摘要
半導(dǎo)體行業(yè)的研究人員研究了臭氧對(duì)wafer-cleaning的應(yīng)用程序。 來(lái) 降低化學(xué)品消耗,降低成本,提高清洗效率,對(duì)臭氧進(jìn)行了研究作為一種替代,傳統(tǒng)的硫酸-過(guò)氧化氫 RCA用堿性(SC-1)和酸性來(lái)清洗。它是 (SC-2)過(guò)氧化氫混合物 這是因?yàn)橄净顒?dòng)產(chǎn)生的多重影響 。
圖1:三步ACD原理圖清洗系統(tǒng)配置
DIO3可降解有機(jī)物污染
圖2:三種清潔工藝后典型的殘余金屬表面濃度 在硅片上:在HF/O3干燥器中一步的過(guò)程,修改的RCA清潔,和一個(gè)堿性蝕刻
尋找一個(gè)替代 RCA清洗
圖3:三種類(lèi)型的CMOS器件的跨導(dǎo)數(shù)據(jù)(a)和飽和電流數(shù)據(jù)(b)
結(jié)論
濕式清洗工藝將繼續(xù)發(fā)揮作用在半導(dǎo)體制造中扮演著重要的角色晶圓結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性增加。 在可靠的臭氧產(chǎn)生系統(tǒng)發(fā)展,使臭氧牽引替代傳統(tǒng)的濕清洗和pho抵抗去除方法。 臭氧/水清潔產(chǎn)品更便宜,更環(huán)保。
審核編輯:湯梓紅
評(píng)論