測(cè)量MOS管的電壓和電流波形，判斷電壓和電流是否超標(biāo)
2024-03-18 09:02:44
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MOS管的導(dǎo)通與截止由柵源電壓來控制，對(duì)于增強(qiáng)型MOS管來說，N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通，P溝道的管子則加反向電壓。
2024-03-14 15:47:38632 
MOS管瞬態(tài)熱阻測(cè)試（DVDS）失效品分析如何判斷是封裝原因還是芯片原因，有什么好的建議和思路
2024-03-12 11:46:57
什么是電源適配器的浪涌電流？浪涌電流對(duì)電源適配器有何影響？ 電源適配器的浪涌電流是指在電源啟動(dòng)或斷開時(shí)，由于電源電壓的突變引起的瞬態(tài)電流。這種瞬態(tài)電流瞬間達(dá)到峰值，然后逐漸衰減到穩(wěn)定狀態(tài)。 浪涌電流
2024-01-30 16:38:34347 層和導(dǎo)電溝道，溝道電阻由小變大，最后在驅(qū)動(dòng)電壓和漏源極電壓的作用下保持不變，漏極電流先增大后不變。
N溝道耗盡型MOS管，SIO2絕緣層摻入大量正離子，即使不加?xùn)旁?b class="flag-6" style="color: red">電壓，也會(huì)形成反型層和導(dǎo)電溝道
2024-01-30 11:51:42
先小后大，漏極電流先增大后不變。
N溝道耗盡型MOS管，SIO2絕緣層摻入大量正離子，即使不加?xùn)旁?b class="flag-6" style="color: red">電壓，也會(huì)形成反型層和導(dǎo)電溝道，在此基礎(chǔ)上加正向電壓溝道電阻變小，加反向電壓導(dǎo)電溝道變小，而且反向電壓
2024-01-30 11:38:27
，MOS管只允許電流從源極流向漏極，不允許反著流動(dòng)。 MOS管的工作原理是基于半導(dǎo)體材料中的PN結(jié)和電場(chǎng)效應(yīng)。其結(jié)構(gòu)由四部分組成：源極、漏極、柵極和絕緣層。當(dāng)柵極與源極之間的電壓為零時(shí)，絕緣層中的電場(chǎng)引起了半導(dǎo)體中的負(fù)載電荷聚集，形成一
2024-01-23 13:52:55545 MOS管在DCDC恒壓/恒流電路中扮演著重要的角色。DCDC恒壓電路用于將一個(gè)直流電源的電壓轉(zhuǎn)換為另一個(gè)恒定的電壓輸出。DCDC恒流電路則用于將一個(gè)直流電源的電流轉(zhuǎn)換為另一個(gè)恒定的電流輸出。
MOS
2024-01-20 15:30:35
電源適配器電流大可以使用嗎？ 電源適配器是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電供給電子設(shè)備使用的設(shè)備。在選擇電源適配器時(shí)，除了要關(guān)注適配器的輸出電壓和功率之外，電流也是一個(gè)重要的參數(shù)。 電源適配器的電流，通常以安培
2024-01-11 09:33:551076 MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）管是一種由金屬-氧化物-半導(dǎo)體構(gòu)成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它常用于集成電路中作為開關(guān)或放大器。MOS管通過外加的門電壓控制其通道中的電荷分布，從而
2024-01-10 15:36:23500 在適配器產(chǎn)品上的應(yīng)用，推薦瑞森半導(dǎo)體平面高壓MOS系列，對(duì)標(biāo)國(guó)內(nèi)四大MOS品牌系列產(chǎn)品，滿足不同功率適配器的應(yīng)用
2024-01-10 11:35:28201 
。 過壓和過流：MOS管的額定電壓和額定電流是有限的。當(dāng)電路中的電壓或電流超過MOS管的額定值時(shí)，可能會(huì)導(dǎo)致MOS管損壞。過壓可能導(dǎo)致MOS管擊穿，而過流可能導(dǎo)致MOS管過熱損壞
2023-12-28 16:09:38416 
MOS管在電路中如何控制電流大小？ MOS管是一種非常常見的電子器件，常用于各種電路中來控制電流的大小。 一、MOS管的基本原理和結(jié)構(gòu) MOS管全稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，它是由金屬（M）電極
2023-12-21 11:15:471500 NTC熱敏電阻的五種封裝形式? 熱敏電阻(NTC熱敏電阻)是一種電阻隨溫度變化而變化的電子元件，廣泛應(yīng)用于測(cè)溫、溫度控制等領(lǐng)域。不同的封裝形式適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景，本文將詳細(xì)介紹NTC熱敏電阻
2023-12-15 14:00:21901 SL9008是一款內(nèi)置MOS管、具有PWM調(diào)光功能的LED降壓恒流芯片，適用于3.6-60V的輸入電壓范圍。它采用了先進(jìn)的電路設(shè)計(jì)，確保了高效率和長(zhǎng)壽命，同時(shí)具有寬電壓輸入范圍和優(yōu)異的負(fù)載調(diào)整率
2023-12-11 15:52:12
如何處理MOS管小電流發(fā)熱？
2023-12-07 15:13:51226 
工作頻率8Khz，調(diào)節(jié)占空比控制mos管輸出電壓，R10位置接風(fēng)機(jī)
。RC運(yùn)放濾波得到電壓U1，之后運(yùn)放是如何反饋控制mos管調(diào)節(jié)U2？
2023-12-06 18:19:11
分析完閾值電壓的機(jī)制后，下面我們重點(diǎn)分析一下MOS器件的電壓、電流與閾值電壓之間的關(guān)系。
2023-11-29 14:42:33998 
MOS之所以能夠以電壓控制，并起到開關(guān)的作用，正是由于上述反型層的機(jī)制
2023-11-29 14:19:08783 
輸入電壓影響輸出電壓幾個(gè)指標(biāo)形式? 輸入電壓對(duì)輸出電壓的影響是電力系統(tǒng)中一個(gè)非常重要的問題。在電壓控制和穩(wěn)定方面，存在多個(gè)指標(biāo)來描述輸入電壓對(duì)輸出電壓的影響。本文將詳細(xì)介紹并分析這些指標(biāo)，包括負(fù)載
2023-11-28 17:29:51297 溝道。同時(shí)此時(shí)由于漏極加有正電壓，就可以形成漏極到源極的電流，MOS管導(dǎo)通。
我們也可以想像為兩個(gè)N型半導(dǎo)體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當(dāng)于為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定。這也
2023-11-28 15:53:49
?驅(qū)動(dòng)器、小型可穿戴設(shè)備和電池保護(hù)系統(tǒng)等應(yīng)用。 二、產(chǎn)品特性 合科泰生產(chǎn)的這款混合MOS管FL8205具有非常優(yōu)良的的產(chǎn)品特性，它采用N+N溝道，漏源電壓20V，柵源電壓±4.5V，連續(xù)漏極電流6A，漏源導(dǎo)通電阻0.025歐姆，最小柵極閥值電壓0.5V，最大柵級(jí)閥值電壓1V，耗散功率1500
2023-11-24 17:30:01233 
電源適配器輸出電流不一樣可以用嗎？電源適配器的電流過大有影響嗎？ 電源適配器輸出電流不一樣的情況下，是否可以使用取決于具體的情況。首先，確保適配器的輸出電壓與設(shè)備的輸入電壓匹配，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">電流過大或過小
2023-11-24 14:08:433569 寬范圍電壓輸入的電源適配器有哪些優(yōu)點(diǎn)？ 寬范圍電壓輸入的電源適配器是一種可以適用于不同國(guó)家和地區(qū)電源電壓標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備。相比傳統(tǒng)的電源適配器，它具有許多優(yōu)點(diǎn)。 第一部分：寬范圍電壓輸入的電源適配
2023-11-23 14:51:43511 請(qǐng)問：CMOS管的功耗與MOS管的導(dǎo)電溝道的關(guān)系？
2023-11-20 07:01:20
40V的SL3061，內(nèi)置MOS，電流能力2.5A，可以替代芯龍XL1509系列
隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子技術(shù)也在不斷發(fā)展。在電力電子領(lǐng)域中，功率MOS管是一種非常重要的元器件。它具有高頻率
2023-11-13 15:24:19
為什么在mos驅(qū)動(dòng)電路中穩(wěn)壓管與電機(jī)并聯(lián)的時(shí)候電壓突然減小
2023-11-08 07:36:38
為什么要將兩個(gè)mos管封裝到一個(gè)芯片內(nèi)，這樣做有什么好處？
2023-11-07 07:19:19
、 恒流(CC)環(huán)路、芯片溫度調(diào)節(jié)環(huán)路、可智能調(diào)節(jié)充電電流，防止拉垮適配器輸出，并匹配所有適配器的輸入 自適應(yīng)環(huán)路。
PL7501E 提供 ESOP8 L封裝形式， 工作溫度額定范圍為-40℃至 85
2023-11-06 14:42:35
。 PC5080適合 USB適配器或其它 5V適配器工作，極大降低了外部配件成本。當(dāng)輸入電壓（USB電源或 AC適配器）被拿掉時(shí)， PC5080自動(dòng)進(jìn)入低電流狀態(tài)，將電池的漏電流降至 1uA以內(nèi)。 PC5080
2023-10-26 15:48:06
一般說明
FP130A是一種寬共模范圍高側(cè)軌電流測(cè)量IC。它適用于電源系統(tǒng)，如電池充電器或開關(guān)電源的應(yīng)用。它包括一個(gè)差分輸入放大器和一個(gè)具有發(fā)射極輸出的NPN晶體管。有三個(gè)外部電阻，軌道電流信號(hào)可以
2023-10-19 14:20:22
2、試著將MOS管源極的電流采樣電阻調(diào)大一點(diǎn)，也會(huì)使得漏極開機(jī)瞬間尖峰稍微減小，但也會(huì)導(dǎo)致低壓無法啟動(dòng)。
請(qǐng)問是什么原因?qū)е?b class="flag-6" style="color: red">MOS管漏極開機(jī)瞬間電壓很大？如何解決？
2023-10-09 23:06:47
MOS管和三極管的區(qū)別，很多伙伴都知道，MOS管屬于電壓驅(qū)動(dòng)，三極管屬于電流驅(qū)動(dòng)。
2023-10-08 16:26:18553 
抗靜電為什么是三極管優(yōu)于MOS？那么三極管和MOS管抗靜電？接下來就跟著深圳比創(chuàng)達(dá)EMC小編一起來看下吧！
首先要了解電子元件的特性，三極管是電流驅(qū)動(dòng)元件，MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)元件，為什么說MOS管用
2023-09-25 10:56:07
ACDC電源模塊的原邊MOS管漏極尖峰電壓很高，在AC輸入270V下尖峰高達(dá)600多伏。
我調(diào)整了一下RCD電路，比如增大原來的470pf電容到1.88nf，繼續(xù)增大尖峰就不再下降了，電阻從150k
2023-09-22 11:20:23
MOS管中的橫向BJT的基極電壓是哪里來的？? MOS管中的橫向BJT是一種重要的結(jié)構(gòu)，它能夠起到放大信號(hào)的作用，也被廣泛應(yīng)用于邏輯電路中。對(duì)于MOS管中的橫向BJT來說，其基極電壓對(duì)于整個(gè)結(jié)構(gòu)
2023-09-18 18:20:42691 怎么選擇MOS管的尺寸大小和電壓？? MOS管是現(xiàn)代電子電路中應(yīng)用最廣泛的一種電子元件，其應(yīng)用范圍涉及到許多領(lǐng)域，比如說電源管理、信號(hào)處理、開關(guān)控制等等。而在選擇MOS管的時(shí)候，尺寸大小和電壓是我們
2023-09-17 16:44:492458 高亮度 LED 燈的驅(qū)動(dòng)電流，使 LED 燈亮度達(dá)到預(yù)期恒定亮度。在 EN端加 PWM 信號(hào)，還可以進(jìn)行 LED 燈調(diào)光。AP9180 采用 ESOP8 封裝。特點(diǎn)? 寬輸入電壓范圍：3.6V~60V
2023-09-14 09:41:18
在制作 MOS 管之后，需要給 MOS 管芯片加上一個(gè)外殼，這就是 MOS 管封裝。MOS 管封裝不僅起著支撐、保護(hù)和冷卻的作用，同時(shí)還可以為芯片提供電氣連接和隔離，從而將管器件與其他元件構(gòu)成完整的電路。為了更好地應(yīng)用 MOS 管，設(shè)計(jì)者們研發(fā)了許多不同類型的封裝，以適應(yīng)不同的電路板安裝和性能需求。
2023-09-11 11:46:15864 
mos管并聯(lián)后電流增加多少? 如何計(jì)算MOS管并聯(lián)后電流的增加？ 在電路中，MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）被廣泛應(yīng)用于各種各樣的電子設(shè)備中。當(dāng)多個(gè)MOSFET并聯(lián)時(shí)，總電流會(huì)增加，但是
2023-09-07 16:08:381314 mos管的箭頭表示什么？mos管電流方向與箭頭 MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是一種常用的半導(dǎo)體器件，它是在MOS結(jié)構(gòu)
2023-09-07 16:08:353471 mos管電流方向是單向? MOS管是一種具有廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體器件，它有很多特點(diǎn)，其中一項(xiàng)就是它的電流方向是單向的。在這篇文章中，我將詳細(xì)介紹什么是MOS管，為什么它的電流方向是單向的以及
2023-09-07 16:08:292047 MOS管的靜態(tài)電流增大對(duì)它的密勒電容有影響嗎？? MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種常見的晶體管，因其功耗低、高速
2023-09-05 17:29:34757 芯片封裝是指將裸露的集成電路芯片封裝在適當(dāng)?shù)耐鈿ぶ?，以便保護(hù)芯片并便于安裝和連接到電路板上。以下是一些常見的芯片封裝形式。
2023-09-05 16:27:342813 MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的驅(qū)動(dòng)電壓降低可能會(huì)受到以下因素的影響
2023-09-05 09:48:15618 。在MOS的工作過程中，電壓的作用是非常重要的。那么，MOS開啟電壓一般為多少呢？下面我們將詳細(xì)探討這個(gè)問題。 MOS開啟電壓是指在外部斷電下，當(dāng)某一電極加上一定的電壓后，MOS管的電流開始流動(dòng)的電壓值。MOS管的開啟電壓也被稱為控制電壓或閾
2023-09-02 11:14:045939 的電流。與其他晶體管類似，MOS管有三個(gè)工作狀態(tài)，即截止區(qū)、飽和區(qū)和線性區(qū)。下面將詳細(xì)介紹MOS管的這三個(gè)工作狀態(tài)。 一、截止區(qū)： 當(dāng)MOS管的柵極電壓小于閾值電壓時(shí)，MOS管處于截止?fàn)顟B(tài)。此時(shí)，MOS管中的p型襯底和n型漏極之間是沒有任何電流流動(dòng)的。因此，在這種狀態(tài)下，MOS管可以被視為一種電阻無窮大的開路電路
2023-08-25 15:11:319925 mos管短路保護(hù)電路的原理和應(yīng)用? MOS管，也叫金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，是一種常見的半導(dǎo)體器件，其主要作用是控制電路中的電流。但是，由于MOS管在使用過程中會(huì)遭受各種不同的電壓和電流沖擊，如果
2023-08-25 15:11:294903 在制作 MOS 管之后，需要給 MOS 管芯片加上一個(gè)外殼，這就是 MOS 管封裝。MOS 管封裝不僅起著支撐、保護(hù)和冷卻的作用，同時(shí)還可以為芯片提供電氣連接和隔離，從而將管器件與其他元件構(gòu)成完整的電路。為了更好地應(yīng)用 MOS 管，設(shè)計(jì)者們研發(fā)了許多不同類型的封裝，以適應(yīng)不同的電路板安裝和性能需求。
2023-08-22 09:12:35566 如圖，MOS管剛啟動(dòng)時(shí)波形會(huì)從5V降到3點(diǎn)多V，后面慢慢又會(huì)升回正常的5V，請(qǐng)問是什么原因?qū)е?b class="flag-6" style="color: red">電壓掉落的？我MOS管就驅(qū)動(dòng)一個(gè)電機(jī)。
2023-08-01 11:02:55
mos導(dǎo)通電壓不等于0，而是輸入電壓的二分之一，磁化電感電壓反而為0了，這是為啥？
2023-07-31 14:30:01
我是在原理圖那塊用probe測(cè)量mos管兩端電壓，但是這樣的話怎么讓Vds和Vgs放在一張圖里呢？請(qǐng)教各位大神，謝謝
2023-07-31 14:26:33
mos管的驅(qū)動(dòng)電流如何設(shè)計(jì)呢
如果已經(jīng)知道MOS的Qg
恒壓模式下如何設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)管的電流
恒流模式下設(shè)置多大電流呢
2023-06-27 22:12:29
先從理論上分析MOS管選型是否合理，從MOS管的規(guī)格書上獲取MOS管的參數(shù)，包括導(dǎo)通電阻、g、s極的導(dǎo)通電壓等。
在確保實(shí)際驅(qū)動(dòng)電壓大于導(dǎo)通電壓的前提下，如果負(fù)載電流為I，那么MOS
2023-06-26 17:26:231579 
在完成MOS管芯片在制作之后，需要給MOS管芯片加上一個(gè)外殼，這就是MOS管封裝。
2023-06-26 09:40:151856 
在常規(guī)使用中，似乎流經(jīng)NMOS和PMOS的電流只朝一個(gè)方向流動(dòng)，但實(shí)際情況是，MOS的電流流向和BJT不一樣，BJT的電流流向已經(jīng)固定，但是MOS并沒有。
2023-06-20 10:57:562717 
電路設(shè)計(jì)的問題是讓MOS管在線工作，而不是在開關(guān)狀態(tài)下工作。這也是MOS管加熱的原因之一。如果N-MOS做開關(guān)，G級(jí)電壓比電源高幾V，P-MOS就相反了。未完全打開，壓降過大，導(dǎo)致功耗大，等效DC阻抗大，壓降大，U*I大，損耗意味著加熱。這是設(shè)計(jì)電路中最禁忌的錯(cuò)誤。
2023-06-18 14:46:07552 mos管漏極電壓8V,柵極電壓9V，仍低于源極12V電壓，持續(xù)導(dǎo)通?，F(xiàn)電路板出現(xiàn)故障后，柵極電壓上升很快，達(dá)到11.7V，mos管截止，造成漏極無電壓輸出，達(dá)不到輸出供電效果。請(qǐng)教大神們講解下此電路原理，最有可能出錯(cuò)的地方？mos管和運(yùn)放經(jīng)過單獨(dú)驗(yàn)證，是正常的
2023-06-05 22:50:12
MOS管是一種具有絕緣柵的FET，其中電壓決定了器件的電導(dǎo)率。發(fā)明MOS管是為了克服FET中存在的缺點(diǎn)，如高漏極電阻、中等輸入阻抗和較慢的操作。所以MOS管可以稱為FET的高級(jí)形式。
2023-06-05 09:54:59897 
一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS的G S兩級(jí)之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。
2023-05-30 16:03:371652 
電路圖如圖所示，示波器黃色通道1測(cè)試電容兩端電壓，藍(lán)色通道2測(cè)試Vds.使用的mos管型號(hào)為IRFZ34n,mos管總是在1伏時(shí)導(dǎo)通，使用了其他mos管也是同樣的情況，這1伏的電壓還沒有達(dá)到mos管的開啟電壓，為啥mos管就開啟了呢？
2023-05-18 22:59:00
封裝，就是指把硅片上的電路管腳，用導(dǎo)線接引到外部接頭處，以便與其它器件連接。封裝形式是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼。
2023-05-18 08:46:16792 n-mos管截止如果在s-d之間加上正向電壓，體二極管會(huì)不會(huì)導(dǎo)通？
2023-05-16 14:30:44
MOSFET(MOS管)中的“開關(guān)”時(shí)間可以改變電壓嗎？
2023-05-16 14:26:16
mos管是一種具有絕緣柵的FET，其中電壓決定了器件的電導(dǎo)率。發(fā)明mos管是為了克服 FET 中存在的缺點(diǎn)，如高漏極電阻、中等輸入阻抗和較慢的操作。所以mos管可以稱為FET的高級(jí)形式。
2023-05-16 09:24:207681 
自動(dòng)調(diào)低輸出電
流。
特點(diǎn)
寬輸入電壓范圍：5V～50V
可外擴(kuò)MOS提高輸入電壓
可設(shè)定電流范圍：10mA～
1000mA
可外擴(kuò)MOS
PWM 調(diào)光
過溫保護(hù)
CS 參考電壓：300mV
ESOP8 封裝
應(yīng)用領(lǐng)域
電動(dòng)車，摩托車燈照明
汽車燈照明
手電筒
原理圖
2023-05-05 14:24:13
漏電流會(huì)導(dǎo)致功耗，尤其是在較低閾值電壓下。了解MOS晶體管中可以找到的六種泄漏電流。 在討論MOS晶體管時(shí)，短通道器件中基本上有六種類型的漏電流元件： 反向偏置PN結(jié)漏電流 亞閾值漏電流
2023-05-03 16:27:007776 
本文介紹了MOS晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)，以期更好地了解此類晶體管中可能發(fā)生的漏電流。 MOS晶體管正在縮小，以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致了氧化物厚度的減少，從而降低了MOS器件
2023-05-03 11:33:001279 芯片引腳
此圖是開關(guān)模式電路的一部分，左側(cè)是電壓輸入，右側(cè)電流流入電池，下方芯片引腳可以控制電流大小，是驅(qū)動(dòng)外部PNP引腳，有電流大的時(shí)候也有小的時(shí)候，我想問，這兩個(gè)三極管和MOS管是怎么實(shí)現(xiàn)開關(guān)模式工作的？
2023-04-28 15:20:10
前面給大家分享了MOS管的結(jié)構(gòu)，符號(hào)，閾值電壓，四種工作狀態(tài)分別對(duì)應(yīng)的漏電流公式和跨導(dǎo)的定義公式，相信大家對(duì)MOS管的工作原理有了一定的了解，這篇給大家介紹后續(xù)電路分析中不可缺少的MOS管的三個(gè)二級(jí)效應(yīng)。
2023-04-25 14:24:312223 
的元器件外形雖然差不多，但內(nèi)部結(jié)構(gòu)及用途卻大不同，譬如TO220封裝的元件可能是三極管、可控硅、場(chǎng)效應(yīng)管甚至是雙二極管。TO-3封裝的元器件有三極管，集成電路等。今天我們就來盤點(diǎn)一下常見的二極管、三極管、MOS封裝類型，下圖含精確尺寸。
2023-04-13 14:09:54
如圖POWER3.3是電源輸出，空載狀態(tài)下MOS管正常通斷；一旦接上負(fù)載，POWER3.3處電壓就降到0了，同時(shí)單片機(jī)控制端的電壓也是一直為0無法抬高，請(qǐng)問如何解決呢
2023-04-12 11:28:44
os是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻<Rds(on)>。
2023-04-08 10:11:381348 這是一種較為常用的電壓轉(zhuǎn)換電流電路，也是一款恒流源電路。它由一個(gè)運(yùn)放、一個(gè)三極管（也可以是MOS管）以及若干電阻構(gòu)成，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單易懂。其輸出電流為Iout= Vref/Rs
2023-03-29 15:00:491903 MOS管是電壓控制電流器件，用柵極電壓的變化控制漏極電流的變化。 有P溝道MOS管（簡(jiǎn)稱PMOS）和N溝道MOS管（簡(jiǎn)稱NMOS），符號(hào)如下（此處只討論常用的增強(qiáng)型MOS管）。
2023-03-28 10:13:287482 
MOS 晶體管正在按比例縮小，以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化層厚度的減少，進(jìn)而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，泄漏電流變得很大，并有助于功耗。這就是為什么我們必須了解 MOS 晶體管中各種類型的泄漏電流的原因。
2023-03-24 15:39:191786 
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