高的亮度和更小的電子束直徑，即更小的束斑尺寸和更高的分辨率。是納米尺度微區(qū)形貌分析的首選。 2. 文書組成場發(fā)射掃描電子顯微鏡由場發(fā)射電子槍、電子束推進(jìn)器、聚光透

2023-10-23 14:56:39

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熱烈祝賀芯明天“高可靠納米級(jí)壓電陶瓷快速反射鏡”科技成果鑒定通過！

高可靠納米級(jí)壓電陶瓷快速反射鏡可以產(chǎn)生毫秒級(jí)快速的、納弧度級(jí)精度的二維角度偏轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，是衛(wèi)星激光通信、激光武器、自適應(yīng)光學(xué)成像、高精度激光瞄準(zhǔn)等領(lǐng)域的精密核心部件。 ? 哈爾濱芯明天科技有限公司

2023-10-19 10:37:45

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納米級(jí)測量儀器：窺探微觀世界的利器

納米級(jí)測量中，由于物體尺寸的相對較小，傳統(tǒng)的測量儀器往往無法滿足精確的要求。而納米級(jí)測量儀器具備高精度、高分辨率和非破壞性的特點(diǎn)，可以測量微小的尺寸。1、光學(xué)3D表面輪廓儀SuperViewW1光學(xué)3D

2023-10-11 14:37:46

臺(tái)積3納米奪高通5G大單

高通在去年的驍龍首腦會(huì)談上，今年推出了5g主力芯片snapdragon 8 gen 2的4納米工程。高通曾將高通的前作snapdragon 8 gen 1以4納米工程上市，但出現(xiàn)發(fā)熱量問題后，將snapdragon 8+ gen 1換成了4納米工程。

2023-09-26 09:40:35

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極紫外 (EUVL) 光刻設(shè)備技術(shù)應(yīng)用分析

歐洲極紫外光刻（EUVL）技術(shù)利用波長為13.5納米的光子來制造集成電路。產(chǎn)生這種光的主要來源是使用強(qiáng)大激光器產(chǎn)生的熱錫等離子體。激光參數(shù)被調(diào)整以產(chǎn)生大多數(shù)在13.5納米附近發(fā)射的錫離子（例如Sn10+-Sn15+）。

2023-09-25 11:10:50

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仔細(xì)剖析一下五種UV***的區(qū)別及應(yīng)用場景

UV光刻機(jī)一般可以分為5種，即：接觸式光刻機(jī)，接近式光刻機(jī)，掃描投影式光刻機(jī)

2023-09-19 11:32:52

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詳解LED、激光LD與量子點(diǎn)上的納米材料

不是所有尺寸小于100nm納米材料都叫納米科技納米科技廣義的定義，泛指尺寸小于100nm(納米)的材料，而研究納米材料的科學(xué)技術(shù)泛稱為「納米科技(Nanotechnology)」。納米技術(shù)的研究領(lǐng)域

2023-09-09 08:28:01

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什么是光刻工藝？光刻的基本原理

光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時(shí)長、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過程通過光刻來實(shí)現(xiàn)，光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。

2023-08-23 10:47:53

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浸沒式光刻，拯救摩爾定律

2000年代初，芯片行業(yè)一直致力于從193納米氟化氬（ArF）光源光刻技術(shù)過渡到157納米氟（F 2 ）光源光刻技術(shù)。

2023-08-23 10:33:46

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XD106.XYZ60K超低溫真空無磁壓電掃描臺(tái)

隨著科學(xué)技術(shù)的深入研究，在低溫真空強(qiáng)磁的環(huán)境下提供納米級(jí)精密定位的應(yīng)用在物理學(xué)、化學(xué)和材料學(xué)等領(lǐng)域應(yīng)用越來越多，而低溫真空無磁壓電運(yùn)動(dòng)平臺(tái)是一種高精度精密定位設(shè)備，主要特點(diǎn)是高精度、高穩(wěn)定性

2023-08-18 11:07:08

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激光掃描共聚焦顯微鏡技術(shù)

CHOTEST中圖儀器VT6000激光掃描共聚焦顯微鏡技術(shù)用于對各種精密器件及材料表面進(jìn)行微納米級(jí)測量。它以共聚焦技術(shù)為原理，結(jié)合精密Z向掃描模塊、3D 建模算法等對器件表面進(jìn)行非接觸式掃描并建立

2023-08-15 11:06:43

光刻技術(shù)概述及其分類

光刻是一種圖像復(fù)制技術(shù)，是集成電路工藝中至關(guān)重要的一項(xiàng)工藝。簡單地說，光刻類似照相復(fù)制方法，即將掩膜版上的圖形精確地復(fù)制到涂在硅片表面的光刻膠或其他掩蔽膜上面，然后在光刻膠或其他掩蔽膜的保護(hù)下對硅片進(jìn)行離子注入、刻蝕、金屬蒸鍍等。

2023-08-07 17:52:53

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EUV光刻市場高速增長，復(fù)合年增長率21.8%

EUV掩膜，也稱為EUV掩?；駿UV光刻掩膜，對于極紫外光刻（EUVL）這種先進(jìn)光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進(jìn)技術(shù)，用于制造具有更小特征尺寸和增強(qiáng)性能的下一代半導(dǎo)體器件。

2023-08-07 15:55:02

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一文看懂壓電納米定位臺(tái)的工作原理及應(yīng)用范圍

壓電納米位移臺(tái)的結(jié)構(gòu) 壓電納米定位臺(tái)具有移動(dòng)面，是通過帶有柔性鉸鏈的機(jī)械結(jié)構(gòu)將壓電陶瓷產(chǎn)生的位移及出力等進(jìn)行輸出，分直驅(qū)與放大兩種結(jié)構(gòu)。以壓電陶瓷作為驅(qū)動(dòng)源，結(jié)合柔性鉸鏈機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)X軸、Z軸、XY

2023-08-02 16:14:42

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次時(shí)代EUV光刻已箭在弦上！

半導(dǎo)體技術(shù)的未來通常是通過光刻設(shè)備的鏡頭來看待的，盡管高度挑戰(zhàn)性的技術(shù)問題幾乎永無休止，但光刻設(shè)備仍繼續(xù)為未來的工藝節(jié)點(diǎn)提供更好的分辨率。

2023-07-28 17:41:16

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剎車盤厚度平面度檢測# 平面成掃描# 厚度檢測

掃描

立儀科技發(fā)布于 2023-07-07 16:22:00

光刻掩膜版測溫儀，光刻機(jī)曝光光學(xué)系統(tǒng)測溫儀

GK-1000光刻掩膜版測溫儀，光刻機(jī)曝光光學(xué)系統(tǒng)測溫儀光刻機(jī)是一種用于微納米加工的設(shè)備，主要用于制造集成電路、光電子器件、MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）等微細(xì)結(jié)構(gòu)。光刻機(jī)是一種光學(xué)投影技術(shù)，通過將光線通過

2023-07-07 11:46:07

SEM掃描電鏡工作原理，SEM掃描電鏡技術(shù)應(yīng)用

這是Amanda王莉第55篇文章,點(diǎn)這里關(guān)注我,記得標(biāo)星在當(dāng)今世界，SEM掃描電子顯微鏡分析技術(shù)，一種介于透射電子顯微鏡和光學(xué)顯微鏡之間的一種觀察手段，主要應(yīng)用在半導(dǎo)體、材料科學(xué)、生命科學(xué)和納米材料

2023-07-05 10:04:06

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【應(yīng)用案例】掃描隧道顯微鏡STM

比它的同類原子力顯微鏡更加高的分辨率。此外，掃描隧道顯微鏡在低溫下（4K）可以利用探針尖端精確操縱原子，因此它在納米科技既是重要的測量工具又是加工工具。 STM工作原理 STM是一種利用量子理論中的隧道效應(yīng)探測物質(zhì)表面結(jié)構(gòu)的儀器。一根攜帶小小的電荷的探針慢慢地通過材料，一股電

2023-07-04 13:12:05

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基于機(jī)器學(xué)習(xí)的逆向光刻技術(shù)

中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計(jì)優(yōu)化》研討課。在授課過程中，除教師系統(tǒng)地講授

2023-06-29 10:02:17

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中圖共聚焦激光掃描顯微鏡

VT6000系列中圖共聚焦激光掃描顯微鏡是一款用于對各種精密器件及材料表面進(jìn)行微納米級(jí)測量的檢測儀器。它以共聚焦技術(shù)為原理，在轉(zhuǎn)盤共聚焦光學(xué)系統(tǒng)的基礎(chǔ)上，結(jié)合高穩(wěn)定性結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和3D重建算法，共同

2023-06-28 13:45:21

光刻對準(zhǔn)原理與精度控制

2023-06-26 17:00:19

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一文了解光刻的歷史

如今，光刻技術(shù)已成為一項(xiàng)容錯(cuò)率極低的大產(chǎn)業(yè)。全球領(lǐng)先的荷蘭公司 ASML 也是歐洲市值最大的科技公司。它的光刻工具依賴于世界上最平坦的鏡子、最強(qiáng)大的商用激光器之一以及比太陽表面爆炸還高的熱度，在硅上刻出微小的形狀，尺寸僅為幾納米。

2023-06-26 16:59:16

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綜述：聚合物薄膜的非光刻圖案化方法

非光刻圖案化方法可以從圖案設(shè)計(jì)的自由度上分為三大類，第一類能夠自由形成任意圖案，主要包括掃描探針刻?。⊿PL）和噴墨打印；第二類需要在模板或預(yù)圖案化基材的輔助下形成復(fù)雜的圖案，包括區(qū)域選擇性沉積（ASD）、納米壓印（NIL）、微接觸印刷（mCP）

2023-06-21 15:49:50

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面向光刻的設(shè)計(jì)規(guī)則建立及優(yōu)化

2023-06-14 10:16:38

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芯片制造之光刻工藝詳細(xì)流程圖

光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機(jī)用于芯片的制造，曝光工藝極其復(fù)雜，后道光刻機(jī)主要用于封裝測試，實(shí)現(xiàn)高性能的先進(jìn)封裝，技術(shù)難度相對較小。

2023-06-09 10:49:20

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芯片制造光刻步驟詳解

芯片前道制造可以劃分為七個(gè)環(huán)節(jié)，即沉積、涂膠、光刻、去膠、烘烤、刻蝕、離子注入。

2023-06-08 10:57:09

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一文看懂EUV光刻

極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當(dāng)今使用的最先進(jìn)的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項(xiàng)重要但復(fù)雜的技術(shù)。

2023-06-06 11:23:54

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知識(shí)分享---光刻模塊標(biāo)準(zhǔn)步驟

通常，光刻是作為特性良好的模塊的一部分執(zhí)行的，其中包括晶圓表面制備、光刻膠沉積、掩模和晶圓的對準(zhǔn)、曝光、顯影和適當(dāng)?shù)目刮g劑調(diào)節(jié)。光刻工藝步驟需要按順序進(jìn)行表征，以確保模塊末端剩余的抗蝕劑是掩模的最佳圖像，并具有所需的側(cè)壁輪廓。

2023-06-02 16:30:25

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為什么掃描窗口和掃描間隔參數(shù)在連接請求參數(shù)中？

, BleApp_ConnectionCallback); } 實(shí)際掃描窗口和間隔在 gapScanningParameters_t 結(jié)構(gòu)中。這是用于掃描的。那么gapConnectionRequestParameters_t結(jié)構(gòu)的.scanInterval和.scanWindow參數(shù)是如何影響掃描的呢？

2023-06-01 08:54:01

探針臺(tái)的功能有哪些

探針臺(tái)的主要用途是為半導(dǎo)體芯片的電參數(shù)測試提供一個(gè)測試平臺(tái)，探針臺(tái)可吸附多種規(guī)格芯片，并提供多個(gè)可調(diào)測試針以及探針座，配合測量儀器可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及電容電壓特性曲線等參數(shù)檢測

2023-05-31 10:29:33

全息圖增強(qiáng)納米級(jí)3D打印技術(shù)

目前，用于制造具有復(fù)雜形狀的納米級(jí)物體的最精確的3D打印技術(shù)可能是雙光子光刻。這種方法依賴于液態(tài)樹脂，只有當(dāng)它們同時(shí)吸收兩個(gè)光子而不是一個(gè)光子時(shí)，它們才會(huì)固化。這使得能夠精確制造具有體素（相當(dāng)于像素的3D）的物體，尺寸只有幾十納米。

2023-05-17 09:59:22

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基于銀納米顆粒/銅納米線復(fù)合材料的電化學(xué)無酶葡萄糖傳感器

研究人員首先對銀納米顆粒/銅納米線進(jìn)行了合成，并對制備的銅納米線和化學(xué)沉積后負(fù)載不同尺寸銀納米顆粒的銅納米線進(jìn)行了形貌和結(jié)構(gòu)表征（圖1）。隨后，利用制備的銀納米顆粒/銅納米線材料制備獲得銀納米顆粒/銅納米線電極，用于后續(xù)無酶葡萄糖傳感性能的研究。

2023-05-12 15:19:28

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新品推薦|XD770.300S大負(fù)載壓電納米定位臺(tái)

壓電納米定位臺(tái)在精密定位領(lǐng)域中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，可集成于各類高精密裝備，為其提供納米級(jí)運(yùn)動(dòng)控制，且應(yīng)用非常廣泛，例如顯微掃描、光路調(diào)整、納米操控技術(shù)、激光干涉、納米光刻、生物科技、光通信、納米

2023-05-11 08:56:02

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重載云臺(tái)

云臺(tái)能搭載光學(xué)鏡頭、巡檢機(jī)器人、聲波器、雷達(dá)、天線等多種設(shè)備的，集重載、高速、高精、可靠等優(yōu)勢于一身，按載重可分為輕載云臺(tái)、中載云臺(tái)、重載云臺(tái)，濟(jì)南祥

2023-05-09 17:14:13

EUV光刻的無名英雄

晶圓廠通常使用光刻膠來圖案化抗蝕刻硬掩模，然后依靠硬掩模來保護(hù)晶圓。但是，如果光刻膠太薄，它可能會(huì)在第一個(gè)轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小，底層厚度也應(yīng)該減小。

2023-04-27 16:25:00

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壓電納米定位臺(tái)在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)中的應(yīng)用！

存儲(chǔ)數(shù)據(jù)就是將信息以各種不同的形式存儲(chǔ)起來。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是一個(gè)存儲(chǔ)庫持久地存儲(chǔ)和管理數(shù)據(jù)的集合，其中不僅包括像倉庫數(shù)據(jù)庫，而且有簡單的存儲(chǔ)類型，如簡單的文件、電子郵件等。芯明天壓電納米定位臺(tái)具有

2023-04-26 16:23:02

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淺談光刻技術(shù)

在整個(gè)芯片制造過程中，幾乎每一道工序的實(shí)施都離不開光刻技術(shù)。光刻技術(shù)也是制造芯片最關(guān)鍵的技術(shù)，占芯片制造成本的35%以上。

2023-04-26 08:57:03

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光刻技術(shù)的種類介紹

根據(jù)維基百科的定義，光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質(zhì)層，例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。

2023-04-25 11:11:33

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光刻技術(shù)的原理及發(fā)展前景分析

光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用

2023-04-25 11:05:32

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什么是光刻技術(shù)

光刻技術(shù)簡單來講，就是將掩膜版圖形曝光至硅片的過程，是大規(guī)模集成電路的基礎(chǔ)。目前市場上主流技術(shù)是193nm沉浸式光刻技術(shù)，CPU所謂30nm工藝或者22nm工藝指的就是采用該技術(shù)獲得的電路尺寸。

2023-04-25 11:02:32

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中國最先進(jìn)的***是多少納米？

中國在芯片制造領(lǐng)域一直在追趕先進(jìn)的技術(shù)，雖然在一些關(guān)鍵技術(shù)方面還存在一定差距，但近年來中國在光刻機(jī)領(lǐng)域取得了一些進(jìn)展，下面將詳細(xì)介紹中國目前最先進(jìn)的光刻機(jī)是多少納米。

2023-04-24 15:10:01

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負(fù)光刻膠顯影殘留原因

151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會(huì)有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下

2023-04-20 13:13:52

淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰(zhàn)

新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā)，必須通過精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開發(fā)了一個(gè)新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。

2023-04-13 11:52:12

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7805穩(wěn)壓電路中的濾波電阻在proteus中怎么找到？

你好，我想問您一下，7805穩(wěn)壓電路中的濾波電阻在proteus中怎么找到？謝謝

2023-04-12 11:22:28

XYZ三維運(yùn)動(dòng)、電容閉環(huán)、無磁壓電納米定位臺(tái)與控制器！

本次介紹一款XYZ三維運(yùn)動(dòng)、電容傳感器閉環(huán)的壓電納米定位臺(tái)及相應(yīng)控制器，該電容運(yùn)動(dòng)臺(tái)的型號(hào)為P12.XYZ100C，控制器型號(hào)為E00.D11AL。 P12.XYZ100C壓電納米定位

2023-04-08 08:53:38

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