石墨烯天生具備高導(dǎo)電性、輕量化等優(yōu)良性質(zhì)，但卻缺少磁性，從而限制了它在自旋電子學(xué)中的應(yīng)用。然而，磁性納米石墨烯則是一種極富吸引力的新型碳基量子材料，因?yàn)樗鼈儞碛袕?qiáng)大的π自旋中心以及集體量子磁性
2024-03-19 15:22:11
51 智能存儲(chǔ)系統(tǒng)（IntelligentStorageSystem）是一種先進(jìn)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案，它結(jié)合了硬件、軟件和自動(dòng)化管理功能，以實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的高度優(yōu)化、高效能、高可用性和可擴(kuò)展性。是針對(duì)現(xiàn)代
2024-03-05 13:53:1780 
在計(jì)算機(jī)中，CPU需要定期地從 RAM 存儲(chǔ)器中讀取數(shù)據(jù)和指令。隨著計(jì)算機(jī)應(yīng)用程序的不斷發(fā)展，RAM 存儲(chǔ)器的容量和速度不斷提高，以適應(yīng)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的需要。
2024-03-04 17:30:07513 
存儲(chǔ)芯片是一種用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的集成電路芯片，也被稱為存儲(chǔ)器芯片。
2024-02-29 09:09:22394 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)對(duì)于數(shù)據(jù)挖掘與分析、數(shù)據(jù)整合與共享、智能決策支持、業(yè)務(wù)模式創(chuàng)新以及優(yōu)化資源配置等方面具有重要作用。按照存儲(chǔ)介質(zhì)不同，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)主要可分為磁性存儲(chǔ)、光學(xué)存儲(chǔ)以及半導(dǎo)體存儲(chǔ)三大類
2024-02-27 09:29:12327 
MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層，和一個(gè)通過(guò)隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時(shí)，MTJ的隧道結(jié)便會(huì)顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會(huì)有高電阻。
2024-02-19 11:32:41367 
ram在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來(lái)暫時(shí)存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ram）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。
2024-02-19 11:23:31570 
RAM（Random Access Memory）是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)部存儲(chǔ)器，而ROM（Read-Only Memory）則是一種只讀存儲(chǔ)器。兩者在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中扮演著不同的角色，起到不同的作用。本文
2024-02-04 17:05:16845 網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)是一種將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在遠(yuǎn)程服務(wù)器上，通過(guò)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行訪問(wèn)和管理的技術(shù)。它具有數(shù)據(jù)共享、容災(zāi)備份和擴(kuò)展性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于企業(yè)和個(gè)人的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和管理中。 1.網(wǎng)絡(luò)附加存儲(chǔ)（Network
2024-02-03 11:15:10357 電感在磁性存儲(chǔ)器中的作用是什么？ 電感是一種能夠儲(chǔ)存和釋放磁能的被動(dòng)電子元件，它在磁性存儲(chǔ)器中扮演著重要的角色。磁性存儲(chǔ)器是一種利用磁性記錄信息的設(shè)備，例如硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器（HDD）和磁帶。在這些設(shè)備
2024-01-30 16:18:14525 晶振在U盤(pán)存儲(chǔ)和手機(jī)存儲(chǔ)的使用區(qū)別 晶振是一種能產(chǎn)生穩(wěn)定頻率信號(hào)的電子元件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在U盤(pán)存儲(chǔ)和手機(jī)存儲(chǔ)中，晶振的使用有一些區(qū)別。 首先，我們先了解一下晶振的基本原理
2024-01-24 13:46:21103 怎么用電腦讀取MAX31855PMB1這個(gè)ADC存儲(chǔ)的數(shù)字信號(hào)呢？請(qǐng)各位解答，真心感謝。
2024-01-24 06:39:47
磁性元件是一種以磁性材料為基礎(chǔ)制造的電子元器件，通過(guò)其特殊的磁性特性，可在電子電路中起到傳感、存儲(chǔ)、變換等作用。磁性元件的材料基本上由磁性金屬或磁性陶瓷構(gòu)成。下面將詳細(xì)介紹磁性元件的材料及其應(yīng)用領(lǐng)域
2024-01-23 16:54:14439 臺(tái)積電近日宣布，與工研院合作開(kāi)發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）陣列芯片，該芯片具有極低的功耗，僅為其他類似技術(shù)的1%。這一創(chuàng)新技術(shù)為次世代存儲(chǔ)器領(lǐng)域帶來(lái)了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 MRAM的基本結(jié)構(gòu)是磁性隧道結(jié)，研發(fā)難度高，目前主要分為兩大類：傳統(tǒng)MRAM和STT-MRAM，前者以磁場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，后者則采用自旋極化電流驅(qū)動(dòng)。
2024-01-22 10:50:50123 
據(jù)報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電在次世代MRAM存儲(chǔ)器相關(guān)技術(shù)方面取得了重大進(jìn)展。該公司成功開(kāi)發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創(chuàng)新的運(yùn)算架構(gòu)，使其功耗僅為其他類似技術(shù)的1%。
2024-01-19 14:35:126646 將探討記憶黑板的存儲(chǔ)空間，以及其可能存在的限制和解決方案。 一、記憶黑板的存儲(chǔ)空間 記憶黑板通常采用電子顯示屏作為主要的信息展示工具，因此其存儲(chǔ)空間受到顯示屏尺寸和分辨率的限制。一般來(lái)說(shuō)，較大的顯示屏可以提供更
2024-01-17 19:16:57107 只讀存儲(chǔ)器（ROM）是一種計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備，用于存儲(chǔ)固定數(shù)據(jù)和指令，其特點(diǎn)如下： 數(shù)據(jù)固定性：只讀存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)是在出廠時(shí)被編程固化的，用戶無(wú)法進(jìn)行修改。這意味著ROM中的信息是靜態(tài)的、不可
2024-01-17 14:17:39290 當(dāng)電源斷開(kāi)時(shí)，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）中的數(shù)據(jù)通常會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">RAM是一種易失性存儲(chǔ)器，它必須以恒定的電源供應(yīng)來(lái)維持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。在斷電時(shí)，RAM中的電荷會(huì)逐漸耗盡，導(dǎo)致其中的數(shù)據(jù)丟失。在這
2024-01-16 16:30:19842 隨著人們對(duì)計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備的需求不斷增長(zhǎng)，存儲(chǔ)器的種類也越來(lái)越多。其中，RAM（Random Access Memory，隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器）是計(jì)算機(jī)中最常用的一種存儲(chǔ)器。RAM可以分為兩種類型，一種
2024-01-12 17:27:15513 RFID（Radio Frequency Identification）電子標(biāo)簽是一種利用射頻技術(shù)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)脑O(shè)備，它可以通過(guò)電磁波與閱讀器進(jìn)行無(wú)線通信，并將嵌入在物體上的信息傳輸出來(lái)。RFID
2024-01-10 15:24:59189 MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。
2024-01-09 14:24:03208 
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (RAM)的名稱源自 CPU 訪問(wèn)它的方式，CPU對(duì)其進(jìn)行隨機(jī)掃描以獲取適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">信息，而不是遵循嚴(yán)格的指示。這是為了均衡所有存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)位之間的訪問(wèn)時(shí)間。
2024-01-06 17:51:33158 
芯片中。我看到ADV7619的FEATURE中提到支持內(nèi)部的EDID，并且從UG237文檔中看到ADV7619內(nèi)部確實(shí)有一塊RAM用于存儲(chǔ)EDID信息。
我的問(wèn)題是，有了這塊內(nèi)部的EDID存儲(chǔ)區(qū)，是否
2024-01-03 07:59:37
是一種將程序的邏輯結(jié)構(gòu)劃分為若干個(gè)邏輯段，然后將這些邏輯段映射到物理內(nèi)存中的存儲(chǔ)管理技術(shù)。每個(gè)邏輯段都有一個(gè)起始地址和長(zhǎng)度，程序運(yùn)行時(shí)，根據(jù)需要將邏輯段加載到物理內(nèi)存中。段式存儲(chǔ)管理的主要優(yōu)點(diǎn)是可以提高內(nèi)存利
2023-12-30 17:17:001017 
DRAM芯片全稱是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，是一種隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM），與CPU直接交換數(shù)據(jù)，可隨時(shí)讀寫(xiě)且速度快，斷電后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)丟失，是易失性存儲(chǔ)器，也就是俗稱的“內(nèi)存”。
2023-12-26 12:25:561003 
文件存儲(chǔ)和塊存儲(chǔ)是兩種常見(jiàn)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式，它們?cè)谠O(shè)計(jì)思想、數(shù)據(jù)組織方式、應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在著一些區(qū)別和聯(lián)系。 首先，文件存儲(chǔ)是指將數(shù)據(jù)以文件的形式進(jìn)行存儲(chǔ)。文件系統(tǒng)是一種用于管理和組織文件的軟件
2023-12-20 17:16:19339 在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計(jì)算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲(chǔ)器市場(chǎng)中，有兩種主要的類型：隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器 ( RAM ) 和只讀存儲(chǔ)器 ( ROM )。盡管都是存儲(chǔ)器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17732 
存儲(chǔ)信息的方式有多種種類，它們?cè)诓煌膱?chǎng)景和需求下提供了各自的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)。 一、傳統(tǒng)存儲(chǔ)方式 紙張存儲(chǔ)：最古老的存儲(chǔ)方式之一，通過(guò)紙張記錄文字和圖像信息。優(yōu)點(diǎn)是易于制作、便于閱讀和保存，但紙張容易
2023-12-01 13:36:091519 目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對(duì)MRAM的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。
2023-11-22 14:43:53213 
電子設(shè)備無(wú)論用于計(jì)算或信息儲(chǔ)存等過(guò)程，都依賴于操縱構(gòu)成要素的電子束性。由于電流加熱電路，代替電流用電壓控制磁性，已經(jīng)成為許多器件提高能源效率的重要控制方法。近年來(lái)，許多研究通過(guò)加電壓來(lái)執(zhí)行這種控制方式，經(jīng)常需要直接把電線連接到材料上。
2023-11-02 11:49:13394 ROM存儲(chǔ)和RAM存儲(chǔ)在物理結(jié)構(gòu)上有什么區(qū)別，如何才能實(shí)現(xiàn)只讀存儲(chǔ)和隨機(jī)存儲(chǔ)？
2023-10-30 07:09:38
視頻監(jiān)控?cái)?shù)據(jù)有哪些存儲(chǔ)方式？哪種存儲(chǔ)方式最優(yōu)？ 隨著社會(huì)的發(fā)展，視頻監(jiān)控技術(shù)已經(jīng)成為城市安全管理中不可缺少的一部分。隨之而來(lái)的是海量的視頻監(jiān)控?cái)?shù)據(jù)，如何合理地保存這些數(shù)據(jù)成為了一個(gè)重要的問(wèn)題。當(dāng)前
2023-10-26 11:16:491623 存儲(chǔ)設(shè)備是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中用于存儲(chǔ)和讀取數(shù)據(jù)的硬件組件，按存儲(chǔ)介質(zhì)不同可分為光學(xué)存儲(chǔ)、磁性存儲(chǔ)和半導(dǎo)體存儲(chǔ)。
光存儲(chǔ)器是指用光學(xué)方法從光存儲(chǔ)媒體上讀取和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的一種設(shè)備，一般指光盤(pán)機(jī)、光帶機(jī)和光卡機(jī)等。
2023-10-19 11:26:06498 
請(qǐng)問(wèn)雙口RAM能用來(lái)進(jìn)行跨時(shí)鐘域傳輸數(shù)據(jù)嗎？ 雙口RAM是一種用于在兩個(gè)時(shí)鐘域之間傳輸數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，因此它確實(shí)可以用于跨時(shí)鐘域傳輸數(shù)據(jù)。在本篇文章中，我們將深入探討雙口RAM的工作原理以及如何利用
2023-10-18 15:24:01472 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SD存儲(chǔ)技術(shù)及其基于S3C2410的應(yīng)用電路.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-11 09:52:54
0 MCU中整數(shù)是用什么方式來(lái)存儲(chǔ)的
2023-10-10 07:33:50
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知，鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。本文所提到的國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展，可以說(shuō)是一段漫長(zhǎng)而又充滿神奇色彩的歷程，承載著人類智慧與技術(shù)創(chuàng)新。從最早的打孔卡開(kāi)始，它逐漸經(jīng)歷了磁存儲(chǔ)、硬盤(pán)、閃存，以及現(xiàn)在的云存儲(chǔ)；這一路的發(fā)展不僅見(jiàn)證了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的飛速進(jìn)步，也反映了人類對(duì)信息記載與保存的不斷追求。
2023-09-22 11:00:561049 
RAM中的一部分通常被用作緩存，用于存儲(chǔ)CPU經(jīng)常訪問(wèn)的數(shù)據(jù)和指令，以提高計(jì)算機(jī)的性能。緩存能夠以較高的速度提供對(duì)這些數(shù)據(jù)的訪問(wèn)，減少了對(duì)較慢的主存儲(chǔ)器（如硬盤(pán)）的訪問(wèn)次數(shù)，從而加快了計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的響應(yīng)速度。
2023-09-21 15:35:032395 秤能夠達(dá)到較高的準(zhǔn)確度和可靠性，但他們使用的稱重傳感器的成本都非常高，這樣就使得整機(jī)的成本過(guò)高。由于這些不足之處的存在，本研究設(shè)計(jì)一種高精度、低成本的電子秤。該設(shè)計(jì)采用HX711芯片對(duì)傳感器輸出的信號(hào)進(jìn)行放大和模數(shù)轉(zhuǎn)換，采用中位值平均濾波法進(jìn)行濾波。
2023-09-19 07:44:39
存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類，前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
研究人員認(rèn)為，之所以會(huì)出現(xiàn)這種鐵磁特性，是因?yàn)閴汉蹠?huì)對(duì)層狀材料產(chǎn)生應(yīng)變，并改變其能量分布。鎳磷三硫化物材料中的電子自旋最初是隨機(jī)的，相互抵消，通過(guò)壓痕排列，產(chǎn)生了鐵磁性。
2023-09-14 16:39:08477 Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:282617 存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中的重要組成部分，用于存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲(chǔ)信息的介質(zhì)和訪問(wèn)方式的不同，存儲(chǔ)器可以分為隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）、只讀存儲(chǔ)器（ROM）和硬盤(pán)存儲(chǔ)器等幾類。本文將介紹存儲(chǔ)器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。
2023-09-09 16:18:272106 根據(jù)專利要點(diǎn)，提供本申請(qǐng)的一種存儲(chǔ)器是檢測(cè)方法及存儲(chǔ)半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲(chǔ)單位與上線之間漏電測(cè)定的復(fù)雜技術(shù)問(wèn)題，該存儲(chǔ)器的檢測(cè)方法如下：選通字線，通過(guò)位線在所有存儲(chǔ)單元中寫(xiě)設(shè)定存儲(chǔ)。
2023-09-07 14:27:24523 
作為一種磁性技術(shù)，MRAM本質(zhì)上是抗輻射的。這使得獨(dú)立版本在航空航天應(yīng)用中很受歡迎，而且這些應(yīng)用對(duì)價(jià)格的敏感度也較低。它相對(duì)較大，在內(nèi)存領(lǐng)域，尺寸意味著成本。
2023-08-30 15:28:50407 我們知道除了只讀存儲(chǔ)器外還有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，這一篇將介紹另一種 存儲(chǔ)類IP核 ——RAM的使用方法。RAM是 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 （Random Access Memory），是一個(gè)易失性存儲(chǔ)器，斷電丟失。RAM工作時(shí)可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定的地址寫(xiě)入或讀出數(shù)據(jù)。
2023-08-29 16:46:071660 
的相似和不同之處。 首先，讓我們了解ROM是什么。ROM全稱為只讀存儲(chǔ)器(Read-Only Memory)，是一種被程序固定“燒制”在芯片內(nèi)的非易失性存儲(chǔ)器。其主要特點(diǎn)是只能讀取數(shù)據(jù)，不能進(jìn)行修改。ROM的存儲(chǔ)方式是將數(shù)據(jù)通過(guò)電流或者光來(lái)寫(xiě)入，而不是通過(guò)磁性，因此ROM更加穩(wěn)定，且沒(méi)有磁性損
2023-08-22 15:53:28772 存儲(chǔ)系統(tǒng)是整個(gè)IT系統(tǒng)的基石，是IT技術(shù)賴以存在和發(fā)揮效能的基礎(chǔ)平臺(tái)。早先的存儲(chǔ)形式是存儲(chǔ)設(shè)備（通常是磁盤(pán)）與應(yīng)用服務(wù)器其他硬件直接安裝于同一個(gè)機(jī)箱之內(nèi)，并且該存儲(chǔ)設(shè)備是給本臺(tái)應(yīng)用服務(wù)器獨(dú)占使用的。
2023-08-21 16:38:43273 
庫(kù)的慢-慢工藝點(diǎn)對(duì)塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。
接口存儲(chǔ)器端口上的信號(hào)符合RAM編譯器為T(mén)SMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲(chǔ)器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33
器技術(shù)，每種技術(shù)都具有不同的特性和高級(jí)功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲(chǔ)器最主流的存儲(chǔ)器技術(shù)，因?yàn)樗?b class="flag-6" style="color: red">用電容器作為存儲(chǔ)元件來(lái)實(shí)現(xiàn)高密度和簡(jiǎn)單架構(gòu)、低延遲和高性能、無(wú)限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20414 
，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進(jìn)一步擴(kuò)展其EXCELON? F-RAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品，推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲(chǔ)密度的新型F-RAM存儲(chǔ)器。全新
2023-08-09 14:32:40397 
AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。
AHB MC利用了新開(kāi)發(fā)的靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器（SMC）。AHB MC有一個(gè)
2023-08-02 07:14:25
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是當(dāng)今電子設(shè)備的核心組件，從智能手機(jī)到高性能計(jì)算機(jī)，幾乎所有設(shè)備都需要某種形式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。根據(jù)應(yīng)用需求和工作原理，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩大類：內(nèi)存和閃存。本文將介紹這兩大類存儲(chǔ)器的種類和工作原理。
2023-07-31 09:57:32598 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)镈RAM使用電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032204 般MCU包含的存儲(chǔ)空間有：片內(nèi)Flash和片內(nèi)RAM。其中，F(xiàn)lash存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在系統(tǒng)掉電后也能正常保存；存放在RAM中的數(shù)據(jù)掉電后丟失。
2023-07-27 09:35:12424 
一個(gè)可隨時(shí)存取數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，即可讀(取)或?qū)?存)的存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱ram。
2023-07-25 15:28:37641 ADSP-21992進(jìn)一步擴(kuò)展了ADSP-2199x混合信號(hào)DSP產(chǎn)品系列的性能，可提供32K字程序存儲(chǔ)器RAM和16K字?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
帶存儲(chǔ)器的雙路可尋址開(kāi)關(guān)DS2406提供了一種簡(jiǎn)便的方法，通過(guò)1-Wire?總線遠(yuǎn)程控制一對(duì)漏極開(kāi)路晶體管和回讀每個(gè)晶體管的邏輯電平，從而實(shí)現(xiàn)閉環(huán)控制。每個(gè)DS2406都具有工廠刻度在片內(nèi)的64位
2023-07-13 16:16:25
東北大學(xué)近日宣布，單晶鈷（Co）/鉑（Pt）結(jié)構(gòu)是一種簡(jiǎn)單的鐵磁/非磁雙層結(jié)構(gòu)，可以在不使用外部磁場(chǎng)的情況下通過(guò)電流注入來(lái)磁化。表明Co/Pt結(jié)構(gòu)可以用光記錄信息，也可以有效地用電記錄信息，并且，他們已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一種非易失性磁場(chǎng)，可以存儲(chǔ)來(lái)自光纖和電線的數(shù)據(jù)。宣布已成功開(kāi)發(fā)一種記憶材料。
2023-07-11 09:59:55171 
硬件、預(yù)配置存儲(chǔ)或?qū)①Y本用于“偶然”場(chǎng)景。 2、部署時(shí)間：當(dāng)開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)準(zhǔn)備就緒時(shí)，基礎(chǔ)設(shè)施不應(yīng)降低其工作速度。 3、信息管理：在云中集中存儲(chǔ)創(chuàng)造了一個(gè)強(qiáng)大的杠桿點(diǎn)，可以支持許多新的使用案例。 云存儲(chǔ)服務(wù)技術(shù)架構(gòu) 1、存儲(chǔ)模型：云存儲(chǔ)采
2023-07-07 16:48:24398 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）用于實(shí)時(shí)存儲(chǔ)CPU正在使用的程序和數(shù)據(jù)。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器上的數(shù)據(jù)可以被多次讀取、寫(xiě)入和擦除。RAM是存儲(chǔ)當(dāng)前使用的數(shù)據(jù)的硬件元素。它是一種易失性存儲(chǔ)器。
2023-07-06 14:22:271949 ? 0 1?引言?? 自旋輸運(yùn)的調(diào)控一直是自旋電子學(xué)研究領(lǐng)域的中心課題。到目前為止，沿著這條路線兩個(gè)著名的發(fā)現(xiàn)是半金屬輸運(yùn)和純自旋流的預(yù)測(cè)，前者實(shí)現(xiàn)了100%自旋極化的單自旋輸運(yùn)，后者表征為兩個(gè)自旋
2023-06-28 17:39:18479 
存儲(chǔ)器是用來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的（指令也是一種數(shù)據(jù)），按使用類型可分為只讀存儲(chǔ)器ROM(Read Only Memory)和隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器RAM(Random Access Memory)，RAM是其中最為常見(jiàn)的一種形式。
2023-06-27 16:45:30458 
ROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在斷電后依然存在，不會(huì)丟失，因此也被稱為非易失性存儲(chǔ)器。而RAM是易失性存儲(chǔ)器，當(dāng)斷電時(shí)，其中的數(shù)據(jù)將會(huì)丟失。
2023-06-20 16:38:442016 光譜精細(xì)結(jié)構(gòu)是指原子光譜中某些譜線由于電子自旋和軌道角動(dòng)量之間的耦合而分裂成多條更細(xì)微的譜線。這種現(xiàn)象最早由法國(guó)物理學(xué)家阿爾弗雷德·佩吉在1896年發(fā)現(xiàn)，并由英國(guó)物理學(xué)家阿諾德·索末菲在1916年用半經(jīng)典理論解釋。
2023-06-11 15:21:56590 
最小化功耗（掉電不是一種選擇，因?yàn)樗鼤?huì)將所有引腳驅(qū)動(dòng)為低電平）。問(wèn)題是我還需要知道喚醒后我可以責(zé)怪哪個(gè)喚醒源。在深度掉電模式下，喚醒會(huì)導(dǎo)致芯片復(fù)位，這意味著我無(wú)法使用 RTC 通用寄存器來(lái)存儲(chǔ)喚醒源數(shù)據(jù)
2023-06-06 08:11:02
隨機(jī)存儲(chǔ)器可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定地址中讀出數(shù)據(jù)，也可以隨時(shí)將數(shù)據(jù)寫(xiě)入任何一個(gè)指定的存儲(chǔ)單元中
2023-06-05 15:49:47785 
存儲(chǔ)芯片是指集成電路中用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的芯片，它可以存儲(chǔ)數(shù)字信號(hào)，包括二進(jìn)制碼、字符、圖像、聲音等信息。存儲(chǔ)芯片廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中，如計(jì)算機(jī)、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、音響、電視等。存儲(chǔ)芯片是電子信息技術(shù)中的重要組成部分，它直接影響著電子產(chǎn)品的性能和功能。
2023-06-02 09:24:158476 Everspin型號(hào)MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲(chǔ)芯片，組織為16位的65536個(gè)字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫(xiě)時(shí)序，續(xù)航時(shí)間無(wú)限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時(shí)間內(nèi)始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 磁表面存儲(chǔ)器——磁表面存儲(chǔ)器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來(lái)記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。
存儲(chǔ)密度——磁表面存儲(chǔ)器單位長(zhǎng)度或單位面積磁層表面所能存儲(chǔ)的二進(jìn)制信息
2023-05-26 11:27:061409 云存儲(chǔ)是任何現(xiàn)代企業(yè)的重要組成部分。無(wú)論是應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)庫(kù)還是保護(hù)客戶的個(gè)人詳細(xì)信息，我們都需要一個(gè)安全高效地滿足企業(yè)獨(dú)特?cái)?shù)字需求的存儲(chǔ)解決方案。隨著企業(yè)使用云的方式不斷擴(kuò)展——尤其是對(duì)隨處訪問(wèn)網(wǎng)絡(luò)模型的需求不斷增加——云存儲(chǔ)解決方案的數(shù)量也在增加。那么為什么選擇云存儲(chǔ)?
2023-05-24 16:24:06452 MRAM是一種新型的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，與傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器技術(shù)相比，MRAM具有更快的讀寫(xiě)速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長(zhǎng)的壽命。
2023-05-23 17:34:15395 在單板設(shè)計(jì)中，無(wú)論是涉及到一個(gè)簡(jiǎn)易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開(kāi)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)：1、存儲(chǔ)器介紹存儲(chǔ)器的分類大致可以劃分如下：ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM在系統(tǒng)停止供電
2023-05-19 17:04:36766 
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
一種便攜式存儲(chǔ)設(shè)備，當(dāng)插入計(jì)算機(jī)時(shí)，被解析為內(nèi)置硬盤(pán)設(shè)備。這也是一種非易失性閃存。與MMC和SD卡一樣，USB閃存驅(qū)動(dòng)器是一種更受歡迎的可移動(dòng)存儲(chǔ)形式。
5、RAM
RAM是一個(gè)易失性內(nèi)存選項(xiàng)。一旦設(shè)備
2023-05-18 14:13:37
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無(wú)限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。
2023-05-12 16:31:39268 80C51單片機(jī)中存儲(chǔ)器是RAM和ROM分開(kāi)編址的嗎？求解答
2023-05-09 16:04:22
計(jì)算機(jī)關(guān)閉時(shí)，RAM 中存儲(chǔ)的信息會(huì)丟失，而長(zhǎng)期存儲(chǔ)設(shè)備（SSD 或HDD）中的數(shù)據(jù)會(huì)保留。
2023-05-05 15:35:541735 S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲(chǔ)芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)性能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)系統(tǒng)?？梢匀〈哂邢嗤δ芎头且资缘拈W存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允許帶寬擴(kuò)展選項(xiàng)。
2023-04-27 17:33:44420 人類社會(huì)已進(jìn)入信息爆炸時(shí)代，傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介即將無(wú)法滿足目前指數(shù)式增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求，因此亟需探索新一代數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)。
2023-04-27 09:50:03806 
RAM ：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”。
2023-04-25 15:58:205062 
的手機(jī)嘗試連接配對(duì)綁定，ESP32怎么控制存儲(chǔ)更多的信息?
或者可以調(diào)用AT命令來(lái)刪除部分之前的綁定信息？
2023-04-24 06:26:28
存儲(chǔ)作為數(shù)據(jù)的載體，是數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展和數(shù)字化轉(zhuǎn)型的基石。東芝非常重視存儲(chǔ)產(chǎn)品的安全性，我們的多款產(chǎn)品均獲得“國(guó)家安全防范報(bào)警系統(tǒng)產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心” 及 “公安部安全與警用電子產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)中心”雙重認(rèn)證，以確保符合相關(guān)部門(mén)的安全標(biāo)準(zhǔn)。
2023-04-23 11:00:23845 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)
2023-04-19 17:45:462542 和用于讀取，寫(xiě)入和擦除數(shù)據(jù)的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器是一種存儲(chǔ)器，可以在字節(jié)級(jí)別讀取，寫(xiě)入和擦除數(shù)據(jù)。另一方面Flash是EEPROM的一種，在結(jié)構(gòu)上以塊的形式排列，在塊中
2023-04-07 16:42:42
樣具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫(xiě)時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
據(jù)保留?無(wú)限的讀/寫(xiě)耐力?無(wú)磨損?有競(jìng)爭(zhēng)力的定價(jià)?穩(wěn)定的制造業(yè)供應(yīng)鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個(gè)8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標(biāo)稱電源供電
2023-04-07 16:26:28
在CH573存儲(chǔ)中，分為用戶應(yīng)用程序存儲(chǔ)區(qū)CodeFlash，用戶非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)DataFlash,系統(tǒng)引導(dǎo)程序存儲(chǔ)區(qū)Bootloader，系統(tǒng)非易失配置信息存儲(chǔ)區(qū)InfoFlash。一般在使用時(shí)
2023-04-07 11:46:50
MRAM磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器 2.7V~3.6V 256Mb
2023-04-06 11:14:58
MRAM磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器 UDFN8_2X3MM_EP VCC=1.8V~5.5V
2023-04-06 11:13:38
ROM和RAM的區(qū)別是什么？ROM和RAM都是一種存儲(chǔ)技術(shù)，只是兩者原理不同，RAM為隨機(jī)存儲(chǔ)，掉電不會(huì)保存數(shù)據(jù)，而ROM可以在掉電的情況下，依然保存原有的數(shù)據(jù)。ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)
2023-03-30 14:53:271938 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（RAM）：?jiǎn)纹瑱C(jī)中的RAM用于存儲(chǔ)程序的變量和中間結(jié)果，它是易失性存儲(chǔ)器，需要外部電源供電。
2023-03-28 18:21:489299
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