TC364 微控制器是否支持外部存儲(chǔ)器?
根據(jù)我的閱讀,外部總線接口用于外部存儲(chǔ)器。 在該微控制器的數(shù)據(jù)手冊(cè)中,我看到外部總線為 0。
2024-03-04 06:13:37
存儲(chǔ)芯片是一種用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的集成電路芯片,也被稱為存儲(chǔ)器芯片。
2024-02-29 09:09:22
391 通過(guò)多級(jí)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì),存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)能夠在存儲(chǔ)容量和訪問(wèn)速度之間找到一個(gè)平衡點(diǎn)。高速緩存存儲(chǔ)器和主存儲(chǔ)器提供了快速的訪問(wèn)速度,而輔助存儲(chǔ)器則提供了大量的存儲(chǔ)空間。
2024-02-19 13:54:42
121 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C1/0F/wKgaomXS7quAei_xAAM8PgiHuxg204.png)
Flash存儲(chǔ)器的寫(xiě)操作具有特殊性,它只能將數(shù)據(jù)位從1寫(xiě)成0,而不能從0寫(xiě)成1。因此,在對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行寫(xiě)入操作之前,必須先執(zhí)行擦除操作,將預(yù)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)位初始化為1。
2024-02-19 11:37:28
536 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C0/1F/wKgZomXSzmyAd52zAACv9L_s5Qo835.png)
DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)存儲(chǔ)器主要通過(guò)電容來(lái)存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷,而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36
264 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C0/1E/wKgZomXSxF-AKybTAADAOTbXGzA026.png)
1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存(即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問(wèn)
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
我使用的是 xmc7100 芯片,為什么 DMA 沒(méi)有將 ADC 數(shù)據(jù)寄存器值傳送到存儲(chǔ)器緩沖區(qū)?
2024-01-29 08:33:31
更改的。 數(shù)據(jù)可靠性:只讀存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)是在生產(chǎn)過(guò)程中進(jìn)行編程的,因此具有很高的可靠性。與可擦寫(xiě)存儲(chǔ)器(如閃存)相比,ROM具有更低的故障率,并且不容易受到病毒或錯(cuò)誤操作的影響。 高速讀?。河捎谥蛔x存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)是固定的,無(wú)需進(jìn)行寫(xiě)
2024-01-17 14:17:39
289 ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸?
2024-01-15 07:43:09
本帖最后由 yy5230 于 2023-12-29 12:02 編輯
AGM Micro發(fā)布兼容STM32的MCU產(chǎn)品系列,推出具有低延遲高靈活性的功能模塊MCU產(chǎn)品系列。AGM的FPGA
2023-12-29 10:52:29
DRAM芯片全稱是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,是一種隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM),與CPU直接交換數(shù)據(jù),可隨時(shí)讀寫(xiě)且速度快,斷電后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)丟失,是易失性存儲(chǔ)器,也就是俗稱的“內(nèi)存”。
2023-12-26 12:25:56
1000 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B9/3A/wKgaomWKVt6AOXW2AAAanGL9CwA222.png)
更大的音頻文件存儲(chǔ)空間。針對(duì)這一市場(chǎng)需求,唯創(chuàng)知音推出了WT2605C藍(lán)牙音頻語(yǔ)音芯片,該芯片支持藍(lán)牙連接播放和SPI-Flash、TF卡、U盤(pán)等多種存儲(chǔ)器播放,具
2023-12-22 08:38:38
108 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8B/83/wKgaomSagEWAVS_tAAPQiIMOKhw250.png)
IBM 的新型模擬內(nèi)存芯片證明了 AI 操作的性能和能源效率都是可能的。
2023-12-18 10:09:30
268 如果按照資料里的:0x1419 0x0000 準(zhǔn)備從存儲(chǔ)器位置0x19讀取數(shù)據(jù)。
0x2000 0x0100 準(zhǔn)備從控制寄存器讀取數(shù)據(jù)。SDO輸出16位字,其中最后10位包含存儲(chǔ)器位置0x19的內(nèi)容
2023-12-06 06:04:03
在數(shù)字電子設(shè)備中,存儲(chǔ)器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù),以支持各種計(jì)算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲(chǔ)器市場(chǎng)中,有兩種主要的類型:隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器 ( RAM ) 和只讀存儲(chǔ)器 ( ROM )。盡管都是存儲(chǔ)器,但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17
732 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B4/71/wKgZomVu1VuAIOSxAABmehB2mjA834.jpg)
九齊8位單片機(jī)NY8A054E型號(hào)MCU芯片一、概述九齊8位單片機(jī)NY8A054E是一款高性能、低成本的MCU芯片,采用CMOS工藝制造,具有豐富的外設(shè)和存儲(chǔ)器資源,適用于多種低功耗應(yīng)用場(chǎng)景。該芯片
2023-11-27 21:41:28
電表作為一個(gè)計(jì)量用電量的儀器,電表的精度不但與檢測(cè)芯片的精度有關(guān),而且與其存儲(chǔ)方式有關(guān),如果檢測(cè)到的電量數(shù)據(jù)不能隨機(jī)寫(xiě)入存儲(chǔ)器或?qū)懭?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器過(guò)程出錯(cuò)電表的精度就會(huì)大大降低。 在智能電表數(shù)據(jù)
2023-11-21 09:59:20
何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤(pán)和光盤(pán)裝置等相比,具有 數(shù)據(jù)讀寫(xiě)快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-11-15 10:20:01
731 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/AE/49/wKgaomVUK_6AbUVkAABJQk7yNQY143.jpg)
單片機(jī)的存儲(chǔ)器主要有幾個(gè)物理存儲(chǔ)空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間,其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少?
2023-11-01 06:20:34
據(jù)悉,IBM公司最新推出了一款名為“NorthPole(https://research.ibm.com/blog/northpole-ibm-ai-chip)”的類腦芯片,其運(yùn)行由人工智能驅(qū)動(dòng)
2023-10-27 17:06:33
997 大家有誰(shuí)知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器,我之前用的是P89V51,選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;,但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了,程序該怎么改了啊??AT89C52手??冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說(shuō)明,各位高手有誰(shuí)知道啊 ??
2023-10-26 06:11:25
AT32 SPIM Application Note描述了怎么使用AT32 MCU的SPIM作為外部存儲(chǔ)器的擴(kuò)展功能。
2023-10-24 08:03:56
IBM研發(fā)的北極點(diǎn)(NorthPole)處理器芯片可避開(kāi)訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器,提高計(jì)算能力,節(jié)約能源。 美國(guó)加利福尼亞州圣何塞的IBM研究人員開(kāi)發(fā)了一種以大腦為靈感的計(jì)算機(jī)芯片,這款北極點(diǎn)處理器芯片消除
2023-10-23 15:43:38
221 mcs-8051單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器是多少
2023-10-18 07:33:36
存儲(chǔ)領(lǐng)域發(fā)展至今,已有很多不同種類的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見(jiàn)的存儲(chǔ)器及其應(yīng)用。
2023-10-17 15:45:50
521 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AA/5E/wKgZomUuPC6AEniAAABTe1MbxgM192.png)
內(nèi)存地址空間是否一定大于所有物理存儲(chǔ)器的容量?
2023-10-17 07:14:45
存儲(chǔ)器測(cè)試問(wèn)題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比,具有優(yōu)越的高速寫(xiě)入、高讀寫(xiě)耐久性和低功耗性能。 由于車(chē)載電子控制系統(tǒng)對(duì)于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
如何檢測(cè)24c存儲(chǔ)器容量
2023-09-25 06:48:32
在SoC中,存儲(chǔ)器是決定性能的另一個(gè)重要因素。不同的SoC設(shè)計(jì)中,根據(jù)實(shí)際需要采用不同的存儲(chǔ)器類型和大小。
2023-09-18 16:22:19
325 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A5/06/wKgaomUICKGAaKAUAAOYu9473PA026.jpg)
存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類,前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù),后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02
668 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A3/45/wKgZomUEDpCAIKocAACXFwu9DLQ330.jpg)
原文發(fā)布于 DOIT 傳媒,轉(zhuǎn)載已獲授權(quán)。 站得高才能夠看得遠(yuǎn),作為“藍(lán)色巨人”,IBM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域擁有足夠多的積累和榮耀,無(wú)論何時(shí)何地, IBM 對(duì)存儲(chǔ)的洞察都應(yīng)該引起我們高度關(guān)注。不僅如此
2023-09-13 18:10:03
418 )都是獨(dú)立和軟件可配置的 每個(gè)通道都有3個(gè)事件標(biāo)志位DMA半傳輸DMA傳輸完成和DMA傳輸出錯(cuò) 支持存儲(chǔ)器->存儲(chǔ)器外設(shè)->存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器->外設(shè)和外設(shè)-&
2023-09-13 08:06:16
系統(tǒng)架構(gòu)
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲(chǔ)空間
? 存儲(chǔ)器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應(yīng)閃存加速器(STM32F2新增)
? 啟動(dòng)模式
? 代碼空間的動(dòng)態(tài)重映射(STM32F2新增)
? 內(nèi)嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中的重要組成部分,用于存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲(chǔ)信息的介質(zhì)和訪問(wèn)方式的不同,存儲(chǔ)器可以分為隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)和硬盤(pán)存儲(chǔ)器等幾類。本文將介紹存儲(chǔ)器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。
2023-09-09 16:18:27
2102 STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲(chǔ)器映射? 總線架構(gòu)? 存儲(chǔ)器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時(shí)鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
根據(jù)專利要點(diǎn),提供本申請(qǐng)的一種存儲(chǔ)器是檢測(cè)方法及存儲(chǔ)半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲(chǔ)單位與上線之間漏電測(cè)定的復(fù)雜技術(shù)問(wèn)題,該存儲(chǔ)器的檢測(cè)方法如下:選通字線,通過(guò)位線在所有存儲(chǔ)單元中寫(xiě)設(shè)定存儲(chǔ)。
2023-09-07 14:27:24
523 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A1/FE/wKgZomT5bQOAVIroAANi4Yf6wmc860.png)
微控制器是一種在嵌入式系統(tǒng)中負(fù)責(zé)特定操作的緊湊型集成電路。一般的微控制器在一個(gè)芯片上集成了處理器、存儲(chǔ)器和輸入/輸出(I/O)外設(shè)。
微控制器也被稱為嵌入式控制器或微控制器單元(MCU
2023-09-05 15:47:30
IBM 研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)建的設(shè)計(jì)可以在每個(gè)芯片上編碼 3500 萬(wàn)個(gè)相變存儲(chǔ)設(shè)備;換句話說(shuō),模型具有多達(dá) 1700 萬(wàn)個(gè)參數(shù)。雖然其規(guī)模尚未與當(dāng)今最先進(jìn)的生成式人工智能模型相媲美,但將這些芯片組合在一起使其能夠像數(shù)字芯片一樣有效地處理真實(shí)人工智能用例的實(shí)驗(yàn)。
2023-08-28 15:38:39
382 庫(kù)的慢-慢工藝點(diǎn)對(duì)塊進(jìn)行合成,以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。
接口存儲(chǔ)器端口上的信號(hào)符合RAM編譯器為T(mén)SMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲(chǔ)器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33
技術(shù),每種技術(shù)都具有不同的特性和高級(jí)功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲(chǔ)器最主流的存儲(chǔ)器技術(shù),因?yàn)樗褂秒娙萜髯鳛?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)元件來(lái)實(shí)現(xiàn)高密度和簡(jiǎn)單架構(gòu)、低延遲和高性能、無(wú)限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20
414 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/90/DE/wKgaomTdfsiAb6OaAAAVR3PFMyo163.jpg)
,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)進(jìn)一步擴(kuò)展其EXCELON? F-RAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品,推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲(chǔ)密度的新型F-RAM存儲(chǔ)器。全新
2023-08-09 14:32:40
397 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8F/E0/wKgaomTTNL-ALH7dAADX1SX_4Sw830.jpg)
可訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器的AHB端口。AHB端口具有到內(nèi)存控制器的橋接接口。有一個(gè)單獨(dú)的AHB端口用于配置內(nèi)存控制器。SMC的特定配置被實(shí)例化以針對(duì)特定存儲(chǔ)器設(shè)備。圖1-1顯示了AHB MC(PL241)配置
2023-08-02 07:14:25
AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線體系結(jié)構(gòu)(AMBA)的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。
AHB MC利用了新開(kāi)發(fā)的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制器(DMC)和靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器
2023-08-02 06:26:35
DS28E80為用戶可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比,DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器,分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊,每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫(xiě)保護(hù)
2023-07-13 17:01:58
DS28E80為用戶可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比,DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器,分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊,每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫(xiě)保護(hù)
2023-07-13 11:31:16
何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤(pán)和光盤(pán)裝置等相比,具有 數(shù)據(jù)讀寫(xiě)快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:13
1098 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/8C/97/wKgaomSua9iALXwyAAC2X3V4i7c923.jpg)
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)具有非易失性,讀寫(xiě)速度快,沒(méi)有寫(xiě)等待時(shí)間等優(yōu)勢(shì),能夠像RAM一樣操作,低功耗,擦寫(xiě)使用壽命長(zhǎng),芯片的擦寫(xiě)次數(shù)為100萬(wàn)次,比一般的E2PROM存儲(chǔ)器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03
382 片選提供了許多選項(xiàng),可以在每個(gè)片選上設(shè)置這些選項(xiàng),以允許連接到各種外部器件。存儲(chǔ)器映射的外部片選區(qū)域地址從 0x60000000 開(kāi)始。有關(guān)更多詳細(xì)信息,請(qǐng)參見(jiàn)《硬件用戶手冊(cè)》。 8.5.1 使用外部16位存儲(chǔ)器器件 連接具有字節(jié)選擇線的外部16位存儲(chǔ)器器件時(shí),將MCU的A1連接到存
2023-06-28 12:10:02
348 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8C/52/wKgZomSqLPKAOOsVAAADbu4X9Ec014.gif)
易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史,本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開(kāi)機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),但在關(guān)閉時(shí)將其擦除,但是
2023-06-28 09:05:28
873 PLC系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲(chǔ)器包括系統(tǒng)存儲(chǔ)器和用戶存儲(chǔ)器。
2023-06-26 14:02:45
3775 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存,斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失,主要有
2023-06-25 14:30:18
1959 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8A/94/wKgZomSX32iAC34AAAAJ74sutuk757.png)
存儲(chǔ)芯片,也叫存儲(chǔ)器,是用來(lái)存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件。
2023-06-09 11:05:38
1011 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/89/64/wKgaomSCl66APIANAAAuNmHk5ys416.png)
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性,芯片能在常溫、沒(méi)有電場(chǎng)的情況下,數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上,鐵電
2023-06-08 09:52:17
隨機(jī)存儲(chǔ)器可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定地址中讀出數(shù)據(jù),也可以隨時(shí)將數(shù)據(jù)寫(xiě)入任何一個(gè)指定的存儲(chǔ)單元中
2023-06-05 15:49:47
785 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/89/36/wKgZomR9k2WAPfLcAABKcJmMxuI701.jpg)
主存儲(chǔ)器的主要技術(shù)指標(biāo)
* **存儲(chǔ)容量**
存儲(chǔ)器可以容納的二進(jìn)制信息量(尋址空間,由CPU的地址線決定)
* **實(shí)際存儲(chǔ)容量:** 在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。
* **存取速度:** 存取時(shí)間是指從啟動(dòng)一次存儲(chǔ)器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時(shí)間,也稱為讀寫(xiě)周期;
2023-05-26 11:28:10
822 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/88/B8/wKgZomRwJxyAZKwnAAB5fyrvf4I253.jpg)
磁表面存儲(chǔ)器——磁表面存儲(chǔ)器,它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來(lái)記錄信息的,載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。
存儲(chǔ)密度——磁表面存儲(chǔ)器單位長(zhǎng)度或單位面積磁層表面所能存儲(chǔ)的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:06
1409 近日,IBM 存儲(chǔ)推出了基于其閃存產(chǎn)品 IBM FlashSystem 的新能力,幫助企業(yè)高效應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)安全威脅。
2023-05-25 16:35:02
829 (1-Wire)與主控芯片通信,通信時(shí)序相比IC和UART更隱秘,破解分析的難度更大。
一、RJGT103芯片特點(diǎn)
RJGT103在單個(gè)芯片內(nèi)集成了256B EEPROM存儲(chǔ)器、16Byte密鑰和8
2023-05-19 17:26:48
在單板設(shè)計(jì)中,無(wú)論是涉及到一個(gè)簡(jiǎn)易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì),都離不開(kāi)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì):
1、存儲(chǔ)器介紹
存儲(chǔ)器的分類大致可以劃分如下:
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢?
2023-05-10 15:17:56
80C51單片機(jī)中存儲(chǔ)器是RAM和ROM分開(kāi)編址的嗎?求解答
2023-05-09 16:04:22
通過(guò)quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí),應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式?
2023-04-27 06:03:21
單相變壓器并聯(lián)運(yùn)行是指具有相同極性、相同匝數(shù)比、相同相序和相同電壓比的兩個(gè)或多個(gè)變壓器相互并聯(lián)連接。
兩臺(tái)并聯(lián)的單相變壓器A和B的電路圖如下所示:
讓一個(gè)1是變壓器A的匝數(shù)比a2
2023-04-24 18:19:15
和繞組合并為一個(gè)結(jié)構(gòu)。
三臺(tái)單相變壓器在初級(jí)繞組和次級(jí)繞組相互連接時(shí)可用作三相變壓器。與三相單相單元相比,三相變壓器電源具有許多優(yōu)點(diǎn),例如它需要非常小的空間,而且體積更小,尺寸更便宜。三相變壓器
2023-04-23 17:48:56
關(guān)于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。在第十三章以及第二十七章,已講解存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器傳輸方式以及存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式,本章將講解DMA外設(shè)到存儲(chǔ)器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè),通過(guò)串口調(diào)試助手等向開(kāi)發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)會(huì)被返回給開(kāi)發(fā)板并通過(guò)串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
關(guān)于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。前面已講解過(guò)關(guān)于存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸方式,本章將講解存儲(chǔ)器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會(huì)講解外設(shè)到存儲(chǔ)器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:46
2541 51單片機(jī)外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器最大的容量是多少?可以達(dá)到50MB嗎?用的是什么芯片?
2023-04-19 16:34:36
本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中,首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上(內(nèi)部SRAM),最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
數(shù)據(jù)信息。它們都是電子可寫(xiě)和可擦除存儲(chǔ)器,用以存儲(chǔ)單片機(jī)的應(yīng)用程序及數(shù)據(jù)信息。這些數(shù)據(jù)可在芯片上或芯片外存儲(chǔ)信息。盡管Flash和EEPROM設(shè)備都可以存儲(chǔ)嵌入式設(shè)備中使用的信息,但是它們的體系結(jié)構(gòu)
2023-04-07 16:42:42
具有非易失性,即使切斷電源,信息也不會(huì)丟失,而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面,自旋注入MRAM的讀取1擦寫(xiě)時(shí)間都很短,均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
單相變壓器和三相變壓器額定值之間有什么關(guān)系嗎?
2023-04-07 10:10:17
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器,如果可能,我們?nèi)绾问褂?。?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
設(shè)集成在單一芯片上發(fā)揮功能,形成芯片級(jí)計(jì)算機(jī)?! CU產(chǎn)品種類繁多,主要分類依據(jù)為用途、應(yīng)用領(lǐng)域、存儲(chǔ)器類型和結(jié)構(gòu)、位數(shù)、指令集等: 1.按用途可分為通用型和專用型。專用型MCU的硬件和指令是按照
2023-04-03 15:32:56
存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來(lái)說(shuō),可以分為兩類,一類就是易失性存儲(chǔ)器,一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看,易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤(pán)。
2023-03-30 14:22:43
1551 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/81/F1/wKgZomQlKfWAGbp2AAM8mrlt0Jg653.jpg)
相變材料可分為無(wú)機(jī)相變材料和有機(jī)相變材料。有機(jī)相變材料與無(wú)機(jī)相變材料相比,具有自核、共熔、無(wú)相分離、低過(guò)冷度等優(yōu)點(diǎn),具有良好的應(yīng)用前景。然而,有機(jī)相變材料的體積變化大、泄漏和導(dǎo)熱系數(shù)低等問(wèn)題限制
2023-03-29 10:17:52
1302 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/9B/C1/pYYBAGQjn1CAJ5hzAAAtdyqJYJs634.png)
變頻器控制電路中電機(jī)用三角形接法還是用星型接法?單相變頻器和三相有何區(qū)別?單相變頻器和三相變頻器就電機(jī)接線方法上有何區(qū)別?為什么?
2023-03-28 16:46:02
評(píng)論