行業(yè)背景 隨著工業(yè)技術的不斷發(fā)展，物聯(lián)網(wǎng)作為新興生產力正在改變許多行業(yè)的工作方式。在半導體芯片行業(yè)，自動蝕刻機的物聯(lián)網(wǎng)應用正在助力企業(yè)達到監(jiān)控設備更加便利、故障運維更加高效、數(shù)據(jù)分析更加精準等等
2024-03-20 17:52:39
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任務要求：
了解微電子封裝中的引線鍵合工藝，學習金絲引線鍵合原理，開發(fā)引線鍵合工藝仿真方法，通過數(shù)據(jù)統(tǒng)計分析和仿真結果，分析得出引線鍵合工序關鍵工藝參數(shù)和參數(shù)窗口，并給出工藝參數(shù)和鍵合質量之間的關系
2024-03-10 14:14:51
濕電子化學品屬于電子化學品領域的一個分支，是微電子、光電子濕法工藝制程（主要包括濕法蝕刻、清洗、顯影、互聯(lián)等）中使用的各種液體化工材料，主體成分純度大于99.99%，雜質顆粒粒徑低于 0.5
2024-03-08 13:56:03239 
近日，上海發(fā)布了《2023年上?？萍歼M步報告》，來自上海工研院的MEMS標準工藝模塊及90納米硅光集成工藝2項國際先進水平技術成果入選。
2024-02-22 09:42:31282 2023年鋰電隔膜出貨中干法占比回彈，增速方面趕超濕法31個百分點。
2024-02-21 09:17:41303 根據(jù)已公開的研究報告，東京電子的新式蝕刻機具備在極低溫環(huán)境下進行高速蝕刻的能力。據(jù)悉，該機器可在33分鐘內完成10微米的蝕刻工作。此外，設備使用了新開發(fā)的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳氣體以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22109 蝕刻時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術。使用射頻濺射設備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
在封裝前，通常要減薄晶圓，減薄晶圓主要有四種主要方法：機械磨削、化學機械研磨、濕法蝕刻和等離子體干法化學蝕刻。
2024-01-26 09:59:27547 
Tom‘s Hardware的相關報告指出，Lunar Lake的CPU將使用外部臺積電N3B制程，而Arrow Lake-U通過使用Intel 3工藝，有望在降低制造成本的同時保持競爭力。
2024-01-23 10:23:03246 根據(jù)清洗介質的不同，目前半導體清洗技術主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線
2024-01-12 23:14:23769 
智程半導體自2009年起致力于半導體濕法工藝設備研究、生產與銷售事業(yè)，10余載研發(fā)歷程，使得其已成為全球頂尖的半導體濕法設備供應商。業(yè)務范圍包括清洗、去膠、濕法刻蝕、電鍍、涂膠顯影、金屬剝離等多種設備，廣泛應用于各種高尖端產品領域。
2024-01-12 14:55:23636 至純科技旗下的至微科技是國內濕法設備市場主流供應商之一，在28納米節(jié)點實現(xiàn)了全覆蓋，全工藝機臺亦均有訂單。在更為尖端的制程中，至微科技已有部分工藝獲得訂單。
2024-01-12 09:29:45234 在紅外探測器的制造技術中，臺面刻蝕是完成器件電學隔離的必要環(huán)節(jié)。
2024-01-08 10:11:01206 
會通股份公司在安徽蕪湖市三山經(jīng)濟開發(fā)區(qū)舉行了盛大的鋰電池濕法隔離膜項目開工儀式。這個基地總投資高達20億元，一旦建成，將具備每年生產17億平方米濕法隔離膜的能力。
2024-01-02 16:41:52357 在微電子制造領域，光刻機和蝕刻機是兩種不可或缺的重要設備。它們在制造半導體芯片、集成電路等微小器件的過程中發(fā)揮著關鍵作用。然而，盡管它們在功能上有所相似，但在技術原理、應用場景等方面卻存在著明顯的區(qū)別。本文將對光刻機和蝕刻機的差異進行深入探討。
2023-12-16 11:00:09371 
技術提供了典型應用。蝕刻工藝對器件特性有著較大的影響，尤其是在精確控制蝕刻深度和較小化等離子體損傷的情況下影響較大。
2023-12-13 09:51:24294 
GaN和相關合金由于其優(yōu)異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優(yōu)化工藝過程相關的成熟材料是有源/無源射頻光電子器件近期發(fā)展的關鍵問題。專用于三元結構的干法蝕刻工藝特別重要，因為這種器件通常包括異質結構。因此，GaN基光電器件的制造部分或全部依賴于干法刻蝕。
2023-12-11 15:04:20188 
隨著技術的不斷變化和器件尺寸的不斷縮小，清潔過程變得越來越復雜。每次清洗不僅要對晶圓進行清洗，所使用的機器和設備也必須進行清洗。晶圓污染物的范圍包括直徑范圍為0.1至20微米的顆粒、有機和無機污染物以及雜質。
2023-12-06 17:19:58562 
另外一種工藝方法是整個板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比，全板鍍銅的缺點是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45261 按工藝要求排放出部分比重高的溶液經(jīng)分析后補加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調整到工藝充許的范圍。
2023-12-06 15:01:46285 GaN和InGaN基化合物半導體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實現(xiàn)藍-綠光發(fā)光二極管和藍光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學和熱穩(wěn)定性，在沒有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法蝕刻是困難的，并且導致低的蝕刻速率和各向同性的蝕刻輪廓。
2023-12-05 14:00:22220 
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259 
由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導體廣泛應用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結構。
2023-11-30 09:01:58166 
濕法刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點，包括產生離子誘導損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側壁。干法蝕刻產生的側壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241 
蝕刻設備的結構及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側蝕度產生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進行控制。采用某些添加劑可以降低側蝕度。這些添加劑的化學成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設備的結構問題，后面的章節(jié)將專門討論。
2023-11-14 15:23:10217 但是里面也有幾個關鍵的工藝參數(shù)需要控制的。同樣Etch GaAs也可以用ICP干法刻蝕的工藝，比濕法工藝效果要好些，側壁也垂直很多。
2023-11-14 09:31:29406 InAs/GaSb超晶格光敏芯片與讀出電路采用倒裝互連的形式構成紅外探測器芯片。
2023-11-09 11:38:27424 
比較器沒遲滯誤觸發(fā)怎么通過外圍參數(shù)改善？ 比較器的作用是將兩個輸入的信號進行比較，輸出一個數(shù)字化的結果，用于控制電路的變化。然而，有些時候比較器可能會產生一些不必要的誤觸發(fā)，這種情況下需要通過外圍
2023-10-31 14:48:27229 如何改善電機的PID參數(shù)
2023-10-30 06:46:01
干法蝕刻（dry etch）工藝通常由四個基本狀態(tài)構成：蝕刻前（before etch），部分蝕刻（partial etch），蝕刻到位（just etch），過度蝕刻（over etch），主要表征有蝕刻速率，選擇比，關鍵尺寸，均勻性，終點探測。
2023-10-18 09:53:19788 
在精細印制電路制作過程中，噴淋蝕刻是影響產品質量合格率重要的工序之一。現(xiàn)有很多的文章對精細線路的蝕刻做了大量的研究，但是大多數(shù)都只停留在表象的研究中，并沒有從本質上認識噴淋蝕刻中出現(xiàn)的問題。
2023-10-17 15:15:35164 
蝕刻液的化學成分的組成：蝕刻液的化學組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達3.5-4。而正處在開發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達到幾乎沒有側蝕問題，蝕刻后的導線側壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結構，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現(xiàn)藍光發(fā)光二極管(led)的主導材料。由于GaN的高化學穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化學蝕刻來蝕刻或圖案化GaN是非常困難的。與濕法
2023-10-12 14:11:32244 
GaN及相關合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發(fā)一開始集中于臺面結構，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
在半導體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術各有優(yōu)勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
銅的電阻率取決于其晶體結構、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統(tǒng)上，銅(Cu)線的形成是通過使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中蝕刻溝槽圖案，然后通過鑲嵌流用Cu填充溝槽來完成的。
2023-09-22 09:57:23281 
當前固態(tài)電池已成為各國角逐的熱點技術，固態(tài)電池所使用的固體電解質本身需要相對復雜的合成或處理工藝，固體電解質自身的性質及其和電極的理化相容性不但影響著電池材料體系在科學角度的構建，也影響著其工程化進程。
2023-09-21 10:22:41384 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項。PCB打樣中，在銅箔部分預鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30669 繞線電感器作為一種應用廣泛的電感產品，很多人在使用繞線電感的過程中可能會遇到很多問題，比如電感異響噪音的問題。噪音不僅會影響到設備的正常運行，也會對客戶的體驗造成不良影響。是否可以通過電感工藝改善繞線電感的噪音的問題呢？本篇谷景就與大家一起來探討這個問題。
2023-09-15 16:56:01
0 隨著材料技術的發(fā)展，InAs/GaSbⅡ類超晶格（T2SLs）的優(yōu)越性日益凸顯，特別適用于中長波紅外（MLWIR）和甚長波紅外（VLWIR）探測。基于InAs/GaSb T2SLs的光電探測器因具有
2023-09-09 11:34:36602 
要注意的是，蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術對聚合物抗蝕劑進行構圖，然后通過干法蝕刻技術用抗蝕劑作為掩模將圖案轉移到襯底或子層上。
2023-09-07 09:57:14292 
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內層蝕刻工藝，可以參閱內層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 
濕法腐蝕在半導體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:041705 
pcb短路分析改善報告 背景說明 PCB（Printed Circuit Board）是電子產品中非常重要的部件，而其中的短路問題會給電路帶來嚴重的影響，甚至會導致電路的故障。因此，對PCB中的短路
2023-08-29 16:40:20918 識別，從而顯著提高系統(tǒng)性能。碲鎘汞材料、量子阱材料和銻化物Ⅱ類超晶格材料均可用于制備雙色紅外探測器。其中，InAs/GaSb Ⅱ類超晶格材料因其帶隙靈活可調、電子有效質量更大、大面積均勻性高等特點以及成本優(yōu)勢，成為制備雙色
2023-08-25 09:16:42886 
我們華林科納通過光學反射光譜半實時地原位監(jiān)測用有機堿性溶液的濕法蝕刻，以實現(xiàn)用于線波導的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結構產生的各向同性蝕刻導致表面
2023-08-22 16:06:56239 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講如何通過顏色辨別PCB表面處理工藝?通過顏色辨別PCB表面處理工藝。電路板的表面外層通常有三種顏色：金色、銀色、淺紅色。金色最貴，銀色較便宜，淺紅色最便宜。那么
2023-08-21 09:16:01394 
來源：《半導體芯科技》雜志 綠色目標。黃色解決方案。 憑借二十年在批量噴涂及其硬件方面的經(jīng)驗，Siconnex已成長為可持續(xù)濕法工藝設備的領先供應商?？沙掷m(xù)發(fā)展和環(huán)境健康是我們的基因
2023-08-18 17:56:34320 
半導體蝕刻設備是半導體製造過程中使用的設備。 化學溶液通過將晶片浸入化學溶液（蝕刻劑）中來選擇性地去除半導體晶片的特定層或區(qū)域，化學溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 PCB蝕刻工藝中的“水池效應”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會導致大尺寸PCB整個板面具有不同的蝕刻質量。
2023-08-10 18:25:431013 來源：《半導體芯科技》雜志 APS公司的批量工藝設備、單晶圓工藝設備和支持設備技術，其中的重點無疑是持續(xù)創(chuàng)新，以提供節(jié)約成本、優(yōu)化運營和可持續(xù)的客戶解決方案。此外對話還涵蓋了當前行業(yè)的一些挑戰(zhàn)，包括
2023-08-07 17:35:03541 隨著晶體管尺寸的不斷微縮，晶圓制造工藝日益復雜，對半導體濕法清洗技術的要求也越來越高。
2023-08-01 10:01:561639 
刻蝕和蝕刻實質上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進行化學或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導體制造中，這個過程常常用于雕刻芯片上的細微結構。
2023-07-28 15:16:594140 蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
國內半導體產業(yè)的行業(yè)盛會將在上海如期舉行，華林科納將為您帶來超全面且領先的濕法解決方案，并攜泛半導體濕法裝備服務平臺亮相SEMICON China，與上下游企業(yè)進行一對一交流，為企業(yè)發(fā)展瓶頸找到
2023-07-04 17:01:30251 
ValSuite報告改善驗證過程ImproveValidationProcess偏差和記錄會導致驗證過程延遲，但通過使用正確的報告工具，你可以消除障礙，保持審計準備和符合FDA的要求。熱驗證工藝
2023-06-30 10:08:49574 
時至今日，電磁干擾（EMI）問題始終是電子設備需要關注的焦點，也是讓工程師們頭疼的問題，它威脅著電子設備的安全性、可靠性和穩(wěn)定性。要改善EMI，合理的PCB布局至關重要。在本文中，小編將為大家介紹如何通過PCB布局來改善EMI，滿足客戶的需求。
2023-06-29 10:14:131359 
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個側壁鈍化機制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技術，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學性質非常有用，但是當存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學也會有問題。
2023-06-26 13:32:441053 
上海伯東日本 Atonarp Aston? Impact 和 Aston? Plasma 是超緊湊型質譜儀, 適用于先進半導體工藝（如沉積和蝕刻）所需的定量氣體分析.
2023-06-21 10:21:08197 
步驟的工藝中的實時 EPD. 這是通過高信噪比 SNR 實現(xiàn)的, 從而避免了 OES 設備中常見的模棱兩可和復雜的多變量分析算法.
2023-06-20 17:28:31258 
離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過程是絕對
2023-06-20 09:48:563989 
Board， RPCB），F(xiàn)PC具有高度的柔性、輕薄、可彎曲、可卷繞等特點，適用于各種復雜的應用場景。FPC通常采用聚酰亞胺（PI）、聚酰胺（PA）、聚酯（PET）等高分子材料作為基材，通過印刷、鍍銅、蝕刻、鉆孔、覆銅、裁切等工藝制成。
2023-06-18 09:31:382037 均勻性（1 σ）達到 離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其核心部件為離子源. 作為蝕刻機的核心部件,?KRi? 射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的寬束離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時間更長, 滿足
2023-06-15 14:58:47665 
器件尺寸的不斷縮小促使半導體工業(yè)開發(fā)先進的工藝技術。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術。ALD是一種沉積技術，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應。ALE是一種蝕刻技術，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應。
2023-06-15 11:05:05526 
為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設計（如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET )）預計將在互補金屬氧化物半導體技術中被采用。3D MOS架構為蝕刻應用帶來了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設備更多地依賴于各向異性蝕刻，但是3D設備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 
PCB板材，將銅箔覆蓋在玻璃纖維基板上。 3. 在PCB板材上涂上光敏感涂料，然后將Gerber文件通過曝光機照射到涂層上。 4. 將曝光后的PCB板材放入顯影液中，使未曝光的光敏感涂料被溶解掉，露出銅箔。 5. 將PCB板材放入蝕刻液中，使露出的銅箔被腐蝕掉，形成電路圖形狀。 6. 清洗PCB板材
2023-06-13 19:01:161603 光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353320 
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設備，通常會導致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學。優(yōu)化內部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
集成電路前道工藝及對應設備主要分八大類，包括光刻（光刻機）、刻蝕（刻蝕機）、薄膜生長（PVD-物理氣相沉積、CVD-化學氣相沉積等薄膜設備）、擴散（擴散爐）、離子注入（離子注入機）、平坦化（CMP設備）、金屬化（ECD設備）、濕法工藝（濕法工藝設備）等。
2023-05-30 10:47:121131 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結構的一種非常有用的技術。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
通過濕法轉移二維材料與半導體襯底形成異質結是一種常見的制備異質結光電探測器的方法。在濕法轉移制備異質結的過程中，不同的制備工藝細節(jié)對二維材料與半導體形成的異質結的性能有顯著影響。
2023-05-26 10:57:21508 
與HgCdTe器件相比，InAs基材料在室溫下其載流子遷移率和俄歇復合系數(shù)均有明顯優(yōu)勢，并且InAs基器件在勢壘層材料上有更多的選擇
2023-05-23 09:31:02509 
蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會變化，因而影響產品質量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
微電子機械系統(tǒng)（MEMS）是將機械元件和電子電路集成在一個共同的基板上，通過使用微量制造技術來實現(xiàn)尺寸從小于一微米到幾微米的高性能器件。由于現(xiàn)有的表面加工技術，目前大多數(shù)的MEMS器件都是基于硅的。
2023-05-19 10:19:26352 一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484917 蝕刻是微結構制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進一步細分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
改善之后的工藝與之前最大的區(qū)別在于使用光刻膠充當濺射的掩膜，在電鍍之前將電路圖形高精度的制備出來，不再進行濕法刻蝕，避免了側腐蝕對線條精度和膜基結合力的影響，同時，基板只浸入丙酮中一次以去除光刻膠，避免了大量溶液的使用
2023-05-16 09:40:351218 
減薄晶片有四種主要方法，(1)機械研磨，(2)化學機械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學漿液結合起來與晶片反應并使之變薄，而蝕刻則使用化學物質來使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06979 一、PCB工藝設計要考慮的基本問題
PCB的工藝設計非常重要，它關系到所設計的PCB能否高效率、低成本地制造出來。新一代的SMT裝聯(lián)工藝，由于其復雜性，要求設計者從一開始就必須考慮制造
2023-04-25 16:52:12
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 PCB制程中的COB工藝是什么呢？
2023-04-23 10:46:59
【摘要】 在半導體濕法工藝中，后道清洗因使用有機藥液而與前道有著明顯區(qū)別。本文主要將以濕法清洗后道工藝幾種常用藥液及設備進行對比研究，論述不同藥液與機臺的清洗原理，清洗特點與清洗局限性?！娟P鍵詞
2023-04-20 11:45:00823 
半導體工藝 1.CMOS晶體管是在硅片上制造的 ? 2.平版印刷的過程類似于印刷機 ? 3.每一步，不同的材料被存放或蝕刻 ? 4.通過查看頂部和頂部最容易理解文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁簡化制造中的晶圓截面的過程 ? 逆變器截面?? 要求pMOS晶體管的機身 ? 逆變器掩模組 晶體管
2023-04-20 11:16:00247 
反應離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導體工業(yè)中使用的互補金屬氧化物半導體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
半導體行業(yè)的許多工藝步驟都會排放有害廢氣。對于使用非?；顫姷臍怏w的化學氣相沉積或干法蝕刻，所謂的靠近源頭的廢氣使用點處理是常見的做法。相比之下，對于濕法化學工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認
2023-04-06 09:26:48408 
了革命性的變化，這種布局完全不同于90nm節(jié)點。從45nm節(jié)點后，雙重圖形化技術已經(jīng)應用在柵圖形化工藝中。隨著技術節(jié)點的繼續(xù)縮小，MOSFET柵極關鍵尺寸CD繼續(xù)縮小遇到了困難，IC設計人員開始減少柵極之間的間距。
2023-04-03 09:39:402452 清洗過程在半導體制造過程中，在技術上和經(jīng)濟上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實現(xiàn)無顆粒、無金屬雜質、無有機、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質和有機物三類。
2023-03-31 10:56:19314 
經(jīng)過多年的研發(fā)，隨著該行業(yè)在內存和邏輯方面面臨新的挑戰(zhàn)，一種稱為低溫蝕刻的技術正在重新出現(xiàn)，成為一種可能的生產選擇。
2023-03-29 10:14:41392 
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 研究表明，半導體的物理特性會根據(jù)其結構而變化，因此半導體晶圓在組裝成芯片之前被蝕刻成可調整其電氣和光學特性以及連接性的結構。
2023-03-28 09:58:34251 
在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對孔的滲透變得更具挑戰(zhàn)性。
2023-03-27 10:17:49402 
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