發(fā)展到以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代以及以氧化鎵、氮化鋁為代表的第四代半導(dǎo)體。目前以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體器件正發(fā)展得如火如荼，在商業(yè)化道路上高歌猛進(jìn)。 ? 與此同時(shí)，第四代半導(dǎo)體材料的研究也頻頻取得
2023-04-02 01:53:36
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高通技術(shù)公司宣布震撼發(fā)布第三代驍龍?8s移動(dòng)平臺(tái)，為高端Android智能手機(jī)市場(chǎng)注入新的活力。這款旗艦級(jí)平臺(tái)不僅繼承了驍龍8系平臺(tái)一貫的卓越品質(zhì)，更將諸多廣受好評(píng)的特性進(jìn)行了全面升級(jí)，為用戶帶來前所未有的頂級(jí)移動(dòng)體驗(yàn)。
2024-03-19 10:50:03126 第三代驍龍8s移動(dòng)平臺(tái)通過特選的旗艦功能，帶來出色的終端側(cè)生成式AI特性以及影像和游戲體驗(yàn)。
2024-03-18 16:00:38211 深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司，技術(shù)骨干來自清華大學(xué)和韓國延世大學(xué)，掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件國際領(lǐng)先的工藝，和第五代超快恢復(fù)功率二極管技術(shù)。薩科微slkor（www.slkormicro.com
2024-03-15 11:22:07
將大幅調(diào)整，將有一連串人事新布局，兩位資深副總米玉杰、侯永清將增加不同領(lǐng)域歷練，第三代接班梯隊(duì)正式成軍。 魏哲家未來接任董事長兼總裁，成為繼創(chuàng)辦人張忠謀后，臺(tái)積電擁有參與公司決策方針和統(tǒng)帥三軍大權(quán)的第二人。 據(jù)調(diào)查，臺(tái)積電首波
2024-03-04 08:56:47294 2月27日，第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在寶安區(qū)啟用，由深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“重投天科”）建設(shè)運(yùn)營，預(yù)計(jì)今年襯底和外延產(chǎn)能達(dá)25萬片
2024-02-29 14:09:14234 總計(jì)投資32.7億元人民幣的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地是中共廣東省委和深圳市委重點(diǎn)關(guān)注的項(xiàng)目之一，同時(shí)也是深圳全球招商大會(huì)的重點(diǎn)簽約項(xiàng)目。
2024-02-28 16:33:34336 Intel Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）Intel?Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）針對(duì)云、企業(yè)、HPC、網(wǎng)絡(luò)、安全和IoT工作負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化，具有8到40個(gè)強(qiáng)大的內(nèi)核和頻率范圍、功能和功率級(jí)別
2024-02-27 11:58:54
Intel Xeon?金牌處理器（第三代）Intel? Xeon?金牌處理器（第三代）支持高內(nèi)存速度和增加內(nèi)存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進(jìn)的安全技術(shù)以及內(nèi)置工作負(fù)載加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon?鉑金處理器（第三代）Intel? Xeon?鉑金處理器（第三代）是安全、敏捷、數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)。這些處理器具有內(nèi)置AI加速、先進(jìn)的安全技術(shù)和出色的多插槽處理性能，設(shè)計(jì)用于任務(wù)關(guān)鍵
2024-02-27 11:57:15
在清潔能源、電動(dòng)汽車的發(fā)展趨勢(shì)下，近年來第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵受到了史無前例的關(guān)注，市場(chǎng)以及資本都在半導(dǎo)體行業(yè)整體下行的階段加大投資力度，擴(kuò)張規(guī)模不斷擴(kuò)大。在過去的2023年，全球第三代半導(dǎo)體
2024-02-18 00:03:002542 服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認(rèn)證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn)廣電計(jì)量在SiC第三代半導(dǎo)體器件的AEC-Q認(rèn)證上具有豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認(rèn)證服務(wù)，同時(shí)，我們也開展了間歇工作壽命（IOL）、HAST
2024-01-29 21:35:04
碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。
2024-01-24 16:42:04843 
第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表。第三代半導(dǎo)體材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、硒化鋅（ZnSe）等，因其禁帶寬度較大，又被 稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。
2024-01-23 10:06:04258 
據(jù)云塔科技消息，1月15日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點(diǎn)專項(xiàng)“基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)芯片研究”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)暨實(shí)施方案論證會(huì)在云塔科技（安努奇）舉行。
2024-01-23 09:56:16448 第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越，應(yīng)用場(chǎng)景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ)，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場(chǎng)景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。相較
2024-01-16 10:48:49314 
。 ? 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅、氮化鎵等為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。某機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2022年，國內(nèi)有超26家碳化硅企業(yè)拿到融資。而根據(jù)電子發(fā)燒友的不完全統(tǒng)計(jì)，今年光上半年就有32家碳化硅企業(yè)拿到融資。2023全年第三代半導(dǎo)體行業(yè)融資超
2024-01-09 09:14:331408 
第三代半導(dǎo)體以此特有的性能優(yōu)勢(shì)，在半導(dǎo)體照明、新能源汽車、新一代移動(dòng)通信、新能源并網(wǎng)、高速軌道交通等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。2020年9月，第三代半導(dǎo)體被寫入“十四五”規(guī)劃，在技術(shù)、市場(chǎng)與政策的三力驅(qū)動(dòng)下，近年來國內(nèi)涌現(xiàn)出多家第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域龍頭公司。
2024-01-04 16:13:36430 近日，華大半導(dǎo)體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)，其生產(chǎn)的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)”。這一榮譽(yù)充分體現(xiàn)了中電化合物在第三代半導(dǎo)體外延領(lǐng)域的卓越實(shí)力和領(lǐng)先地位。
2024-01-04 15:02:23523 石金科技近日宣布將募集3.5億元資金，用于多個(gè)關(guān)鍵項(xiàng)目的發(fā)展。這些項(xiàng)目涵蓋了補(bǔ)充公司流動(dòng)資金、建設(shè)石金（西安）研發(fā)中心及生產(chǎn)基地、光伏關(guān)鍵輔材集成服務(wù)生產(chǎn)以及第三代半導(dǎo)體熱場(chǎng)及材料的生產(chǎn)。
2024-01-03 16:09:22456 近期，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)知名媒體與產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)“行家說三代半”主辦的“2023年行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮在深圳正式拉開帷幕，數(shù)家SiC&GaN企業(yè)代表參加，共同見證第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)采。
2023-12-27 10:47:55225 
芯聯(lián)集成已全力挺進(jìn)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)，自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術(shù)的研究開發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)。短短兩年間，芯聯(lián)集成便已成功實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新的三次重大飛躍，器件性能與國際頂級(jí)企業(yè)齊肩，并且已穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)6英寸5000片/月碳化硅MOSFET芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。
2023-12-26 10:02:38247 點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ ?泰克科技? ?“2023 行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮于12月14日在深圳隆重舉行，數(shù)百家SiCGaN企業(yè)代表出席了本次活動(dòng)，共同見證了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)采。 業(yè)內(nèi)
2023-12-21 17:40:02266 
半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體也因而誕生。
2023-12-21 15:12:20820 
12月14日，第三代半導(dǎo)體行家極光獎(jiǎng)在深圳重磅揭曉，派恩杰半導(dǎo)體榮膺“中國SiC器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)。
2023-12-15 10:57:45466 2023年11月29日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)和“第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)”成功召開，是德科技參加第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)，并重磅展出第三代半導(dǎo)體動(dòng)靜態(tài)測(cè)試方案
2023-12-13 16:15:03240 
自然界的萬物都有各自獨(dú)特的特性，我們?nèi)祟惸茏龅囊仓皇翘剿鬟@些物體的特性，并利用它為自己服務(wù)。在我們電子領(lǐng)域，根據(jù)物體的導(dǎo)電特性，通?？梢苑譃椋?b class="flag-6" style="color: red">導(dǎo)體，絕緣體，以及處于導(dǎo)體和絕緣體之間的半導(dǎo)體。我們今天
2023-12-06 10:12:34599 
盡管有這些優(yōu)點(diǎn)，但是砷化鎵材料仍不能取代硅材料進(jìn)而變成主流的半導(dǎo)體材料。原因在于我們必須要在實(shí)際的材料性能和加工難度這兩個(gè)關(guān)鍵因素之間進(jìn)行權(quán)衡。
2023-11-27 10:09:10247 
快科技11月21日消息,今天星紀(jì)魅族集團(tuán)董事長兼CEO沈子瑜發(fā)文正式宣布,魅族21將首批搭載行業(yè)最強(qiáng)的第三代驍龍8。 新機(jī)發(fā)布會(huì)此前已經(jīng)官宣,將會(huì)在11月30日揭曉。 值得注意的是,這次魅族表示將會(huì)
2023-11-21 11:48:12453 鍺和硅是兩種基本的半導(dǎo)體。世界上第一個(gè)晶體管是由鍺材料制成的，作為固態(tài)電路時(shí)代的最初的一個(gè)標(biāo)志。
2023-11-20 10:10:51311 
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，是第三代半導(dǎo)體核心材料。
2023-11-14 09:04:13491 本征態(tài)的半導(dǎo)體材料在制作固態(tài)器件時(shí)是無用的，因?yàn)樗鼪]有自由移動(dòng)的電子或者空穴，所以不能導(dǎo)電。
2023-11-13 09:38:21278 
—AMD加強(qiáng)廣受好評(píng)的第三代EPYC CPU產(chǎn)品組合，為支持主要業(yè)務(wù)基礎(chǔ)設(shè)施的服務(wù)器提供性能和能效— —包括Cisco、Dell Technologies、Gigabyte、HPE、Lenovo
2023-11-11 10:37:54934 半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件與集成電路的基礎(chǔ)電子材料。隨著技術(shù)的發(fā)展以及市場(chǎng)要求的不斷提高，對(duì)于半導(dǎo)體材料的要求也越來越高。因此對(duì)于半導(dǎo)體材料的測(cè)試要求和準(zhǔn)確性也隨之提高，防止由于其缺陷和特性而影響半導(dǎo)體器件的性能。
2023-11-10 16:02:30690 2023年10月25日 - 2023全國第三代半導(dǎo)體大會(huì)今日在深圳寶安格蘭云天國際酒店四樓會(huì)議廳隆重開幕。本屆大會(huì)由今日半導(dǎo)體主辦，吸引了來自全國各地的400多家企業(yè)參與，共同探討第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)和應(yīng)用前景。
2023-11-06 09:45:31234 點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導(dǎo)體材料也稱為第三代
2023-11-03 12:10:02273 
氮化鎵（GaN）被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽(yù)半導(dǎo)體帶大家來簡單了解一下，這個(gè)材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12663 
半導(dǎo)體材料具有一些與我們已知的導(dǎo)體、絕緣體完全不同的電學(xué)、化學(xué)和物理特性，正是由于這些特點(diǎn)，使得半導(dǎo)體器件和電路具有獨(dú)特的功能。在接下來的半導(dǎo)體材料的特性這一期中，我們將對(duì)這些性質(zhì)進(jìn)行深入的探討，并將它們與原子的基礎(chǔ)、固體的電分類以及什么是本征和摻雜半導(dǎo)體等一系列關(guān)鍵性的問題共同做一個(gè)介紹。
2023-11-03 10:24:30427 
要點(diǎn) — ?? 第三代驍龍8是高通技術(shù)公司首個(gè)專為生成式AI而精心打造的移動(dòng)平臺(tái)。 ?? 該平臺(tái)將帶來行業(yè)領(lǐng)先的AI、卓越影像特性、主機(jī)級(jí)游戲體驗(yàn)以及專業(yè)品質(zhì)音頻，再結(jié)合全球最快的連接，賦能消費(fèi)者
2023-10-25 10:30:02262 
SiC 襯底是由 SiC 單晶材料制造 而成的晶圓片。襯底可以直接進(jìn)入 晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也 可以經(jīng)過外延加工，即在襯底上生 長一層新的單晶，形成外延片。
2023-10-18 15:35:39
4 近年來，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)熱點(diǎn)之一。
2023-10-16 14:45:06694 按照代際來進(jìn)行劃分，半導(dǎo)體材料的發(fā)展經(jīng)歷了第一代、第二代和第三代。第一代半導(dǎo)體材料主要指硅（Si）、鍺元素（Ge）半導(dǎo)體材料；第二代半導(dǎo)體材料主要是指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）；
2023-10-11 17:08:332322 
隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子領(lǐng)域正在發(fā)生著深刻的變化。在這個(gè)變化中，第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）技術(shù)成為了焦點(diǎn)，其對(duì)于充電器的性能和效率都帶來了革命性的影響。
在傳統(tǒng)的硅基材料中，電力電子器件
2023-10-11 16:30:48250 第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢(shì)，這些優(yōu)勢(shì)源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
2023-10-10 16:34:28295 
半導(dǎo)體材料已逐漸成為閃亮的新星。但第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用還不夠廣泛，除了成本因素外，磁性材料頻率還難以跟上第三代半導(dǎo)體材料的步伐，這些因素都構(gòu)成掣肘第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展的重要原因。 在第三代半導(dǎo)體材料對(duì)電感變壓器提出
2023-10-10 10:28:14295 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
西安電子科技大學(xué)表示，該項(xiàng)目竣工后，將具備6至8英寸氮化鎵晶片生長、工程準(zhǔn)備、密封測(cè)試等整個(gè)工程的研發(fā)和技術(shù)服務(wù)能力。接著革新中心是第三代半導(dǎo)體技術(shù)公共服務(wù)平臺(tái)和產(chǎn)業(yè)，圍繞國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重大戰(zhàn)略需求為中心，5g通信、新能源汽車等領(lǐng)域的、芯片和微系統(tǒng)模塊的開展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)。
2023-09-25 11:20:56840 行業(yè)協(xié)會(huì)指導(dǎo)，深圳市人民政府聯(lián)合中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)、“核高基”國家科技重大專項(xiàng)總體專家組主辦。繼21日上午的高峰論壇成功舉辦后，汽車芯片與第三代半導(dǎo)體應(yīng)用論壇作為本屆峰會(huì)亮點(diǎn)正式開啟。 ? 當(dāng)前，隨著汽車四化時(shí)代來臨，汽車產(chǎn)業(yè)迎來更大風(fēng)口，
2023-09-25 09:09:35521 
隨著全球進(jìn)入物聯(lián)網(wǎng)、5G、綠色能源和電動(dòng)汽車時(shí)代，能夠充分展現(xiàn)高電壓、高溫和高頻能力、滿足當(dāng)前主流應(yīng)用需求的寬禁帶半導(dǎo)體高能量轉(zhuǎn)換效率半導(dǎo)體材料開始成為市場(chǎng)寵兒，開啟了第三代半導(dǎo)體的新紀(jì)元。
2023-09-22 15:40:41476 
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢(shì)引領(lǐng)功率器件新變革。
2023-09-19 15:55:20893 
? 新能源汽車和光伏、儲(chǔ)能設(shè)施在全球加速普及，為第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機(jī)。 長電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿，多年來面向第三代半導(dǎo)體功率器件
2023-09-19 10:20:38379 9月15日，東科半導(dǎo)體（安徽）股份有限公司與北京大學(xué)共同組建的第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心正式揭牌成立。由北京大學(xué)科學(xué)研究部謝冰部長及馬鞍山市委書記袁方共同為北大-東科聯(lián)合研發(fā)中心揭牌。圖左為袁方書
2023-09-19 10:07:33452 
已廣泛應(yīng)用于PD快充、電動(dòng)汽車、光伏儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心以及充電樁等領(lǐng)域的第三代半導(dǎo)材料，近年來越來越受到半導(dǎo)體各行業(yè)的關(guān)注。目前，領(lǐng)先器件供應(yīng)商在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域做了什么?有什么技術(shù)難點(diǎn)?如何平衡性
2023-09-18 16:48:02365 新能源汽車和光伏,儲(chǔ)能設(shè)施在全球加速普及,為第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機(jī)。長電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿,多年來面向第三代半導(dǎo)體功率器件開發(fā)
2023-09-18 16:11:25261 材料領(lǐng)域中，第一代、第二代、
第三代沒有“一代更比一代好”的說法。氮化鎵、碳化硅等
材料在國外一般稱為寬禁帶
半導(dǎo)體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶
材料制成氮化物
半導(dǎo)體，或?qū)⒌?、砷化鎵、磷化銦制?/div>
2023-09-12 16:19:271932 
意法半導(dǎo)體的第三代BlueNRG2.4 GHz Radio IP符合藍(lán)牙SIG核心規(guī)范5.2版本要求，兼具出色的射頻性能和極長的電池壽命。BlueNRG-LP SoC適用于點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)連接和藍(lán)牙SIG
2023-09-08 06:57:13
。面對(duì)新材料、新器件和新特性在設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和使用中的全新挑戰(zhàn)， 泰克結(jié)合多年在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的豐富經(jīng)驗(yàn)和領(lǐng)先的功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)為客戶提供支持服務(wù) ，同時(shí)在北京成立第三代半導(dǎo)體測(cè)試實(shí)驗(yàn)室，幫助行業(yè)內(nèi)客戶、合作
2023-09-04 12:20:01234 據(jù)錫山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)消息，芯動(dòng)第三代半導(dǎo)體模塊將在測(cè)試項(xiàng)目主體上蓋屋頂，10月土木工程竣工，12月底投產(chǎn)。凱威特斯半導(dǎo)體設(shè)備配件再制造事業(yè)已經(jīng)完成了第一次竣工和第二次主體屋頂工程，計(jì)劃于今年12月竣工，2024年3月批量生產(chǎn)。
2023-08-31 09:25:07447 據(jù)融合資產(chǎn)消息，此次融資后融合資產(chǎn)將在芯片生產(chǎn)線、家具用、工商能源儲(chǔ)存、充電包、新能源汽車等多個(gè)領(lǐng)域展開合作，幫助建設(shè)第三代半導(dǎo)體智能電力模塊生產(chǎn)線。
2023-08-30 09:24:55228 半導(dǎo)體的特性有哪些？半導(dǎo)體的特性不包括哪些？ 半導(dǎo)體是一種在電學(xué)和物理學(xué)上介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。它的導(dǎo)電性能受到多種因素的影響，包括施加的電場(chǎng)、溫度和材料內(nèi)部的雜質(zhì)等因素。半導(dǎo)體具有多種獨(dú)特
2023-08-29 16:28:581808 半導(dǎo)體具有哪三種特性 半導(dǎo)體是一種特殊的材料，具有以下三種特性： 1. 靜電導(dǎo)體特性 半導(dǎo)體的靜電導(dǎo)體特性是指，當(dāng)足夠的電壓施加在半導(dǎo)體材料上時(shí)，該材料會(huì)導(dǎo)電，并且導(dǎo)電性會(huì)隨電壓的增加而增加
2023-08-27 16:00:295076 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性有哪三種? 半導(dǎo)體是一種介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料，具有特殊的導(dǎo)電特性。在半導(dǎo)體中，電子在晶體中的運(yùn)動(dòng)方式和原子結(jié)構(gòu)的特性都對(duì)其導(dǎo)電特性產(chǎn)生影響。在本文中，我們將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體的導(dǎo)電
2023-08-27 15:48:592993 隨著科技的不斷進(jìn)步，新的半導(dǎo)體材料正在為整個(gè)電子行業(yè)帶來深刻的變革。在這場(chǎng)技術(shù)革命的前沿，第三代半導(dǎo)體材料嶄露頭角。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體在高溫、高壓、高頻等應(yīng)用環(huán)境中展現(xiàn)出了更為出色的性能。從材料分類的角度來看，第三代半導(dǎo)體材料主要可以分為以下四類。
2023-08-21 09:33:071580 
第三代半導(dǎo)體材料擁有硅材料無法比擬的材料性能優(yōu)勢(shì)，從決定器件性能的禁帶寬度、熱導(dǎo)率、擊穿電場(chǎng)等特性來看，第三代半導(dǎo)體均比硅材料優(yōu)秀，因此，第3代半導(dǎo)體的引入可以很好地解決現(xiàn)如今硅材料的不足，改善器件的散熱、導(dǎo)通損耗、高溫、高頻等特性，被譽(yù)為光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)新的發(fā)動(dòng)機(jī)。
2023-08-18 09:37:14428 第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
2023-08-11 10:17:54915 
近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技
2023-08-04 11:28:56920 
如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導(dǎo)體因其高頻性能效好主要是用于射頻領(lǐng)域，碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導(dǎo)體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。
2023-07-25 10:52:23405 來源：內(nèi)容轉(zhuǎn)自公眾號(hào)21tech（News-21），作者：李強(qiáng)。于代輝英飛凌科技高級(jí)副總裁英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部大中華區(qū)負(fù)責(zé)人減碳趨勢(shì)下的節(jié)能、高效需求同樣給第三代半導(dǎo)體的登場(chǎng)搭好了舞臺(tái)。過去
2023-07-06 10:07:54367 
半導(dǎo)體是當(dāng)今世界的基石，幾乎每一項(xiàng)科技創(chuàng)新都離不開半導(dǎo)體的貢獻(xiàn)。過去幾十年，硅一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主流材料。然而，隨著科技的發(fā)展和應(yīng)用需求的增加，硅材料在一些方面已經(jīng)無法滿足需求，這促使第三代半導(dǎo)體
2023-07-05 10:26:131322 
據(jù)藍(lán)色空港消息，先進(jìn)半導(dǎo)體制造項(xiàng)目主要從事第三代半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造、功率器件clip先進(jìn)工程包裝、電力驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品應(yīng)用方案的開發(fā)和銷售。該項(xiàng)目總投資8億元，分三期建設(shè)，一期投資2億元，計(jì)劃建設(shè)6條clip先進(jìn)包裝生產(chǎn)線。
2023-06-27 10:31:18602 據(jù)公告，此次建設(shè)的第三代半導(dǎo)體輸出配件生產(chǎn)項(xiàng)目位于湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)，總投資額約為60億元，包括36億元股權(quán)融資和24億元銀行貸款。構(gòu)筑第3代半導(dǎo)體外延、晶片制造、組裝測(cè)試等生產(chǎn)線的該事業(yè)，將具備能夠生產(chǎn)6英寸硅晶片及外延36萬個(gè)、輸出配件模塊6100萬個(gè)的能力。
2023-06-27 09:54:38539 因具備高頻、高效、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)越性能特點(diǎn)，氮化鎵是時(shí)下最熱門的第三代半導(dǎo)體材料之一；因可幫助芯片成品增加集成度、減小體積并降低功耗的特性，SIP（System in Package
2023-06-26 09:52:52362 近年來，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和計(jì)算機(jī)應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大，半導(dǎo)體技術(shù)變得愈加重要。在半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展歷程中，第三代半導(dǎo)體技術(shù)的出現(xiàn)為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展帶來了新的變革。
2023-06-20 16:55:22611 
國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（以下簡稱“國創(chuàng)中心”）獲批建設(shè)兩年以來，瞄準(zhǔn)國家和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng)新需求，以關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)為核心使命，進(jìn)一步推動(dòng)我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，形成立足長三角、輻射全國的技術(shù)融合點(diǎn)和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的輻射源。
2023-06-19 14:55:451660 隨著全球宏觀環(huán)境的逐步恢復(fù)，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于2023年邁向新的發(fā)展高峰，值此之際，TrendForce集邦咨詢于6月15日在在深圳舉辦了“2023第三代半導(dǎo)體前沿趨勢(shì)研討會(huì)”，匯聚
2023-06-16 15:37:32964 當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體中的碳化硅功率器件，在導(dǎo)通電阻、阻斷電壓和結(jié)電容方面，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率器件。因此，碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)。面對(duì)當(dāng)前行業(yè)發(fā)展新趨勢(shì)，威邁斯等新能源汽車
2023-06-15 14:22:38357 
日前，2023中關(guān)村論壇“北京（國際）第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇”上，科技部黨組成員、副部長相里斌表示，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體具有優(yōu)異的性能，在信息通信、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車等領(lǐng)域有巨大的市場(chǎng)。
2023-06-15 11:14:08313 為期四天的2023廣州國際照明展覽會(huì)（簡稱：光亞展）在火熱的氣氛中圓滿落幕。此次展會(huì)，國星光電設(shè)置了高品質(zhì)白光LED及第三代半導(dǎo)體兩大展區(qū)，鮮明的主題，引來了行業(yè)的高度關(guān)注。 其中，在第三代半導(dǎo)體
2023-06-14 10:02:14437 
元旭半導(dǎo)體天津生產(chǎn)基地有新的第三代半導(dǎo)體光電芯片研發(fā)中心和裝備了生產(chǎn)線晶片材料、芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、芯片包裝以及測(cè)試等多個(gè)重要產(chǎn)業(yè)鏈鏈接積聚著，新一代Micro-LED半導(dǎo)體集成顯示器垂直整合制造重點(diǎn)開展的。
2023-06-09 11:29:15903 第三代半導(dǎo)體設(shè)備 第三代半導(dǎo)體設(shè)備主要為SiC、GaN材料生長、外延所需的特種設(shè)備，如SiC PVT單晶生長爐、CVD外延設(shè)備以及GaN HVPE單晶生長爐、MOCVD外延設(shè)備等。
2023-06-03 09:57:01787 
2022年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)連續(xù)高增長，進(jìn)入調(diào)整周期。與此形成對(duì)比，在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等需求帶動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展，全球化供應(yīng)鏈體系正在形成，競(jìng)爭(zhēng)格局逐步確立，產(chǎn)業(yè)步入快速
2023-05-30 14:15:56534 
前言 ??????? 2022年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)終結(jié)連續(xù)高增長，進(jìn)入調(diào)整周期。與此形成對(duì)比，在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等需求帶動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展，全球化供應(yīng)鏈體系正在形成，競(jìng)爭(zhēng)格局逐步
2023-05-30 09:40:59568 
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AIN）、氧化鋅（ZnO）和金剛石等，其中
2023-05-18 10:57:361018 第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體？半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:461674 
第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442620 
半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2023-05-05 17:46:226172 
郝躍院士長期從事新型寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、微納米半導(dǎo)體器件與高可靠集成電路等方面的科學(xué)研究與人才培養(yǎng)。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導(dǎo)體功能材料和微波器件、半導(dǎo)體短波長光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機(jī)理研究等方面取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。
2023-04-26 10:21:32718 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
2023-04-04 14:46:2912684 1200V高速開關(guān)系列第三代
2023-03-28 14:59:26
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）最近國內(nèi)關(guān)于第四代半導(dǎo)體的消息很多，特別是在材料制備方面似乎有不少新突破。我們熟知的碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體，而第四代半導(dǎo)體的其中一個(gè)重要特征
2023-03-27 01:49:002940 
，芯片支撐系統(tǒng)”模式布局第三代半導(dǎo)體 SiC 功率模塊以及系統(tǒng)應(yīng)用，基于STPAK 封裝的SiC 模塊取得了非常不錯(cuò)的市場(chǎng)成績。而且中科意創(chuàng)成功研發(fā)了國內(nèi)首臺(tái)ASIL-D最高功能安全等級(jí)的SiC電機(jī)控制器，并獲得了國內(nèi)首張ASIL-D產(chǎn)品認(rèn)證證書。 對(duì)
2023-03-24 18:24:394106 氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料，在電力電子器件、大功率射頻器件、短波長光電器件以及5G通訊等領(lǐng)域具有硅半導(dǎo)體無法比擬的優(yōu)勢(shì)。然而，散熱問題是制約其發(fā)展和應(yīng)用的瓶頸。通常氮化鎵需要氮化鋁（AlN）作為過渡層連接到具有高導(dǎo)熱系數(shù)的襯底上。
2023-03-24 10:37:04570 已全部加載完成
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