現(xiàn)象：
用stm32的spi接口驅(qū)動(dòng)MB85RS2MT(此芯片兼容FM25H20),問(wèn)題是用示波器能看到單片機(jī)有數(shù)據(jù)輸出，但是我讀不出任何數(shù)據(jù)，讀出的都是0x00，不知道是什么原因，發(fā)帖求助。下面
2024-03-20 08:08:05
富士通與亞馬遜云服務(wù)AWS宣布深化合作，共同推出現(xiàn)代化加速聯(lián)合計(jì)劃，旨在推動(dòng)AWS云上遺留應(yīng)用程序的現(xiàn)代化進(jìn)程。該計(jì)劃將于4月1日正式啟動(dòng)，將富士通的系統(tǒng)集成能力與AWS的專業(yè)服務(wù)相結(jié)合，為運(yùn)行在本地大型機(jī)和UNIX服務(wù)器上的傳統(tǒng)關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用程序提供評(píng)估、遷移和現(xiàn)代化服務(wù)。
2024-03-19 10:59:35
220 海信85E8K 4K超清全面屏智能液晶電視，無(wú)疑是現(xiàn)代家庭娛樂(lè)的巔峰之作。搭載MediaTek MT9653智能電視平臺(tái)，它憑借強(qiáng)勁的算力，確保了長(zhǎng)久使用的流暢體驗(yàn)，仿佛每一次開(kāi)機(jī)都是全新的開(kāi)始。
2024-03-14 10:26:05174 國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代
2024-02-22 09:31:16123 
富士通株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“富士通”）發(fā)布了最新的集團(tuán)人工智能（AI）戰(zhàn)略，聚焦深化人類與AI之間的協(xié)作，并提出了將AI作為“可信賴的助手”這一愿景，為提升人類生產(chǎn)力與創(chuàng)造力提供全方位支持。
2024-02-21 17:09:10377 
MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層，和一個(gè)通過(guò)隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時(shí)，MTJ的隧道結(jié)便會(huì)顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會(huì)有高電阻。
2024-02-19 11:32:41367 
FRAM的“耐力”定義為疲勞后的記憶狀態(tài)保持能力，或在許多開(kāi)關(guān)周期后維持鐵電開(kāi)關(guān)電荷的非易失性部分的能力。
2024-02-19 10:21:1779 
當(dāng)我發(fā)送讀取請(qǐng)求或 RDID 請(qǐng)求時(shí)，我沒(méi)有收到從 FRAM 芯片返回的數(shù)據(jù)。
我不確定自己做錯(cuò)了什么。
我已經(jīng)將我的波形 HOLD_N、CS_N、FRAM 中的串行數(shù)據(jù)、串行數(shù)據(jù)附加到 FRAM、CLK、WP_N 中。
2024-01-25 07:07:12
LVDS擴(kuò)頻輸出。RS2CG5705B被配置為選擇擴(kuò)展和時(shí)鐘選擇。使用鎖相環(huán)（PLL）技術(shù)，該電路采用25MHz的晶體輸入，并在100MHz和200MHz的時(shí)鐘頻率下產(chǎn)生4對(duì)差分輸出（HCSL）。它還
2024-01-24 17:31:16
國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代
2024-01-20 09:57:35106 
MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。
2024-01-09 14:24:03208 
FeRAM在汽車(chē)行駛記錄儀中應(yīng)用:
存儲(chǔ)實(shí)時(shí)的數(shù)據(jù)如速度、剎車(chē).
推薦型號(hào)：MB85RS64T
·非易失性存儲(chǔ)器
·高可靠性
·FeRAM無(wú)需寫(xiě)等待，快速讀寫(xiě)
·低功耗，靜態(tài)電流小于10uA
·無(wú)限次的擦寫(xiě)次數(shù)(一萬(wàn)億次)
2024-01-02 15:46:16314 
富士通嵌入FRAM的RFID射頻芯片MB89R118C的優(yōu)點(diǎn):? 抗金屬，可在金屬環(huán)境中使用。? 可耐200度高溫。? 高速數(shù)據(jù)寫(xiě)入：可提高數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)的效率。? 穩(wěn)定的通信距離
2023-12-27 13:53:33
財(cái)團(tuán)成員包括DNP和三井化學(xué)，預(yù)計(jì)在法規(guī)許可后，將于八月底進(jìn)一步向富士通未擁有的股票發(fā)起收購(gòu)要約；收購(gòu)價(jià)格定為每股5920日元，相比周一收盤(pán)價(jià)溢價(jià)13%。新光電氣對(duì)此表示贊許，鼓勵(lì)股東予以接納。
2023-12-13 13:49:18246 國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-12-13 09:58:29155 
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國(guó) ”關(guān)注我們 近日，由日本理化學(xué)研究所（RIKEN）和富士通聯(lián)合開(kāi)發(fā)的 超級(jí)計(jì)算機(jī)“富岳（Fugaku）” 在最新公布的HPCG和Graph500 BFS（廣度優(yōu)先搜索）等多個(gè)
2023-11-29 17:10:02228 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
易失性存儲(chǔ)和精確的實(shí)時(shí)時(shí)鐘，本文推薦使用國(guó)產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲(chǔ)器用于該存儲(chǔ)系統(tǒng)中。鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)和的實(shí)時(shí)時(shí)
2023-11-27 10:17:05
的優(yōu)勢(shì)。在本文中，我們將詳細(xì)討論Code::Blocks相比VS的優(yōu)勢(shì)，并提供最少1500字的詳盡、詳實(shí)和細(xì)致信息。 Code::Blocks是一個(gè)自由開(kāi)源的C++ IDE，它支持多種編程語(yǔ)言和平臺(tái)，包括
2023-11-26 09:52:111021 目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對(duì)MRAM的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。
2023-11-22 14:43:53213 
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國(guó) ”關(guān)注我們 11月15日-19日，第二十五屆中國(guó)國(guó)際高新技術(shù)成果交易會(huì)（簡(jiǎn)稱“高交會(huì)”）在深圳會(huì)展中心拉開(kāi)帷幕。富士通（中國(guó)）信息系統(tǒng)有限公司CEO汪波先生受邀出席本次高交會(huì)
2023-11-20 17:10:03178 
要考慮到電能系統(tǒng)復(fù)雜多變的環(huán)境、低功耗、讀寫(xiě)操作頻率和斷電保存的能力。目前符合電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)系統(tǒng)存儲(chǔ)要求的是國(guó)產(chǎn)PB85RS2MC（富士通MB85RS2MT），兩款
2023-11-17 10:28:51
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國(guó) ”關(guān)注我們 隨著全球各地監(jiān)管政策的出臺(tái)，對(duì)于企業(yè)環(huán)境、社會(huì)和治理（ESG）相關(guān)指標(biāo)的披露也愈發(fā)嚴(yán)格。與此同時(shí)，來(lái)自客戶需求及外部環(huán)境的變化也為企業(yè)推動(dòng)合規(guī)層面的積極變革創(chuàng)造
2023-11-13 17:15:02193 我們使用微量序列 NOR MT25QL256ABA( 32MB) 鞭笞, 無(wú)法使用“ flexspi_ nor_flash_ page_ page_ progragram” API 程序到 16MB
2023-11-13 06:39:52
MB89R118C|富士通嵌入FRAM的RFID LSI無(wú)線射頻識(shí)別芯片
2023-11-09 13:59:01431 國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-11-06 10:15:17143 
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國(guó) ”關(guān)注我們 2023財(cái)年上半年財(cái)報(bào) 富士通近日發(fā)布了2023財(cái)年上半年財(cái)報(bào)。根據(jù)財(cái)報(bào)顯示，2023財(cái)年上半年整體營(yíng)收為1.7118兆日元，較上一年度同期提升2.7
2023-11-01 17:10:02429 
pwm相比dac的優(yōu)勢(shì)有么？
2023-10-28 07:49:58
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國(guó) ”關(guān)注我們 本月，富士通與日本理化學(xué)研究所（RIKEN）宣布，在RIKEN RQC-Fujitsu合作中心成功開(kāi)發(fā)出了 新型 64 量子位超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī) 。理化學(xué)研究所于今
2023-10-27 09:15:02168 
CC3200和esp8266相比性能有優(yōu)勢(shì)么？
2023-10-23 08:08:40
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國(guó) ”關(guān)注我們 本周，第29屆智能交通世界大會(huì)在蘇州國(guó)際博覽中心召開(kāi)。本屆大會(huì)主題是“智能交通 美好生活”，會(huì)議為期5天，內(nèi)容主要包括智能交通論壇、智能交通展覽、技術(shù)和文
2023-10-21 16:25:01232 
insmod加載fram.ko模塊，出現(xiàn)spi_probe success!說(shuō)明驅(qū)動(dòng)和設(shè)備樹(shù)匹配成功。
（3）在/dev/下看有沒(méi)有pb85rs設(shè)備。
（4）使用./writeframAPP
2023-10-19 09:28:15
據(jù)悉，還決定以目前市價(jià)約26億美元（約2.6萬(wàn)億韓元）出售富士通持有的信子50%的股份。貝恩資本、kkr、阿波羅全球管理公司和日本政府支持的投資公司日本投資公司等對(duì)投標(biāo)表現(xiàn)出了興趣
2023-10-18 10:19:57227 , ±25V CMR, and ±25kV ESD Protection Data Sheet相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有MAX33076E: High-Speed Quad RS-422/RS
2023-10-13 18:34:17
目前，日本在量子領(lǐng)域的研發(fā)進(jìn)展落后于中美兩國(guó)，但此前已經(jīng)制定發(fā)展規(guī)劃。富士通計(jì)劃將量子計(jì)算機(jī)與超級(jí)計(jì)算機(jī)相結(jié)合，以提高計(jì)算能力。未來(lái)，富士通將會(huì)把量子計(jì)算機(jī)投入實(shí)際應(yīng)用，進(jìn)行分子構(gòu)型模擬、材料特性分析等
2023-10-09 11:03:15503 另外，富士通決定與政府支援研究機(jī)構(gòu)日本物理學(xué)、化學(xué)研究所（riken）于2021年共同設(shè)立和光研究中心，共同開(kāi)發(fā)量子計(jì)算機(jī)。日本物理、化學(xué)研究所于2023年3月推出了日本第一臺(tái)具有64個(gè)量子比特、使用低溫超導(dǎo)電路的量子計(jì)算機(jī)。
2023-10-08 11:16:11524 NEW PRODUCT ?I 2 C 接口 512Kbit FeRAM MB85RC512LY 加賀富儀艾電子旗下的代理品牌富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司于近期 宣布推出 I 2 C 接口
2023-09-28 16:20:02267 
與此同時(shí)，富士通還積極投身到全球各項(xiàng)可持續(xù)發(fā)展及碳中和行動(dòng)項(xiàng)目當(dāng)中。就在本月，富士通宣布通過(guò)參與世界可持續(xù)發(fā)展工商理事會(huì)(WBCSD)的碳足跡數(shù)據(jù)共享倡議行動(dòng)(PACT)，成功實(shí)現(xiàn)了整個(gè)供應(yīng)鏈中二氧化碳排放量的可視化。
2023-09-22 17:12:49653 MR500E工業(yè)4G路由器采用超小體積設(shè)計(jì)，尺寸為長(zhǎng)88mm高25mm寬62mm，非常便于攜帶和安裝。此外，MR500E工業(yè)4G插卡路由器還具備1個(gè)WAN口和1個(gè)LAN口或2個(gè)LAN口，網(wǎng)速速率為
2023-09-20 14:42:39
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國(guó) ”關(guān)注我們 2023年中國(guó)國(guó)際服務(wù)貿(mào)易交易會(huì)（服貿(mào)會(huì)）近日在北京開(kāi)幕。富士通（中國(guó)）信息系統(tǒng)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“富士通”）副總裁汪波先生受邀出席本次服貿(mào)會(huì)，并在9月3日舉行
2023-09-06 17:10:02230 
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國(guó) ”關(guān)注我們 可持續(xù)轉(zhuǎn)型 可持續(xù)轉(zhuǎn)型 是指企業(yè)在環(huán)境、經(jīng)濟(jì)和社會(huì)方面做出結(jié)構(gòu)性的改變，以實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)。在過(guò)去幾年里，可持續(xù)轉(zhuǎn)型逐漸成為企業(yè)重要的戰(zhàn)略選擇，成為實(shí)現(xiàn)企業(yè)獲得
2023-08-28 17:10:01231 
PB85RS128可替換MB85RS128B（富士通）/ FM25V01A-GTR（賽普拉斯）
2023-08-22 16:38:15
2 PB85RS2MC可替換MB85RS2MT（富士通）/FM25V20A（賽普拉斯）
2023-08-22 09:56:047 耗盡導(dǎo)致設(shè)備故障；本文推薦使用FRAM PB85RS2MC用于CT掃描機(jī)控制系統(tǒng)，它具有很多無(wú)可超越的優(yōu)點(diǎn)，包括快速寫(xiě)入、耐久性、低功耗和耐輻射性，能夠替代SRAM
2023-08-11 11:18:20
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Emulex Gen 5光纖通道主機(jī)總線富士通適配器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-10 14:32:280 富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲(chǔ)器串行接口系列中密度最高的產(chǎn)品。目前已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)產(chǎn)品。 在不斷變化的環(huán)境中，隨著傳感器信息數(shù)據(jù)量的增加和邊緣計(jì)算的擴(kuò)展，客
2023-08-04 11:55:04339 
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國(guó) ”關(guān)注我們 2023財(cái)年第一季度財(cái)報(bào) 富士通于昨日發(fā)布了2023財(cái)年第一季度財(cái)報(bào)。根據(jù)財(cái)報(bào)顯示，2023財(cái)年第一季度整體營(yíng)收為7,996億日元，較上一年度同期實(shí)現(xiàn)小幅增長(zhǎng)
2023-07-28 17:15:01449 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
NP40N10YDF, NP40N10VDF, NP40N10PDF 數(shù)據(jù)表
2023-07-14 09:43:230 點(diǎn)擊上方“ 富士通中國(guó) ”關(guān)注我們 富士通近日發(fā)布了《2023富士通全球可持續(xù)轉(zhuǎn)型調(diào)查報(bào)告》。該報(bào)告對(duì)來(lái)自全球9個(gè)國(guó)家的1,800名企業(yè)高管及決策者進(jìn)行了調(diào)查， 闡述了可持續(xù)轉(zhuǎn)型(SX)的現(xiàn)狀以及
2023-07-12 17:10:01270 
AT25PE40 數(shù)據(jù)表
2023-07-03 18:52:460 鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)具有非易失性，讀寫(xiě)速度快，沒(méi)有寫(xiě)等待時(shí)間等優(yōu)勢(shì)，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫(xiě)使用壽命長(zhǎng)，芯片的擦寫(xiě)次數(shù)為100萬(wàn)次，比一般的E2PROM存儲(chǔ)器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382 品佳集團(tuán)代理的MediaTek Genio 130/130A(MT7931/MT7933)微處理器產(chǎn)品，為基于Arm Cortex-M33架構(gòu)處理器，時(shí)脈可達(dá)300MHz，內(nèi)建最高8MB SRAM，提供高效運(yùn)算能力。
2023-06-25 14:29:37658 
國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-06-21 13:56:52582 品佳集團(tuán)代理的MediaTek Genio 130/130A(MT7931/MT7933)微處理器產(chǎn)品，為基于Arm Cortex-M33架構(gòu)處理器，時(shí)脈可達(dá)300MHz，內(nèi)建最高8MB SRAM，提供高效運(yùn)算能力。
2023-06-20 15:04:12638 
，鐵電存儲(chǔ)器不需要定時(shí)刷新，能在斷電情況下保存數(shù)據(jù)，特別適合在那些對(duì)寫(xiě)入時(shí)間和次數(shù)有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)合，而且與其MCU接口電路簡(jiǎn)單，應(yīng)用方便，本文介紹了國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在其多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用。
2023-06-20 14:19:25391 
和耐久性設(shè)計(jì)，這些要求使國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC成為最佳的存儲(chǔ)選擇。PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，該芯片不需要電池就可以
2023-06-12 14:55:12308 
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國(guó) ”關(guān)注我們 近日，富士通（中國(guó)）信息系統(tǒng)有限公司副總裁汪波先生受邀出席2023中關(guān)村論壇平行活動(dòng)“ChatGPT 與人工智能前沿技術(shù)交流會(huì)”，并發(fā)表了題為《加速AI創(chuàng)新，共建
2023-06-08 19:55:02296 
點(diǎn)擊上方“ 富士通中國(guó) ”關(guān)注我們 富士通株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“富士通”）與微軟公司（以下簡(jiǎn)稱“微軟”）宣布簽署為期五年的戰(zhàn)略合作協(xié)議，進(jìn)一步擴(kuò)大雙方現(xiàn)有合作。該協(xié)議將涉及兩家公司的投資，以推動(dòng)富士通
2023-06-05 19:45:01379 使用國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)芯片PB85RS2MC是一種最理想的選擇。該芯片不但在功能上正好滿足上述要求，而且憑借獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)性能是其它存儲(chǔ)器都無(wú)法達(dá)到的。
2023-06-01 10:59:48187 
Everspin型號(hào)MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲(chǔ)芯片，組織為16位的65536個(gè)字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫(xiě)時(shí)序，續(xù)航時(shí)間無(wú)限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時(shí)間內(nèi)始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 為了進(jìn)行性能比較，使用了三種不同的存儲(chǔ)芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR閃存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND閃存。
2023-05-31 17:14:24788 
? 富士通將利用在不同行業(yè)的先進(jìn)技術(shù)、技能和知識(shí)提供以人為本的數(shù)字服務(wù)、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)變能力和互聯(lián)互通的生態(tài)系統(tǒng)，以推動(dòng)可持續(xù)轉(zhuǎn)型?！?b class="flag-6" style="color: red">富士通（中國(guó)）信息系統(tǒng)有限公司副總裁 汪波 近日，以“智行天下
2023-05-26 10:58:24495 PB85RS2MC應(yīng)用框圖 PB85RS2MC芯片為低功耗9微安（待機(jī)），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內(nèi)工作，芯片的數(shù)據(jù)在85℃工作環(huán)境下可以保存10年，在25℃工作環(huán)境下可以保存200年，且具有防潮、防電擊和抗震等特性，能滿足惡劣的環(huán)境條件。
2023-05-25 10:08:41495 
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無(wú)限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。
2023-05-12 16:31:39268 ? 在馬德里舉行的Fujitsu ActivateNow Technology Summit活動(dòng)期間，富士通發(fā)布了全新平臺(tái) "Fujitsu Kozuchi（項(xiàng)目代號(hào)）--Fujitsu AI
2023-05-12 09:20:09176 
描述 MT2593是一款輸入耐壓可達(dá)40V的降壓式DC/DC驅(qū)動(dòng)電路，能夠?qū)崿F(xiàn)精確的恒流以及恒壓功能。 MT2593內(nèi)置75mohm的功率MOSFET，可持續(xù)輸出 5V
2023-05-10 16:49:10
如果將閃存芯片W25Q40（4Mbit）換成W25Q64（64Mbit），模塊是否能正常工作？而且，最有趣的是，是否支持在 NodeMcu 中處理文件？
PS
如何確定可用于錄制文件的閃存容量？
2023-04-28 07:33:59
富士通電子芯片MB89R118C使用CLRC66301HN只讀取數(shù)據(jù)區(qū)不寫(xiě)入數(shù)據(jù)，請(qǐng)告知
2023-04-23 07:19:24
PB85RS2MC是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，對(duì)標(biāo)富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無(wú)污染。
2023-04-20 11:29:57224 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462544 我想將 iMX RT1024 連接到 MR5A16A MRAM MR5A16A MRAM 數(shù)據(jù)表聲明它與 SRAM 接口兼容但是，通過(guò)比較 MR5A16A 數(shù)據(jù)表和 iMX RT1024 參考手冊(cè)
2023-04-17 07:52:33
的擦除操作，而且寫(xiě)人時(shí)間也比閃存少幾個(gè)數(shù)量級(jí)。即使是與現(xiàn)有存儲(chǔ)器中性能較高的DRAM(讀取1寫(xiě)入時(shí)間為30ns~50ns)相比，自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦寫(xiě)次數(shù)超過(guò)1015次,和DRAM
2023-04-07 16:41:05
8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引腳BGA封裝。MR3A16ACMA35的優(yōu)點(diǎn)與富士通FRAM相比，升級(jí)到Everspin MRAM具有許多優(yōu)勢(shì)：?更快的隨機(jī)訪問(wèn)操作時(shí)間?高可靠性和數(shù)
2023-04-07 16:26:28
隨著萬(wàn)物智聯(lián)時(shí)代的到來(lái)，智能汽車(chē)等新興應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)存儲(chǔ)提出了更高的性能要求。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司提供的一款2Mbit FeRAM——MB85RS2MLY
2023-04-07 11:24:481501 IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN
2023-04-06 16:00:29
NP40N10YDF, NP40N10VDF, NP40N10PDF 數(shù)據(jù)表
2023-03-31 19:32:380 我想知道S32K3xx EMIOS模塊與S32K1xx FTM模塊相比有什么優(yōu)勢(shì)？
2023-03-31 09:08:42
由于RS-422/RS-485使用差分信號(hào)，它對(duì)噪聲的抵抗力更強(qiáng)，可以使用更長(zhǎng)的電纜和/或高數(shù)據(jù)速率，尤其是在嘈雜的環(huán)境中。此外，RS-485允許多點(diǎn)操作，最多32 個(gè)單位負(fù)載。收發(fā)器可能會(huì)
2023-03-30 15:32:20
存儲(chǔ)器FRAM 128K（16 K×8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲(chǔ)器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲(chǔ)器FRAM 1M（128 K×8） 40MHz SPI
2023-03-29 20:47:53
存儲(chǔ)器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
窄帶內(nèi)存FRAM 512K（64 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:00
IC FRAM 4MBIT SPI 40MHZ 8SOP
2023-03-28 00:13:59
IC FRAM 2MBIT SPI 50MHZ 8SOP
2023-03-27 14:52:16
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8DIP
2023-03-27 13:53:28
IC FRAM 128KBIT SPI 25MHZ 8SOP
2023-03-27 13:52:38
IC FRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8WLP
2023-03-27 13:38:52
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8SOP
2023-03-27 13:38:42
IC FRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8DIP
2023-03-27 13:01:56
IC FRAM 256KBIT SPI 25MHZ 8SOP
2023-03-25 03:51:44
IC FRAM 2MBIT SPI 25MHZ 8SOP
2023-03-25 03:50:39
IC FRAM 2MBIT SPI 25MHZ 8DIP
2023-03-25 03:39:53
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