非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:15
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MRAM HS4MANSQ1A-DS1用于固態(tài)硬盤（SSD）可延長(zhǎng)壽命
2024-03-18 10:24:3648 
MR25H256 MRAM 存儲(chǔ)器 mikroBUS? Click? 平臺(tái)評(píng)估擴(kuò)展板
2024-03-14 22:03:11
、工車規(guī)存儲(chǔ)和企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)等領(lǐng)域，致力于為智能終端廠商和消費(fèi)者帶來(lái)卓越的產(chǎn)品體驗(yàn)與專業(yè)服務(wù)?；谘邪l(fā)封測(cè)一體化優(yōu)勢(shì)以及精準(zhǔn)把握消費(fèi)者需求，佰維存儲(chǔ)在消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)領(lǐng)域構(gòu)建了全系列產(chǎn)品矩陣，覆蓋 電競(jìng)內(nèi)存、固態(tài)硬盤、移動(dòng)SSD、存儲(chǔ)卡、NAS家庭
2024-03-08 18:10:32113 
佰維存儲(chǔ)投身于智能終端存儲(chǔ)、消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)、工業(yè)車規(guī)存儲(chǔ)以及企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)等多個(gè)領(lǐng)域，并始終堅(jiān)持以“存儲(chǔ)賦能萬(wàn)物智聯(lián)”為己任。
2024-03-08 15:27:19117 瑞薩日前宣布，公司已基于STT-MRAM的電路技術(shù)開發(fā)出具有快速讀寫能力的測(cè)試芯片。該MCU 測(cè)試芯片采用 22 納米工藝制造，包括一個(gè) 10.8Mbit嵌入式 MRAM 存儲(chǔ)單元陣列。
2024-03-05 10:05:46195 
我是電子元件的初學(xué)者，我對(duì)很多這方面的知識(shí)都很陌生。當(dāng)我讀到電容器時(shí)，我不太明白有哪些類型以及它們是如何分類的。
陶瓷電容器與其他由不同材料制成的電容器相比有什么優(yōu)勢(shì)？
2024-03-01 07:25:47
國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代
2024-02-28 09:56:5272 
MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層，和一個(gè)通過(guò)隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時(shí)，MTJ的隧道結(jié)便會(huì)顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會(huì)有高電阻。
2024-02-19 11:32:41367 
國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代
2024-02-01 10:30:15140 
臺(tái)積電近日宣布，與工研院合作開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）陣列芯片，該芯片具有極低的功耗，僅為其他類似技術(shù)的1%。這一創(chuàng)新技術(shù)為次世代存儲(chǔ)器領(lǐng)域帶來(lái)了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 MRAM的基本結(jié)構(gòu)是磁性隧道結(jié)，研發(fā)難度高，目前主要分為兩大類：傳統(tǒng)MRAM和STT-MRAM，前者以磁場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，后者則采用自旋極化電流驅(qū)動(dòng)。
2024-01-22 10:50:50123 
據(jù)報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電在次世代MRAM存儲(chǔ)器相關(guān)技術(shù)方面取得了重大進(jìn)展。該公司成功開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創(chuàng)新的運(yùn)算架構(gòu)，使其功耗僅為其他類似技術(shù)的1%。
2024-01-19 14:35:126646 臺(tái)積電在MRAM技術(shù)方面已經(jīng)取得了顯著進(jìn)展，成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線，并積累了大量?jī)?nèi)存和車用市場(chǎng)訂單。
2024-01-18 16:44:044838 鑒于AI、5G新時(shí)代的到來(lái)以及自動(dòng)駕駛、精準(zhǔn)醫(yī)療診斷、衛(wèi)星影像辨識(shí)等應(yīng)用對(duì)更高效率、穩(wěn)定性和更低功耗的內(nèi)存的需求愈發(fā)緊迫，如磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存（MRAM）這樣的新一代內(nèi)存技術(shù)已成為眾多廠商爭(zhēng)相研發(fā)的重點(diǎn)。
2024-01-18 14:44:00838 1月9日-12日，超4000家展商匯聚于2024年國(guó)際消費(fèi)電子展。其中，康盈半導(dǎo)體攜旗下B端和C端全明星系列產(chǎn)品線產(chǎn)品亮相CES，涵蓋eMMC、eMCP、ePOP、nMCP、UFS、MRAM、SPI
2024-01-15 18:23:27180 
國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代
2024-01-12 09:51:32126 
云服務(wù)器租用托管服務(wù)好嗎？選擇云服務(wù)器租用托管有哪些優(yōu)勢(shì)？關(guān)于云服務(wù)器租用托管的話題RAKsmart小編今天來(lái)為您做詳細(xì)的解答。
2024-01-10 10:21:08133 MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。
2024-01-09 14:24:03208 
探討這三種不同的存儲(chǔ)設(shè)備之間的特點(diǎn)和選擇，幫助讀者了解其優(yōu)缺點(diǎn)以及在不同場(chǎng)景下的適用性。 一、性能比較 1.讀寫速度 固態(tài)硬盤的最大優(yōu)勢(shì)之一是其出色的讀寫速度。由于其不依賴機(jī)械運(yùn)動(dòng)，固態(tài)硬盤的讀取速度通常比機(jī)械硬盤提升數(shù)倍，
2024-01-09 14:14:41766 MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層，和一個(gè)通過(guò)隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時(shí)，MTJ的隧道結(jié)便會(huì)顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會(huì)有高電阻。
2024-01-09 11:15:26200 
。 光隔離探頭是一種使用光學(xué)技術(shù)進(jìn)行測(cè)量的探頭，它通過(guò)檢測(cè)光的傳播和反射來(lái)獲取關(guān)于被測(cè)物體的信息。與之相比，差分探頭主要通過(guò)電子信號(hào)的差異來(lái)檢測(cè)被測(cè)物體。下面將詳細(xì)介紹光隔離探頭相對(duì)于差分探頭的幾個(gè)優(yōu)勢(shì)。 首先，
2024-01-08 11:42:19191 最近，Imec公布的超大規(guī)模自旋軌道轉(zhuǎn)移MRAM (SOT-MRAM) 器件已實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的性能，每比特開關(guān)能量低于100飛焦耳，耐用性超過(guò)10的15次方。
2024-01-05 11:47:18429 
近年來(lái)，我們國(guó)家在芯片領(lǐng)域不斷突破不斷進(jìn)步，國(guó)產(chǎn)芯片在技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力方面逐漸展現(xiàn)出優(yōu)勢(shì)。今天我們就來(lái)聊一下關(guān)于國(guó)產(chǎn)芯片的優(yōu)勢(shì)究竟在哪些地方。
2023-12-11 16:31:49306 存儲(chǔ)信息的方式有多種種類，它們?cè)诓煌膱?chǎng)景和需求下提供了各自的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)。 一、傳統(tǒng)存儲(chǔ)方式 紙張存儲(chǔ)：最古老的存儲(chǔ)方式之一，通過(guò)紙張記錄文字和圖像信息。優(yōu)點(diǎn)是易于制作、便于閱讀和保存，但紙張容易
2023-12-01 13:36:091519 關(guān)于半導(dǎo)體存儲(chǔ)的最強(qiáng)入門科普
2023-11-30 17:16:46372 
“與MRAM相比，ReRAM有兩個(gè)主要優(yōu)勢(shì)——工藝簡(jiǎn)單和更寬的讀取窗口，”的內(nèi)存技術(shù)專家Jongsin Yun說(shuō)西門子EDA?！?b class="flag-6" style="color: red">MRAM需要10層以上的堆疊，所有這些都需要非常精確地控制，才能形成匹配的晶體蛋白。
2023-11-22 17:16:15297 
目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對(duì)MRAM的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。
2023-11-22 14:43:53213 
提到示波器，大家都會(huì)問(wèn)一下它的帶寬、采樣率，那大家有關(guān)心過(guò)使用的示波器的存儲(chǔ)深度嗎？ 今天，小k先給大家講一講什么是存儲(chǔ)深度以及為什么要增加存儲(chǔ)深度吧！ 問(wèn)題1 什么是存儲(chǔ)深度？ 存儲(chǔ)深度是現(xiàn)代
2023-11-22 07:45:02304 
云存儲(chǔ)，顧名思義，就是將監(jiān)控錄像存儲(chǔ)在云端的一種方法。與傳統(tǒng)的閉路電視系統(tǒng)不同，在云中存儲(chǔ)錄像的現(xiàn)代監(jiān)控系統(tǒng)為組織提供了一種簡(jiǎn)單的方法來(lái)擴(kuò)展視頻存儲(chǔ)以滿足保留要求。云攝像機(jī)系統(tǒng)不受NVR和DVR等本地錄像機(jī)的限制，正在迅速成為快速增長(zhǎng)的企業(yè)中的流行選擇。
2023-11-21 16:39:25862 主流存儲(chǔ)芯片海外廠商高度壟斷。與邏輯芯片不同，DRAM 和 NAND Flash 等半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的核心功能為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，存儲(chǔ)晶圓的設(shè)計(jì)及制造標(biāo)準(zhǔn)化程度較高，各晶圓廠同代產(chǎn)品在容量、帶寬、穩(wěn)定性等方面，技術(shù)規(guī)格趨同。因此頭部廠商要通過(guò)產(chǎn)能擴(kuò)大規(guī)?；?b class="flag-6" style="color: red">優(yōu)勢(shì)及技術(shù)持續(xù)升級(jí)迭代保持競(jìng)爭(zhēng)力。
2023-11-21 15:00:161290 
DRAM有多種類型可供選擇。有些速度非?？欤鏗BM，但也很昂貴。其他類型速度較慢，但價(jià)格便宜，如基本的DDR DIMM。然而，變化的是，在異構(gòu)架構(gòu)中，兩者都可以發(fā)揮重要作用，以及多種其他DRAM類型和更狹義的存儲(chǔ)器，如MRAM或ReRAM。
2023-11-15 11:27:13243 
隨著相變存儲(chǔ)器 (PCM)、STT-MRAM、憶阻器和英特爾的 3D-XPoint 等技術(shù)的快速發(fā)展，高速的、可字節(jié)尋址的新興 NVM 的產(chǎn)品逐漸涌現(xiàn)于市場(chǎng)中
2023-11-14 09:28:10418 
在本文中，小編將給大家分析一下云視頻存儲(chǔ)是什么？如何工作？有何優(yōu)勢(shì)？ 一、云視頻存儲(chǔ)是什么？ 云存儲(chǔ)，顧名思義，就是將監(jiān)控錄像存儲(chǔ)在云端的一種方法。與傳統(tǒng)的閉路電視系統(tǒng)不同，在云中存儲(chǔ)錄像的現(xiàn)代監(jiān)控
2023-11-13 17:12:40690 ZigBee有什么優(yōu)勢(shì)
2023-11-03 06:35:58
ROM存儲(chǔ)和RAM存儲(chǔ)在物理結(jié)構(gòu)上有什么區(qū)別，如何才能實(shí)現(xiàn)只讀存儲(chǔ)和隨機(jī)存儲(chǔ)？
2023-10-30 07:09:38
pwm相比dac的優(yōu)勢(shì)有么？
2023-10-28 07:49:58
以下功能的詳細(xì)使用方法請(qǐng)參考 ICP 用戶手冊(cè)和 AT-Link 用戶手冊(cè)，可以在雅特力官網(wǎng)下載查看。AT-Link/AT-Link-Pro 具有以下優(yōu)勢(shì)功能：1. 既支持在線仿真調(diào)試、在線下載代碼
2023-10-23 06:05:33
近年來(lái)，為滿足大規(guī)模的存儲(chǔ)應(yīng)用需求，分布式存儲(chǔ)成為云環(huán)境下存儲(chǔ)底座構(gòu)建的重要選擇，相較于傳統(tǒng)集中式存儲(chǔ)方案的可靠性、安全性以及數(shù)據(jù)利用率較低，分布式存儲(chǔ)具有易擴(kuò)展、高性能、高性價(jià)比、支持分級(jí)存儲(chǔ)
2023-10-13 15:55:01301 
SWD的接口對(duì)比JTAG接口有什么優(yōu)勢(shì)
2023-10-09 07:09:03
DMA有什么優(yōu)勢(shì)
2023-10-09 07:07:30
nxp的單片機(jī)都有哪些型號(hào)，優(yōu)勢(shì)
2023-10-08 08:04:39
在當(dāng)前我們比較熟悉的存儲(chǔ)產(chǎn)品就是DRAM和NAND，DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。
2023-10-07 10:18:221688 
亙存科技成立于2019年，是一家以mram技術(shù)為中心，致力于設(shè)計(jì)、開發(fā)和銷售相關(guān)產(chǎn)品的Fabless企業(yè)。總公司設(shè)在深圳，在上海、蘇州等地設(shè)有r&d中心和支持團(tuán)隊(duì)。
2023-09-20 10:27:21660 螺母的工作原理以及應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
2023-09-14 17:43:39735 
本參考手冊(cè)面向應(yīng)用程序開發(fā)人員。它提供了關(guān)于如何使用STM32G4系列微控制器存儲(chǔ)器和外圍設(shè)備。
STM32G4系列是一系列具有不同內(nèi)存大小和封裝的微控制器以及外圍設(shè)備。
有關(guān)訂購(gòu)信息、機(jī)械
2023-09-08 06:59:58
近日， 惠州佰維總經(jīng)理劉昆奇受邀在 SiP China 2023大會(huì)上 發(fā)表了主題為《淺析SiP里的存儲(chǔ)封裝》的演講，分享佰維存儲(chǔ)在先進(jìn)封測(cè)領(lǐng)域的技術(shù)布局以及典型應(yīng)用案例，與行業(yè)大咖共話先進(jìn)封測(cè)
2023-08-31 12:15:01326 
近日，惠州佰維總經(jīng)理劉昆奇受邀在SiP China 2023大會(huì)上發(fā)表了主題為《淺析SiP里的存儲(chǔ)封裝》的演講，分享佰維存儲(chǔ)在先進(jìn)封測(cè)領(lǐng)域的技術(shù)布局以及典型應(yīng)用案例，與行業(yè)大咖共話先進(jìn)封測(cè)發(fā)展趨勢(shì)
2023-08-30 17:43:09228 
作為一種磁性技術(shù)，MRAM本質(zhì)上是抗輻射的。這使得獨(dú)立版本在航空航天應(yīng)用中很受歡迎，而且這些應(yīng)用對(duì)價(jià)格的敏感度也較低。它相對(duì)較大，在內(nèi)存領(lǐng)域，尺寸意味著成本。
2023-08-30 15:28:50407 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《光纖通道與iSCSI相比在支持企業(yè)工作負(fù)載的全閃存存儲(chǔ)陣列方面性能優(yōu)勢(shì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-28 16:44:06
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《實(shí)現(xiàn)閃存存儲(chǔ)優(yōu)勢(shì)的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)注意事項(xiàng).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-28 11:02:270 第5代光纖通道是存儲(chǔ)區(qū)域網(wǎng)絡(luò)(SAN)的最新發(fā)展?；陂_發(fā)的技術(shù)定義光纖通道接口的T11技術(shù)委員會(huì)，第5代光纖通道使數(shù)據(jù)吞吐量翻一番。在8 Gbps鏈路中，第5代光纖通道從每秒800兆字節(jié)(MB
2023-08-25 17:19:060 ，確保通信質(zhì)量很重要，這就要求構(gòu)成濾波器的電感對(duì)低頻帶到高頻帶的交流成分有較高的阻抗。 目錄 確保PoC（同軸電纜供電）通信質(zhì)量的必要性 在寬頻帶實(shí)現(xiàn)高阻抗的產(chǎn)品結(jié)構(gòu) 關(guān)于電感和磁珠的選型以及眼圖波形 關(guān)于抗電磁干擾特性 總結(jié) 確保PoC（同
2023-08-22 16:51:28792 
BGA老化座中的BGA全稱是BallGridArray(球柵陣列結(jié)構(gòu)的PCB)，它是集成電路采用有機(jī)載板的一種封裝法。那么這種老化座有什么優(yōu)勢(shì)呢?
?緊湊型設(shè)計(jì)，提高老化測(cè)試板容量
2023-08-22 13:32:03
近期實(shí)驗(yàn)中遇到兩個(gè)問(wèn)題求高手解答：
1。關(guān)于使USB設(shè)備能否被plugdev group所訪問(wèn)，按照手冊(cè)上面的進(jìn)行相關(guān)設(shè)置，但沒(méi)有什么效果，使用ls -l /dev/ttyUSB1 命令進(jìn)行查看
2023-08-16 08:05:13
美國(guó)是全球最大的主機(jī)市場(chǎng)之一，它在全球擁有大量的服務(wù)器，廣泛覆蓋不同的應(yīng)用場(chǎng)景。當(dāng)今，美國(guó)服務(wù)器不僅是本地需要的，而且也為全球客戶提供了主機(jī)解決方案。美國(guó)服務(wù)器擁有許多優(yōu)勢(shì)，下面我們將揭秘美國(guó)服務(wù)器
2023-08-02 10:56:15354 在當(dāng)今科技時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng)，NAND 閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來(lái)，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來(lái)了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC 閃存的原理、優(yōu)勢(shì)以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。
2023-08-01 11:15:471559 
nvSRAM使用傳統(tǒng)的捕獲電荷技術(shù)進(jìn)行非易失性存儲(chǔ)。由于溫度和過(guò)多的寫入周期會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)損耗，因此數(shù)據(jù)可能會(huì)泄漏。
2023-07-25 15:36:04244 TBW是衡量閃存存儲(chǔ)器壽命和耐用性的重要指標(biāo)。但由于寫入放大的影響，實(shí)際TBW值可能會(huì)偏離理論值。本文將介紹TBW的概念以及寫入放大系數(shù)，并探討如何降低寫入放大對(duì)存儲(chǔ)器的影響。
2023-07-25 14:38:09404 
TBW（Total Bytes Written）是衡量閃存存儲(chǔ)器壽命和耐用性的重要指標(biāo)。但由于寫入放大的影響，實(shí)際TBW值可能會(huì)偏離理論值。本文將介紹TBW的概念以及寫入放大系數(shù)，并探討如何降低寫入放大對(duì)存儲(chǔ)器的影響。
2023-07-25 14:34:02880 
盡管NAND市況持續(xù)低迷，但供應(yīng)鏈傳出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)繼第2季率先調(diào)漲報(bào)價(jià)后，近期再度提升報(bào)價(jià)約5%，坐擁中國(guó)龐大內(nèi)需消費(fèi)市場(chǎng)，享盡主場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。
2023-07-18 17:59:21797 Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無(wú)限的耐用性。對(duì)于需要使用最少數(shù)量的引腳來(lái)快速存儲(chǔ)、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言，是最為理想的存儲(chǔ)器。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器?？商娲鶩lash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262 petaexpress云存儲(chǔ)服務(wù)是一種海量、安全、低成本、高可靠的云存儲(chǔ)服務(wù)，是一種通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)在遠(yuǎn)程服務(wù)器上保存數(shù)據(jù)、訪問(wèn)和管理數(shù)據(jù)存儲(chǔ)服務(wù)。 云存儲(chǔ)服務(wù)的優(yōu)勢(shì) 1、總體成本：使用云存儲(chǔ)，不需要購(gòu)買
2023-07-07 16:48:24398 易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時(shí)將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 平臺(tái)即服務(wù)（Platform as a Service，PaaS）是一種云計(jì)算服務(wù)模型，為開發(fā)人員提供了一個(gè)完整的應(yīng)用開發(fā)和部署平臺(tái)。PaaS模型具有許多優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景。以下將詳細(xì)介紹PaaS模型的優(yōu)勢(shì)以及它在不同領(lǐng)域的具體應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-06-25 15:32:30499 MRAM在數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中，數(shù)據(jù)記錄是如下持續(xù)、反復(fù)地將重要數(shù)據(jù)保存于設(shè)備的過(guò)程?？梢杂涗浵到y(tǒng)內(nèi)外部發(fā)生的事件；使用歷史；環(huán)境參數(shù) ；機(jī)器狀態(tài)；用于分析目的的其他數(shù)據(jù)。因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù)，內(nèi)存需要快速的寫入速度與高耐久性。
2023-06-20 17:06:22219 RAID控制卡的日志存儲(chǔ)器存放重要數(shù)據(jù)，如日志和數(shù)據(jù)寫入完成、奇偶校驗(yàn)寫入、錯(cuò)誤日志等。在斷電的情況下，控制器查詢?nèi)罩緝?nèi)存，以了解從哪里開始恢復(fù)。
2023-06-12 17:11:11323 Everspin型號(hào)MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲(chǔ)芯片，組織為16位的65536個(gè)字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時(shí)序，續(xù)航時(shí)間無(wú)限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時(shí)間內(nèi)始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 為了進(jìn)行性能比較，使用了三種不同的存儲(chǔ)芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR閃存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND閃存。
2023-05-31 17:14:24788 
的新一代S32區(qū)域處理器和通用汽車MCU首批樣品 ? ? ? 了解詳情 ? ? 全球領(lǐng)先汽車處理企業(yè)恩智浦半導(dǎo)體宣布與臺(tái)積電合作交付行業(yè)首創(chuàng)的采用16納米FinFET技術(shù)的汽車嵌入式MRAM（磁隨機(jī)存儲(chǔ)器）。在向軟件定義汽車（SDV）的過(guò)渡中，汽車廠商需要在單個(gè)硬件平臺(tái)上支持多代軟件
2023-05-26 20:15:02396 Android中根據(jù)數(shù)據(jù)是否為應(yīng)用私有、是否需要給外部應(yīng)用暴露以及數(shù)據(jù)的大小可以有以下幾種選擇：
* Shared Preferences
* 內(nèi)部存儲(chǔ)
* 外部存儲(chǔ)
* 本地?cái)?shù)據(jù)庫(kù)存儲(chǔ)
* 通過(guò)網(wǎng)絡(luò)在服務(wù)器端數(shù)據(jù)庫(kù)存儲(chǔ)
2023-05-26 11:30:29951 
伴隨存儲(chǔ)芯片價(jià)格筑底，關(guān)于半導(dǎo)體周期拐點(diǎn)將臨近的討論越來(lái)越熱。
2023-05-24 09:23:56111 MRAM是一種新型的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，與傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器技術(shù)相比，MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長(zhǎng)的壽命。
2023-05-23 17:34:15395 其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無(wú)限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。
2023-05-12 16:31:39268 RISC-V定制的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)之一是能夠根據(jù)特定的應(yīng)用需求創(chuàng)建定制指令?？梢允褂枚ㄖ浦噶顏?lái)加速關(guān)鍵操作，減少內(nèi)存訪問(wèn)，并提高能源效率。例如創(chuàng)建一個(gè)定制指令來(lái)執(zhí)行一個(gè)特定的人工智能算法，減少執(zhí)行操作所需的時(shí)鐘周期數(shù)。
2023-05-06 10:53:26901 
S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲(chǔ)芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)性能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)系統(tǒng)?？梢匀〈哂邢嗤δ芎头且资缘拈W存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允許帶寬擴(kuò)展選項(xiàng)。
2023-04-27 17:33:44420 關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器傳輸方式以及存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式，本章將講解DMA外設(shè)到存儲(chǔ)器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè)，通過(guò)串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)會(huì)被返回給開發(fā)板并通過(guò)串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。前面已講解過(guò)關(guān)于存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸方式，本章將講解存儲(chǔ)器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會(huì)講解外設(shè)到存儲(chǔ)器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)
2023-04-19 17:45:462544 我想將 iMX RT1024 連接到 MR5A16A MRAM MR5A16A MRAM 數(shù)據(jù)表聲明它與 SRAM 接口兼容但是，通過(guò)比較 MR5A16A 數(shù)據(jù)表和 iMX RT1024 參考手冊(cè)
2023-04-17 07:52:33
我們聊了關(guān)于UPS的概念和分類，以及在線式UPS的三個(gè)工作模式。第三代寬禁帶半導(dǎo)體WBG的誕生和發(fā)展，讓很多使用Si基半導(dǎo)體器件的行業(yè)得到提升，今天我們就簡(jiǎn)單地聊聊SiC在UPS中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。
2023-04-14 14:35:10788 
云存儲(chǔ)的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì) 目前云存儲(chǔ)的主要分為公有云、私有云和混合云。 公有云通常指第三方提供商為用戶提供的能夠使用的云，公有云一般可通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)使用。這種云有許多實(shí)例，比如百度云盤、360
2023-04-13 13:54:18606 固態(tài)驅(qū)動(dòng)器（SSD）是一個(gè)長(zhǎng)得太大的USB記憶棒，存儲(chǔ)過(guò)程以電子方式進(jìn)行。與磁盤驅(qū)動(dòng)器相比，使用半導(dǎo)體芯片的優(yōu)勢(shì)在于它們沒(méi)有高度敏感的設(shè)備，因此不易發(fā)生故障。這意味著SSD存儲(chǔ)設(shè)備對(duì)外部物理
2023-04-11 17:39:59377 STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執(zhí)行）功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制。SPl（串行外圍接口）是一個(gè)帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號(hào)的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758 自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過(guò)了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見(jiàn)表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引腳BGA封裝。MR3A16ACMA35的優(yōu)點(diǎn)與富士通FRAM相比，升級(jí)到Everspin MRAM具有許多優(yōu)勢(shì)：?更快的隨機(jī)訪問(wèn)操作時(shí)間?高可靠性和數(shù)
2023-04-07 16:26:28
在CH573存儲(chǔ)中，分為用戶應(yīng)用程序存儲(chǔ)區(qū)CodeFlash，用戶非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)DataFlash,系統(tǒng)引導(dǎo)程序存儲(chǔ)區(qū)Bootloader，系統(tǒng)非易失配置信息存儲(chǔ)區(qū)InfoFlash。一般在使用時(shí)
2023-04-07 11:46:50
IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN
2023-04-06 16:00:29
SHARCVW/5MRAM;AUDIODECODERS
2023-04-06 11:21:52
MRAM磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器 2.7V~3.6V 256Mb
2023-04-06 11:14:58
MRAM磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器 UDFN8_2X3MM_EP VCC=1.8V~5.5V
2023-04-06 11:13:38
IC MRAM 1MBIT 35NS 32SOIC
2023-04-04 20:35:38
IC MRAM 256KBIT 35NS 32SOIC
2023-04-04 20:35:38
云存儲(chǔ)監(jiān)控工具正在成為電子監(jiān)控生態(tài)系統(tǒng)的支柱。云存儲(chǔ)監(jiān)控解決方案提供完全私有的云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和備份選項(xiàng)，并具有強(qiáng)大的安全措施。下面，我們來(lái)討論一下云存儲(chǔ)監(jiān)控解決方案的8大優(yōu)勢(shì)。
2023-03-29 16:37:291725 在PLC(可編程邏輯控制器)產(chǎn)品中，MRAM芯片的應(yīng)用也日漸普及，本文將介紹MRAM芯片應(yīng)用于PLC產(chǎn)品上的特性。--代理商：吉芯澤科技
2023-03-29 16:31:221169 
所謂高端存儲(chǔ)，指的是可以對(duì)世界上最重要的數(shù)據(jù)提供不間斷訪問(wèn)能力的存儲(chǔ)陣列，高端存儲(chǔ)必須為關(guān)鍵業(yè)務(wù)工作負(fù)載提供一致的高性能和持續(xù)的可用性。
2023-03-29 11:32:121029 MRAM磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器 4.5V~5.5V 140mA TQFP52_10X10MM
2023-03-27 13:44:37
。 ? 公司董事長(zhǎng)蔡華波先生受邀發(fā)表了題為《構(gòu)建存儲(chǔ)新維度》的演講， 分享江波龍從存儲(chǔ)模組廠向綜合存儲(chǔ)服務(wù)商的發(fā)展歷程，以及在存儲(chǔ)新維度螺旋式成長(zhǎng)的“基因”和“奧秘”。 ? ? CFMS2023峰會(huì)上，蔡華波先生表示江波龍成立之初以貿(mào)易商的角色進(jìn)入存儲(chǔ)市場(chǎng)，在隨后
2023-03-23 18:15:24656 
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