行業(yè)背景 隨著工業(yè)技術的不斷發(fā)展，物聯(lián)網(wǎng)作為新興生產(chǎn)力正在改變許多行業(yè)的工作方式。在半導體芯片行業(yè)，自動蝕刻機的物聯(lián)網(wǎng)應用正在助力企業(yè)達到監(jiān)控設備更加便利、故障運維更加高效、數(shù)據(jù)分析更加精準等等
2024-03-20 17:52:39
823 
光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對于需要長時間蝕刻以形成深孔的應用場景，較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時間。
2024-03-04 10:49:16131 
碳性電池是一種使用碳材料作為負極活性物質的電化學裝置。與之相對的是堿性電池，使用的是氫氧化鈉或氫氧化鉀作為電解質。下面，我將詳細介紹碳性電池的種類以及與堿性電池的區(qū)別。 碳性電池的種類： 鋅碳干電池
2024-01-22 10:25:58467 通常正片工藝是以堿性蝕刻工藝為基礎的。底片上面，所需的路徑或銅表面是黑色的，而不需要的部分是完全透明的。同樣，在路線工藝曝光后，完全透明的部分被暴露在紫外線下的干膜阻滯劑的化學作用硬化，隨后的顯影過程將在下一工序中沖走無硬襯底的干膜
2024-01-17 15:33:35163 mA/mm的ID，最大值和27Ω·mm的RON，創(chuàng)下了金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）生長的III族氮化物p-FET的記錄。 高密度鈮酸鋰光子集成電路 在這里，我們證明了類金剛石碳（DLC）是制造基于鐵電體的光子集成電路的優(yōu)越材料，特別是LiNbO3。使用DLC作為硬掩模，我們展示了深蝕刻、緊密
2024-01-16 17:12:33146 
過程中起著重要的作用。這種制造過程通常需要與埋著的SiGe薄膜接觸。與這些埋地區(qū)域接觸需要蝕刻硅并在薄薄的SiGe層中停止。 因此，為了實現(xiàn)精確的圖案轉移，我們需要一種可控蝕刻的方法。不幸的是，針對SiGe選擇性的RIE技術尚未被發(fā)現(xiàn)。幸運的是
2023-12-28 10:39:51131 
客戶線路設計好過蝕刻線的時候，若銅箔規(guī)格變更后而蝕刻參數(shù)未變，造成銅箔在蝕刻液中的停留時間過長。因鋅本來就是活潑金屬類，當LED廣告屏PCB上的銅線長時間在蝕刻液中浸泡時，必將導致線路側蝕過度，造成某些細線路背襯鋅層被完全反應掉而與基材脫離，即銅線脫落。
2023-12-26 16:28:43119 ADC
中的吞吐
速率如何理解，它與采樣
速率是否等同呢？從網(wǎng)上查了些，但是解釋的不太清晰。望能解答，謝謝?。。?/div>
2023-12-19 06:31:57
在敷銅板上，通過光化學法，網(wǎng)印圖形轉移或電鍍圖形抗蝕層，然后蝕刻掉非圖形部分的銅箔或采用機械方式去除不需要部分而制成印制電路板PCB。而減成法中主要有雕刻法和蝕刻法兩種。雕刻法是用機械加工方法除去不需要的銅箔，在單件試制或業(yè)余條件下可快速制出印制電路板PCB;
2023-12-18 15:34:08145 在微電子制造領域，光刻機和蝕刻機是兩種不可或缺的重要設備。它們在制造半導體芯片、集成電路等微小器件的過程中發(fā)揮著關鍵作用。然而，盡管它們在功能上有所相似，但在技術原理、應用場景等方面卻存在著明顯的區(qū)別。本文將對光刻機和蝕刻機的差異進行深入探討。
2023-12-16 11:00:09371 
眾所周知，化合物半導體中不同的原子比對材料的蝕刻特性有很大的影響。為了對蝕刻速率和表面形態(tài)的精確控制，通過使用低至25nm的薄器件阻擋層的，從而增加了制造的復雜性。本研究對比了三氯化硼與氯氣的偏置功率，以及氣體比對等離子體腐蝕高鋁含量AlGaN與AlN在蝕刻速率、選擇性和表面形貌方面的影響。
2023-12-15 14:28:30227 
基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應用于高頻放大器和高壓功率開關中。就器件制造而言，GaN的相關材料，如AlGaN，憑借其物理和化學穩(wěn)定性，為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24294 
GaN和相關合金由于其優(yōu)異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優(yōu)化工藝過程相關的成熟材料是有源/無源射頻光電子器件近期發(fā)展的關鍵問題。專用于三元結構的干法蝕刻工藝特別重要，因為這種器件通常包括異質結構。因此，GaN基光電器件的制造部分或全部依賴于干法刻蝕。
2023-12-11 15:04:20188 
另外一種工藝方法是整個板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比，全板鍍銅的缺點是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45261 按工藝要求排放出部分比重高的溶液經(jīng)分析后補加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調整到工藝充許的范圍。
2023-12-06 15:01:46285 GaN和InGaN基化合物半導體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實現(xiàn)藍-綠光發(fā)光二極管和藍光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學和熱穩(wěn)定性，在沒有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法蝕刻是困難的，并且導致低的蝕刻速率和各向同性的蝕刻輪廓。
2023-12-05 14:00:22220 
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259 
有兩個問題：
一、AD7190的數(shù)據(jù)手冊中說最高數(shù)據(jù)輸出速率為4.8kHz，這個數(shù)據(jù)輸出速率等于采樣速率嗎？是不是也意味著在這個速率下ADC輸出兩個相鄰數(shù)據(jù)（24或32位）之間的時間為1/4.8k
2023-12-01 06:35:54
三星電子和sk海力士用于tsv蝕刻的設備都是Syndion。synthion是典型的深硅蝕刻設備，深度蝕刻到晶片內(nèi)部，用于tsv和溝槽等的高度和寬度比的形成。泛林集團 sabre 3d將用于用銅填充蝕刻的晶圓孔來制作線路的tsv線路。
2023-11-30 10:15:57331 由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導體廣泛應用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結構。
2023-11-30 09:01:58166 
目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點，包括產(chǎn)生離子誘導損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側壁。干法蝕刻產(chǎn)生的側壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241 
蝕刻設備的結構及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進行控制。采用某些添加劑可以降低側蝕度。這些添加劑的化學成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設備的結構問題，后面的章節(jié)將專門討論。
2023-11-14 15:23:10217 自動蝕刻機是利用電解作用或化學反應對金屬板進行處理，以獲得所需圖紋、花紋、幾何形狀的自動化設備，廣泛應用于芯片、數(shù)碼、航空、機械、標牌等領域中?，F(xiàn)有一家蝕刻機設備制造商，要求對全國各地的蝕刻機設
2023-11-08 13:59:52146 
眾所周知，微尺度和納米尺度的地形結構對真核細胞和原核細胞的行為都有顯著的影響。例如，具有特殊尺寸的納米線、納米柱、納米管已被證明具有抗菌性能。開發(fā)這種結構提供了一種無藥物的方法來對抗感染，這被認為是一種替代釋放抗菌劑的常見抗菌表面的替代品。
2023-10-23 09:43:16136 
干法蝕刻（dry etch）工藝通常由四個基本狀態(tài)構成：蝕刻前（before etch），部分蝕刻（partial etch），蝕刻到位（just etch），過度蝕刻（over etch），主要表征有蝕刻速率，選擇比，關鍵尺寸，均勻性，終點探測。
2023-10-18 09:53:19788 
在精細印制電路制作過程中，噴淋蝕刻是影響產(chǎn)品質量合格率重要的工序之一?，F(xiàn)有很多的文章對精細線路的蝕刻做了大量的研究，但是大多數(shù)都只停留在表象的研究中，并沒有從本質上認識噴淋蝕刻中出現(xiàn)的問題。
2023-10-17 15:15:35164 
蝕刻液的化學成分的組成：蝕刻液的化學組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達3.5-4。而正處在開發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達到幾乎沒有側蝕問題，蝕刻后的導線側壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 據(jù)悉，東京電子新技術的目標是能夠長時間儲存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲單元。3D nand的存儲器容量可以通過將存儲器單元層垂直堆積來增加，如果層數(shù)增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:49368 蝕刻技術相比，干法蝕刻技術可以提供各向異性的輪廓、快速的蝕刻速率，并且已經(jīng)被用于限定具有受控輪廓和蝕刻深度的器件特征。
2023-10-12 14:11:32244 
腐蝕pcb板的溶液按抗蝕層類型與生產(chǎn)條件而選擇：有酸性氯化銅、堿性氯化銅、三氯化鐵、硫酸與過氧化氫、過硫酸鹽等多種。下面捷多邦小編和大家介紹一下腐蝕pcb板的溶液的一些知識。 三氯化鐵的蝕刻液是銅箔
2023-10-08 09:50:22734 GaN及相關合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發(fā)一開始集中于臺面結構，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
通常，我們需要將巖性模式轉換為多個。一次蝕刻通道中的膠片類型
2023-09-26 11:20:00130 
銅的電阻率取決于其晶體結構、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統(tǒng)上，銅(Cu)線的形成是通過使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中蝕刻溝槽圖案，然后通過鑲嵌流用Cu填充溝槽來完成的。
2023-09-22 09:57:23281 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項。PCB打樣中，在銅箔部分預鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30669 要注意的是，蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術對聚合物抗蝕劑進行構圖，然后通過干法蝕刻技術用抗蝕劑作為掩模將圖案轉移到襯底或子層上。
2023-09-07 09:57:14292 
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 
鈦金屬具有較高的比強度和生物相容性，并且由于在金屬表面自發(fā)形成的鈍化膜而具有優(yōu)異的抗蝕刻性。這種薄氧化膜在空氣中容易形成，保護內(nèi)部活性鈦金屬免受侵蝕性介質的影響。二氧化鈦具有很寬的帶隙，因此鈦經(jīng)常被用于各種應用，包括光催化劑、化學傳感器和醫(yī)療植入物。
2023-09-01 10:18:07187 
上海新陽在集成電路制造用清洗劑產(chǎn)品方面，28nm干法蝕刻液產(chǎn)品規(guī)?；隽舜罅可a(chǎn)，14nm技術切入點后干法蝕刻艘后世額也實現(xiàn)了批量生產(chǎn)和銷售，公司的干法蝕刻液產(chǎn)品已經(jīng)14nm后以上技術切入點的禮儀
2023-08-28 10:59:43345 ：它應該是由于邊緣 Si?原子和蝕刻自由基之間的分子相互作用而導致 Si-Si?背界強度的變化產(chǎn)生的。蝕刻速率的極坐標圖包含有關蝕刻反應分子機制的寶貴信息，可用于顯著增強微加工技術。因此，從束縛強度等原子參數(shù)開始并描繪各
2023-08-22 16:32:01407 我們?nèi)A林科納通過光學反射光譜半實時地原位監(jiān)測用有機堿性溶液的濕法蝕刻，以實現(xiàn)用于線波導的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結構產(chǎn)生的各向同性蝕刻導致表面
2023-08-22 16:06:56239 
，內(nèi)層線路加工是把需要的圖形用干膜或濕膜保護起來，將不需要留下來的銅箔用酸性藥水蝕刻掉。
現(xiàn)有線路板上線路的線寬/間距一般都是一次性曝光-蝕刻形成的，由于化學蝕刻過程中的水池效應，致使金屬線路產(chǎn)生側蝕
2023-08-18 10:08:02
半導體蝕刻設備是半導體製造過程中使用的設備。 化學溶液通過將晶片浸入化學溶液（蝕刻劑）中來選擇性地去除半導體晶片的特定層或區(qū)域，化學溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 PCB蝕刻工藝中的“水池效應”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會導致大尺寸PCB整個板面具有不同的蝕刻質量。
2023-08-10 18:25:431013 刻蝕和蝕刻實質上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進行化學或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導體制造中，這個過程常常用于雕刻芯片上的細微結構。
2023-07-28 15:16:594140 絕對值編碼器是一種用于測量旋轉位置或線性位移的傳感器。與增量編碼器不同，絕對值編碼器可以提供特定位置的唯一輸出值，而不需要進行校準。這使得絕對值編碼器在需要高精度位置測量的應用中非常有用，例如機器人、自動化系統(tǒng)和醫(yī)療設備。
2023-07-26 09:53:329949 電解提銅過程中，陽極區(qū)的氫離子會透過陽離子膜遷移到陽極區(qū)中，使藥水酸度增加，正好可以補充蝕刻過程中藥水酸度的損耗，使蝕刻液可以不斷循環(huán)使用。
2023-07-18 15:01:43383 蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個側壁鈍化機制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
印刷電路板（PCB）大多是通過蝕刻來生產(chǎn)的。
2023-06-27 09:43:03617 在介紹日本電子公司研發(fā)的全新蝕刻技術之前，我們需要了解蝕刻技術的歷史。蝕刻技術是芯片制造基礎工藝之一，它是指對光刻技術制作的圖案進行蝕刻，得到具有一定幾何形狀和結構的微細孔洞和凹坑的工藝。
2023-06-26 15:58:18897 
CMOS和MEMS制造技術，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學性質非常有用，但是當存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學也會有問題。
2023-06-26 13:32:441053 
，我們可以看到，本質上阻抗偏差與材料及加工過程有關。板材來料本身偏差、線路蝕刻偏差、層壓帶來的流膠率偏差，以及銅箔表面粗糙度、PP玻纖效應、介質的DF頻變效應等都會對阻抗公差有影響。
一、覆銅板的來料
2023-06-25 10:25:55
，我們可以看到，本質上阻抗偏差與材料及加工過程有關。板材來料本身偏差、線路蝕刻偏差、層壓帶來的流膠率偏差，以及銅箔表面粗糙度、PP玻纖效應、介質的DF頻變效應等都會對阻抗公差有影響。
一、覆銅板的來料
2023-06-25 09:57:07
上海伯東日本 Aston? 質譜儀能夠進行準確且可操作的端點檢測, OA% 是傳統(tǒng) OES 計量解決方案的一個數(shù)量級（1/10）. Aston? 質譜儀解決方案適用于具有高蝕刻吞吐量和大量重復相同
2023-06-20 17:28:31258 
在干法蝕刻中，氣體受高頻（主要為 13.56 MHz 或 2.45 GHz）激發(fā)。在 1 到 100 Pa 的壓力下，其平均自由程為幾毫米到幾厘米。
2023-06-20 09:49:163689 
離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過程是絕對
2023-06-20 09:48:563989 
上海伯東美國?KRi?考夫曼公司大口徑射頻離子源?RFICP 380, RFICP 220 成功應用于 12英寸和 8英寸?IBE 離子束蝕刻機, 實現(xiàn) 300mm 和 200mm 硅片蝕刻, 刻蝕
2023-06-15 14:58:47665 
器件尺寸的不斷縮小促使半導體工業(yè)開發(fā)先進的工藝技術。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術。ALD是一種沉積技術，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應。ALE是一種蝕刻技術，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應。
2023-06-15 11:05:05526 
為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設計（如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET )）預計將在互補金屬氧化物半導體技術中被采用。3D MOS架構為蝕刻應用帶來了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設備更多地依賴于各向異性蝕刻，但是3D設備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 
：線路電鍍和全板鍍銅，現(xiàn)敘述如下。 1、線路電鍍 該工藝中只在設計有電路圖形和通孔的地方接受銅層的生成和蝕刻阻劑金屬電鍍。在線路電鍍過程中，線路和焊墊每一側增加的寬度與電鍍表面增加的厚度大體相當，因此
2023-06-09 14:19:07
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設備，通常會導致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結構的一種非常有用的技術。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
微孔利用光和物質的相互作用來獲得獨特的性質，特別是，當用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結構表現(xiàn)出強烈的共振。然而，用于制造微孔的技術是耗時的，并且需要昂貴的設備和專業(yè)人員。因此，英思特開發(fā)了一種通過濕化學蝕刻硅襯底來制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 
蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會變化，因而影響產(chǎn)品質量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
微電子機械系統(tǒng)（MEMS）是將機械元件和電子電路集成在一個共同的基板上，通過使用微量制造技術來實現(xiàn)尺寸從小于一微米到幾微米的高性能器件。由于現(xiàn)有的表面加工技術，目前大多數(shù)的MEMS器件都是基于硅的。
2023-05-19 10:19:26352 一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484917 蝕刻是微結構制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進一步細分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
減薄晶片有四種主要方法，(1)機械研磨，(2)化學機械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學漿液結合起來與晶片反應并使之變薄，而蝕刻則使用化學物質來使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06979 其實不同顏色的PCB，它們的制造的材料、制造工序都是一樣的，包括敷銅層的位置也是一樣的，經(jīng)過蝕刻工藝后就在PCB上留下了最終的布線，例如下圖這塊剛經(jīng)過蝕刻工藝的PCB，敷銅走線就是原本的銅色，而PCB基板略顯微黃色。
2023-05-09 10:02:431699 
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 三種?！ u槽法最簡單，所用的設備是一只放腐蝕劑的槽，裝于不斷搖動的臺面上?！ 〗g法是將工件浸沒在盛有能保溫的大槽中蝕刻?！ 娢g法生產(chǎn)速度較快，用泵將腐蝕劑噴于印制板表面進行腐蝕加工?！ ?.工業(yè)
2023-04-20 15:25:28
[技術領域] 本實用新型涉及半導體制造技術領域，具體地說是一種酸性化學品供應控制系 統(tǒng)。 由于半導體行業(yè)中芯片生產(chǎn)線的工作對象是硅晶片，而能在硅晶片上蝕刻圖形 以及清洗硅晶片上的雜質、微粒子的化學品
2023-04-20 13:57:0074 提出了一種利用飛秒激光誘導化學蝕刻（FLICE）制造壓電致動的石英晶體MEMS諧振器的方法。
2023-04-20 09:10:46878 反應離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導體工業(yè)中使用的互補金屬氧化物半導體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
下圖顯示了Intel的第6代晶體管（6T）SRAM尺寸縮小時間表，以及多晶硅柵刻蝕技術后從90nm到22nm技術節(jié)點6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖?？梢钥闯?，SRAM的布局從65nm節(jié)點已發(fā)生了革命性的變化，這種布局完全不同于90nm節(jié)點。從45nm節(jié)點后，雙重圖形化技術已經(jīng)應用在柵圖形化工藝中。隨著技術節(jié)點的繼續(xù)縮小，MOSFET柵極關鍵尺寸CD繼續(xù)縮小遇到了困難，IC設計人員開始減少柵極之間的間距。
2023-04-03 09:39:402452 經(jīng)過多年的研發(fā)，隨著該行業(yè)在內(nèi)存和邏輯方面面臨新的挑戰(zhàn)，一種稱為低溫蝕刻的技術正在重新出現(xiàn)，成為一種可能的生產(chǎn)選擇。
2023-03-29 10:14:41392 
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 研究表明，半導體的物理特性會根據(jù)其結構而變化，因此半導體晶圓在組裝成芯片之前被蝕刻成可調整其電氣和光學特性以及連接性的結構。
2023-03-28 09:58:34251 
去吃魚?！绷秩鐭熜πφf，就這么滴。話音剛落，大師兄突然抬起頭說：“理工，客戶有個PCB,，板上有個0.5mm bga，PCB設計時有焊盤夾線，板內(nèi)其它非BGA區(qū)域有盤中孔設計，結果導致板子生產(chǎn)不良率
2023-03-27 14:33:01
在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對孔的滲透變得更具挑戰(zhàn)性。
2023-03-27 10:17:49402 
plating）→蝕刻（Etch）→半檢IQC→絲印阻焊油墨和字符油墨（SS）或貼阻焊干膜→熱風整平或噴錫（HAL）→外形（Pounching）→成檢（FQC）→電測試E-TEST→包裝
2023-03-24 11:24:22
當今世界信息社會的發(fā)展在很大程度上依賴于高比特率電信技術的質量。雖然微波和光纖被用于長距離傳輸，但光網(wǎng)絡也將對高比特率信息的局部分布發(fā)揮至關重要的作用。
2023-03-23 10:36:32346 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論