在并聯(lián)二極管電路中，每個(gè)二極管的正負(fù)極都需要正確連接，確保電流能夠順暢地通過(guò)。同時(shí)，由于不同二極管的特性可能略有差異，因此在選擇并聯(lián)的二極管時(shí)，應(yīng)盡量選擇性能相近、參數(shù)一致的器件，以保證電路的穩(wěn)定性和可靠性。
2024-03-15 18:22:11
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IGBT是通過(guò)在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn)，但IGBT克服了這一缺點(diǎn)，在高壓時(shí)IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻。
2024-03-13 11:46:21108 
型號(hào)和規(guī)格，以確保其穩(wěn)定、高效地工作。IGBT的選型涉及到多個(gè)參數(shù)的考慮，下面將詳細(xì)介紹這些參數(shù)。 額定電壓（Vce）：這是指IGBT能夠承受的最大電壓。根據(jù)應(yīng)用需求，選擇的IGBT型號(hào)的額定電壓應(yīng)大于應(yīng)用中最高電壓。 額定電流（Ic）：這是指IGBT能夠承受的最大連續(xù)電流。根據(jù)應(yīng)用需求，選擇的
2024-03-12 15:31:12258 十分重要，正確的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)將直接影響IGBT的性能和穩(wěn)定性。以下將詳細(xì)介紹IGBT對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求。 電源和電流能力： IGBT的開(kāi)關(guān)過(guò)程需要大量的電源能量和電流能力。驅(qū)動(dòng)電路需要提供足夠的電流來(lái)形成電流增益，以確保IGBT的快速開(kāi)關(guān)和關(guān)閉。此外，驅(qū)動(dòng)電路還需要穩(wěn)定的電源來(lái)確保IGBT的
2024-03-12 15:27:38208 亥姆霍茲線圈并聯(lián)和串聯(lián)的異同點(diǎn)。 一、并聯(lián)連接 1.連接方式： 并聯(lián)連接指的是將兩個(gè)亥姆霍茲線圈的末端通過(guò)導(dǎo)線連接在一起，形成電路中的平行分支。 2.工作原理： 在并聯(lián)連接中，兩個(gè)亥姆霍茲線圈通過(guò)共享電流分流器將電流分流，使它
2024-03-09 09:31:39341 Hi512D 是一款支持最高可達(dá) 200Kbps - 2Mbps 的并聯(lián)差分 DMX512 協(xié)議解碼恒流驅(qū)動(dòng)芯片， 支持 5 路恒流輸出，支持 1/2/3/4/5 通道數(shù)量可 配，波特率自適應(yīng)范圍廣
2024-03-01 10:55:10
IGBT應(yīng)用于變頻器逆變電路中，存在這么一種情況，IGBT先短路再開(kāi)通，請(qǐng)問(wèn)這是一種什么樣的過(guò)程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起來(lái)，然后啟動(dòng)變頻器，此時(shí)這種過(guò)程就可以稱(chēng)之為先短路再
2024-02-29 23:08:07
在IGBT短路時(shí)，假設(shè)在導(dǎo)通時(shí)短路，此時(shí)IGBT驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)到穩(wěn)定高值，就是IGBT已經(jīng)完全導(dǎo)通，此時(shí)刻觸發(fā)外部電路短路，用示波器查看驅(qū)動(dòng)電壓、CE電壓和輸出電流，變頻器在極短的時(shí)間內(nèi)響應(yīng)后，驅(qū)動(dòng)電壓
2024-02-25 11:31:12
在高壓600V，額定電流10A的壓縮機(jī)電機(jī)控制中，IGBT經(jīng)常燒壞，主要有哪些原因?qū)е滤鼡p壞。
2024-02-22 17:58:38
IGBT模塊或者單管應(yīng)用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實(shí)驗(yàn)時(shí)，在IGBT開(kāi)通時(shí)刻做出短路動(dòng)作，IGBT的CE電壓會(huì)從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達(dá)到穩(wěn)定。
但是在具體波形時(shí)，IGBT
2024-02-21 20:12:42
什么是IGBT的退飽和？為什么IGBT會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象？ IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)。它在高電壓和高電流應(yīng)用中具有低開(kāi)啟電阻、低導(dǎo)通壓降和高開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)
2024-02-19 14:33:28479 隨電壓升高而增大，試了幾次仍然是這樣，按理說(shuō)輸出功率限制后不應(yīng)該明顯增大，而我設(shè)置時(shí)輸出功率達(dá)到了上百瓦進(jìn)而直流源觸發(fā)保護(hù)，斷電后放電測(cè)量IGBT的續(xù)流二極管，二極管壓降正常0.381V，但是測(cè)量
2024-02-18 19:52:20
IGBT導(dǎo)通過(guò)程發(fā)生的過(guò)流、短路故障 IGBT導(dǎo)通過(guò)程中可能發(fā)生的過(guò)流、短路故障一直是電力電子領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)問(wèn)題之一。IGBT 是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了普通晶體管的低壓控制能力和可靠性
2024-02-18 11:14:37247 IGBT開(kāi)通過(guò)程發(fā)生的過(guò)流、短路故障 IGBT是一種三端功率半導(dǎo)體器件，常用于電力電子領(lǐng)域。它具有開(kāi)關(guān)速度快、工作溫度范圍廣、損耗小等優(yōu)點(diǎn)，因此在各種電源、驅(qū)動(dòng)、變換和控制系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。 然而
2024-02-18 11:14:33309 短路 這種短路是指IGBT內(nèi)部出現(xiàn)了開(kāi)路或短路的情況。其中，IGBT的開(kāi)路指IGBT的關(guān)鍵部件之一，即PN結(jié)（N型硅片和P型硅片）出現(xiàn)斷裂，導(dǎo)致電流無(wú)法通過(guò)。而短路則是指PN結(jié)短路或者IGBT內(nèi)部導(dǎo)線短路，導(dǎo)致電流難以正常流動(dòng)。這種短路可能由于材料、制造工藝、熱應(yīng)力等
2024-02-18 10:21:57222 時(shí)間。 在測(cè)量IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的短路耐受時(shí)間時(shí)，我們通常使用一個(gè)特定的測(cè)試電路。該電路中，一個(gè)電容器通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)電路與IGBT相連。當(dāng)IGBT處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，施加電源電壓VCC。 隨后，通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)電路使IGBT導(dǎo)通，電容器中積蓄的電
2024-02-06 16:43:251317 
導(dǎo)通時(shí)，當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓，電流開(kāi)始通過(guò)IGBT。飽和電壓下降速度表示在IC（集電極電流）上升到特定值時(shí)，VCE（集電極-發(fā)射極電壓）下降的速度。
2024-02-06 10:42:42268 
標(biāo)準(zhǔn)。安森美(onsemi)作為一家半導(dǎo)體供應(yīng)商，為高要求的應(yīng)用提供能在惡劣環(huán)境下運(yùn)行的產(chǎn)品，且這些產(chǎn)品達(dá)到了高品質(zhì)和高可靠性。之前我們分享了如何對(duì)IGBT進(jìn)行可靠性測(cè)試，今天我們來(lái)介紹如何通過(guò)可靠性審核程序確保IGBT的產(chǎn)品可靠性。
2024-01-25 10:21:16997 
低導(dǎo)通壓降和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用于各種功率電子系統(tǒng)。 IGBT驅(qū)動(dòng)電路的主要功能是控制IGBT的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，并提供足夠的電流和電壓以確保IGBT的正常工作。IGBT驅(qū)動(dòng)電路通常包括輸入電路、隔離電路、驅(qū)動(dòng)邏輯電路和輸出電路等部分。 輸入電路用于接收輸入信
2024-01-23 13:44:51678 電子負(fù)載并聯(lián)操作及注意事項(xiàng) 電子負(fù)載是一種測(cè)試和模擬電路負(fù)載的設(shè)備，可以模擬不同負(fù)載條件下的電流和電壓。電子負(fù)載的并聯(lián)操作是指將兩個(gè)或更多個(gè)電子負(fù)載連接在一起以增加負(fù)載容量和靈活性。通過(guò)并聯(lián)操作
2024-01-22 13:42:56185 電子和工業(yè)控制系統(tǒng)中。它是一種用于高電壓和高電流應(yīng)用的開(kāi)關(guān)和放大器。 IGBT的基本結(jié)構(gòu)由四個(gè)摻雜的半導(dǎo)體層組成：N型溝道、P型基區(qū)、N型漏結(jié)和P型柵結(jié)?？刂破鋵?dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)的是其柵極。當(dāng)IGBT柵極電壓低于閾值時(shí)，它處于關(guān)閉狀態(tài)，沒(méi)有電流通過(guò)。當(dāng)柵極電壓高于閾值時(shí)，形成電場(chǎng)，電流可以流過(guò)
2024-01-22 11:14:57273 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種繼MOSFET和BJT之后的新型功率半導(dǎo)體器件，它的特點(diǎn)是結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低通壓損耗
2024-01-18 17:31:231080 了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，具備高電壓和高電流開(kāi)關(guān)能力。 IGBT的工作原理可以分為四個(gè)階段：導(dǎo)通、關(guān)斷、過(guò)渡和飽和。 1. 導(dǎo)通階段：在導(dǎo)通階段，IGBT的門(mén)極電壓（V_GS）通過(guò)控制電壓源施加，使得MOSFET部分的導(dǎo)電層建立。這導(dǎo)致P型基區(qū)變窄，觸發(fā)NPN晶體管的導(dǎo)通。 2. 關(guān)斷階段
2024-01-12 14:43:521681 ：在進(jìn)行任何電氣設(shè)備的維修或更換操作之前，首先必須斷開(kāi)電源，以確保安全。確保設(shè)備完全斷電，并使用萬(wàn)用表確認(rèn)電源已斷開(kāi)。 移除散熱器：IGBT模塊通常安裝在散熱器上，以幫助散熱。使用螺絲刀或其他工具，將散熱器上的固定螺絲擰下，然后
2024-01-10 17:54:57268 
都只能做到500W，假如先做4路并聯(lián)，均流問(wèn)題有什么好的方案可以推薦嗎？如果后面再采用三個(gè)2KW并聯(lián)，這個(gè)并聯(lián)均流問(wèn)題如何解決，能推薦一下嗎？謝謝！
2024-01-08 07:21:12
設(shè)計(jì)需求，2A恒流源，LTM8042是1A恒流，可以直接把2個(gè)芯片并聯(lián)，實(shí)現(xiàn)2A恒流輸出嗎？
2024-01-05 12:43:38
LTM4630電源模塊在多路并聯(lián)時(shí)在pcb設(shè)計(jì)時(shí)需要注意那些細(xì)節(jié)
比如在3路或者4路并聯(lián)時(shí)在畫(huà)pcb時(shí)走線需要注意那些地方，要加入對(duì)稱(chēng)設(shè)計(jì)和阻抗匹配嗎，
如何才能做到并聯(lián)均流效果最好，
請(qǐng)大家提出一些建議和指導(dǎo)，謝謝。
2024-01-05 08:07:28
ADP5138 1到4通道每一路都最大支持1A的電流，我現(xiàn)在想將1到3通道并聯(lián)使用來(lái)達(dá)到2.1A左右的輸出。請(qǐng)問(wèn)這樣可以嗎？如果可以這樣使用告訴具體的實(shí)現(xiàn)方法？是直接將輸出并在一起就行了嗎？
2024-01-04 07:54:05
線性穩(wěn)壓器ADM7172可否降兩個(gè)并聯(lián)使用實(shí)現(xiàn)擴(kuò)流，ADM7172在電流增加的同時(shí)，其輸出電壓會(huì)下降，所以我想說(shuō)能否使用兩個(gè)ADM7172直接并聯(lián)在實(shí)現(xiàn)擴(kuò)流并保持輸出在電流增加后的穩(wěn)定性。
2024-01-04 06:59:47
近日，有朋友詢(xún)問(wèn)了關(guān)于變壓器并聯(lián)運(yùn)行的問(wèn)題。變壓器并聯(lián)運(yùn)行是一種常見(jiàn)的電力運(yùn)行方式，為了確保并聯(lián)運(yùn)行的穩(wěn)定性和安全性，必須滿(mǎn)足以下四個(gè)條件
2023-12-26 09:51:44521 
速度、效率、損耗、應(yīng)用范圍等方面有一些不同之處。 工作原理： 硬開(kāi)關(guān)模式下，當(dāng)IGBT開(kāi)關(guān)從關(guān)斷狀態(tài)切換到導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，由于電流和電壓較大，會(huì)產(chǎn)生大量的開(kāi)關(guān)損耗。而在軟開(kāi)關(guān)模式下，IGBT在開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程中能夠在合適的時(shí)機(jī)通過(guò)控制電壓和電流的波形，來(lái)減少開(kāi)關(guān)損耗。 開(kāi)關(guān)速度： 硬開(kāi)關(guān)
2023-12-21 17:59:32658 MOSFET的并聯(lián)使用
2023-12-19 09:40:33308 
逆變器是一種將直流電源轉(zhuǎn)換為交流電源的裝置。它廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)、電池存儲(chǔ)系統(tǒng)、風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng)等，可以有效地提高電能的利用率和質(zhì)量。逆變器并聯(lián)技術(shù)則是一種將多個(gè)逆變器連接在一起的方法，通過(guò)并聯(lián)
2023-12-15 15:51:25555 時(shí)，會(huì)影響電路的阻抗，從而改變石英晶體諧振器的振動(dòng)頻率。通過(guò)調(diào)整并聯(lián)電阻的值，可以對(duì)晶振電路的頻率進(jìn)行微調(diào)，使其精確地穩(wěn)定在所需的頻率上。
2.改善電路性能
并聯(lián)電阻可以改善晶振電路的性能。在晶振電路中
2023-12-13 09:38:27
三種LED接線：串聯(lián)、并聯(lián)和串并聯(lián)，我們?cè)撊绾芜x？
2023-12-08 17:21:04883 
柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（IGFET）和雙極型晶體管（BJT）的特征，既具備晶體管放大和柵極控制的優(yōu)點(diǎn)，又同時(shí)具備功率開(kāi)關(guān)的能力。IGBT 的作用和功能非常廣泛，下面將詳細(xì)介紹。 1. 功率開(kāi)關(guān)功能：IGBT 主要用作功率開(kāi)關(guān)，在高電壓和高電流的條件下，可以快速切換電路的電流。通過(guò)將柵極電壓從0V調(diào)整到高電壓（通態(tài)）或從
2023-12-07 16:32:552943 這里，我們只關(guān)注IGBT芯片自身的短路，不考慮合封器件中并聯(lián)的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。
2023-12-05 16:22:312609 
利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路，改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置，即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（下文簡(jiǎn)稱(chēng)FRD）的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。
2023-11-24 16:52:10521 
通過(guò)雙脈沖測(cè)試，可以得到IGBT的各項(xiàng)開(kāi)關(guān)參數(shù)。
2023-11-24 16:36:421612 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《IGBT模塊在并聯(lián)時(shí)的降額必然性問(wèn)題.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 11:33:10
2 IGBT整流器是用于將交流電轉(zhuǎn)換為直流電的關(guān)鍵設(shè)備，它們通過(guò)精確控制IGBT的導(dǎo)通時(shí)間來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出的調(diào)節(jié)，確保提供高質(zhì)量、穩(wěn)定的直流電供電。在某些情況下，還可以實(shí)施功率因數(shù)校正（PFC）以提高輸入
2023-11-10 17:31:05730 
和性能，動(dòng)態(tài)測(cè)試是必不可少的。下面將詳細(xì)介紹IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試的參數(shù)。 1. 開(kāi)通特性測(cè)試（Turn-on Characteristics Test）： 開(kāi)通特性測(cè)試是通過(guò)控制IGBT的輸入信號(hào)，來(lái)檢測(cè)
2023-11-10 15:33:51885 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281269 什么是igbt短路測(cè)試？igbt短路測(cè)試平臺(tái)? IGBT短路測(cè)試是針對(duì)晶體管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）進(jìn)行的一種測(cè)試方法。IGBT是一種高壓高功率
2023-11-09 09:18:291042 驅(qū)動(dòng)電路對(duì)動(dòng)態(tài)均流的影響：驅(qū)動(dòng)電路對(duì)并聯(lián)均流的影響也是顯而易見(jiàn)的，如果并聯(lián)工作的IGBT驅(qū)動(dòng)電路不同步，則先驅(qū)動(dòng)的IGBT要承擔(dān)大得多的動(dòng)態(tài)電流。
2023-10-20 10:31:551224 
IGBT在控制極上加正電壓可以控制導(dǎo)通，電壓為0時(shí)可以讓其關(guān)斷，那么加一個(gè)反壓呢？IGBT會(huì)是什么情況？ 關(guān)于IGBT在控制極上加反壓的情況，我們需要探討IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理以及反壓對(duì)其產(chǎn)生
2023-10-19 17:08:11860 igbt可以反向?qū)▎?？如何控?b class="flag-6" style="color: red">igbt的通斷？ IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 隔離柵雙極晶體管的縮寫(xiě)，是一種功率半導(dǎo)體器件。IGBT 可以用
2023-10-19 17:08:051888 、N型漏源和門(mén)極組成。因其高電壓和高電流開(kāi)關(guān)能力，廣泛應(yīng)用于電力和電能控制器的控制中。 IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷是通過(guò)控制門(mén)極電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)的。下文詳細(xì)介紹IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷條件，以及具體的導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程。 IGBT
2023-10-19 17:08:028161
簡(jiǎn)介：南京銀茂微電子專(zhuān)注于工業(yè)和其他應(yīng)用的功率IGBT和MOSFET模塊產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和制造。
通過(guò)采用現(xiàn)代化的設(shè)備來(lái)處理和表征高達(dá)3.3kV的電源模塊，建立了先進(jìn)的電源模塊制造能力。自2009年以來(lái)，已
2023-10-16 11:00:14
的差異，導(dǎo)致IGBT并聯(lián)時(shí)電流不均衡。本文分析了帶輸出電抗器均流的三相三相全橋逆變器的并聯(lián)均流特性，設(shè)計(jì)了輸出電抗器參數(shù)，給出了仿真和試驗(yàn)結(jié)果，試驗(yàn)結(jié)果表明了對(duì)并聯(lián)特性分析的合理性及有效性。
2023-09-19 07:45:32
變壓器可以并聯(lián)使用，可以將兩個(gè)相同的變壓器并聯(lián)使用，但要確保輸出電壓相序相同。 并聯(lián)運(yùn)行是發(fā)電廠和變電站中常見(jiàn)的運(yùn)行方式。在這種方式下，兩臺(tái)或多臺(tái)變壓器的一、二次繞組分別接在一、二次公共母線上，同時(shí)
2023-09-14 16:56:385950 為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件，開(kāi)關(guān)、電阻器和 MOSFET 并聯(lián)連接。
2023-08-29 11:47:48302 
igbt反向并聯(lián)二極管作用? IGBT反向并聯(lián)二極管，也稱(chēng)為快速反向二極管，是一種非常重要的器件，它廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電氣系統(tǒng)中。以下將詳細(xì)介紹IGBT反向并聯(lián)二極管的作用、原理、特點(diǎn)
2023-08-29 10:32:243491 igbt為什么要反并聯(lián)二極管 IGBT是一種功率器件，它是一種膜材料型結(jié)構(gòu)，它采用P型部分、N型部分、漂移區(qū)、隔離氧化層、金屬控制電極和保護(hù)結(jié)構(gòu)等元件組成，為集成化的功率MOSFET和雙極性晶體管
2023-08-29 10:25:592926 igbt反向并聯(lián)二極管作用 IGBT是一種強(qiáng)勁的功率半導(dǎo)體器件，被廣泛應(yīng)用于高電壓、高電流和高速開(kāi)關(guān)的領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的大功率晶體管相比，IGBT能夠提供更高的功率密度，同時(shí)也具有更高的效率和更低
2023-08-29 10:25:571118 路原理 IGBT逆變電路是由IGBT管、反并聯(lián)二極管、電感、電容等組成的電路。在正常工作時(shí)，IGBT管的門(mén)級(jí)隔離驅(qū)動(dòng)，控制IGBT管的導(dǎo)通和截止，使電路中的電感儲(chǔ)存電能，當(dāng)IGBT管截止時(shí)，電感產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)將使反并聯(lián)二極管導(dǎo)通，將儲(chǔ)存在電感中的電能傳遞到負(fù)載中
2023-08-29 10:25:543321 的發(fā)展趨勢(shì)采用新型的功率器件實(shí)現(xiàn)小型、輕量、高效率的電源模塊化，通過(guò)并聯(lián)進(jìn)行擴(kuò)容。電源并聯(lián)運(yùn)行是電源產(chǎn)品模塊化、大容量化的一個(gè)有效方案，是電源技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)之一，是實(shí)
2023-08-26 08:26:44537 
。在IGBT中，P型區(qū)和N型區(qū)被分別放置在一個(gè)PNPN結(jié)構(gòu)中，然后通過(guò)MOSFET的柵極進(jìn)行控制。MOSFET是由金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成的，MOSFET的柵極由氧化物隔離。 2. 開(kāi)關(guān)速度 MOSFET的開(kāi)關(guān)速
2023-08-25 14:50:013236 摘要: 針對(duì)傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)超結(jié) IGBT 器件在大電流應(yīng)用時(shí)的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)較弱，削弱了 IGBT 器
件低飽和導(dǎo)通壓降優(yōu)點(diǎn)的問(wèn)題，設(shè)計(jì)了 p 柱浮空的超結(jié) IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 摘要: 為提升高壓 IGBT 的抗短路能力，進(jìn)一步改善短路與通態(tài)壓降的矛盾關(guān)系，研究了
IGBT 背面工藝對(duì)抗短路能力的影響。通過(guò) TCAD 仿真，在 IGBT 處于負(fù)載短路工作期間，針對(duì)
2023-08-08 10:14:470 摘要 壓接型 IGBT 芯片在正常的運(yùn)行工況下承受著電-熱-力多物理量的綜合作用，研究電熱-力影響下的 IGBT 芯片動(dòng)態(tài)特性對(duì)于指導(dǎo) IGBT 芯片建模以及規(guī)?；?IGBT 并聯(lián)封裝設(shè)計(jì)具有
2023-08-08 09:58:280 IGBT模塊中通常都會(huì)在陶瓷基板（DBC）上設(shè)有熱敏電阻（NTC或PTC，由于NTC較為常用，以下統(tǒng)稱(chēng)NTC）用于溫度檢測(cè)，如圖1所示。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師最直接也是最常見(jiàn)的一個(gè)問(wèn)題就是：我檢測(cè)到了NTC的溫度，那么IGBT真實(shí)的結(jié)溫是多少？或者是：IGBT芯片和NTC之間的溫差是多少？
2023-08-03 09:31:33531 
本文介紹了一種通過(guò)SCR并聯(lián)穩(wěn)壓器電路保護(hù)電容式LED驅(qū)動(dòng)器電路的有效方法，并解釋了它如何防止濾波電容器爆炸和LED損壞。
2023-07-11 14:44:16821 
IGBT的開(kāi)關(guān)特性是通過(guò)對(duì)門(mén)極電容進(jìn)行充放電來(lái)控制的，實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常使用＋15V的正電壓對(duì)IGBT進(jìn)行開(kāi)通，再由-5V…-8V…-15V的負(fù)電壓進(jìn)行關(guān)斷。
2023-07-04 14:54:051690 
盡管當(dāng)前全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)處于下行周期，總體市場(chǎng)氛圍需求不振，但依然存在IGBT等少數(shù)供不應(yīng)求的領(lǐng)域。消息稱(chēng)，英飛凌、意法半導(dǎo)體國(guó)外大廠IGBT交期均在50周以上，產(chǎn)能緊張或?qū)⒊掷m(xù)至2025年。而這
2023-06-19 15:35:08360 IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過(guò)鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝。
2023-06-02 09:09:29583 
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過(guò)鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:52555 
IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分
2023-05-26 11:21:231257 
每次談到IGBT都要把它的優(yōu)點(diǎn)先說(shuō)一遍，就當(dāng)我嘮叨了。IGBT結(jié)合了電力場(chǎng)效應(yīng)管和電力晶體管導(dǎo)通、關(guān)斷機(jī)制的優(yōu)點(diǎn)，相比于其他大功率開(kāi)關(guān)器件，IGBT的驅(qū)動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)速度快、沒(méi)有二次擊穿效應(yīng)且易于并聯(lián)。
2023-05-25 17:31:342956 
之前我們?cè)诮榻BMOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應(yīng)的概念，在IGBT的導(dǎo)通過(guò)程分析的文章中我們也簡(jiǎn)單提到過(guò)米勒平臺(tái)
2023-05-25 17:24:253995 
一般情況下，常見(jiàn)的IGBT主要定義的是其正向阻斷電壓，而反向阻斷電壓一般不會(huì)在Datasheet中被提及到，這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">IGBT通常會(huì)反并聯(lián)續(xù)流二極管
2023-05-25 17:21:031078 
一開(kāi)始我們簡(jiǎn)單介紹過(guò)IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理，不同的行業(yè)對(duì)使用IGBT時(shí)，對(duì)于其深入的程度可能不一樣，但是作為一個(gè)開(kāi)關(guān)器件，開(kāi)通和關(guān)斷的過(guò)程
2023-05-25 17:16:251261 
IGBT模塊中通常都會(huì)在陶瓷基板（DBC）上設(shè)有熱敏電阻（NTC或PTC，由于NTC較為常用，以下統(tǒng)稱(chēng)NTC）用于溫度檢測(cè)。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師最直接也是最常見(jiàn)的一個(gè)問(wèn)題就是：我檢測(cè)到了NTC的溫度，那么IGBT真實(shí)的結(jié)溫是多少？或者是：IGBT芯片和NTC之間的溫差是多少？
2023-05-05 10:52:141600 
有關(guān)并聯(lián)電路的知識(shí)，在電路中將不同的元件首首相連，同時(shí)尾尾相連在一起，這種電路連接方式，就稱(chēng)為并聯(lián)電路，怎么計(jì)算并聯(lián)電路的電壓與電流，并聯(lián)電路的特點(diǎn)有哪些，下面來(lái)了解下。
2023-05-02 16:44:005002 
信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，時(shí)常會(huì)無(wú)奈發(fā)生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯(lián)續(xù)流二極管FWD在硬開(kāi)關(guān)續(xù)流時(shí)反向恢復(fù)特性也會(huì)變快。以1700V/1000A IGBT4 E4來(lái)看，規(guī)格書(shū)中在結(jié)溫Tvj.op
2023-04-19 09:27:11569 IGBT由柵極（G）、發(fā)射（E）和集電極（C）三個(gè)極控制。 如圖1，IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。 反之，加反向門(mén)極電壓消除溝道，切斷
2023-04-08 09:36:261455 IGBT芯片與芯片的電極端子間，IGBT芯片電極端子與二極管芯片間，芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過(guò)引線鍵合技術(shù)進(jìn)行電氣連接。
2023-04-01 11:31:371751 紹，企業(yè)預(yù)防并聯(lián)電容器出現(xiàn)故障的方法。 確保電容器質(zhì)量 并聯(lián)電容器的質(zhì)量，是其安全運(yùn)行的前提。質(zhì)量差的并聯(lián)電容器在運(yùn)行時(shí)，會(huì)出現(xiàn)鼓肚、漏油、著火、燃燒等故障且使用壽命較短。庫(kù)克庫(kù)伯是進(jìn)口電力電容器廠家，生產(chǎn)的并聯(lián)電容
2023-03-24 11:35:21565 
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