MR25H256 MRAM 存儲(chǔ)器 mikroBUS? Click? 平臺(tái)評(píng)估擴(kuò)展板
2024-03-14 22:03:11
嵌入式鐵電存儲(chǔ)器可實(shí)現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計(jì)。將鐵電存儲(chǔ)器添加到微控制器中可以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理，是存儲(chǔ)系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計(jì)量?jī)x表到
2024-03-06 09:57:22
MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層，和一個(gè)通過(guò)隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時(shí)，MTJ的隧道結(jié)便會(huì)顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會(huì)有高電阻。
2024-02-19 11:32:41
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佰維存儲(chǔ)的TF200系列microSD卡已經(jīng)成功通過(guò)了樹(shù)莓派（Raspberry Pi 4B）的AVL認(rèn)證，確保了與樹(shù)莓派微型計(jì)算機(jī)的完美兼容。這一系列的microSD卡憑借其高穩(wěn)定性、高可靠性和高耐久性等特點(diǎn)，已經(jīng)成為了許多主流終端設(shè)備的首選存儲(chǔ)解決方案。
2024-01-24 17:00:48192 臺(tái)積電近日宣布，與工研院合作開(kāi)發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）陣列芯片，該芯片具有極低的功耗，僅為其他類似技術(shù)的1%。這一創(chuàng)新技術(shù)為次世代存儲(chǔ)器領(lǐng)域帶來(lái)了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 據(jù)報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電在次世代MRAM存儲(chǔ)器相關(guān)技術(shù)方面取得了重大進(jìn)展。該公司成功開(kāi)發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創(chuàng)新的運(yùn)算架構(gòu)，使其功耗僅為其他類似技術(shù)的1%。
2024-01-19 14:35:126646 鑒于AI、5G新時(shí)代的到來(lái)以及自動(dòng)駕駛、精準(zhǔn)醫(yī)療診斷、衛(wèi)星影像辨識(shí)等應(yīng)用對(duì)更高效率、穩(wěn)定性和更低功耗的內(nèi)存的需求愈發(fā)緊迫，如磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存（MRAM）這樣的新一代內(nèi)存技術(shù)已成為眾多廠商爭(zhēng)相研發(fā)的重點(diǎn)。
2024-01-18 14:44:00838 MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層，和一個(gè)通過(guò)隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時(shí)，MTJ的隧道結(jié)便會(huì)顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會(huì)有高電阻。
2024-01-09 11:15:26200 
佰維存儲(chǔ)始終秉承著創(chuàng)新理念、追求行業(yè)領(lǐng)先的精神，致力于為電競(jìng)用戶創(chuàng)造突破性的使用體驗(yàn)。借助公司在存儲(chǔ)解決方案研發(fā)及先進(jìn)封測(cè)技術(shù)上取得的技術(shù)成果，佰維存儲(chǔ)悟空系列能為電競(jìng)玩家和超頻專家?guī)?lái)安全有效的數(shù)據(jù)處理和數(shù)據(jù)保護(hù)，讓他們盡享飛速游戲體驗(yàn)。
2023-12-29 14:11:58157 ”
系列存儲(chǔ)產(chǎn)品首發(fā)上市 ，旨在滿足電競(jìng)玩家和超頻專家的實(shí)際性能需求，為電競(jìng)愛(ài)好者提供煥然一新的流暢體驗(yàn)。 ? ? 悟空
系列承載了佰維
存儲(chǔ)對(duì)產(chǎn)品不斷創(chuàng)新、追求卓越的匠心獨(dú)運(yùn)，致力于為電競(jìng)用戶開(kāi)創(chuàng)突破性的體驗(yàn)?；诠驹?/div>
2023-12-29 11:44:56113 
電競(jìng)產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展，帶動(dòng)游戲硬件領(lǐng)域的旺盛需求。在電子競(jìng)技比賽中，“失之毫厘，差之千里”，一款高性能、穩(wěn)定可靠的電競(jìng)存儲(chǔ)產(chǎn)品是每位游戲愛(ài)好者的必備之選。近日，佰維存儲(chǔ)為電競(jìng)消費(fèi)者傾力打造的“悟空”系列存儲(chǔ)產(chǎn)品首發(fā)上市，旨在滿足電競(jìng)玩家和超頻專家的實(shí)際性能需求，為電競(jìng)愛(ài)好者提供煥然一新的流暢體驗(yàn)。
2023-12-29 11:03:04334 描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個(gè)字組成。該器件采用Atmel先進(jìn)的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)150 ns，功耗僅為440
2023-12-08 15:05:01
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
易失性存儲(chǔ)和精確的實(shí)時(shí)時(shí)鐘，本文推薦使用國(guó)產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲(chǔ)器用于該存儲(chǔ)系統(tǒng)中。鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)和的實(shí)時(shí)時(shí)
2023-11-27 10:17:05
目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對(duì)MRAM的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。
2023-11-22 14:43:53213 
Oracle中的Parallel是一種高級(jí)技術(shù)，可以顯著提高查詢和數(shù)據(jù)處理的性能。它利用多處理器系統(tǒng)中的并行計(jì)算能力，同時(shí)利用多個(gè)CPU來(lái)處理查詢，從而加快數(shù)據(jù)處理速度，減少查詢時(shí)間
2023-11-17 14:25:23473 STT2408A50 可控硅規(guī)格書(shū)參數(shù)資料下載。
2023-11-15 14:44:11
0 隨著相變存儲(chǔ)器 (PCM)、STT-MRAM、憶阻器和英特爾的 3D-XPoint 等技術(shù)的快速發(fā)展，高速的、可字節(jié)尋址的新興 NVM 的產(chǎn)品逐漸涌現(xiàn)于市場(chǎng)中
2023-11-14 09:28:10418 
16-bit Parallel 64-Pin LFCSP EP Tray AD9268BCPZ-125 Product Technical
2023-11-07 18:39:31
ROM存儲(chǔ)和RAM存儲(chǔ)在物理結(jié)構(gòu)上有什么區(qū)別，如何才能實(shí)現(xiàn)只讀存儲(chǔ)和隨機(jī)存儲(chǔ)？
2023-10-30 07:09:38
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個(gè)字組成。該器件采用Atmel先進(jìn)的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)150 ns，功耗僅為440
2023-10-26 10:45:10
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，介紹MAX?II系列即時(shí)開(kāi)啟非易失性CPLD基于0.18-μ，6層金屬閃存工藝，密度從240到2210個(gè)邏輯元件（LE）（128至22
2023-10-24 15:38:16
本應(yīng)用筆記詳細(xì)描述了如何利用AT32系列MCU存儲(chǔ)器中的零等待區(qū)（ZW），實(shí)現(xiàn)在擦除或者編程過(guò)程中保證CPU重要內(nèi)容正常運(yùn)行，免受MCU失速影響。
2023-10-24 08:17:28
STM32怎么實(shí)現(xiàn)一個(gè)非阻塞性的串口屏收發(fā)
2023-10-24 08:15:33
隨著工業(yè)4.0的出現(xiàn)，工廠的智能化和互聯(lián)性正在日益提高。智能工廠中的機(jī)械設(shè)備就能夠采用所連接的無(wú)線傳感器節(jié)點(diǎn)的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)，提前預(yù)測(cè)可能發(fā)生的故障，并通知控制系統(tǒng)采取糾正措施，以避免意外的系統(tǒng)停機(jī)。累積
2023-10-19 11:27:37
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)MAX22195: High-Speed, Octal, Industrial Digital Input with Parallel Output Data
2023-10-17 19:15:17
使用，需要增添片外存儲(chǔ)器。因此鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫(xiě)入耐久度PB85RS2MC是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
IAR能否支持對(duì)兆易的GD32進(jìn)行編程開(kāi)發(fā)
2023-10-11 07:30:23
ST 的 8 位微控制器平臺(tái)基于高性能 8 位內(nèi)核，配有先進(jìn)的成套外設(shè)。 該平臺(tái)采用 ST的 130 nm 嵌入式非易性存儲(chǔ)器專有技術(shù)。STM8 通過(guò)增強(qiáng)型堆棧指針運(yùn)算、先進(jìn)的尋址模式和新指令實(shí)現(xiàn)快速、安全的開(kāi)發(fā)。S
2023-10-10 08:05:14
ST 的 8 位微控制器平臺(tái)基于高性能 8 位內(nèi)核，配有先進(jìn)的成套外設(shè)。 該平臺(tái)采用 ST的 130 nm 嵌入式非易性存儲(chǔ)器專有技術(shù)。STM8 通過(guò)增強(qiáng)型堆棧指針運(yùn)算、先進(jìn)的尋址模式和新指令實(shí)現(xiàn)快速、安全的開(kāi)發(fā)。
2023-09-28 08:05:11
眾所周知，鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。本文所提到的國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
亙存科技成立于2019年，是一家以mram技術(shù)為中心，致力于設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和銷售相關(guān)產(chǎn)品的Fabless企業(yè)?？偣驹O(shè)在深圳，在上海、蘇州等地設(shè)有r&d中心和支持團(tuán)隊(duì)。
2023-09-20 10:27:21661 本文檔介紹了 STM32H7 系列微控制器上糾錯(cuò)碼（ECC）的管理和實(shí)現(xiàn)。本應(yīng)用筆記針對(duì)保護(hù)內(nèi)部存儲(chǔ)器內(nèi)容的 ECC 機(jī)制，描述了與之相關(guān)的硬件、軟件信息。除此之外，也可使用外部存儲(chǔ)器進(jìn)行 ECC
2023-09-08 07:31:20
本參考手冊(cè)面向應(yīng)用程序開(kāi)發(fā)人員。它提供了關(guān)于如何使用STM32G4系列微控制器存儲(chǔ)器和外圍設(shè)備。
STM32G4系列是一系列具有不同內(nèi)存大小和封裝的微控制器以及外圍設(shè)備。
有關(guān)訂購(gòu)信息、機(jī)械
2023-09-08 06:59:58
（STSAFE-A110 微控制器（以下統(tǒng)稱為 STSAFE））可增強(qiáng)安全性。安全服務(wù)是一種可升級(jí)的代碼，提供了一組服務(wù)，非安全應(yīng)用程序可以在運(yùn)行時(shí)間使用這些服務(wù)，這些服務(wù)管理著與非安全應(yīng)用程序相隔離的關(guān)鍵資產(chǎn)。非安全
2023-09-06 07:52:32
飛思卡爾的Kinetis設(shè)備提供FlexMemory技術(shù)，該技術(shù)為靈活的內(nèi)存使用提供了多功能和強(qiáng)大的解決方案。
FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM組成。
FlexNVM是一種非易失
2023-09-04 06:29:35
新能源汽車的核心技術(shù)是大家熟知的動(dòng)力電池、電池管理系統(tǒng)和整車控制單元。車載電子控制系統(tǒng)對(duì)于存取各類傳感器資料的需求持續(xù)增加，因此對(duì)于高性能非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的需求也越來(lái)越高，因?yàn)楫?dāng)系統(tǒng)在進(jìn)行資料分析
2023-09-01 10:04:52
作為一種磁性技術(shù)，MRAM本質(zhì)上是抗輻射的。這使得獨(dú)立版本在航空航天應(yīng)用中很受歡迎，而且這些應(yīng)用對(duì)價(jià)格的敏感度也較低。它相對(duì)較大，在內(nèi)存領(lǐng)域，尺寸意味著成本。
2023-08-30 15:28:50407 本指南介紹事務(wù)性內(nèi)存，它允許自動(dòng)執(zhí)行代碼，而無(wú)需始終實(shí)現(xiàn)限制性能的同步方法。
ARM事務(wù)內(nèi)存擴(kuò)展(TME)是事務(wù)內(nèi)存的ARM實(shí)現(xiàn)。
現(xiàn)代復(fù)雜系統(tǒng)在不止一個(gè)處理器上執(zhí)行。
對(duì)存儲(chǔ)器訪問(wèn)的管理確保了當(dāng)
2023-08-17 07:57:59
動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)運(yùn)行時(shí)數(shù)據(jù)在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的推理過(guò)程中。
?AXI接口M1用于允許更低帶寬和更高帶寬的內(nèi)存事務(wù)
延遲因此，AXI M1接口可以連接到較慢或較少突發(fā)的存儲(chǔ)器例如閃存或DRAM。內(nèi)存用于運(yùn)行時(shí)的非易失性
2023-08-02 06:37:01
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)KP3111LGA必易微5V200mA離線式PWM功率開(kāi)關(guān)，原裝，現(xiàn)貨 高性能、低成本離線式 PWM 功率開(kāi)關(guān)KP3111LGA必易微5V200mA離線式PWM
2023-08-01 16:51:03
收到米爾瑞薩RZ/G2L開(kāi)發(fā)板后一直對(duì)米爾旗下開(kāi)發(fā)板的做工感到非常精致，同時(shí)也有著很強(qiáng)大的功能，也一直很喜歡米爾系列開(kāi)發(fā)板。
引領(lǐng)工業(yè)市場(chǎng)從32位MPU向64位演進(jìn)
基于瑞薩高性價(jià)比RZ/G2L
2023-07-29 00:21:11
FSMC(Flexible Static Memory Controller，靈活的靜態(tài)存儲(chǔ)控制器)是STM32系列采用的一種新型的存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)，使用FSMC外設(shè)來(lái)管理擴(kuò)展的存儲(chǔ)器。
2023-07-27 17:23:241334 
就需要一塊非易失性存儲(chǔ)芯片來(lái)儲(chǔ)存這些數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器一般包括EPROM、EEPROM和FLASH等，它們?cè)谙到y(tǒng)掉電的情況下仍可保留所存數(shù)據(jù)，但因其技術(shù)都源于R
2023-07-25 10:31:33
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標(biāo)準(zhǔn)（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器。它還會(huì)持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時(shí)提供RAM寫(xiě)保護(hù)
2023-07-21 15:01:52
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12個(gè)內(nèi)核時(shí)鐘周期。片內(nèi)集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存儲(chǔ)器。片內(nèi)同時(shí)集成4 kB非易失性Flash/EE數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)RAM和2 kB擴(kuò)
2023-07-14 17:15:06
DS28E80為用戶可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器，分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊，每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫(xiě)保護(hù)
2023-07-13 17:01:58
DS28E80為用戶可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器，分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊，每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫(xiě)保護(hù)
2023-07-13 11:31:16
Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無(wú)限的耐用性。對(duì)于需要使用最少數(shù)量的引腳來(lái)快速存儲(chǔ)、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言，是最為理想的存儲(chǔ)器。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262 新唐M032就是以前的nuc123 (USB 通訊系列)和NUC029的合并系列，但是就穩(wěn)定性，抗干擾性就不如單純的NUC123, 在測(cè)試發(fā)現(xiàn)，M032的UART TTL通訊干擾出會(huì)誤碼，而nuc123基本不會(huì)，USB抗干擾也沒(méi)NUC123強(qiáng)悍
2023-06-27 06:34:25
MRAM在數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中，數(shù)據(jù)記錄是如下持續(xù)、反復(fù)地將重要數(shù)據(jù)保存于設(shè)備的過(guò)程?？梢杂涗浵到y(tǒng)內(nèi)外部發(fā)生的事件；使用歷史；環(huán)境參數(shù) ；機(jī)器狀態(tài)；用于分析目的的其他數(shù)據(jù)。因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù)，內(nèi)存需要快速的寫(xiě)入速度與高耐久性。
2023-06-20 17:06:22219 RAID控制卡的日志存儲(chǔ)器存放重要數(shù)據(jù)，如日志和數(shù)據(jù)寫(xiě)入完成、奇偶校驗(yàn)寫(xiě)入、錯(cuò)誤日志等。在斷電的情況下，控制器查詢?nèi)罩緝?nèi)存，以了解從哪里開(kāi)始恢復(fù)。
2023-06-12 17:11:11323 服務(wù)器數(shù)據(jù)恢復(fù)環(huán)境：
一臺(tái)DELL EqualLogic PS系列存儲(chǔ)，存儲(chǔ)設(shè)備中12塊磁盤(pán)組建一組raid5，文件系統(tǒng)是VMFS系統(tǒng)；共劃分3個(gè)卷。
服務(wù)器故障：
存儲(chǔ)設(shè)備在工作中突然
2023-06-09 11:30:18325 
Everspin型號(hào)MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲(chǔ)芯片，組織為16位的65536個(gè)字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫(xiě)時(shí)序，續(xù)航時(shí)間無(wú)限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時(shí)間內(nèi)始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 為了進(jìn)行性能比較，使用了三種不同的存儲(chǔ)芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR閃存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND閃存。
2023-05-31 17:14:24788 
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來(lái)測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問(wèn)題：非易失性內(nèi)存有寫(xiě)入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫(xiě)入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
的新一代S32區(qū)域處理器和通用汽車MCU首批樣品 ? ? ? 了解詳情 ? ? 全球領(lǐng)先汽車處理企業(yè)恩智浦半導(dǎo)體宣布與臺(tái)積電合作交付行業(yè)首創(chuàng)的采用16納米FinFET技術(shù)的汽車嵌入式MRAM（磁隨機(jī)存儲(chǔ)器）。在向軟件定義汽車（SDV）的過(guò)渡中，汽車廠商需要在單個(gè)硬件平臺(tái)上支持多代軟件
2023-05-26 20:15:02396 MRAM是一種新型的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，與傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器技術(shù)相比，MRAM具有更快的讀寫(xiě)速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長(zhǎng)的壽命。
2023-05-23 17:34:15395 色壞易折安瓿折斷力測(cè)試儀安瓿瓶折斷力測(cè)試儀是一種用于測(cè)試安瓿瓶的機(jī)械強(qiáng)度、可靠性和安全性能的專用試驗(yàn)設(shè)備，通常由液壓系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、測(cè)試夾具等主要組成部分。在測(cè)試過(guò)程中，將待測(cè)安瓿瓶放置在測(cè)試
2023-05-23 16:42:10
一種便攜式存儲(chǔ)設(shè)備，當(dāng)插入計(jì)算機(jī)時(shí)，被解析為內(nèi)置硬盤(pán)設(shè)備。這也是一種非易失性閃存。與MMC和SD卡一樣，USB閃存驅(qū)動(dòng)器是一種更受歡迎的可移動(dòng)存儲(chǔ)形式。
5、RAM
RAM是一個(gè)易失性內(nèi)存選項(xiàng)。一旦設(shè)備
2023-05-18 14:13:37
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無(wú)限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。
2023-05-12 16:31:39268 targets”列出了 crypt。我可以成功地按照 i.MX Linux 用戶指南中的說(shuō)明使用 CAAM 可信純密鑰加密/解密非易失性存儲(chǔ)上的數(shù)據(jù)，但 bsp 不包括使用 CAAM 標(biāo)記密鑰加密所需
2023-05-09 08:45:33
下一階段，復(fù)旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲(chǔ)器全系列產(chǎn)品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量，F(xiàn)M25N將補(bǔ)全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26378 
S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲(chǔ)芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)性能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)系統(tǒng)。可以取代具有相同功能和非易失性的閃存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允許帶寬擴(kuò)展選項(xiàng)。
2023-04-27 17:33:44420 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)
2023-04-19 17:45:462547 服務(wù)器數(shù)據(jù)恢復(fù)環(huán)境：
DELL EqualLogic PS系列某型號(hào)存儲(chǔ)；
16塊SAS硬盤(pán)組成一組RAID5；
劃分了4個(gè)卷，采用VMFS文件系統(tǒng)，存放虛擬機(jī)文件。
服務(wù)器故障
2023-04-19 11:29:57465 
昆騰系列存儲(chǔ)：9個(gè)配置24塊硬盤(pán)的磁盤(pán)柜。8個(gè)磁盤(pán)柜存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，1個(gè)磁盤(pán)柜存儲(chǔ)元數(shù)據(jù)。
2023-04-17 13:49:45280 
我想將 iMX RT1024 連接到 MR5A16A MRAM MR5A16A MRAM 數(shù)據(jù)表聲明它與 SRAM 接口兼容但是，通過(guò)比較 MR5A16A 數(shù)據(jù)表和 iMX RT1024 參考手冊(cè)
2023-04-17 07:52:33
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
打造具備高可靠性、高安全性、覆蓋不同電壓、不同容量的車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品，在應(yīng)用端得到了充分的驗(yàn)證并深受客戶認(rèn)可。全系列創(chuàng)新產(chǎn)品覆蓋，滿足行業(yè)所需隨著自動(dòng)駕駛、車聯(lián)網(wǎng)和新能源汽車的快速發(fā)展，在緊湊空間
2023-04-13 15:18:46
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗(yàn)證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執(zhí)行）功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制。SPl（串行外圍接口）是一個(gè)帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號(hào)的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758 具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫(xiě)時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
據(jù)保留?無(wú)限的讀/寫(xiě)耐力?無(wú)磨損?有競(jìng)爭(zhēng)力的定價(jià)?穩(wěn)定的制造業(yè)供應(yīng)鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個(gè)8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標(biāo)稱電源供電
2023-04-07 16:26:28
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲(chǔ)器容量?？焖俚膶?xiě)入速度和無(wú)限的耐用性使該存儲(chǔ)器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
在CH573存儲(chǔ)中，分為用戶應(yīng)用程序存儲(chǔ)區(qū)CodeFlash，用戶非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)DataFlash,系統(tǒng)引導(dǎo)程序存儲(chǔ)區(qū)Bootloader，系統(tǒng)非易失配置信息存儲(chǔ)區(qū)InfoFlash。一般在使用時(shí)
2023-04-07 11:46:50
SHARCVW/5MRAM;AUDIODECODERS
2023-04-06 11:21:52
MRAM磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器 2.7V~3.6V 256Mb
2023-04-06 11:14:58
MRAM磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器 UDFN8_2X3MM_EP VCC=1.8V~5.5V
2023-04-06 11:13:38
在PLC(可編程邏輯控制器)產(chǎn)品中，MRAM芯片的應(yīng)用也日漸普及，本文將介紹MRAM芯片應(yīng)用于PLC產(chǎn)品上的特性。--代理商：吉芯澤科技
2023-03-29 16:31:221169 
我目前正在嘗試防止臨時(shí)對(duì)稱密鑰在重新啟動(dòng)后保留在內(nèi)存中。我的巧妙計(jì)劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器（保證在重啟時(shí)歸零）對(duì)它們進(jìn)行異或，我在重啟時(shí)將其設(shè)置為隨機(jī)數(shù)。（這與非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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