驗(yàn)證電源半橋拓?fù)涫欠裾_交叉導(dǎo)通的常用方法是使用兩個(gè)探針同時(shí)驗(yàn)證高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)之間的死區(qū)時(shí)間。
2021-01-08 14:37:30
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效應(yīng)時(shí)會(huì)捕獲的電荷。因此，GaN器件提供了R?DSon（動(dòng)態(tài)導(dǎo)通狀態(tài)電阻），這使得GaN半導(dǎo)體中的傳導(dǎo)損耗無法預(yù)測(cè)。捕獲的電荷通過偏置電壓V?off，偏置時(shí)間T?off以及開關(guān)狀態(tài)下電壓和電流之間的重疊來測(cè)量[4]。當(dāng)設(shè)備打開時(shí)，處于關(guān)閉狀態(tài)的俘獲電荷被釋放，
2021-03-22 12:42:238435 
AN170 - DC開關(guān)電源供應(yīng)的直接交叉點(diǎn)溫度測(cè)量
2023-08-23 14:05:46511 
) 對(duì)電源端子傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量設(shè)備:測(cè)量接收機(jī)和工人電源網(wǎng)絡(luò)主要指標(biāo)作出的規(guī)定,并通過測(cè)量設(shè)備校準(zhǔn)結(jié)果進(jìn)行驗(yàn)證,保證了測(cè)量結(jié)果不確定評(píng)定的可信度。
2015-08-05 11:54:32
2KW開關(guān)電源傳導(dǎo)騷擾超標(biāo)，開關(guān)電源主電路由2級(jí)組成，前級(jí)PFC，后級(jí)逆變電路，傳導(dǎo)騷擾圖見附件，輸入濾波器共模有三級(jí)，每級(jí)共模3mH，Y電容4.7nF,差模電容加到了5uf，都沒有效果。
2016-03-24 16:09:38
應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)新型電源和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。（例如，5G通信電源整流器和服務(wù)器計(jì)算）GaN不斷突破新應(yīng)用的界限，并開始取代汽車、工業(yè)和可再生能源市場(chǎng)中傳統(tǒng)硅基電源解決方案。 圖1：硅設(shè)計(jì)與GaN設(shè)計(jì)的磁性元件功率密度
2022-11-07 06:26:02
硅MOSFET功率晶體管多年來一直是電源設(shè)計(jì)的支柱。雖然它們?nèi)匀槐粡V泛使用，但是在一些新設(shè)計(jì)中，氮化鎵（GaN）晶體管正在逐漸替代MOSFET。GaN技術(shù)的最新發(fā)展，以及改進(jìn)的GaN器件和驅(qū)動(dòng)器電路
2017-05-03 10:41:53
所示），以證明GaN用于硬開關(guān)時(shí)完全合格。我們還在實(shí)際工作條件下運(yùn)行部件，以確定并修復(fù)新發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)場(chǎng)故障機(jī)制。這使我們能證明GaN在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中是可靠的。圖1：符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試工具適用于感應(yīng)開關(guān)
2018-09-10 14:48:19
半導(dǎo)體材料可實(shí)現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
GaN在單片功率集成電路中的工業(yè)應(yīng)用日趨成熟
2023-06-25 10:19:10
。我會(huì)讓您自己決定哪些東西是正確的。因此，當(dāng)我說“GaN已為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備”時(shí)，您懂我的意思嗎？測(cè)試GaN的一種方法是查看采用GaN的電源的開發(fā)過程。多數(shù)情況下，電源設(shè)計(jì)人員使用數(shù)字控制來演示GaN
2018-08-30 15:05:41
在同樣的范圍內(nèi)。幸運(yùn)的是，我們?cè)跀?shù)年前就已經(jīng)擁有具備這一功能的數(shù)字電源控制器了。并不是所有的數(shù)字電源控制器都能夠滿足這些需要，但至少電源設(shè)計(jì)人員有選擇的余地。那么，GaN已經(jīng)為數(shù)字電源控制中的使用做
2018-09-06 15:31:50
。雖然GaN器件在名義上仍存有價(jià)格上的劣勢(shì)，然而，它與磁控技術(shù)相比卻可以節(jié)約一些系統(tǒng)成本。它的電源可以簡(jiǎn)化，無需采用回掃變壓器，也不再需要用馬達(dá)來旋轉(zhuǎn)食物承載盤。隨著GaN器件的價(jià)格在不斷的下降，這些在
2017-04-17 18:19:05
現(xiàn)今的標(biāo)準(zhǔn)火花塞技術(shù)，它能促進(jìn)發(fā)動(dòng)機(jī)燃燒室中油氣的更完全燃燒。這樣做將有可能將燃油效率提高10%，還可以減少氮氧化物和揮發(fā)性有機(jī)化合物氣體的排放。 在所有這些應(yīng)用中的射頻能量器件必須能同時(shí)在性能、電源
2017-05-01 15:47:21
環(huán)路電感比較高時(shí)，柵極應(yīng)力與器件關(guān)斷保持能力之間的均衡和取舍很難管理。你必須增加?xùn)艠O應(yīng)力，或者允許半橋直通，這會(huì)增加交叉傳導(dǎo)損耗和電流環(huán)路振鈴，并且會(huì)導(dǎo)致安全工作區(qū) (SOA) 問題。一個(gè)集成式GaN
2018-08-30 15:28:30
傳導(dǎo)發(fā)射電流法測(cè)試時(shí)，電源線為1700-2000mm，傳導(dǎo)發(fā)射電壓法測(cè)試時(shí)為什么要改成200-400mm ？
2019-03-20 15:51:33
傳導(dǎo)發(fā)射是電磁兼容設(shè)計(jì)中的重要問題之一。為了滿足標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)傳導(dǎo)發(fā)射限制的要求，通常使用EMI濾波器來抑制電子產(chǎn)品產(chǎn)生的傳導(dǎo)噪聲?？焖龠x擇或者設(shè)計(jì)一個(gè)滿足需要的濾波器是解決問題的關(guān)鍵。傳導(dǎo)噪聲分析技術(shù)包括共模噪聲、差模噪聲分析，共模阻抗、差模阻抗分析，這是濾波器設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。
2019-06-20 08:19:36
電磁干擾(Electromagnetic Interference)，簡(jiǎn)稱EMI，有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾兩種。傳導(dǎo)干擾主要是電子設(shè)備產(chǎn)生的干擾信號(hào)通過導(dǎo)電介質(zhì)或公共電源線互相產(chǎn)生干擾；輻射干擾是指
2009-05-05 08:40:08
EMI/EMC 設(shè)計(jì)講座：傳導(dǎo)式EMI 的測(cè)量技術(shù)「傳導(dǎo)式（conducted）EMI」是指部分的電磁（射頻）能量透過外部纜線（cable）、電源線、I/O 互連界面，形成「傳導(dǎo)
2009-05-15 11:37:26
調(diào)節(jié)其中一個(gè)輸出電壓，則所有其他輸出將按照匝數(shù)進(jìn)行縮放，并保持穩(wěn)定。2. 如何提高反激式電源的交叉調(diào)整率在現(xiàn)實(shí)情況中，寄生元件會(huì)共同降低未調(diào)節(jié)輸出的負(fù)載調(diào)整。我將進(jìn)一步探討寄生電感的影響，以及
2019-09-04 10:40:54
傳導(dǎo)發(fā)射（Conducted Emission）測(cè)試通常也會(huì)被成為騷擾電壓測(cè)試，只要有電源線的產(chǎn)品都會(huì)涉及到，包括許多直流供電產(chǎn)品，另外，信號(hào)/控制線在不少標(biāo)準(zhǔn)中也有傳導(dǎo)發(fā)射的要求，通常用騷擾電壓或
2014-12-19 21:54:23
我們將介紹測(cè)試電源開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗的各個(gè)步驟。 記住，經(jīng)過電源開關(guān)和磁性器件的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗對(duì)系統(tǒng)整體損耗有著巨大影響，正因如此，應(yīng)盡可能精確地使這些損耗達(dá)到最小，這一點(diǎn)至關(guān)重要。 首先，記住
2016-09-02 14:39:38
如何去選擇合適開關(guān)頻率？LLC中為什么我們常在二區(qū)設(shè)計(jì)開關(guān)頻率？電源的傳導(dǎo)是怎么形成的？傳導(dǎo)的途徑有哪些？我們選擇拓?fù)鋾r(shí)需要考慮哪些方面的因素？各種拓?fù)涫褂铆h(huán)境及優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-11-10 06:35:53
設(shè)備與輸入電源隔離。與測(cè)量設(shè)備建立安全適用的連接。單獨(dú)測(cè)量兩條線路的總噪聲級(jí)別，圖 3 中以 L 和 N 表示。圖 3：使用 V 型 LISN 進(jìn)行的傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量簡(jiǎn)而言之，使用信號(hào)源阻抗已知的預(yù)定
2021-09-16 07:00:00
描述該參考設(shè)計(jì)為客戶提供有關(guān)電源設(shè)計(jì)中 GaN 與 SI 使用情況的對(duì)比研究。該特定的設(shè)計(jì)使用 TPS40400 控制器來驅(qū)動(dòng) CSD87381（對(duì)于硅電源）和采用 EPC2111
2019-01-02 16:17:21
在德州儀器不斷推出的“技術(shù)前沿”系列博客中，一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術(shù)趨勢(shì)以及如何應(yīng)對(duì)未來挑戰(zhàn)等問題。 相較于以往使用的硅晶體管，氮化鎵 (GaN) 可以讓全新的電源應(yīng)用在同等的電壓
2018-09-11 14:04:25
GaN技術(shù)融入到電源解決方案中，從而進(jìn)一步突破了對(duì)常規(guī)功率密度預(yù)期的限值。基于數(shù)十年電源測(cè)試方面的專業(yè)知識(shí)，TI已經(jīng)對(duì)GaN進(jìn)行了超百萬小時(shí)的加速測(cè)試，并且建立了一個(gè)能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源
2018-09-10 15:02:53
EMI進(jìn)行預(yù)測(cè)，定位開關(guān)電源傳導(dǎo)EMI傳播路徑的影響因素，在此基礎(chǔ)上給出開關(guān)電源PCB及其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的基本原則。對(duì)開關(guān)電源EMI預(yù)測(cè)過程中需要注意的問題以及降低開關(guān)電源傳導(dǎo)EMI的方法策略進(jìn)行了分析
2016-05-04 14:03:26
EMI進(jìn)行預(yù)測(cè)，定位開關(guān)電源傳導(dǎo)EMI傳播路徑的影響因素，在此基礎(chǔ)上給出開關(guān)電源PCB及其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的基本原則。對(duì)開關(guān)電源EMI預(yù)測(cè)過程中需要注意的問題以及降低開關(guān)電源傳導(dǎo)EMI的方法策略進(jìn)行了分析和總結(jié)
2016-04-20 16:25:31
方形，通過兩個(gè)晶格常數(shù)（圖中標(biāo)記為a 和c）來表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
什么是GaN？如何面對(duì)GaN在測(cè)試方面的挑戰(zhàn)？
2021-05-06 07:52:03
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
在電氣系統(tǒng)中產(chǎn)生的不希望有的輻射或傳導(dǎo)能量稱為電磁干擾 (EMI)。電力電子轉(zhuǎn)換器尤其是開關(guān)電源中的高速開關(guān)頻率可提高效率，但會(huì)導(dǎo)致 EMI。本文介紹了不同類型的傳導(dǎo)干擾、EMI 規(guī)定和傳導(dǎo) EMI
2021-12-28 06:19:33
電磁干擾EMI中電子設(shè)備產(chǎn)生的干擾信號(hào)是通過導(dǎo)線或公共電源線進(jìn)行傳輸，互相產(chǎn)生干擾稱為傳導(dǎo)干擾。傳導(dǎo)干擾給不少電子工程師帶來困惑，如何解決傳導(dǎo)干擾？找對(duì)方法，你會(huì)發(fā)現(xiàn)，傳導(dǎo)干擾其實(shí)很容易解決，只要增加電源輸入電路中EMC濾波器的節(jié)數(shù)，并適當(dāng)調(diào)整每節(jié)濾波器的參數(shù)，基本上都能滿足要求。
2019-01-18 16:18:26
變電站傳導(dǎo)干擾特性分析和電源濾波器實(shí)驗(yàn)研究通過對(duì)變電站開關(guān)操作在二次系統(tǒng)和抵押交流電源系統(tǒng)傳導(dǎo)測(cè)量結(jié)果的分析，確定了變電站低壓交流電源中傳導(dǎo)干擾的特征，利用分析儀器，研究了幾種典型電源濾波器的插入損耗和特性阻抗等頻譜特性，，，，。
2015-08-05 15:44:52
合肥電源模塊散熱的方法傳導(dǎo)散熱傳導(dǎo)散熱在許多應(yīng)用中，電源模塊基板上的熱量要經(jīng)導(dǎo)熱元件傳導(dǎo)到較遠(yuǎn)的散熱面上。這樣，電源模塊基板的溫度將等于散熱面的溫度、導(dǎo)熱元件的溫升及兩接觸面的溫升之和。導(dǎo)熱元件的熱
2013-05-13 09:59:46
就可以將更多的主板裝入給定的機(jī)架中，最大限度地提高數(shù)據(jù)中心吞吐量和性能。在圖1所示的典型電信電源系統(tǒng)中，48VDC輸入電壓必須進(jìn)一步降低到中間母線電壓（在此例中為3.3V），然后用一個(gè)或多個(gè)降壓
2019-07-29 04:45:02
和電機(jī)控制中。他們的接受度和可信度正在逐漸提高。（請(qǐng)注意，基于GaN的射頻功放或功放也取得了很大的成功，但與GaN器件具有不同的應(yīng)用場(chǎng)合，超出了本文的范圍。）本文探討了GaN器件的潛力，GaN和MOSFET器件的不同，GaN驅(qū)動(dòng)器件成功的關(guān)鍵并介紹了減小柵極驅(qū)動(dòng)環(huán)耦合噪聲技術(shù)。
2019-06-21 08:27:30
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-03-01 09:52:45
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來到，您將它們放入板中。您打開電源，施加負(fù)載，結(jié)果……性能并沒有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開關(guān)問題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現(xiàn)這種情況？有沒有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
GaN PA 設(shè)計(jì)？）后，了解I-V 曲線（亦稱為電流-電壓特性曲線）是一個(gè)很好的起點(diǎn)。本篇文章探討I-V 曲線的重要性，及其在非線性GaN 模型（如Modelithics Qorvo GaN 庫里的模型）中的表示如何精確高效的完成GaN PA中的I-V曲線設(shè)計(jì)？
2019-07-31 06:44:26
給大家分享一份資料教大家如何避免傳導(dǎo)EMI問題(資深工程師電源設(shè)計(jì)資料)序： 大部分傳導(dǎo) EMI 問題都是由共模噪聲引起的。而且，大部分共模噪聲問題都是由電源中的寄生電容導(dǎo)致的?！ ∥覀冎赜懻摦?dāng)
2016-01-14 14:15:55
作者： Grant Smith，德州儀器 (TI)業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理簡(jiǎn)介功率氮化鎵 (
GaN) 器件是
電源設(shè)計(jì)人員工具箱內(nèi)令人激動(dòng)的新成員。特別是對(duì)于那些想要深入研究
GaN的較高開關(guān)頻率如何能夠?qū)е赂?/div>
2019-07-12 12:56:17
電磁干擾EMI中電子設(shè)備產(chǎn)生的干擾信號(hào)是通過導(dǎo)線或公共電源線進(jìn)行傳輸，互相產(chǎn)生干擾稱為傳導(dǎo)干擾。傳導(dǎo)干擾給不少電子工程師帶來困惑，如何解決傳導(dǎo)干擾？找對(duì)方法，你會(huì)發(fā)現(xiàn)，傳導(dǎo)干擾其實(shí)很容易解決，只要
2019-05-31 06:04:13
的電流，使串?dāng)_達(dá)到最小?！ ×?開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗測(cè)試 經(jīng)過電源開關(guān)和磁性器件的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗是導(dǎo)致系統(tǒng)整體損耗的主要因素。必需使這些損耗達(dá)到最小，特別是現(xiàn)代高效設(shè)計(jì)?！ ⌒≠N士 1. 為測(cè)量
2016-01-12 11:08:55
PCB及其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的基本原則。對(duì)開關(guān)電源EMI預(yù)測(cè)過程中需要注意的問題以及降低開關(guān)電源傳導(dǎo)EMI的方法策略進(jìn)行了分析和總結(jié)。
2023-09-22 07:18:09
開關(guān)電源PCB及其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的基本原則。對(duì)開關(guān)電源EMI預(yù)測(cè)過程中需要注意的問題以及降低開關(guān)電源傳導(dǎo)EMI的方法策略進(jìn)行了分析和總結(jié)?！ ? 引言 隨著開關(guān)頻率的提高以及功率密度的增加，開關(guān)電源內(nèi)部的電磁
2011-11-01 17:56:53
下面是一個(gè)開關(guān)電源傳導(dǎo)、輻射處理案例，通過整改調(diào)整Layout布線設(shè)計(jì)，最后通過測(cè)試，給電源設(shè)計(jì)工程師參考。這是一款輸入寬電壓120-277V 60HZ，輸出48V，273mA的電源，采用Buck
2021-07-09 06:00:00
PCB及其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的基本原則。對(duì)開關(guān)電源EMI預(yù)測(cè)過程中需要注意的問題以及降低開關(guān)電源傳導(dǎo)EMI的方法策略進(jìn)行了分析和總結(jié)。 1 引言 隨著開關(guān)頻率的提高以及功率密度的增加，開關(guān)電源內(nèi)部的電磁環(huán)境
2020-07-20 09:01:35
開關(guān)電源EMI傳導(dǎo)與輻射講解
2016-07-09 17:06:52
開關(guān)電源的傳導(dǎo)測(cè)試法規(guī)，測(cè)試與量測(cè)方式，基本概念，抑制傳導(dǎo)干擾的濾波器設(shè)計(jì)，布線與變壓器設(shè)計(jì)等章節(jié)。
2021-02-25 08:15:52
摘要:針對(duì)工程中電網(wǎng)的射頻傳導(dǎo)干擾現(xiàn)象,研究了開關(guān)類設(shè)備的射頻傳導(dǎo)發(fā)射及其干擾抑制,分析了開關(guān)電源的射頻傳導(dǎo)干擾成因,并建立了射頻傳導(dǎo)發(fā)射數(shù)學(xué)模型以計(jì)算流回到電源線上的射頻傳導(dǎo)干擾。在此基礎(chǔ)上,通過使用軟件適當(dāng)設(shè)計(jì)濾波器以仿真射頻傳導(dǎo)干擾的抑制效果,實(shí)現(xiàn)了對(duì)開關(guān)電源射頻傳導(dǎo)發(fā)射及其干擾影響的數(shù)值預(yù)測(cè)。
2013-07-14 11:02:37
交叉選擇的命令是CROSSING，在編輯圖形的過程中，輸入該命令后按下空格鍵，即可執(zhí)行該命令。使用交叉選擇的操作方法與窗選的操作方法正好相反，是使用鼠標(biāo)在繪圖區(qū)內(nèi)自右邊到左邊拉出一個(gè)矩形
2018-12-25 17:03:25
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上
2020-11-03 08:59:19
數(shù)據(jù)中心應(yīng)用服務(wù)器電源管理的直接轉(zhuǎn)換?！ 〈送?，自動(dòng)駕駛車輛激光雷達(dá)驅(qū)動(dòng)器、無線充電和5G基站中的高效功率放大器包絡(luò)線跟蹤等應(yīng)用可從GaN技術(shù)的效率和快速切換中受益?！ ?b class="flag-6" style="color: red">GaN功率器件的傳導(dǎo)損耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
我們的行業(yè)發(fā)言人已經(jīng)宣布，“GaN已經(jīng)為黃金時(shí)間做好了準(zhǔn)備?！边@個(gè)聲明似乎預(yù)示著GaN已經(jīng)為廣泛使用做好準(zhǔn)備，或者說在大量的應(yīng)用中，已經(jīng)可以使用GaN技術(shù)了。這也意味著GaN已經(jīng)是一項(xiàng)成熟的、不應(yīng)
2022-11-18 07:30:50
導(dǎo)通狀態(tài)下，柵極的行為基本上類似于二極管。與MOS晶體管不同，通過穿過AlGaN勢(shì)壘的電子將小的（大約10mA）電流從柵極注入到導(dǎo)電層中。由于GaN材料中的空穴速度低，AlGaN-GaN界面處的電流傳導(dǎo)
2023-02-27 15:53:50
描述此 PMP9398 參考設(shè)計(jì)是針對(duì)汽車應(yīng)用的傳導(dǎo) EMI 優(yōu)化 6.6W 電源設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)采用 SIMPLE SWITCHER? LM46002 同步降壓穩(wěn)壓器，提供 3.3V（最大 2A）輸出
2018-11-07 14:32:54
的偏壓電源。較低的電源電壓可提供相同的GaN柵極至漏端電荷（Qgs），從而可降低功耗。這些功率效率差異在更高的開關(guān)頻率下會(huì)進(jìn)一步放大。反向恢復(fù)Qrr損失對(duì)于共源共柵配置有效。這是因?yàn)樵诘谌笙迣?dǎo)通中
2023-02-14 15:06:51
穩(wěn)定的化合物，具有強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、在Ⅲ-Ⅴ族化合物中電離度是最高的、化學(xué)穩(wěn)定性好，使得GaN 器件比Si 和GaAs 有更強(qiáng)抗輻照能力，同時(shí)GaN又是高熔點(diǎn)材料，熱傳導(dǎo)率高，GaN功率器件通常
2019-04-13 22:28:48
來源：搜狐網(wǎng)在電磁干擾EMI中電子設(shè)備產(chǎn)生的干擾信號(hào)是通過導(dǎo)線或公共電源線進(jìn)行傳輸，互相產(chǎn)生干擾稱為傳導(dǎo)干擾。傳導(dǎo)干擾給不少電子工程師帶來困惑，如何解決傳導(dǎo)干擾？找對(duì)方法，你會(huì)發(fā)現(xiàn)，傳導(dǎo)干擾其實(shí)很
2020-10-22 14:23:26
`資深工程師電源設(shè)計(jì)策略：如何避免傳導(dǎo)EMI問題大部分傳導(dǎo) EMI 問題都是由共模噪聲引起的。而且，大部分共模噪聲問題都是由電源中的寄生電容導(dǎo)致的?！ ∥覀冎赜懻摦?dāng)寄生電容直接耦合到電源輸入電線
2014-07-30 11:06:54
30 GHz由GaN PA和其他GaAs功能器件塑封形成的2W集成前端模塊?！ ⊥ㄟ^使用包括陷阱和熱效應(yīng)以及測(cè)量結(jié)果的精確非線性FET模型，保證了電路設(shè)計(jì)的成功。將負(fù)載牽引測(cè)量與仿真結(jié)果進(jìn)行比較驗(yàn)證了
2020-12-21 07:09:34
傳導(dǎo)式EMI 的測(cè)量技術(shù)「傳導(dǎo)式（conducted）EMI」是指部分的電磁（射頻）能量透過外部纜線（cable）、電源線、I/O 互連界面，形成「傳導(dǎo)波（propagation wave）」被傳送出去。本
2009-05-15 14:46:25
0 依據(jù)Bragg 光柵方程,從理論上分析了光纖光柵應(yīng)變和溫度雙參量同時(shí)測(cè)量中引起交叉敏感的物理機(jī)理,對(duì)有交叉敏感和無交叉敏感兩種情況下的誤差進(jìn)行了分析討論,并給出了數(shù)學(xué)表達(dá)
2009-07-17 08:55:1229 GaN的極性特征測(cè)量及應(yīng)用: GaN 在(0001) 方向是一種極性極強(qiáng)的半導(dǎo)體材料,它具有極強(qiáng)的表面特征,是目前發(fā)現(xiàn)的最好的壓電材料,而GaN 的極性呈現(xiàn)出體材料的特征,它的測(cè)量要用一些特
2010-01-02 14:15:2610 「傳導(dǎo)式（conducted）EMI」是指部分的電磁（射頻）能量透過外部纜線（cable）、電源線、I/O互連界面，形成「傳導(dǎo)波（propagationwave）」被傳送出去。本文將說明射頻能量經(jīng)由電源線傳
2010-06-06 11:42:430 本文分析了弧焊電源的傳導(dǎo)騷擾的產(chǎn)生機(jī)理，介紹了傳導(dǎo)騷擾測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)及測(cè)試方法，通過對(duì)幾種樣機(jī)的傳導(dǎo)騷擾測(cè)試表明，雖然添加合適的濾波器可以使傳導(dǎo)騷擾低于標(biāo)準(zhǔn)的限值，
2010-08-04 11:45:238 GaN電源管理芯片市場(chǎng)將增長(zhǎng)快速
據(jù)iSuppli公司，由于高端服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)和有線通訊領(lǐng)域的快速增長(zhǎng)，氮化鎵(GaN)電源管理半導(dǎo)體市場(chǎng)到2013年
2010-03-25 10:12:471143 
電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)
2016-12-09 15:01:016 當(dāng)測(cè)定氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間時(shí)，即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測(cè)定GaN晶體管的上升和下降時(shí)間需要細(xì)心留意您的測(cè)量設(shè)置和設(shè)備。讓我們初步了解一下使用TI最近推出的LMG5200集成式半橋GaN電源模塊進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)量的最佳實(shí)踐方法。
2017-04-18 12:34:042857 
開關(guān)電源中傳導(dǎo)差模EMI的抑制方法
2017-09-11 15:35:5917 經(jīng)由電源線傳送時(shí)，所產(chǎn)生的「傳導(dǎo)式噪聲」對(duì) PCB 的影響，以及如何測(cè)量「傳導(dǎo)式 EMI」和 FCC、CISPR 的 EMI 限制規(guī)定。
2018-09-10 08:00:0012 傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試是測(cè)量受試設(shè)備（EUT）通過電源線或信號(hào)線向外發(fā)射的騷擾。根據(jù)騷擾的性質(zhì)，傳導(dǎo)騷擾測(cè)試可分為連續(xù)騷擾電壓測(cè)量、騷擾功率測(cè)量、斷續(xù)騷擾喀嚦聲測(cè)量、諧波電流測(cè)量、電壓波動(dòng)和閃爍測(cè)量。
2019-12-19 16:15:455239 
此外，與硅不同，GaN沒有體二極管，其在AlGaN/GaN邊界表面的2DEG可以沿相反方向傳導(dǎo)電流（稱為“第三象限”操作）。因此，GaN沒有反向恢復(fù)電荷（QRR），使其非常適合硬開關(guān)應(yīng)用。
2020-04-29 16:07:463490 由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低，寬禁帶半導(dǎo)體（SiC 和GaN）現(xiàn)在配合傳統(tǒng)硅一同用于汽車和RF 通信等嚴(yán)苛應(yīng)用中。隨著效率的提高，對(duì)Si、SiC和GaN器件進(jìn)行安全、精確的測(cè)試
2020-11-18 10:38:0027 反激式開關(guān)電源EMI傳導(dǎo)騷擾的抑制(通信電源技術(shù)怎么投稿)-反激式開關(guān)電源EMI傳導(dǎo)騷擾的抑制………………………………………………
2021-09-29 13:28:00103 為了以整流方式獲得和諧同步的雙向電流控制，在半橋和全橋GaN 應(yīng)用中必須具有互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)信號(hào)。為避免交叉傳導(dǎo)，有目的地將死區(qū)時(shí)間放置在驅(qū)動(dòng)信號(hào)的高側(cè)和低側(cè)。對(duì)于快速開關(guān)，與死區(qū)時(shí)間相關(guān)的損耗實(shí)際上是不可
2022-08-04 11:21:261322 
GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用 EPC 的 GaN EPC2032 進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
2022-08-05 08:04:54580 
R DSon（動(dòng)態(tài)導(dǎo)通狀態(tài)電阻），這使得 GaN 半導(dǎo)體中的傳導(dǎo)損耗不可預(yù)測(cè)。捕獲的電荷通過偏置電壓 V off、偏置時(shí)間 T off以及開關(guān)狀態(tài)下電壓和電流之間的重疊來測(cè)量。
2022-08-05 08:04:551291 
GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
2022-08-05 08:04:55881 
通過測(cè)試和測(cè)量持久力來評(píng)估電子設(shè)備的質(zhì)量和耐用性。評(píng)估氮化鎵 (GaN)價(jià)值的測(cè)試勢(shì)在必行，因?yàn)樗哉Q生以來就具有巨大的潛力，可以實(shí)現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換，作為電力電子應(yīng)用中的關(guān)鍵顛覆者?；?GaN
2022-08-05 10:56:30940 
電源小貼士#78：同步整流可改善反激式電源的交叉調(diào)整率
2022-11-01 08:26:562 BOSHIDA電源模塊 電磁噪聲的處理 傳導(dǎo)EMI 因?yàn)镋MI的兩個(gè)主要類別(傳導(dǎo)和輻射噪聲)差異很大，所以分開討論首先，需要關(guān)注量化傳導(dǎo)噪聲測(cè)量的細(xì)節(jié)，即如何測(cè)量在導(dǎo)體中作為電流傳輸?shù)母哳l噪聲
2023-06-07 09:11:30420 
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