行業(yè)背景 隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，物聯(lián)網(wǎng)作為新興生產(chǎn)力正在改變?cè)S多行業(yè)的工作方式。在半導(dǎo)體芯片行業(yè)，自動(dòng)蝕刻機(jī)的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用正在助力企業(yè)達(dá)到監(jiān)控設(shè)備更加便利、故障運(yùn)維更加高效、數(shù)據(jù)分析更加精準(zhǔn)等等
2024-03-20 17:52:39
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在英特爾簡(jiǎn)化的工藝流程中（見(jiàn)圖 5），該工藝首先制造出鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（finFET）或全柵極晶體管，然后蝕刻納米硅片并填充鎢或其他低電阻金屬。
2024-02-28 11:45:25223 
等高精度檢測(cè)。特別在生產(chǎn)工藝后段，品質(zhì)管控的標(biāo)準(zhǔn)達(dá)到了新的高度。硅片在經(jīng)歷切割、清洗、烘干等工序后，將進(jìn)行缺陷檢測(cè)，然后直接包裝出貨。如何在高速產(chǎn)線上可靠識(shí)別、穩(wěn)定
2024-02-23 08:23:46126 
根據(jù)已公開(kāi)的研究報(bào)告，東京電子的新式蝕刻機(jī)具備在極低溫環(huán)境下進(jìn)行高速蝕刻的能力。據(jù)悉，該機(jī)器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻工作。此外，設(shè)備使用了新開(kāi)發(fā)的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳?xì)怏w以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22109 在封裝前，通常要減薄晶圓，減薄晶圓主要有四種主要方法：機(jī)械磨削、化學(xué)機(jī)械研磨、濕法蝕刻和等離子體干法化學(xué)蝕刻。
2024-01-26 09:59:27547 
通常正片工藝是以堿性蝕刻工藝為基礎(chǔ)的。底片上面，所需的路徑或銅表面是黑色的，而不需要的部分是完全透明的。同樣，在路線工藝曝光后，完全透明的部分被暴露在紫外線下的干膜阻滯劑的化學(xué)作用硬化，隨后的顯影過(guò)程將在下一工序中沖走無(wú)硬襯底的干膜
2024-01-17 15:33:35163 根據(jù)清洗介質(zhì)的不同，目前半導(dǎo)體清洗技術(shù)主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線
2024-01-12 23:14:23769 
智程半導(dǎo)體自2009年起致力于半導(dǎo)體濕法工藝設(shè)備研究、生產(chǎn)與銷(xiāo)售事業(yè)，10余載研發(fā)歷程，使得其已成為全球頂尖的半導(dǎo)體濕法設(shè)備供應(yīng)商。業(yè)務(wù)范圍包括清洗、去膠、濕法刻蝕、電鍍、涂膠顯影、金屬剝離等多種設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各種高尖端產(chǎn)品領(lǐng)域。
2024-01-12 14:55:23636 至純科技旗下的至微科技是國(guó)內(nèi)濕法設(shè)備市場(chǎng)主流供應(yīng)商之一，在28納米節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了全覆蓋，全工藝機(jī)臺(tái)亦均有訂單。在更為尖端的制程中，至微科技已有部分工藝獲得訂單。
2024-01-12 09:29:45234 使用至光伏/半導(dǎo)體制造工藝的不同環(huán)節(jié)中，這可能會(huì)帶來(lái)更多新材料成分的納米顆粒潛在污染，亟需對(duì)硅片表面納米顆粒進(jìn)行尺寸和數(shù)量的表征。
2024-01-11 11:29:04348 
這次晨控智能與某光伏大廠合作，為光伏硅片生產(chǎn)帶來(lái)透明化與可追溯性，確保光伏硅片的質(zhì)量和追溯性。
2023-12-26 13:59:37161 光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計(jì)以及光刻膠工藝等因素對(duì)分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評(píng)估光刻工藝的難度，ASML認(rèn)為其物理極限在0.25，k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運(yùn)用光刻技術(shù)的水平。
2023-12-18 10:53:05326 
在微電子制造領(lǐng)域，光刻機(jī)和蝕刻機(jī)是兩種不可或缺的重要設(shè)備。它們?cè)谥圃彀雽?dǎo)體芯片、集成電路等微小器件的過(guò)程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。然而，盡管它們?cè)诠δ苌嫌兴嗨?，但在技術(shù)原理、應(yīng)用場(chǎng)景等方面卻存在著明顯的區(qū)別。本文將對(duì)光刻機(jī)和蝕刻機(jī)的差異進(jìn)行深入探討。
2023-12-16 11:00:09371 
技術(shù)提供了典型應(yīng)用。蝕刻工藝對(duì)器件特性有著較大的影響，尤其是在精確控制蝕刻深度和較小化等離子體損傷的情況下影響較大。
2023-12-13 09:51:24294 
GaN和相關(guān)合金由于其優(yōu)異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場(chǎng)和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優(yōu)化工藝過(guò)程相關(guān)的成熟材料是有源/無(wú)源射頻光電子器件近期發(fā)展的關(guān)鍵問(wèn)題。專用于三元結(jié)構(gòu)的干法蝕刻工藝特別重要，因?yàn)檫@種器件通常包括異質(zhì)結(jié)構(gòu)。因此，GaN基光電器件的制造部分或全部依賴于干法刻蝕。
2023-12-11 15:04:20188 
刻蝕的機(jī)制，按發(fā)生順序可概分為「反應(yīng)物接近表面」、「表面氧化」、「表面反應(yīng)」、「生成物離開(kāi)表面」等過(guò)程。所以整個(gè)刻蝕，包含反應(yīng)物接近、生成物離開(kāi)的擴(kuò)散效應(yīng)，以及化學(xué)反應(yīng)兩部分。
2023-12-11 10:24:18250 
另外一種工藝方法是整個(gè)板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比，全板鍍銅的缺點(diǎn)是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時(shí)還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45261 按工藝要求排放出部分比重高的溶液經(jīng)分析后補(bǔ)加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調(diào)整到工藝充許的范圍。
2023-12-06 15:01:46286 GaN和InGaN基化合物半導(dǎo)體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實(shí)現(xiàn)藍(lán)-綠光發(fā)光二極管和藍(lán)光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學(xué)和熱穩(wěn)定性，在沒(méi)有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法蝕刻是困難的，并且導(dǎo)致低的蝕刻速率和各向同性的蝕刻輪廓。
2023-12-05 14:00:22220 
光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來(lái)。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241334 
的，等離子體刻蝕的缺點(diǎn)是容易產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷，難以獲得光滑的刻蝕側(cè)壁。為了更好地控制表面粗糙度，英思特采用了一種稱為數(shù)字蝕刻的技術(shù)來(lái)進(jìn)行研究。
2023-12-01 17:02:39259 
由于其獨(dú)特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:58166 
在半導(dǎo)體芯片等器件工藝中，后道制程中的金屬連接是經(jīng)過(guò)金屬薄膜沉積，圖形化和蝕刻工藝，最后在器件元件之間得到導(dǎo)電連接。
2023-11-29 09:15:31434 
產(chǎn)品詳情 PTT-03A硅片厚度測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介PTT-03A薄膜厚度測(cè)試儀是一款高精度接觸式薄膜、薄片厚度測(cè)量?jī)x器；適用于金屬片、塑料薄膜、薄片、紙張、 橡膠、電池隔膜、箔片、無(wú)紡布
2023-11-27 14:51:47
濕法刻蝕由于成本低、操作簡(jiǎn)單和一些特殊應(yīng)用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過(guò)干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻液都會(huì)對(duì)蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂(lè)觀的話來(lái)說(shuō)，可以對(duì)其進(jìn)行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學(xué)成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)問(wèn)題，后面的章節(jié)將專門(mén)討論。
2023-11-14 15:23:10217 但是里面也有幾個(gè)關(guān)鍵的工藝參數(shù)需要控制的。同樣Etch GaAs也可以用ICP干法刻蝕的工藝，比濕法工藝效果要好些，側(cè)壁也垂直很多。
2023-11-14 09:31:29406 近年來(lái)，銅(Cu)作為互連材料越來(lái)越受歡迎，因?yàn)樗哂械碗娮杪?、不?huì)形成小丘以及對(duì)電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統(tǒng)上，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法用于制備銅細(xì)線。除了復(fù)雜的工藝步驟之外，該方法的一個(gè)顯著缺點(diǎn)是需要許多對(duì)環(huán)境不友好的化學(xué)品，例如表面活性劑和強(qiáng)氧化劑。
2023-11-08 09:46:21188 
一、太陽(yáng)能電池硅片測(cè)厚儀概述太陽(yáng)能電池硅片測(cè)厚儀是一種專門(mén)用于測(cè)量太陽(yáng)能電池硅片厚度的設(shè)備。在太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)過(guò)程中，硅片厚度的準(zhǔn)確測(cè)量對(duì)于提高電池效率和使用壽命具有重要意義。機(jī)械接觸式太陽(yáng)能電池
2023-10-27 16:19:11
Bumping工藝是一種先進(jìn)的封裝工藝，而Sputter是Bumping工藝的第一道工序，其重要程度可想而知。Sputter的膜厚直接影響B(tài)umping的質(zhì)量，所以必須控制好Sputter的膜厚及均勻性是非常關(guān)鍵。
2023-10-23 11:18:18475 
干法蝕刻（dry etch）工藝通常由四個(gè)基本狀態(tài)構(gòu)成：蝕刻前（before etch），部分蝕刻（partial etch），蝕刻到位（just etch），過(guò)度蝕刻（over etch），主要表征有蝕刻速率，選擇比，關(guān)鍵尺寸，均勻性，終點(diǎn)探測(cè)。
2023-10-18 09:53:19788 
蝕刻液的化學(xué)成分的組成：蝕刻液的化學(xué)組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達(dá)3.5-4。而正處在開(kāi)發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達(dá)到幾乎沒(méi)有側(cè)蝕問(wèn)題，蝕刻后的導(dǎo)線側(cè)壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實(shí)現(xiàn)藍(lán)光發(fā)光二極管(led)的主導(dǎo)材料。由于GaN的高化學(xué)穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化學(xué)蝕刻來(lái)蝕刻或圖案化GaN是非常困難的。與濕法
2023-10-12 14:11:32244 
GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來(lái)開(kāi)發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開(kāi)發(fā)一開(kāi)始集中于臺(tái)面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
51單片機(jī)如何用按鍵控制數(shù)碼管要求一個(gè)按鍵按下去加一，一個(gè)減一
2023-09-27 08:17:29
銅的電阻率取決于其晶體結(jié)構(gòu)、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統(tǒng)上，銅(Cu)線的形成是通過(guò)使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中蝕刻溝槽圖案，然后通過(guò)鑲嵌流用Cu填充溝槽來(lái)完成的。
2023-09-22 09:57:23281 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)。PCB打樣中，在銅箔部分預(yù)鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學(xué)方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30669 要注意的是，蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉(zhuǎn)移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術(shù)對(duì)聚合物抗蝕劑進(jìn)行構(gòu)圖，然后通過(guò)干法蝕刻技術(shù)用抗蝕劑作為掩模將圖案轉(zhuǎn)移到襯底或子層上。
2023-09-07 09:57:14292 
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 
濕法腐蝕在半導(dǎo)體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學(xué)的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:041705 
濕法刻蝕由于精度較差，只適用于很粗糙的制程，但它還是有優(yōu)點(diǎn)的，比如價(jià)格便宜，適合批量處理，酸槽里可以一次浸泡25張硅片，所以有些高校和實(shí)驗(yàn)室，還在用濕法做器件，芯片廠里也會(huì)用濕法刻蝕來(lái)顯露表面缺陷（defect），腐蝕背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44890 
半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541221 
光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時(shí)長(zhǎng)、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過(guò)程通過(guò)光刻來(lái)實(shí)現(xiàn)， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531586 
各向異性刻蝕是一種減材微加工技術(shù)，旨在優(yōu)先去除特定方向的材料以獲得復(fù)雜且通常平坦的形狀。濕法技術(shù)利用結(jié)構(gòu)的晶體特性在由晶體取向控制的方向上進(jìn)行蝕刻。 然而，概述了一些定性方面用于解釋各向異性的性質(zhì)
2023-08-22 16:32:01407 我們?nèi)A林科納通過(guò)光學(xué)反射光譜半實(shí)時(shí)地原位監(jiān)測(cè)用有機(jī)堿性溶液的濕法蝕刻，以實(shí)現(xiàn)用于線波導(dǎo)的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的各向同性蝕刻導(dǎo)致表面
2023-08-22 16:06:56239 
來(lái)源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志 綠色目標(biāo)。黃色解決方案。 憑借二十年在批量噴涂及其硬件方面的經(jīng)驗(yàn)，Siconnex已成長(zhǎng)為可持續(xù)濕法工藝設(shè)備的領(lǐng)先供應(yīng)商?？沙掷m(xù)發(fā)展和環(huán)境健康是我們的基因
2023-08-18 17:56:34320 
PCB蝕刻工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致大尺寸PCB整個(gè)板面具有不同的蝕刻質(zhì)量。
2023-08-10 18:25:431013 這篇文章簡(jiǎn)要介紹CEA-Leti發(fā)布用于Chiplet 3D系統(tǒng)的硅光Interposer工藝架構(gòu)，包括硅光前端工藝 (FEOL)、TSV middle工藝、后端工藝 (BEOL) 和背面工藝。
2023-08-02 10:59:512631 
隨著晶體管尺寸的不斷微縮，晶圓制造工藝日益復(fù)雜，對(duì)半導(dǎo)體濕法清洗技術(shù)的要求也越來(lái)越高。
2023-08-01 10:01:561639 
刻蝕和蝕刻實(shí)質(zhì)上是同一過(guò)程的不同稱呼，常常用來(lái)描述在材料表面上進(jìn)行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過(guò)程。在半導(dǎo)體制造中，這個(gè)過(guò)程常常用于雕刻芯片上的細(xì)微結(jié)構(gòu)。
2023-07-28 15:16:594140 硅片，英文名字為Wafer，也叫晶圓，是高純度結(jié)晶硅的薄片。
2023-07-18 15:44:513716 
蝕刻是一種從材料上去除的過(guò)程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
蝕刻是一種從材料上去除的過(guò)程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的行業(yè)盛會(huì)將在上海如期舉行，華林科納將為您帶來(lái)超全面且領(lǐng)先的濕法解決方案，并攜泛半導(dǎo)體濕法裝備服務(wù)平臺(tái)亮相SEMICON China，與上下游企業(yè)進(jìn)行一對(duì)一交流，為企業(yè)發(fā)展瓶頸找到
2023-07-04 17:01:30251 
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-06-29 16:58:37404 
在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過(guò)程和集成電路的部分發(fā)展史?，F(xiàn)在，讓我們繼續(xù)了解光刻工藝，通過(guò)該過(guò)程將電子電路圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上。光刻過(guò)程與使用膠片相機(jī)拍照非常相似。但是具體是怎么實(shí)現(xiàn)的呢？
2023-06-28 10:07:472427 
在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58843 
都使用Cl基蝕刻化學(xué)物質(zhì)。當(dāng)在等離子體放電中分解時(shí)，CCl為還原物質(zhì)提供了來(lái)源，并用于去除表面氧化物和Cl，與下面的Al反應(yīng)。
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對(duì)于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時(shí)，這就成了問(wèn)題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學(xué)也會(huì)有問(wèn)題。
2023-06-26 13:32:441053 
Dimension, CD)小型化(2D視角)，刻蝕工藝從濕法刻蝕轉(zhuǎn)為干法刻蝕，因此所需的設(shè)備和工藝更加復(fù)雜。由于積極采用3D單元堆疊方法，刻蝕工藝的核心性能指數(shù)出現(xiàn)波動(dòng)，從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導(dǎo)體制造的重要工藝流程之一。
2023-06-26 09:20:10816 
繪誤差、圖形轉(zhuǎn)移誤差，對(duì)工程底片進(jìn)行工藝補(bǔ)償，以達(dá)到線寬/線厚的要求。華秋擁有高精度LDI曝光機(jī)及宇宙水平線，線寬公差可控制±15%以內(nèi)（行業(yè)普標(biāo)為±20%），最小線寬線距2.5/3.0 mil，蝕刻
2023-06-25 10:25:55
繪誤差、圖形轉(zhuǎn)移誤差，對(duì)工程底片進(jìn)行工藝補(bǔ)償，以達(dá)到線寬/線厚的要求。華秋擁有高精度LDI曝光機(jī)及宇宙水平線，線寬公差可控制±15%以內(nèi)（行業(yè)普標(biāo)為±20%），最小線寬線距2.5/3.0 mil，蝕刻
2023-06-25 09:57:07
3D NAND 工藝通過(guò)堆疊存儲(chǔ)單元, 提供更高的比特密度, 上海伯東日本 Atonarp Aston? 質(zhì)譜分析儀適用于先進(jìn)半導(dǎo)體工藝（如沉積和蝕刻）所需的定量氣體分析. 沉積應(yīng)用中: 實(shí)時(shí)過(guò)程
2023-06-21 10:09:13197 
太陽(yáng)能硅片又稱為“太陽(yáng)能芯片”或“光電池”，是一種利用太陽(yáng)光直接發(fā)電的光電半導(dǎo)體薄片。它只要被光照到，瞬間就可輸出電壓及在有回路的情況下產(chǎn)生電流。
硅片就是大塊兒硅切割成片子太陽(yáng)能電池片，一般主流的就是硅片做成晶硅太陽(yáng)能電池片，一般有N型硅片P型硅片。太陽(yáng)能硅片中的N型和P型有以下區(qū)別：
2023-06-20 16:59:448127 離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會(huì)撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過(guò)程是絕對(duì)
2023-06-20 09:48:563989 
上海伯東美國(guó)?KRi?考夫曼公司大口徑射頻離子源?RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸?IBE 離子束蝕刻機(jī), 實(shí)現(xiàn) 300mm 和 200mm 硅片蝕刻, 刻蝕
2023-06-15 14:58:47665 
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開(kāi)發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來(lái)，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05526 
光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機(jī)用于芯片的制造，曝光工藝極其復(fù)雜，后道光刻機(jī)主要用于封裝測(cè)試，實(shí)現(xiàn)高性能的先進(jìn)封裝，技術(shù)難度相對(duì)較小。
2023-06-09 10:49:205857 
光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353320 
直接鍍銅陶瓷基板（Direct Plating Copper, DPC）是在陶瓷薄膜工藝加工基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的陶瓷電路加工工藝。以氮化鋁/氧化鋁陶瓷作為線路的基板，采用濺鍍工藝于基板表面復(fù)合金屬層，并以電鍍和光刻工藝形成電路。
2023-05-31 10:32:021587 
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個(gè)必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會(huì)實(shí)質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個(gè)芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會(huì)導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過(guò)鋁基和硅基載流子來(lái)研究蝕刻過(guò)程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過(guò)硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
集成電路前道工藝及對(duì)應(yīng)設(shè)備主要分八大類，包括光刻（光刻機(jī)）、刻蝕（刻蝕機(jī)）、薄膜生長(zhǎng)（PVD-物理氣相沉積、CVD-化學(xué)氣相沉積等薄膜設(shè)備）、擴(kuò)散（擴(kuò)散爐）、離子注入（離子注入機(jī)）、平坦化（CMP設(shè)備）、金屬化（ECD設(shè)備）、濕法工藝（濕法工藝設(shè)備）等。
2023-05-30 10:47:121131 
通過(guò)濕法轉(zhuǎn)移二維材料與半導(dǎo)體襯底形成異質(zhì)結(jié)是一種常見(jiàn)的制備異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器的方法。在濕法轉(zhuǎn)移制備異質(zhì)結(jié)的過(guò)程中，不同的制備工藝細(xì)節(jié)對(duì)二維材料與半導(dǎo)體形成的異質(zhì)結(jié)的性能有顯著影響。
2023-05-26 10:57:21508 
微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來(lái)獲得獨(dú)特的性質(zhì)，特別是，當(dāng)用紫外光、可見(jiàn)光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時(shí)，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的共振。然而，用于制造微孔的技術(shù)是耗時(shí)的，并且需要昂貴的設(shè)備和專業(yè)人員。因此，英思特開(kāi)發(fā)了一種通過(guò)濕化學(xué)蝕刻硅襯底來(lái)制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 
蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢?huì)影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會(huì)變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動(dòng)化方法來(lái)維護(hù)蝕刻化學(xué)，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）是將機(jī)械元件和電子電路集成在一個(gè)共同的基板上，通過(guò)使用微量制造技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)尺寸從小于一微米到幾微米的高性能器件。由于現(xiàn)有的表面加工技術(shù)，目前大多數(shù)的MEMS器件都是基于硅的。
2023-05-19 10:19:26352 一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484918 蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進(jìn)一步細(xì)分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽(yáng)能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
拋光硅晶片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤(pán)（晶片），然后是一個(gè)稱為拍打的扁平過(guò)程，包括使用磨料清洗晶片。通過(guò)蝕刻消除了以往成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
在硅基光伏產(chǎn)業(yè)鏈中，硅晶片的制造是最基本的步驟。金剛石切片是主要的硅片切片技術(shù)，采用高速線性摩擦將硅切割成薄片。在硅片切片過(guò)程中，由于金剛石線和硅片的反復(fù)摩擦，硅片表面發(fā)生了大量的脆性損傷和塑性損傷。
2023-05-15 10:49:38489 
硅片切割作為硅片加工工藝過(guò)程中最關(guān)鍵的工藝點(diǎn)， 其加工質(zhì)量直接影響整個(gè)生產(chǎn)全局及后續(xù)電池片工藝制備。 圖1-硅片切割示意圖 圖2-硅片樣品圖 目前各類硅片平均厚度為 75μm~140
2023-05-11 18:58:02864 
KRi 射頻離子源應(yīng)用于車(chē)載攝像頭鏡片鍍膜工藝, 實(shí)現(xiàn)車(chē)載鏡頭減反, 塑膠鏡片增透車(chē)載鏡頭的鍍膜非常重要, 鍍膜的核心用途就是增加透光率. 先進(jìn)的鍍膜技術(shù)可以最大限度地減少反光, 通過(guò)減少光在折射
2023-05-11 13:36:08
減薄晶片有四種主要方法，(1)機(jī)械研磨，(2)化學(xué)機(jī)械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學(xué)蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學(xué)漿液結(jié)合起來(lái)與晶片反應(yīng)并使之變薄，而蝕刻則使用化學(xué)物質(zhì)來(lái)使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06979 其實(shí)不同顏色的PCB，它們的制造的材料、制造工序都是一樣的，包括敷銅層的位置也是一樣的，經(jīng)過(guò)蝕刻工藝后就在PCB上留下了最終的布線，例如下圖這塊剛經(jīng)過(guò)蝕刻工藝的PCB，敷銅走線就是原本的銅色，而PCB基板略顯微黃色。
2023-05-09 10:02:431699 
一、傳統(tǒng)工藝品制作煥發(fā)生機(jī)，3D掃描技術(shù)帶來(lái)生產(chǎn)工藝革新 傳統(tǒng)工藝美術(shù)是老百姓在日常生活和勞作中的精神提煉與藝術(shù)創(chuàng)作的具體體現(xiàn)。而雕刻便是傳統(tǒng)工藝美術(shù)的具體表現(xiàn)之一。傳統(tǒng)的雕刻工藝包括木雕、浮雕
2023-04-25 13:04:47375 書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：?jiǎn)尉У?b class="flag-6" style="color: red">濕法蝕刻和紅外吸收 編號(hào)：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長(zhǎng)AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 【摘要】 在半導(dǎo)體濕法工藝中，后道清洗因使用有機(jī)藥液而與前道有著明顯區(qū)別。本文主要將以濕法清洗后道工藝幾種常用藥液及設(shè)備進(jìn)行對(duì)比研究，論述不同藥液與機(jī)臺(tái)的清洗原理，清洗特點(diǎn)與清洗局限性。【關(guān)鍵詞
2023-04-20 11:45:00823 
半導(dǎo)體工藝 1.CMOS晶體管是在硅片上制造的 ? 2.平版印刷的過(guò)程類似于印刷機(jī) ? 3.每一步，不同的材料被存放或蝕刻 ? 4.通過(guò)查看頂部和頂部最容易理解文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁簡(jiǎn)化制造中的晶圓截面的過(guò)程 ? 逆變器截面?? 要求pMOS晶體管的機(jī)身 ? 逆變器掩模組 晶體管
2023-04-20 11:16:00247 
反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭(zhēng)論是微電子制造商在項(xiàng)目開(kāi)始時(shí)必須解決的首要問(wèn)題之一。必須考慮許多因素來(lái)決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來(lái)制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
半導(dǎo)體行業(yè)的許多工藝步驟都會(huì)排放有害廢氣。對(duì)于使用非?；顫姷臍怏w的化學(xué)氣相沉積或干法蝕刻，所謂的靠近源頭的廢氣使用點(diǎn)處理是常見(jiàn)的做法。相比之下，對(duì)于濕法化學(xué)工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認(rèn)
2023-04-06 09:26:48408 
了革命性的變化，這種布局完全不同于90nm節(jié)點(diǎn)。從45nm節(jié)點(diǎn)后，雙重圖形化技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用在柵圖形化工藝中。隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的繼續(xù)縮小，MOSFET柵極關(guān)鍵尺寸CD繼續(xù)縮小遇到了困難，IC設(shè)計(jì)人員開(kāi)始減少柵極之間的間距。
2023-04-03 09:39:402452 清洗過(guò)程在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，在技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實(shí)現(xiàn)無(wú)顆粒、無(wú)金屬雜質(zhì)、無(wú)有機(jī)、無(wú)水分、無(wú)天然氧化物、無(wú)表面微粗糙度、無(wú)充電、無(wú)氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質(zhì)和有機(jī)物三類。
2023-03-31 10:56:19314 
半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，是電子產(chǎn)品的核心。在電子半導(dǎo)體器件制造中，單晶硅的氧濃度會(huì)嚴(yán)重影響單晶硅產(chǎn)品的性能，也是單晶硅生長(zhǎng)過(guò)程中較難控制的環(huán)節(jié)。因此，對(duì)硅片承載區(qū)域氧氣含量
2023-03-29 11:48:39453 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過(guò)程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程，本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886
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