FS61C24MR電壓檢測(cè)器芯片IC是泛海微公司推出的一款高性能產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。這款芯片采用SOT-23封裝，具有CMOS N溝道特性，其閾值電壓為2.4V。接下來(lái)，我們將詳細(xì)介紹
2024-03-19 10:25:10
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FS61C25MR電壓檢測(cè)器芯片IC是泛海微公司生產(chǎn)的一款高性能、高精度的電壓檢測(cè)器。該芯片采用CMOS工藝，具有N溝道特性，適用于各種需要電壓檢測(cè)的電子設(shè)備。其封裝形式為SOT-23，具有小巧的體積和優(yōu)異的電氣性能，方便在實(shí)際電路中使用。
2024-03-17 22:51:3137 
芯片生產(chǎn)中應(yīng)用MR-MUF（批量回流模制底部填充）技術(shù)的傳言并不屬實(shí)。 ? 三星在HBM生產(chǎn)中目前主要采用非導(dǎo)電薄膜（NCF）技術(shù)，而非SK海力士使用的批量回流模制底部填充（MR-MUF）封裝工藝。報(bào)道稱之所以要采用MR-MUF是為了解決NCF工藝的一些生產(chǎn)問(wèn)題。
2024-03-14 00:17:002498 
FS61C27MR電壓檢測(cè)器芯片IC是泛海微公司推出的一款高性能、高可靠性的產(chǎn)品。這款芯片采用SOT-23封裝形式，具有CMOS N溝道特性，其額定電壓檢測(cè)閾值為2.7V。憑借其出色的性能
2024-03-13 18:30:20
FS61C25MR電壓檢測(cè)器芯片IC是泛海微公司生產(chǎn)的一款高性能、高精度的電壓檢測(cè)器。該芯片采用CMOS工藝，具有N溝道特性，適用于各種需要電壓檢測(cè)的電子設(shè)備。其封裝形式為SOT-23，具有小巧
2024-03-13 18:28:01
詳細(xì)介紹FS61C24MR電壓檢測(cè)器芯片IC的特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及使用注意事項(xiàng)。一、特點(diǎn)1. 精確電壓檢測(cè)：FS61C24MR電壓檢測(cè)器芯片IC具有精確的
2024-03-13 18:24:44
1：DK5V150R25SL是一款簡(jiǎn)單高效率的同步整流芯片，只有A，K兩個(gè)功能引腳，分別對(duì)應(yīng)肖特基二極管PN管腳。芯片內(nèi)部集成了150V功率NMOS管，可以大幅降低二極管導(dǎo)通損耗，提高整機(jī)效率，取代
2024-03-13 17:30:25
0 在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中，精準(zhǔn)定位技術(shù)起著至關(guān)重要的作用。ARCA阿卡定位器827A.E2-A0H-M10-G，作為一款高性能的定位器產(chǎn)品，以其卓越的精準(zhǔn)度和穩(wěn)定性，贏得了廣泛的市場(chǎng)認(rèn)可。本文將詳細(xì)介紹這款
2024-03-06 14:11:49
芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號(hào)列表，其中Macronix旺宏電子的256Mb位串行NOR閃存MX25L25673GM已經(jīng)被昂科的通用燒錄平臺(tái)AP8000所支持。
2024-03-01 19:19:3060 
CLF3H0060-10 寬帶射頻功率 GaN HEMTCLF3H0060-10 和 CLF3H0060S-10 是 10 W 通用、無(wú)與倫比的寬帶 GaN-SiC HEMT
2024-02-29 20:35:47
CLF3H0060S-10 寬帶射頻功率 GaN HEMTCLF3H0060-10 和 CLF3H0060S-10 是 10 W 通用、無(wú)與倫比的寬帶 GaN-SiC HEMT 晶體管，可在 DC
2024-02-29 20:35:06
OVP過(guò)壓保護(hù)IC：為了保護(hù)后級(jí)電路，平芯微早早推出了系列OVP過(guò)壓保護(hù)芯片產(chǎn)品，很多客戶對(duì)于OVP過(guò)壓保護(hù)芯片的功能和使用仍然存在一些誤解。這次我們平芯微就針對(duì)OVP過(guò)壓保護(hù)芯片功能使用做詳細(xì)的描述和介紹。
2024-02-22 18:18:311585 
MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層，和一個(gè)通過(guò)隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時(shí)，MTJ的隧道結(jié)便會(huì)顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會(huì)有高電阻。
2024-02-19 11:32:41367 
臺(tái)積電近日宣布，與工研院合作開(kāi)發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）陣列芯片，該芯片具有極低的功耗，僅為其他類似技術(shù)的1%。這一創(chuàng)新技術(shù)為次世代存儲(chǔ)器領(lǐng)域帶來(lái)了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 據(jù)報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電在次世代MRAM存儲(chǔ)器相關(guān)技術(shù)方面取得了重大進(jìn)展。該公司成功開(kāi)發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創(chuàng)新的運(yùn)算架構(gòu)，使其功耗僅為其他類似技術(shù)的1%。
2024-01-19 14:35:126646 臺(tái)積電在MRAM技術(shù)方面已經(jīng)取得了顯著進(jìn)展，成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線，并積累了大量?jī)?nèi)存和車(chē)用市場(chǎng)訂單。
2024-01-18 16:44:044838 MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層，和一個(gè)通過(guò)隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時(shí)，MTJ的隧道結(jié)便會(huì)顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會(huì)有高電阻。
2024-01-09 11:15:26200 
高通宣布推出全新的Snapdragon XR2+ Gen 2芯片，這款芯片專為混合現(xiàn)實(shí)（MR）頭戴設(shè)備設(shè)計(jì)。高通表示，三星和谷歌已經(jīng)計(jì)劃采用這款新芯片。
2024-01-05 15:15:32224 最近，Imec公布的超大規(guī)模自旋軌道轉(zhuǎn)移MRAM (SOT-MRAM) 器件已實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的性能，每比特開(kāi)關(guān)能量低于100飛焦耳，耐用性超過(guò)10的15次方。
2024-01-05 11:47:18430 
ad7656串行輸出代碼是一段常見(jiàn)的嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)代碼，用于控制外部設(shè)備進(jìn)行串行通信。本文將詳細(xì)介紹該代碼的功能、結(jié)構(gòu)、使用方法以及注意事項(xiàng)。 首先，了解ad7656是什么。 AD7656是一款16
2023-12-28 10:38:58199 記者了解到，國(guó)內(nèi)已有多家公司早早布局了MR產(chǎn)品，更有科創(chuàng)板公司明確表示已進(jìn)入蘋(píng)果MR產(chǎn)業(yè)鏈。
2023-12-21 14:21:57181 并行總線和串行總線的區(qū)別? 并行總線和串行總線是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中常見(jiàn)的兩種數(shù)據(jù)傳輸方式，它們有著不同的工作原理和應(yīng)用場(chǎng)景。在這篇文章中，我將詳細(xì)介紹并行總線和串行總線的區(qū)別，并探討它們各自的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)
2023-12-07 16:45:271505 PY25Q32HB是一種串行接口閃存設(shè)備，設(shè)計(jì)用于各種大容量的基于消費(fèi)者的應(yīng)用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進(jìn)行執(zhí)行。
2023-11-28 17:43:07435 
目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對(duì)MRAM的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。
2023-11-22 14:43:53213 
本文介紹用BurnTool給星閃芯片BS25燒寫(xiě)程序。
2023-11-22 09:49:37999 
MAX22216/17四路智能串行電磁閥驅(qū)動(dòng)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片帶有先進(jìn)診斷功能，文章介紹驅(qū)動(dòng)繼電器，液壓系統(tǒng)，電磁閥，接觸器，有刷電機(jī)、比例閥、電磁剎車(chē)、智能鎖等優(yōu)勢(shì)介紹
2023-11-18 15:28:520 本文介紹用BurnTool給海思的星閃芯片BS25燒寫(xiě)程序。
2023-11-14 09:08:291749 
松下 MR240使用說(shuō)明書(shū)
2023-10-31 11:45:080 控制多片PLL芯片時(shí)，串行控制線是否可以復(fù)用？ 當(dāng)需要控制多片PLL芯片時(shí)，使用復(fù)雜電路來(lái)進(jìn)行控制并非理想方案，因?yàn)槭褂枚鄠€(gè)電路芯片會(huì)導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)變得復(fù)雜且難以處理。因此，確定一個(gè)適當(dāng)?shù)慕鉀Q方案
2023-10-30 10:16:42149 本文介紹如何選擇和編譯海思星閃BS25 SDK下的sle mouse工程。本文假設(shè)開(kāi)發(fā)環(huán)境已經(jīng)搭建完畢，具體搭建流程請(qǐng)參考《遙遙領(lǐng)先，華為海思星閃芯片BS25開(kāi)發(fā)環(huán)境搭建》。
2023-10-27 11:23:142831 
串行數(shù)據(jù)傳輸：因?yàn)樵?b class="flag-6" style="color: red">芯片內(nèi)部數(shù)據(jù)都是并行傳輸?shù)?，只是?b class="flag-6" style="color: red">芯片發(fā)送器一端轉(zhuǎn)換為串行形式
2023-10-08 16:15:264992 
TC37x芯片有3個(gè)STM模塊，每個(gè)STM模塊可以產(chǎn)生兩個(gè)SRx_INT中斷信號(hào)（通過(guò)STM模塊的Compare功能實(shí)現(xiàn)，下文介紹），Davinci OS中的硬件定時(shí)器就是使用STM模塊的SRx_INT中斷信號(hào)。
2023-09-26 09:12:26776 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述
2023-09-26 08:09:42
usb 轉(zhuǎn)25針并口的芯片電路有么
2023-09-25 06:04:58
AWorksLP對(duì)外設(shè)進(jìn)行了高度抽象化，為同一類外設(shè)提供了相同的接口，應(yīng)用程序可以輕松跨平臺(tái)。本文以MR6750平臺(tái)為例，介紹AWorksLP雙核調(diào)試的基本用法。簡(jiǎn)介MR6750雙核是集成了兩個(gè)
2023-09-23 08:26:48303 
MR6750系列核心板基于先楫半導(dǎo)體的HPM6750IVM2開(kāi)發(fā)，集成了兩個(gè)RISC-V處理器，主頻高，支持高速數(shù)據(jù)處理能力，具有豐富的通信接口，適合于工業(yè)控制、儀器儀表、電機(jī)控制等應(yīng)用場(chǎng)合。
2023-09-22 11:18:48367 AWorksLP對(duì)外設(shè)進(jìn)行了高度抽象化，為同一類外設(shè)提供了相同的接口，應(yīng)用程序可以輕松跨平臺(tái)。本文以MR6750平臺(tái)為例，介紹AWorksLP雙核燒錄的方法。簡(jiǎn)介MR6750雙核是集成了兩個(gè)
2023-09-21 08:26:59296 MR500E工業(yè)4G路由器采用超小體積設(shè)計(jì)，尺寸為長(zhǎng)88mm高25mm寬62mm，非常便于攜帶和安裝。此外，MR500E工業(yè)4G插卡路由器還具備1個(gè)WAN口和1個(gè)LAN口或2個(gè)LAN口，網(wǎng)速速率為
2023-09-20 14:42:39
外設(shè)接口(SPI)、雙/四I/O SPI：串行時(shí)鐘、芯片選擇、串行數(shù)據(jù)I/O0(DI)、I/O1(DO)、I/O2和I/03。
支持高達(dá)104 MHz的CW25Q64A單SPI時(shí)鐘頻率，以及使用快速
2023-09-15 08:11:20
標(biāo)準(zhǔn)的串行外設(shè)接口(SPI)、雙/四I/O SPI：串行時(shí)鐘、芯片選擇、串行數(shù)據(jù)I/O0(DI)、I/O1(DO)、I/O2和I/03。
支持高達(dá)104 MHz的CW25Q128A單SPI時(shí)鐘頻率
2023-09-15 06:00:05
意法半導(dǎo)體ST25TV芯片系列提供了NFC forum標(biāo)簽，使消費(fèi)者能夠體驗(yàn)數(shù)字化生活。嵌入式EEPROM存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)密度范圍從512位到64 Kb不等，可覆蓋各種應(yīng)用，包括品牌保護(hù)和門(mén)禁控制。
ST25TV系列提供最先進(jìn)的RF性能以及強(qiáng)大的保護(hù)功能，例如block lock機(jī)制與加密密碼。
2023-09-14 08:25:12
1 學(xué)習(xí)和掌握一種RTOS
? 2 FreeRTOS的原理
? 3 TraceAlyzer工具介紹
? 4 IAR EWARM集成開(kāi)發(fā)環(huán)境
? 5 基于NUCLEO-F401RE的OS實(shí)驗(yàn)
2023-09-11 08:26:47
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Brocade 32G ELWL(25km)SFP+產(chǎn)品介紹.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-01 15:44:160 介紹Fls模塊的功能之前，有必要先介紹下TC3xx芯片的DMU模塊。本文就來(lái)詳細(xì)介紹下TC37x芯片的DMU功能，希望能搞清楚以下問(wèn)題。
2023-08-31 14:10:47807 
作為一種磁性技術(shù)，MRAM本質(zhì)上是抗輻射的。這使得獨(dú)立版本在航空航天應(yīng)用中很受歡迎，而且這些應(yīng)用對(duì)價(jià)格的敏感度也較低。它相對(duì)較大，在內(nèi)存領(lǐng)域，尺寸意味著成本。
2023-08-30 15:28:50407 彈簧拉壓測(cè)試機(jī)的詳細(xì)介紹？|深圳磐石測(cè)控
2023-08-21 09:48:18570 
全志v853芯片詳細(xì)介紹 全志v853是由全志科技研發(fā)的一款高性能多媒體應(yīng)用處理芯片，采用了ARM Cortex-A53四核處理器架構(gòu)和Mali-T820MP3高性能GPU。該芯片面向高端多媒體
2023-08-16 11:15:341611 廣泛好評(píng)。本文將對(duì)全志h6系列芯片的性能進(jìn)行詳細(xì)介紹。 一、處理器性能 全志h6系列芯片采用四核Cortex-A53處理器，最高主頻1.8GHz，配合高效節(jié)能的7nm工藝技術(shù)，使其具備優(yōu)異的處理器性能和低功耗優(yōu)勢(shì)。在性能方面，全志h6系列芯片可以輕
2023-08-16 11:01:245599 QFP（Plastic Quad Flat Package）封裝的芯片引腳之間距離很小，管腳很細(xì)，一般大規(guī)?；虺笮图呻娐范疾捎眠@種封裝形式，其引腳數(shù)一般在100個(gè)以上。用這種形式封裝的芯片必須采用SMD（表面安裝設(shè)備技術(shù)）將芯片與主板焊接起來(lái)。
2023-08-14 11:19:35550 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ST25R3920B汽車(chē)NFC讀卡器介紹.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-01 14:41:172 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ST25R3916B/17B NFC讀卡器介紹.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-01 14:40:190 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MR4.11固件.zip》資料免費(fèi)下載
2023-07-29 09:32:340 RADIO ENERGIE法國(guó)雷恩編碼器RCM58PD-25C10-2H是一種高效能的無(wú)線能源傳輸工具，采用了先進(jìn)的無(wú)線技術(shù)，為用戶提供穩(wěn)定可靠的通信服務(wù)。它具有出色的性能和卓越的品質(zhì)，能夠滿足各種
2023-07-28 10:07:17
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MR16 EMC的參考設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 10:52:050 宇凡微2.4G射頻合封芯片是一種高性能、低成本的解決方案，專為無(wú)線通信領(lǐng)域而設(shè)計(jì)。該芯片采用先進(jìn)的2.4GHz射頻技術(shù)，內(nèi)置MCU、發(fā)射機(jī)、接收機(jī)、頻率綜合器和GFSK調(diào)制解調(diào)器等功能，具有高度集成的特點(diǎn)。以下是對(duì)宇凡微2.4G射頻合封芯片的詳細(xì)介紹。
2023-07-23 09:18:01412 隨著VR和AR技術(shù)的發(fā)展，有廠商開(kāi)始將兩者融合到一起，推出了MR頭顯設(shè)備。這些設(shè)備結(jié)合了虛擬現(xiàn)實(shí)和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)的功能，能夠提供更加豐富和交互性的體驗(yàn)。MR頭顯設(shè)備使用傳感器跟蹤用戶的頭部動(dòng)作，并通過(guò)顯示器將虛擬元素疊加到用戶的真實(shí)環(huán)境中。
2023-07-18 15:34:511699 EPC6450-AWI基于完全國(guó)產(chǎn)自主研發(fā)的MR6450核心板進(jìn)行開(kāi)發(fā)，接口豐富，性能強(qiáng)勁，本文將為您詳細(xì)介紹該工控單板。 EPC6450-AWI工控單板是基于MR6450核心板進(jìn)行開(kāi)發(fā)
2023-07-12 11:45:03241 
宇凡微2.4G射頻合封芯片是一款高性能的射頻集成電路，廣泛應(yīng)用于無(wú)線通信、遙控汽車(chē)、遙控玩具、遙控?zé)舻阮I(lǐng)域。該芯片具備高度集成、低功耗、高靈敏度和強(qiáng)抗干擾能力等特點(diǎn)，下面將為您詳細(xì)介紹宇凡微2.4G射頻芯片合封芯片的主要參數(shù)和技術(shù)數(shù)據(jù)。
2023-07-11 15:18:27449 本文介紹1G/10G/25G Switching以太網(wǎng)IP的手動(dòng)和自動(dòng)兩種切換速率的原理和方法
2023-07-10 16:29:09861 
Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無(wú)限的耐用性。對(duì)于需要使用最少數(shù)量的引腳來(lái)快速存儲(chǔ)、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言，是最為理想的存儲(chǔ)器。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器?？商娲鶩lash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262 設(shè)計(jì)的R1芯片。Apple Vision Pro售價(jià)3499美元起，換算成人民幣超過(guò)2.5萬(wàn)元。 蘋(píng)果公司計(jì)劃削減混合現(xiàn)實(shí)（MR）頭顯Vision Pro的生產(chǎn)目標(biāo)，原因是因?yàn)閂ision Pro設(shè)計(jì)的
2023-07-04 11:58:571938 新思科技一直致力于打造“人人都能懂”的行業(yè)科普視頻，傳播更多芯片相關(guān)小知識(shí)，解答各類科技小問(wèn)題。每周3分鐘，多一些“芯”知識(shí)。 這一期，我們聊一聊VR、AR與MR的那些事兒。 VR、AR、MR
2023-06-30 17:35:03966 
頭戴顯示器（Head-Mounted Display，HMD）：這是最常見(jiàn)和廣泛使用的MR設(shè)備之一。它類似于VR頭顯，但支持通過(guò)透明的鏡片將虛擬內(nèi)容疊加在真實(shí)世界中，同時(shí)保留對(duì)現(xiàn)實(shí)環(huán)境的感知。
2023-06-29 17:08:385002 有關(guān)串行通信的知識(shí)，介紹了串行通信調(diào)幅與調(diào)頻方式，串行數(shù)據(jù)在傳輸時(shí)，一般采用調(diào)幅（AM）和調(diào)頻（FM）兩種方式傳送數(shù)字信息，串行通信調(diào)頻方式用兩種不同的頻率分別表示二進(jìn)制中的邏輯1和邏輯0。
2023-06-29 16:53:20771 MRAM在數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中，數(shù)據(jù)記錄是如下持續(xù)、反復(fù)地將重要數(shù)據(jù)保存于設(shè)備的過(guò)程?？梢杂涗浵到y(tǒng)內(nèi)外部發(fā)生的事件；使用歷史；環(huán)境參數(shù) ；機(jī)器狀態(tài)；用于分析目的的其他數(shù)據(jù)。因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù)，內(nèi)存需要快速的寫(xiě)入速度與高耐久性。
2023-06-20 17:06:22219 本參考設(shè)計(jì)詳細(xì)介紹了采用MAX16820滯回型LED驅(qū)動(dòng)器構(gòu)成的4 LED?MR-16驅(qū)動(dòng)電路，另外還提供一路脈沖冷卻器的輔助電源(MAX5033).
2023-06-13 09:25:21536 
蘋(píng)果MR Vision Pro供應(yīng)鏈分析。在光學(xué)、顯示、交互和芯片方面采用的都是何種方案。
2023-06-08 10:17:09553 
Everspin型號(hào)MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲(chǔ)芯片，組織為16位的65536個(gè)字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫(xiě)時(shí)序，續(xù)航時(shí)間無(wú)限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時(shí)間內(nèi)始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 為了進(jìn)行性能比較，使用了三種不同的存儲(chǔ)芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR閃存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND閃存。
2023-05-31 17:14:24788 
合金箔貼片電阻詳細(xì)介紹
2023-05-31 10:04:59594 
5G單站驗(yàn)證詳細(xì)介紹
2023-05-22 12:38:38309 
串行通信指數(shù)據(jù)是一位一位按順序傳送的通信方式，相對(duì)于并行通信，其突出優(yōu)點(diǎn)是只需要一對(duì)傳輸線，缺點(diǎn)是傳輸速度較 低。串行通信的傳輸方向通常有三種，單工、半雙工和全雙工。單向顧名思義只允許數(shù)據(jù)向一個(gè)方向傳輸；半雙工允許兩個(gè)方向傳 輸，但在同一時(shí)刻只能往一個(gè)方向傳輸；全雙工則允許雙向同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)。
2023-05-18 11:33:370 AWorksLP對(duì)存儲(chǔ)類設(shè)備進(jìn)行了高度抽象化，為存儲(chǔ)類設(shè)備提供了通用的文件操作接口，應(yīng)用程序可以輕松跨平臺(tái)。本文以MR6450平臺(tái)為例，介紹AWorksLP基于FatFs的SD卡的基本用法。簡(jiǎn)介SD
2023-05-10 09:42:03322 908MR32我們已經(jīng)用了10多年了，現(xiàn)在很難買(mǎi)到，所以想用新的MCU來(lái)代替908MR32。有推薦的型號(hào)嗎？+5V 電源是首選。
2023-04-28 07:38:01
S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲(chǔ)芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)性能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)系統(tǒng)?？梢匀〈哂邢嗤δ芎头且资缘拈W存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允許帶寬擴(kuò)展選項(xiàng)。
2023-04-27 17:33:44420 ISL12022MR5421 數(shù)據(jù)表
2023-04-26 20:04:470 1 蘋(píng)果MR頭顯再爆猛料 據(jù)彭博社報(bào)道，蘋(píng)果正在加緊圍繞辦公、視頻、游戲三大領(lǐng)域，為其首款MR頭顯豐富內(nèi)容生態(tài)。不僅如此，蘋(píng)果將會(huì)兼容iPad上的AR內(nèi)容，用戶可以通過(guò)新的3D界面直接訪問(wèn)iPad
2023-04-20 10:33:08576 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462547 中的波形，我發(fā)現(xiàn) iMX RT1024 SRAM 操作存在一個(gè)問(wèn)題。
MR5A16A
MRAM 聲明地址線必須在
芯片啟用變低時(shí)有效iMX RT1024 參考手冊(cè)指出，
芯片啟用在地址有效之前變?yōu)榈碗娖?/div>
2023-04-17 07:52:33
先簡(jiǎn)單的介紹一下VR、AR、MR、CR的意思：
VR=Virtual Reality，即虛擬現(xiàn)實(shí)；
AR=Augmented Reality，即增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)；
MR=Mixed
2023-04-14 14:32:4034396 
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行閃速存儲(chǔ)器，可直接從雙/四SPI接口執(zhí)行代碼，存儲(chǔ)語(yǔ)音、文本和數(shù)據(jù)，提供的靈活性和性能遠(yuǎn)超普通串行閃速存儲(chǔ)器，非常適合于
2023-04-14 10:42:553818 
的變?nèi)荻O管。標(biāo)簽：含鉛。MGV075-10-H20 的更多詳細(xì)信息見(jiàn)下文。 產(chǎn)品規(guī)格產(chǎn)品詳情零件號(hào)MGV075-10-H20制造商馬康描述0.18
2023-04-10 15:41:42
的變?nèi)荻O管。標(biāo)簽：含鉛。MGV125-25-H20 的更多詳細(xì)信息見(jiàn)下文。 產(chǎn)品規(guī)格產(chǎn)品詳情零件號(hào)MGV125-25-H20制造商馬康描述0.18
2023-04-10 15:28:33
STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執(zhí)行）功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制。SPl（串行外圍接口）是一個(gè)帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號(hào)的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758 產(chǎn)品會(huì)取代獨(dú)立存儲(chǔ)器目前各廠商已經(jīng)基本掌握了用于實(shí)現(xiàn)第一階段應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。在車(chē)載MCU中,通常是將設(shè)備工作時(shí)使用的sram存儲(chǔ)器和用于存放程序的閃存集成在同一塊芯片上。如果能夠?qū)⒆孕⑷?b class="flag-6" style="color: red">MRAM集成到
2023-04-07 16:41:05
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運(yùn)行，但還允許系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員利用MRAM的四倍隨機(jī)存取周期時(shí)間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN
2023-04-06 16:00:29
SHARCVW/5MRAM;AUDIODECODERS
2023-04-06 11:21:52
的變?nèi)荻O管。標(biāo)簽：含鉛。MGV100-25-H20 的更多詳細(xì)信息見(jiàn)下文。 產(chǎn)品規(guī)格產(chǎn)品詳情零件號(hào)MGV100-25-H20制造商馬康描述0.18
2023-03-31 15:20:22
ELXM201VSN471MR25S
2023-03-29 17:58:21
在PLC(可編程邏輯控制器)產(chǎn)品中，MRAM芯片的應(yīng)用也日漸普及，本文將介紹MRAM芯片應(yīng)用于PLC產(chǎn)品上的特性。--代理商：吉芯澤科技
2023-03-29 16:31:221169 
USB串行端口芯片
2023-03-28 15:05:25
USB串行端口芯片
2023-03-28 15:05:18
MR-PINS2-10
2023-03-28 13:52:16
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