臺(tái)積電在昨日的技術(shù)論壇上表示，公司4納米提前一季在今年第3季試產(chǎn)，3納米也可望如期于明年下半年量產(chǎn)之際，公司也持續(xù)布局更先進(jìn)制程，以及特殊制程開(kāi)發(fā)，包括納米層片裝置、創(chuàng)新材料布局等，要持續(xù)拉開(kāi)與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距。

臺(tái)積電業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)副總張曉強(qiáng)昨日說(shuō)明先進(jìn)制程突破進(jìn)展，張曉強(qiáng)目前負(fù)責(zé)臺(tái)積電業(yè)務(wù)策略，包括技術(shù)藍(lán)圖、客戶溝通與互動(dòng)等。他提到，臺(tái)積電在3納米之后更先進(jìn)的技術(shù)上取得突破，如納米層片裝置開(kāi)發(fā)，以短通道控制，在低電壓下仍能提供良好效能，期望將納米層片的效能提高超過(guò)10%以上。同時(shí)，臺(tái)積電創(chuàng)造一種將金屬與2D材料結(jié)合的新方法，改善接觸阻力和為縮小元件尺寸的最小接觸長(zhǎng)度，低溫傳輸過(guò)程，以及原子級(jí)薄膜面間和通道材料，為未來(lái)的2D電子產(chǎn)品鋪路。

此外，在1D碳納米管電晶體方面也取得進(jìn)步，在制作高品質(zhì)、超薄介電系統(tǒng)方面有突破性進(jìn)展。

臺(tái)積電在論壇上釋出逾十項(xiàng)先進(jìn)制程進(jìn)展，包括支持下一世代5G手機(jī)與WiFi 6／6e效能的6納米無(wú)線射頻（RF）制程、支援最先進(jìn)汽車應(yīng)用5納米N5A制程、4納米米提前試產(chǎn)、3納米硅智財(cái)就緒可開(kāi)始設(shè)計(jì)流程，以及3D先進(jìn)封裝整合平臺(tái)更新，總計(jì)有逾50家臺(tái)積電大聯(lián)盟伙伴線上參展，逾5,000位客戶與技術(shù)伙伴注冊(cè)參與。

魏哲家提到，臺(tái)積電5納米領(lǐng)先量產(chǎn)以來(lái)，應(yīng)用涵蓋智能手機(jī)、高速運(yùn)算、物聯(lián)網(wǎng)，累計(jì)出貨量已超過(guò)50萬(wàn)片，最新推出N5A制程因應(yīng)汽車應(yīng)用需求，支援人工智能的駕駛輔助及數(shù)位車輛座艙。臺(tái)積電2020年領(lǐng)先業(yè)界量產(chǎn)5納米技術(shù)，其良率提升的速度較前一世代的7納米技術(shù)更快。

臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)組織資深副總經(jīng)理秦永沛今昨日表示，2023年5納米產(chǎn)能與2020年相較，將大增逾4倍；而為提高3納米與2納米開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)效率，原先計(jì)劃的研發(fā)中心將改為晶圓十二廠第八期、第九期，其中第八期將于今年完成，也計(jì)劃建造2納米制程晶圓廠，正進(jìn)行土地取得程序。

秦永沛指出，臺(tái)積電承諾持續(xù)投入產(chǎn)能，以支援全球客戶需求，迅速提升7 納米、7 納米強(qiáng)化版與6 納米產(chǎn)能，今年7 納米系列產(chǎn)能與2018 年相比，將會(huì)大幅成長(zhǎng)超過(guò)4 倍，而2023 年5 納米產(chǎn)能與2020 年相較，同樣將大幅成長(zhǎng)逾4 倍；2018 年至2021 年，先進(jìn)制程技術(shù)產(chǎn)能增加3 成以上。秦永沛表示，5 納米制程D0 值(平均缺陷密度) 比7 納米同期的表現(xiàn)還好，已低于0.1，廣泛采用EUV 是其中一項(xiàng)重要因素，而4納米初期D0 值表現(xiàn)也相當(dāng)不錯(cuò)，預(yù)期2022 年會(huì)跟5 納米一樣好。

秦永沛指出，去年臺(tái)積電裝設(shè)的EUV 機(jī)臺(tái)設(shè)備，約占全球EUV 技術(shù)產(chǎn)能的一半，占全球累計(jì)晶圓數(shù)量的65%，且今年臺(tái)積電的EUV 光罩護(hù)膜產(chǎn)能將是2019 年的20倍，以滿足大量量產(chǎn)需求。

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