SMT焊接溫度曲線智能仿真系統(tǒng)是一個全流程模擬PCB SMT焊接受熱過程的智能化仿真系統(tǒng)。系統(tǒng)通過虛擬化構(gòu)建數(shù)字化PCBA模型、回流爐模型，關(guān)聯(lián)錫膏、器件、產(chǎn)品的工藝要求，通過熱仿真軟件來實現(xiàn)焊點
2024-03-18 17:00:11
任務(wù)要求：
了解微電子封裝中的引線鍵合工藝，學(xué)習(xí)金絲引線鍵合原理，開發(fā)引線鍵合工藝仿真方法，通過數(shù)據(jù)統(tǒng)計分析和仿真結(jié)果，分析得出引線鍵合工序關(guān)鍵工藝參數(shù)和參數(shù)窗口，并給出工藝參數(shù)和鍵合質(zhì)量之間的關(guān)系
2024-03-10 14:14:51
隨著新能源發(fā)電及電動汽車等的快速發(fā)展，儲能的應(yīng)用也越來越廣泛。在進(jìn)行仿真建模時，如何搭建一個準(zhǔn)確的電池單體模型變得十分重要。
2024-01-22 09:37:48
1302 
DOH新工藝技術(shù)助力提升功率器件性能及使用壽命
2024-01-11 10:00:33120 
MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，是電路設(shè)計中常用的功率開關(guān)器件，為壓控器件；其特點是用柵極電壓來控制漏極電流，具備驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動功率小，開關(guān)速度快，工作頻率高、熱穩(wěn)定性高于GTR等優(yōu)點
2024-01-09 10:22:43112 
過去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型，它們主要適用于簡單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當(dāng)涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預(yù)測與為優(yōu)化器件所做的改變相關(guān)的現(xiàn)象?，F(xiàn)在，通過引入物理
2024-01-05 10:04:55316 
用multisim中的LTC1043模型進(jìn)行F/V轉(zhuǎn)換仿真沒有成功，是模型有問題嗎？
2024-01-05 07:01:34
得到略有不同的結(jié)果。 首先，不同的仿真軟件可能采用不同的模型和假設(shè)。在仿真建模過程中，軟件開發(fā)者可能對系統(tǒng)的特性和行為有不同的理解，因此在模型中可能存在一些差異。例如，在模擬交通系統(tǒng)時，一個軟件可能將車輛的速度和加
2023-12-28 15:37:58363 點擊藍(lán)字?關(guān)注我們 過去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型。這些模型使用的公式我們在學(xué)校都學(xué)過，它們主要適用于簡單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當(dāng)涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預(yù)測
2023-12-25 19:10:02451 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《潮濕、再流焊和工藝敏感器件的操作、包裝、運輸及使用.pdf》資料免費下載
2023-12-22 10:41:02
0 技術(shù)革新日新月異，大模型的興起更是顛覆了千行百業(yè)。自ChatGPT問世以來，大模型的應(yīng)用前景充滿了無限的機遇與挑戰(zhàn)。 12月16日，在2023開放原子開發(fā)者大會的“大模型應(yīng)用開發(fā)之道”分論壇
2023-12-21 19:35:01412 離子注入是一種重要的半導(dǎo)體工藝，用于在材料中引入離子，改變其物理和化學(xué)性質(zhì)。離子注入仿真是對離子的注入過程進(jìn)行建模和模擬，以幫助優(yōu)化工藝參數(shù)并預(yù)測材料性能的變化。以下將詳細(xì)介紹離子注入仿真的模型
2023-12-21 16:38:19256
通過網(wǎng)上的教程將AD8436的仿真模型添加到pspice中，已添加AD8436的lib。但是卻不能進(jìn)行仿真，請問怎么解決
2023-12-18 08:06:09
在做一個采集電路，選用了ad7606，官網(wǎng)上只有ibis模型，貌似只有spice模型才能被添加到multisim里去，怎樣才能在multisim里添加ad7606的元器件來仿真呢？
2023-12-13 06:23:18
隨著電路仿真技術(shù)在原型設(shè)計行業(yè)的不斷普及，仿真模型可能成為廣大終端市場客戶的一項關(guān)鍵需求。SPICE 和 IBIS 模型是非常受歡迎的兩種仿真模型，有助于在電路板開發(fā)的原型設(shè)計階段節(jié)省成本。本文
2023-12-08 18:20:02517 
工程師必看！MOSFET器件選型的3大法則
2023-12-06 15:58:49209 系統(tǒng)級仿真是產(chǎn)品開發(fā)的重要組成部分，這種仿真包括與設(shè)備模型相結(jié)合的電路組件。
2023-12-05 10:52:29407 
本推文包含兩個部分，一個是雪崩擊穿和碰撞電離的關(guān)系，一個是光電器件仿真簡介。旨在提倡用理論知識去指導(dǎo)仿真，和通過仿真結(jié)果反過來加深對理論理解的重要性。
2023-11-27 18:26:32699 
本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴散形成像硅和碳化硅的一些阱結(jié)構(gòu)，并且由于氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價帶無法有效進(jìn)行空穴傳導(dǎo)，因此難以制作P型半導(dǎo)體。學(xué)習(xí)氧化鎵仿真初期
2023-11-27 17:15:091025 
本推文簡述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關(guān)內(nèi)容。
2023-11-27 17:12:011013 
本推文簡述三極管即BJT器件，具體包括NPN和PNP的仿真相關(guān)內(nèi)容。
2023-11-27 17:09:06647 
能否利用器件的IBIS模型對器件的邏輯功能進(jìn)行仿真？如果不能，那么如何進(jìn)行電路的板級和系統(tǒng)級仿真？ 可以利用器件的IBIS模型對器件的邏輯功能進(jìn)行仿真。IBIS（Input/Output
2023-11-24 14:50:58288 有壓接器件的高速PCB，為何不建議做噴錫工藝？ 在高速PCB中使用壓接器件而不建議使用噴錫工藝的原因可以從以下幾個方面進(jìn)行詳細(xì)闡述： 一、信號完整性問題： 1. 壓接器件一般是通過金屬片的壓力來實現(xiàn)
2023-11-22 18:18:16517 現(xiàn)想用Cadence做PCB的的SI仿真，但是AD8139沒有IBIS仿真模型，只有SPICE模型，請問利用SPICE模型能不能進(jìn)行PCB的SI仿真？謝謝
2023-11-22 08:11:44
在Altium designer中想要仿真一個自舉電路，由AD549作為運放，可是庫中的元器件AD549卻沒有仿真模型，無法進(jìn)行仿真，有沒有AD549的仿真元器件庫？求解。
2023-11-22 06:15:21
最近需要用到AD539乘法器，由于Multisim里面沒有該仿真器件，在ADI官網(wǎng)上找AD539的spice模型也沒有找到，無法仿真。根據(jù)數(shù)據(jù)手冊上的電路圖在面包板上進(jìn)行測試，輸入1mv,1KHZ
2023-11-21 08:03:20
SCR在CMOS技術(shù)的ESD保護(hù)中發(fā)揮著越來越重要的作用。一個主要的挑戰(zhàn)是為這些器件在ESD應(yīng)力條件下開發(fā)有效的緊湊仿真模型。
2023-11-20 18:21:32548 
HI ，我問一下，ADIsimPE 如何導(dǎo)入 SPICE 模型，進(jìn)行設(shè)計仿真？
2023-11-17 14:36:55
我按照help文件說明，將AD8428的Spice模型導(dǎo)入到ADIsimPE。設(shè)計完成后，進(jìn)行增益測試和噪聲仿真，都出現(xiàn)的如下錯誤：
謝謝各位
以下內(nèi)容為評論
出現(xiàn)warning是因為電路中元器件太多了。只保留一個AD8428電路，試試。
2023-11-17 06:50:27
因為仿真環(huán)境是ADS，并且目前還是在初步的學(xué)習(xí)階段，所以并不清楚如何能通過官網(wǎng)提供的其他軟件的模型來生成ADS仿真模型，希望在論壇里獲得幫助。
2023-11-15 06:39:21
最近在使用ADI官方的Spice模型進(jìn)行仿真時，發(fā)現(xiàn)有一些元器件的官方Spice模型在LTSpice中導(dǎo)出仿真文件時，元件符號是一個矩形，引腳上也沒有對應(yīng)的引腳序號和名稱，如：“AD8638
2023-11-14 08:23:18
我先用的TINA下載的模型進(jìn)行仿真，發(fā)現(xiàn)不對。
不對的點在于8226單電源不能正常使用，但是8221可以，我覺得這是差不多的東西，而且應(yīng)用應(yīng)該也是OK的。
然后我用了LTSPICE，直接在LTSPICE里面調(diào)的器件，還是一樣
非常奇怪，我就想確認(rèn)一點，是仿真錯了還是這個器件就是不能單電源使用
2023-11-14 06:53:52
大功率電子器件應(yīng)用范圍十分廣泛，散熱會影響其可靠性，因此需要模擬元件在各種工作狀態(tài)下的隨時間變化的溫度曲線。本文將簡單介紹一種能夠?qū)崟r監(jiān)測并預(yù)測結(jié)溫的熱網(wǎng)絡(luò)模型。
2023-11-13 18:20:19506 
最近在看CN-0312電路筆記，想仿真看一下，有沒有AD8271的仿真模型?
2023-11-13 06:23:49
在工作中會遇到不少建立模型，建立頂層仿真并在后期進(jìn)行驗證的工作。應(yīng)版主把個人零星的一些感受總結(jié)一下。
2023-11-06 17:05:16241 
在研究MOSFET的實際工作原理前我們來考慮這種器件的一個簡化模型,以便對晶體管有一個感性認(rèn)識:我們預(yù)期它有什么樣的特性以及特性的哪些方面是重要的。
2023-10-21 11:35:221403 
、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應(yīng)器件，能夠像
2023-10-18 16:05:02328 提前確認(rèn)和驗證電路是否按設(shè)計預(yù)期工作。此前羅姆已經(jīng)陸續(xù)提供了雙極晶體管、二極管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和 IGBT*4等的LTspice模型。至此，羅姆已經(jīng)
2023-10-17 11:24:11257 智慧華盛恒輝仿真軟件的架構(gòu)可以根據(jù)不同的仿真應(yīng)用場景和需求而有所不同，但一般來說，以下是一些常見的仿真軟件架構(gòu)： 前向仿真架構(gòu)：前向仿真是一種基于模型的仿真方法，它通過建立系統(tǒng)模型來模擬系統(tǒng)行為
2023-10-16 17:02:22348 2023年10月11日-13日，在中國移動全球合作伙伴大會舉辦期間，中興通訊“星云研發(fā)大模型”亮相，旨在輔助開發(fā)人員進(jìn)行需求分析、產(chǎn)品設(shè)計、編程、測試、版本部署等，全流程助力研發(fā)提效。經(jīng)第三方
2023-10-12 19:35:03385 IBIS(Input/Output Buffer Information Specification)是一個用于仿真的描述性文件，它從元件的行為出發(fā)描述了器件輸入輸出端口的電氣特性，不會涉及具體電路結(jié)構(gòu)以及芯片的工藝參數(shù)等信息，半導(dǎo)體制造商很容易提供這種模型給客戶，而不暴露自己的知識產(chǎn)權(quán)。
2023-09-28 16:24:41818 
上海雷卯電子有Trench工藝和平面工藝MOSFET，為什么有時候推薦平面工藝MOSFET呢，有時候推薦用Trench工藝MOSFET, 上海雷卯EMC小哥簡單介紹如下。
2023-09-27 09:27:49934 
KINDERGARTEN上海雷卯電子有Trench工藝和平面工藝MOSFET，為什么有時候推薦平面工藝MOSFET呢，有時候推薦用Trench工藝MOSFET,上海雷卯EMC小哥簡單介紹如下。1.
2023-09-27 08:02:48856 
整合88個國外網(wǎng)站下載的電子元器件3D模型，省去逐一下載的麻煩。
2023-09-25 07:47:32
經(jīng)過了工程批工藝開發(fā)、工藝平臺逐步穩(wěn)定、小批量交付客戶、器件參數(shù)穩(wěn)定以及客戶模塊參數(shù)驗證和模塊產(chǎn)品可靠性驗證等一系列的驗證后，中科漢韻于今年開始批量交付車規(guī)級SiC MOSFET晶圓產(chǎn)品，良率達(dá)到70%以上。
2023-09-21 17:30:50315 
? ? ? 前言 隨著電子系統(tǒng)高速、高帶寬、大功耗、低壓大電流的發(fā)展，電子系統(tǒng)設(shè)計面臨更大挑戰(zhàn)。從元器件到電路模塊、系統(tǒng)都需要進(jìn)行建模仿真，優(yōu)化元器件電性能和可靠性，從而提升電子系統(tǒng)穩(wěn)定性。電容
2023-09-21 16:57:272506 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《助力軟件開發(fā)者—擴展FPGA應(yīng)用開發(fā).pdf》資料免費下載
2023-09-18 10:14:460 功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外，還有MOSFET、BIPOLAR等，這些都能用來作為半導(dǎo)體開關(guān)，今天單說IGBT的工藝流程。
2023-09-07 09:55:521084 
IBIS模型屬于一種行為模型，它不是從要仿真的元件的結(jié)構(gòu)出發(fā)進(jìn)行定義的，而是從元件的行為出發(fā)進(jìn)行定義的，描述了器件在特定負(fù)載、特定封裝下的輸入／輸出行為，而不是實際的電氣組成。IBIS模型主要用于板極的系統(tǒng)仿真，可以幫助設(shè)計者在存在高速設(shè)計規(guī)則約束的設(shè)計中獲取準(zhǔn)確的信息以進(jìn)行分析和計算。
2023-09-01 16:38:09325 
IBIS模型屬于一種行為模型，它不是從要仿真的元件的結(jié)構(gòu)出發(fā)進(jìn)行定義的，而是從元件的行為出發(fā)進(jìn)行定義的，描述了器件在特定負(fù)載、特定封裝下的輸入／輸出行為，而不是實際的電氣組成。
2023-08-29 14:29:27193 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講SMT無鉛工藝選擇元器件需考慮哪些因素?SMT無鉛工藝需要注意的問題。受環(huán)保因素的影響，目前SMT貼片加工基本上都是采用無鉛工藝，SMT無鉛工藝選擇元器件要注意
2023-08-28 10:11:05246 據(jù)介紹，瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動電壓(Vgs)為15-18V，可提升應(yīng)用兼容性，簡化應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計。在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET，但進(jìn)一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設(shè)計，使器件比導(dǎo)通電阻降低約25%，并顯著降低開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率。
2023-08-23 15:38:01703 （(HIL)測試設(shè)備和快速控制原型(RCP)系統(tǒng)開發(fā)領(lǐng)域，歷經(jīng)數(shù)年產(chǎn)品已完成多次升級，助力電力電子科研領(lǐng)域高速發(fā)展。Easygo實時仿真平臺產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于高端設(shè)備、新能源系統(tǒng)、電力機車、智能電網(wǎng)等各個領(lǐng)域
2023-08-16 17:29:37
通用流體仿真軟件VirtualFlow 提供了比較完整的多相流模型的框架，針對界面流、混合流與離散相流體等流動問題的特點提供了相應(yīng)的多相流動的模型。
2023-08-15 15:20:05826 
DSM是周期精確的仿真模型，您可以將其包含在一系列目標(biāo)HDL仿真器中。
每個DSM特定于一個主機平臺。
DSM與RTL模型的架構(gòu)和功能完全匹配。
DSM直接從RTL模型派生而來。
DSM可以與多種
2023-08-12 06:44:10
2023年8月1日，九峰山實驗室6寸碳化硅（SiC）中試線全面通線，首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線。實驗室已具備碳化硅外延、工藝流程、測試等全流程技術(shù)服務(wù)能力。
2023-08-11 17:00:54226 MBD（Model-Based Design，基于模型的設(shè)計）是通過模型生成代碼的，所有我們有必要弄清楚模型仿真與實際應(yīng)用之間的區(qū)別。
2023-07-14 16:15:42728 
在現(xiàn)今電力電子領(lǐng)域，高壓（HV）分立功率半導(dǎo)體器件變得越來越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產(chǎn)品系列以滿足發(fā)展中的需求。
2023-07-07 10:11:47483 
本文以鋰電池數(shù)學(xué)模型為基礎(chǔ)，在Matlab/Simulink的仿真系統(tǒng)中，建立了一種Thevenin/RC電池模塊仿真模型，通過實際工況試驗，測試精度在允許誤差范圍內(nèi)，為電池SOC/SOH研究提供了極大的參考價值。
2023-06-28 10:49:532928 
圖1中的仿真電路圖是升壓轉(zhuǎn)換器功率級的仿真電路圖，此處用于評估柵極電阻對功率級的影響。在此仿真中，我將瞬態(tài)電壓、電流和導(dǎo)通功率的大小視為潛在可靠性和EMI問題的指標(biāo);與組件選擇相關(guān)的問題;和布局寄生效應(yīng)。因此，應(yīng)該很好地理解MOSFET模型以及所有組件模型。
2023-06-28 10:29:27367 
通常情況下，在Simulink環(huán)境下搭建的電力電子控制系統(tǒng)的仿真模型，都是多速率的仿真模型。
2023-06-27 15:31:28659 
通常情況下，在Simulink環(huán)境下搭建的電力電子控制系統(tǒng)的仿真模型，都是多速率的仿真模型。
2023-06-21 16:00:22599 SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiCMOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點是工藝簡單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結(jié)構(gòu)的中間
2023-06-19 16:39:467 UltraEM可以使用Corner Sweep來仿真工藝變化對器件結(jié)構(gòu)造成的影響，具體包含三種仿真模式：MonteCarlo仿真、Perturbation仿真與Corner仿真。
2023-06-19 10:25:53386 
（VLSI）設(shè)備采用的設(shè)計方式有極大的不同，它仍然采用了與VLSI電路類似的半導(dǎo)體加工工藝。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)從70年代的初級場效應(yīng)晶體管發(fā)展而來。圖1描述了MOSFET的器件原理圖，傳輸特性和器件符號。雙極結(jié)型晶體管（BJT)自身的局限性驅(qū)動了功率
2023-06-17 14:24:52591 
本文詳細(xì)演繹了從Simulink創(chuàng)建模型，仿真驗證，之后再生成C源碼部署到plus-f5270開發(fā)板的全過程。其中描述的方法和操作步驟，為后續(xù)部署更多仿真模型奠定了基礎(chǔ)。
2023-06-16 10:52:551541 
李彥宏認(rèn)為，未來，所有的應(yīng)用都將基于大模型來開發(fā)，每一個行業(yè)都應(yīng)該有屬于自己的大模型。大模型會深度融合到實體經(jīng)濟當(dāng)中去，賦能千行百業(yè)，助力中國經(jīng)濟開創(chuàng)下一個黃金30年。
2023-06-02 15:34:56895 組件輸出仿真模型可以通過半物理模型或數(shù)學(xué)模型實現(xiàn)，根據(jù)應(yīng)用場景的不同可以選擇不同模型觀察和研究組件特性。
2023-06-01 16:18:502369 
據(jù)外媒報道，仿真軟件專家rFpro宣布與索尼半導(dǎo)體解決方案集團（Sony Semiconductor Solutions Corporation）合作開發(fā)集成到rFpro軟件中的高保真?zhèn)鞲衅?b class="flag-6" style="color: red">模型
2023-05-19 08:45:41387 煙臺數(shù)字孿生工廠3D交互模型，3d可視化建模，智慧城市園區(qū)三維仿真模型。可以幫助企業(yè)構(gòu)建基于真實工廠搭建的以實時數(shù)據(jù)驅(qū)動的虛擬工廠，實現(xiàn)虛擬工廠與真實工廠之間虛實映射、虛實同步、共生演進(jìn)、閉環(huán)優(yōu)化
2023-05-15 09:23:02407 
BSIM3模型的核心是它的I-V模型，即電流-電壓特性模型，它描述了MOSFET器件在不同的偏置條件下的電流響應(yīng)。
2023-05-10 11:22:181196 
實現(xiàn)了集成電路，MOSFET電路可以從大信號模型小信號模型兩種方式進(jìn)行分析。大信號模型是非線性的。它用于求解器件電流和電壓的de值。小信號模型可以在大信號模型線性化
2023-05-09 09:46:23674 proteus的電路仿真和虛擬模型仿真的區(qū)別是什么？
2023-04-23 16:41:22
MOSFET Spice 模型
2023-04-20 11:30:18
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)來取得能夠和SOT-523等大上許多
2023-04-04 16:10:39988 
介紹了SIC碳化硅材料的特性，包括材料結(jié)構(gòu)，晶體制備，晶體生長，器件制造工藝細(xì)節(jié)等等。。。歡迎大家一起學(xué)習(xí)
2023-03-31 15:01:4817 N32G430C8L7_STB開發(fā)板用于32位MCU N32G430C8L7的開發(fā)
2023-03-31 12:05:12
高性能32位N32G4FRM系列芯片的樣片開發(fā)，開發(fā)板主MCU芯片型號N32G4FRMEL7
2023-03-31 12:05:12
Candence中的Pspice仿真軟件功能非常強大，可以在我們的設(shè)計前期對我們的電路進(jìn)行一個詳細(xì)的仿真，并與我們實際的計算結(jié)果進(jìn)行對比，從而判斷我們設(shè)計的合理性。關(guān)于Pspice中自帶的仿真器件
2023-03-29 12:00:205091 
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