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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>IBM推出具有相變存儲(chǔ)器的8位模擬芯片

IBM推出具有相變存儲(chǔ)器的8位模擬芯片

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模擬芯片取代數(shù)字芯片?

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不同的存儲(chǔ)器技術(shù)介紹 如何選擇正確的存儲(chǔ)器技術(shù)

技術(shù),每種技術(shù)都具有不同的特性和高級(jí)功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲(chǔ)器最主流的存儲(chǔ)器技術(shù),因?yàn)樗褂秒娙萜髯鳛?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)元件來(lái)實(shí)現(xiàn)高密度和簡(jiǎn)單架構(gòu)、低延遲和高性能、無(wú)限存取耐力和低功耗。
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英飛凌擴(kuò)展數(shù)據(jù)記錄存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合,推出業(yè)內(nèi)首款1Mbit車(chē)規(guī)級(jí)串行EXCELON? F-RAM存儲(chǔ)器及新型4Mbit F-RAM存儲(chǔ)器

,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)進(jìn)一步擴(kuò)展其EXCELON? F-RAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品,推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲(chǔ)密度的新型F-RAM存儲(chǔ)器。全新
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PrimeCell AHB SDR和NAND存儲(chǔ)器控制(PL242)技術(shù)參考手冊(cè)

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未來(lái)加油dz發(fā)布于 2023-07-31 23:03:15

DS28E80Q+T是一款存儲(chǔ)器

DS28E80為用戶可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比,DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器,分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊,每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫(xiě)保護(hù)
2023-07-13 17:01:58

DS28E80是一款存儲(chǔ)器

DS28E80為用戶可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比,DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器,分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊,每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫(xiě)保護(hù)
2023-07-13 11:31:16

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的介紹與分類

何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤(pán)和光盤(pán)裝置等相比,具有 數(shù)據(jù)讀寫(xiě)快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:131098

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在智能配電箱中的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)具有非易失性,讀寫(xiě)速度快,沒(méi)有寫(xiě)等待時(shí)間等優(yōu)勢(shì),能夠像RAM一樣操作,低功耗,擦寫(xiě)使用壽命長(zhǎng),芯片的擦寫(xiě)次數(shù)為100萬(wàn)次,比一般的E2PROM存儲(chǔ)器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382

RA6快速設(shè)計(jì)指南 [11] 存儲(chǔ)器 (3)

片選提供了許多選項(xiàng),可以在每個(gè)片選上設(shè)置這些選項(xiàng),以允許連接到各種外部器件。存儲(chǔ)器映射的外部片選區(qū)域地址從 0x60000000 開(kāi)始。有關(guān)更多詳細(xì)信息,請(qǐng)參見(jiàn)《硬件用戶手冊(cè)》。 8.5.1 使用外部16位存儲(chǔ)器器件 連接具有字節(jié)選擇線的外部16位存儲(chǔ)器器件時(shí),將MCU的A1連接到存
2023-06-28 12:10:02348

回顧易失性存儲(chǔ)器發(fā)展史

易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史,本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開(kāi)機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),但在關(guān)閉時(shí)將其擦除,但是
2023-06-28 09:05:28873

PLC系統(tǒng)的存儲(chǔ)器分類介紹

PLC系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲(chǔ)器包括系統(tǒng)存儲(chǔ)器和用戶存儲(chǔ)器
2023-06-26 14:02:453775

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存,斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失,主要有
2023-06-25 14:30:181959

車(chē)載存儲(chǔ)芯片介紹

存儲(chǔ)芯片,也叫存儲(chǔ)器,是用來(lái)存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件。
2023-06-09 11:05:381011

國(guó)芯思辰 |國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC可在多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性,芯片能在常溫、沒(méi)有電場(chǎng)的情況下,數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上,鐵電
2023-06-08 09:52:17

RAM/ROM存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)

隨機(jī)存儲(chǔ)器可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定地址中讀出數(shù)據(jù),也可以隨時(shí)將數(shù)據(jù)寫(xiě)入任何一個(gè)指定的存儲(chǔ)單元中
2023-06-05 15:49:47785

SOC設(shè)計(jì)之外部存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)器的主要技術(shù)指標(biāo) * **存儲(chǔ)容量** 存儲(chǔ)器可以容納的二進(jìn)制信息量(尋址空間,由CPU的地址線決定) * **實(shí)際存儲(chǔ)容量:** 在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。 * **存取速度:** 存取時(shí)間是指從啟動(dòng)一次存儲(chǔ)器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時(shí)間,也稱為讀寫(xiě)周期;
2023-05-26 11:28:10822

什么是外部存儲(chǔ)器

磁表面存儲(chǔ)器——磁表面存儲(chǔ)器,它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來(lái)記錄信息的,載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。 存儲(chǔ)密度——磁表面存儲(chǔ)器單位長(zhǎng)度或單位面積磁層表面所能存儲(chǔ)的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:061409

IBM存儲(chǔ)推出閃存產(chǎn)品新能力,幫助企業(yè)高效應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)安全威脅

近日,IBM 存儲(chǔ)推出了基于其閃存產(chǎn)品 IBM FlashSystem 的新能力,幫助企業(yè)高效應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)安全威脅。
2023-05-25 16:35:02829

探究加密芯片:它的定義、作用以及提供的保護(hù)措施

(1-Wire)與主控芯片通信,通信時(shí)序相比IC和UART更隱秘,破解分析的難度更大。 一、RJGT103芯片特點(diǎn) RJGT103在單個(gè)芯片內(nèi)集成了256B EEPROM存儲(chǔ)器、16Byte密鑰和8
2023-05-19 17:26:48

單板硬件設(shè)計(jì):存儲(chǔ)器( NAND FLASH)

在單板設(shè)計(jì)中,無(wú)論是涉及到一個(gè)簡(jiǎn)易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì),都離不開(kāi)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì): 1、存儲(chǔ)器介紹 存儲(chǔ)器的分類大致可以劃分如下: ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37

單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢?

單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢?
2023-05-10 15:17:56

80C51單片機(jī)中存儲(chǔ)器是RAM和ROM分開(kāi)編址的嗎?

80C51單片機(jī)中存儲(chǔ)器是RAM和ROM分開(kāi)編址的嗎?求解答
2023-05-09 16:04:22

如何為RT1172選擇FLASH存儲(chǔ)器?

通過(guò)quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí),應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式?
2023-04-27 06:03:21

深度剖析單相變壓器并聯(lián)運(yùn)行

  單相變壓器并聯(lián)運(yùn)行是指具有相同極性、相同匝數(shù)比、相同相序和相同電壓比的兩個(gè)或多個(gè)變壓相互并聯(lián)連接。   兩臺(tái)并聯(lián)的單相變壓器A和B的電路圖如下所示:      讓一個(gè)1是變壓A的匝數(shù)比a2
2023-04-24 18:19:15

相變壓器是如何構(gòu)建的?

和繞組合并為一個(gè)結(jié)構(gòu)。   三臺(tái)單相變壓器在初級(jí)繞組和次級(jí)繞組相互連接時(shí)可用作三相變壓器。與三相單相單元相比,三相變壓器電源具有許多優(yōu)點(diǎn),例如它需要非常小的空間,而且體積更小,尺寸更便宜。三相變壓器
2023-04-23 17:48:56

CH32V103基礎(chǔ)教程28-DMA (外設(shè)到存儲(chǔ)器

關(guān)于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。在第十三章以及第二十七章,已講解存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器傳輸方式以及存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式,本章將講解DMA外設(shè)到存儲(chǔ)器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè),通過(guò)串口調(diào)試助手等向開(kāi)發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)會(huì)被返回給開(kāi)發(fā)板并通過(guò)串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41

CH32V103基礎(chǔ)教程27-DMA (存儲(chǔ)器到外設(shè))

關(guān)于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。前面已講解過(guò)關(guān)于存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸方式,本章將講解存儲(chǔ)器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會(huì)講解外設(shè)到存儲(chǔ)器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13

一文了解新型存儲(chǔ)器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462541

51單片機(jī)外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器最大的容量是多少?

51單片機(jī)外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器最大的容量是多少?可以達(dá)到50MB嗎?用的是什么芯片?
2023-04-19 16:34:36

CH32V103基礎(chǔ)教程13-DMA(存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器

本章教程講解DMA存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中,首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上(內(nèi)部SRAM),最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08

非易失性存儲(chǔ)器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點(diǎn)

數(shù)據(jù)信息。它們都是電子可寫(xiě)和可擦除存儲(chǔ)器,用以存儲(chǔ)單片機(jī)的應(yīng)用程序及數(shù)據(jù)信息。這些數(shù)據(jù)可在芯片上或芯片存儲(chǔ)信息。盡管Flash和EEPROM設(shè)備都可以存儲(chǔ)嵌入式設(shè)備中使用的信息,但是它們的體系結(jié)構(gòu)
2023-04-07 16:42:42

MRAM實(shí)現(xiàn)對(duì)車(chē)載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代

具有非易失性,即使切斷電源,信息也不會(huì)丟失,而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面,自旋注入MRAM的讀取1擦寫(xiě)時(shí)間都很短,均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05

相變壓器和三相變壓器額定值之間有什么關(guān)系嗎?

相變壓器和三相變壓器額定值之間有什么關(guān)系嗎?
2023-04-07 10:10:17

是否可以將FLASH用作輔助存儲(chǔ)器?

我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器,如果可能,我們?nèi)绾问褂?。?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50

mcu芯片是指什么芯片

設(shè)集成在單一芯片上發(fā)揮功能,形成芯片級(jí)計(jì)算機(jī)?! CU產(chǎn)品種類繁多,主要分類依據(jù)為用途、應(yīng)用領(lǐng)域、存儲(chǔ)器類型和結(jié)構(gòu)、位數(shù)、指令集等:  1.按用途可分為通用型和專用型。專用型MCU的硬件和指令是按照
2023-04-03 15:32:56

我們常用存儲(chǔ)器知道有哪些嘛

存儲(chǔ)器存儲(chǔ)介質(zhì)特性來(lái)說(shuō),可以分為兩類,一類就是易失性存儲(chǔ)器,一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看,易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤(pán)。
2023-03-30 14:22:431551

相變微膠囊儲(chǔ)能材料原理特性及作用

相變材料可分為無(wú)機(jī)相變材料和有機(jī)相變材料。有機(jī)相變材料與無(wú)機(jī)相變材料相比,具有自核、共熔、無(wú)相分離、低過(guò)冷度等優(yōu)點(diǎn),具有良好的應(yīng)用前景。然而,有機(jī)相變材料的體積變化大、泄漏和導(dǎo)熱系數(shù)低等問(wèn)題限制
2023-03-29 10:17:521302

相變頻器和三相變頻器就電機(jī)接線方法上有何區(qū)別?為什么?

變頻控制電路中電機(jī)用三角形接法還是用星型接法?單相變頻器和三相有何區(qū)別?單相變頻器和三相變頻器就電機(jī)接線方法上有何區(qū)別?為什么?
2023-03-28 16:46:02

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