SRAM市場與技術(shù)

靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM由于是利用觸發(fā)器電路作為存儲單元，只要不切斷其供電電源，它就能永遠保存所寄存的數(shù)據(jù)信息。因此. SRAM與通常的動態(tài)隨機存取存儲器DRAM 不同.不需要刷新操作.控制相對簡單許多。
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鑒于SRAM這一獨列的特點，它廣泛地應(yīng)用于各個領(lǐng)域，諸如產(chǎn)業(yè)、民間、通信、測試、計算機以及網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)等領(lǐng)域。隨著移動電話的普及應(yīng)用，在移動通信領(lǐng)域里也急需大暈的SRAM器件。
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SRAM器件系列分類
SRAM用途不同，可把SRAM分成如下3大系列產(chǎn)品:①低消耗電流為主要特點的低消耗電力版SRAM(即所謂中速SRAM);②以高速工作為主要特點的高速版SRAM;③同步SRAM,顧名思義，使它與時鐘信號同步工作，追求更高速度，詳細情況可參閱SRAM產(chǎn)品，系列分類圖(圖1所示)。
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圖1 SRAM產(chǎn)品分類

為了使SRAM在低電壓工作并實現(xiàn)低消耗電流,存儲器單元電路(MemoryCl)也開始由大電阻作為負載電阻的4管MOS電路轉(zhuǎn)向利用有源負載的6管MOS電路，詳見圖2所示。但是6管MOS存儲單元因有源器件用6個，占用芯片面積較大。
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圖2 SRAM用存儲單元電路結(jié)構(gòu)

此外，隨著半導(dǎo)體精細加工工藝技術(shù)進步，在SRAM內(nèi)部實際工作的電壓和外部施加的電壓之間形成電壓差值。為解決這一問題，今后必須引入降壓電路。由于要求低消耗電流，降壓電路里的電流也不允許過大.
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如何選擇SRAM
基于上述的介紹，現(xiàn)已了解到SRAM按照用途可以分為三大類系列。而且.在各個系列產(chǎn)品里，按照存儲容量、供電電壓、存取速度、消耗電流和封裝結(jié)構(gòu)又細分為各種各樣的具體產(chǎn)品。那么究竟如何從中選擇出適用的器件呢?作為SRAM器件用戶,首先要確認這些器件的性能規(guī)范和能否穩(wěn)定的提供貨源(包括是否第二來源};在此基礎(chǔ)之上再根據(jù)實際應(yīng)用情況，選取適用的器件.
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SRAM器件規(guī)范按照多種用途向多樣化方向發(fā)展.今后這種傾向也將愈來愈明顯。從用戶方面觀察,如何從形形色色的SRAM產(chǎn)品中選購出所需要的最佳器件。然而從器件生產(chǎn)廠家觀察，諸如，確定適應(yīng)多樣化需要的器件產(chǎn)品規(guī)范、產(chǎn)品系列和如何調(diào)用新技術(shù)把器件產(chǎn)品實現(xiàn)商品化。lw
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?VTI SRAM

型號	容量	位寬	電壓(V)	速度(MHz)	接口	包裝
VTI7064LSM	64Mbit	8M x 8	1.8	104	SQI	Tube，T&R
VTI7064LSM	64Mbit	8M x 8	1.8	20	SPI	Tube，T&R
VTI7064MSM	64Mbit	8M x 8	3	104	SQI	Tube，T&R
VTI7064MSM	64Mbit	8M x 8	3	20	SPI	Tube，T&R
VTI7032LSM	32Mbit	4M x 8	1.8	133	SQI	Tube，T&R
VTI7032LSM	32Mbit	4M x 8	1.8	20	SPI	Tube，T&R
VTI7016LSM	16Mbit	2M x 8	1.8	133	SQI	Tube，T&R
VTI7016LSM	16Mbit	2M x 8	1.8	20	SPI	Tube，T&R
VTI7001NSM	1Mbit	128K x 8	3.3	20	SPI	Tube，T&R
VTI7001LSM	1Mbit	128K x 8	1.8	20	SPI	Tube，T&R
VTI7512NSM	512Kbit	64K x 8	3.3	20	SPI	Tube，T&R
VTI7512LSM	512Kbit	64K x 8	1.8	20	SPI	Tube，T&R
VTI7256NSM	256Kbit	32K x 8	3.3	20	SPI	Tube，T&R
VTI7256LSM	256Kbit	32K x 8	1.8	20	SPI	Tube，T&R
VTI7128LSM	128Kbit	16K x 8	1.8	20	SPI	Tube，T&R
VTI7128NSM	128Kbit	16K x 8	3.3	20	SPI	Tube，T&R

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如何查看MDK編譯后程序所占用的Flash和SRAM的大??？

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FSMC外擴SRAM數(shù)據(jù)之間是怎么傳送的？先保存在FSMC再傳送外擴SRAM

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使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動SRAM

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fpga電路sram開發(fā)編程代碼

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14 10.01SRAM結(jié)構(gòu)與控制 - 第4節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

fpga電路sram開發(fā)編程代碼

充八萬發(fā)布于 2023-08-31 20:31:22

14 10.01SRAM結(jié)構(gòu)與控制 - 第3節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

fpga電路sram開發(fā)編程代碼

充八萬發(fā)布于 2023-08-31 20:30:31

使用M032在SRAM中運行ISR

應(yīng)用程序: 此示例代碼使用 M032 在 SRAM 中運行 ISR 。 BSP 版本: M031_Series_BSP_CMSIS_V3.03.000 硬件: NuMaker-M032SE

2023-08-31 09:21:19

使用M032 ISP函數(shù)將UART處理器映射為SRAM

應(yīng)用程序: 此示例代碼使用 M032 在 SRAM 中運行 ISR 。 BSP 版本: M031_Series_BSP_CMSIS_V3.03.000 硬件: NuMaker-M032SE

2023-08-31 08:33:51

使用M487 SPIM接口訪問DMM模式的外部SRAM

應(yīng)用程序: 此示例使用 M487 SPIM 接口訪問 DMM 模式的外部 SRAM 。 BSP 版本: M480_BSP_CMSIS_V3.05.001 硬件: NuMaker-PFM-M487

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收，占電阻總營收的比例會越來越多；因此未來市場，貼片電阻在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用需求會越來越高。在新能源汽車的電池保護系統(tǒng)中，大部分客戶會采用被動均衡技術(shù)將電池中多余的電能透過被動組件消耗，由于各電池

2023-04-28 11:40:22

能否幫忙介紹一下FreeRTOS分配SRAM和DDR的功能是什么，是如何工作的？

能否幫忙介紹一下FreeRTOS分配SRAM和DDR的功能是什么，是如何工作的？

2023-04-28 07:00:20

如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊

如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊

2023-04-27 20:25:40

國產(chǎn)512kbit串行SRAM----SCLPSRAC1

EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機存取存儲器采用先進的CMOS技術(shù)進行設(shè)計和制造，以提供高速性能和低功耗。

2023-04-27 17:37:44

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激光焊接技術(shù)在電機市場中的應(yīng)用有哪些？

從世界電機市場的規(guī)模分工來看，中國是電機的制造地區(qū)，歐美發(fā)達國家是電機的技術(shù)研發(fā)區(qū)。

2023-04-26 09:29:13

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用FPGA往SRAM芯片中寫數(shù)據(jù)重復(fù)寫多次才能寫是怎么回事呢？

用FPGA往SRAM芯片中寫數(shù)據(jù)重復(fù)寫多次才能寫是怎么回事呢？

2023-04-23 11:46:44

是否可以禁用SRAM2的數(shù)據(jù)緩存并保留SRAM 0和SRAM1的數(shù)據(jù)緩存？

我正在使用 S32k358 uC，我想禁用內(nèi)存區(qū)域的數(shù)據(jù)緩存。在框圖中，我看到樹形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數(shù)據(jù)緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數(shù)據(jù)緩存？

2023-04-23 08:01:09

IMXRT1064外部SRAM，同步和異步模式的CLK使用差異是什么？

IMXRT1064 外部 SRAM - 同步和異步模式的 CLK 使用差異

2023-04-21 08:31:29

設(shè)置外圍模塊后MCUXPRESSO溢出SRAM怎么解決？

[Build 9221] [2023-03-28] SDK 是 SDK_2.x_LPC55S06 2.13.0.201911251446如果我啟動并設(shè)置一個新項目，編譯后，我沒有任何錯誤，SRAM

2023-04-20 09:06:04

如何在MCUXpresso IDE上使用芯片上的所有SRAM？

芯片：MIMXRT1176DVMAA芯片上有幾個SRAM。但是當SRAM_ITC_cm7用完時它不會使用下一個SRAM。我如何在不使用“__attribute__”的情況下使用所有8個SRAM，而是

2023-04-14 08:01:47

M7-0如何訪問SRAM區(qū)域34A00000~353FFFFF？

S32G399A M7-0軟件可以訪問SRAM區(qū)域3400000~349FFFFF，但是不能訪問SRAM區(qū)域34A00000~353FFFFF，為什么？

2023-04-11 07:48:58

SRAM使用總結(jié)

SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================16位寬的SRAM//16BITSRAM指針

2023-04-06 15:13:03

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科普Register file和SRAM

前兩期，我們分別對OTP和MTP，RAM和ROM進行了比較。這一次，我們來談?wù)凪emory Compiler，以及通過它生成的Register file和SRAM。

2023-03-31 10:56:37

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為什么應(yīng)該將SRAM 0x3400000置零？

是：0x34100000~0x341FFFFF: A53(linux)使用0x34200000~0x342FFFFF：M7使用。那么，地址從0x34000000開始，長度等于0x100000字節(jié)的SRAM是干什么用的呢？為什么我應(yīng)該將 SRAM 置零？

2023-03-31 06:52:33

是否沒有必要初始化SRAM_L因為它不受ECC保護？

我注意到在S32K116的啟動文件中有一個ECC RAM initial。(startup_S32K116.S)我認為這與 AN12522 有關(guān)。我的問題，初始化似乎只應(yīng)用了 SRAM_U。(0x2000_0000 到 0x2000_3800)是否沒有必要初始化SRAM_L因為它不受ECC保護？

2023-03-31 06:05:14