WD4000國(guó)產(chǎn)晶圓幾何形貌量測(cè)設(shè)備通過(guò)非接觸測(cè)量,將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度,TTV、BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷???b class="flag-6" style="color: red">實(shí)現(xiàn)砷化鎵
2024-03-15 09:22:08
射頻前端芯片是一種關(guān)鍵的電子元件,其主要功能是將無(wú)線信號(hào)進(jìn)行放大、濾波、調(diào)制和解調(diào),以便在通信系統(tǒng)中進(jìn)行傳輸和接收。
2024-02-27 18:24:14
948 WD4000無(wú)圖晶圓幾何形貌測(cè)量系統(tǒng)是通過(guò)非接觸測(cè)量,將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度,TTV,BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷??杉嫒莶煌馁|(zhì)
2024-02-21 13:50:34
2022年全球射頻前端市場(chǎng)實(shí)際規(guī)模有多大呢?根據(jù)其年度財(cái)報(bào),統(tǒng)計(jì)了各家的營(yíng)收,而B(niǎo)roadcom和Murata的年報(bào)沒(méi)有單獨(dú)的射頻前端營(yíng)收數(shù)據(jù),在此只能依據(jù)以往的數(shù)據(jù)做個(gè)估算。
2024-01-26 10:09:04
107 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/BE/7E/wKgZomWzFQ2AGIV6AAA6xXSR9hY319.png)
本文介紹了光電集成芯片的最新研究突破,解讀了工業(yè)界該領(lǐng)域的發(fā)展現(xiàn)狀,包括數(shù)據(jù)中心互連的硅基光收發(fā)器的大規(guī)模商用成功,和材料、器件設(shè)計(jì)、異質(zhì)集成平臺(tái)方面的代表性創(chuàng)新。
2024-01-18 11:03:08
272 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/BE/03/wKgaomWolP6AGx2WAAMO305baRw588.png)
WD4000無(wú)圖晶圓幾何形貌測(cè)量設(shè)備采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù),完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖,實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等
2024-01-10 11:10:39
WD4000半導(dǎo)體晶圓厚度測(cè)量系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR
2024-01-09 09:08:07
近幾年,5G滲透率的不斷提升推動(dòng)射頻前端芯片成為移動(dòng)智能終端中最為關(guān)鍵的器件之一,全球射頻前端市場(chǎng)迎來(lái)快速擴(kuò)張,而國(guó)產(chǎn)射頻前端產(chǎn)業(yè)也在國(guó)內(nèi)終端市場(chǎng)發(fā)展及國(guó)產(chǎn)替代浪潮的推動(dòng)下成為近幾年投資最為火熱的領(lǐng)域之一,創(chuàng)業(yè)企業(yè)不斷涌現(xiàn)。
2024-01-05 11:10:07
597 TC-Wafer是將高精度溫度傳感器鑲嵌在晶圓表面,對(duì)晶圓表面的溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)測(cè)量。通過(guò)晶圓的測(cè)溫點(diǎn)了解特定位置晶圓的真實(shí)溫度,以及晶圓整體的溫度分布,同還可以監(jiān)控半導(dǎo)體設(shè)備控溫過(guò)程中晶圓發(fā)生的溫度
2023-12-21 08:58:53
、TF-SAW BAW 等)、天線、開(kāi)關(guān)(Switch)和低噪聲放大器(LNA)、無(wú)源器件等集成在一個(gè)模組里。因?yàn)镻A、天線、開(kāi)關(guān)、LNA已經(jīng)較為成熟并實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)化,而濾波器技術(shù)長(zhǎng)期被國(guó)外的企業(yè)控制從而成為5G射頻模組的技術(shù)瓶頸。近年來(lái),國(guó)產(chǎn)濾波器逐漸被各大主機(jī)廠認(rèn)
2023-12-20 17:05:53
218 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/B8/3F/wKgZomWCrl-ATHstAAB-mXj0kNI505.jpg)
WD4000晶圓幾何形貌測(cè)量設(shè)備采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測(cè)量雙向掃描技術(shù),完成非接觸式掃描并建立表面3D層析圖像,實(shí)現(xiàn)Wafer厚度、翹曲度、平面度、線粗糙度、總體厚度變化(TTV
2023-12-20 11:22:44
FLK017XP型號(hào)簡(jiǎn)介Sumitomo的FLK017XP芯片是一種功率
砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管,設(shè)計(jì)用于Ku頻段的通用應(yīng)用提供卓越的功率、增益和效率。Eudyna嚴(yán)格的質(zhì)量保證計(jì)劃確??煽啃院鸵恢碌男阅?/div>
2023-12-19 12:00:45
FSX027X型號(hào)簡(jiǎn)介Sumitomo的FSX027X是一種通用砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管,設(shè)計(jì)用于介質(zhì)高達(dá)12GHz的電源應(yīng)用。這些設(shè)備具有廣泛的動(dòng)態(tài)適用于中功率、寬帶、線性驅(qū)動(dòng)放大器或振蕩器。Eudyna
2023-12-19 11:48:16
唯捷創(chuàng)芯專注于射頻前端芯片領(lǐng)域,為客戶供應(yīng)射頻功率放大器模組產(chǎn)品、Wi-Fi射頻前端模組和接收端模組等集成電路產(chǎn)品,歷經(jīng)10多年的研發(fā)迭代與大規(guī)模生產(chǎn)實(shí)踐檢驗(yàn),已擁有涵蓋2G到5G領(lǐng)域齊全的射頻功率放大器模組產(chǎn)品線,堪稱業(yè)界翹楚。
2023-12-19 09:33:01
159 中圖儀器WD4000無(wú)圖晶圓幾何形貌量測(cè)系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。它采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測(cè)量雙向掃描技術(shù),完成非接觸式掃描并建立表面3D
2023-12-14 10:57:17
晶圓測(cè)溫系統(tǒng)tc wafer晶圓表面溫度均勻性測(cè)溫晶圓表面溫度均勻性測(cè)試的重要性及方法 在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,晶圓的表面溫度均勻性是一個(gè)重要的參數(shù)
2023-12-04 11:36:42
高速射頻AD轉(zhuǎn)換器前端設(shè)計(jì)
2023-11-24 15:41:11
215 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B1/D0/wKgZomVdcX2APP-OAAGerXFM3zM528.jpg)
請(qǐng)問(wèn)像AD8233一樣的晶圓封裝在PCB中如何布線,芯片太小,過(guò)孔和線路都無(wú)法布入,或者有沒(méi)有其他封裝的AD8233
2023-11-14 07:01:48
最近十幾年中,射頻前端方案快速演進(jìn)。“模組化”是射頻前端演進(jìn)的重要方向。
2023-11-08 09:24:00
535 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AE/C4/wKgZomVK48SAFx-iAABDm5KjU3I200.png)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《小型化射頻收發(fā)前端的電路設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-08 09:17:49
1 無(wú)線通信系統(tǒng)中,一般包含有天線、射頻前端、射頻收發(fā)模塊以及基帶信號(hào)處理器四個(gè)部分。
2023-11-07 09:23:21
608 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AE/8D/wKgZomVJkreAbrD7AAA2bficvBI099.png)
。WD4000晶圓幾何形貌測(cè)量及參數(shù)自動(dòng)檢測(cè)機(jī)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù),完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖,實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、B
2023-11-06 10:49:18
射頻前端的模組化方案(Integrated Solution)與分立方案(Discrete Solution)相對(duì)應(yīng)。發(fā)射通路中的模組化是指將PA與Switch及濾波器(或雙工器)做集成,構(gòu)成PAMiD等方案;接收通路的模組化是指將接收LNA和開(kāi)關(guān),與接收濾波器集成,構(gòu)成L-FEM等方案。
2023-11-03 11:25:04
238 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AC/4C/wKgaomVEaJyAK2D8AABDm5KjU3I362.png)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于軟件無(wú)線電跳頻電臺(tái)射頻前端的研究.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-26 14:30:49
5 通信升級(jí)提高射頻前端價(jià)值量,非手機(jī)領(lǐng)域?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">射頻前端提供新的增長(zhǎng)點(diǎn)。移動(dòng)通信從 1G 升級(jí)到 5G,射頻前端單手機(jī)價(jià)值量不斷提高,根據(jù) Skyworks 的數(shù)據(jù),單手機(jī)射頻前端價(jià)值量由 2G 的 3 美元提高到了 5G 的 25 美元。
2023-10-22 11:38:58
479 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AB/7C/wKgZomU0mbKAJVIhAABJNIfPGCo928.png)
WD4000無(wú)圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量 Wafer 厚度 、表面粗糙度 、三維形貌 、單層膜厚 、多層膜厚 。使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量晶圓 Thickness 、TTV 、LTV 、BOW
2023-10-18 09:09:00
、SBD和FRD)和功率集成電路(如BiCMOS、BCD和HV CMOS)等領(lǐng)域的晶圓制造技術(shù)。
方正微電子是國(guó)內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)6英寸碳化硅器件制造的廠商,其開(kāi)發(fā)的13個(gè)系列的碳化硅產(chǎn)品已進(jìn)入商業(yè)化
2023-10-16 11:00:14
個(gè)人看來(lái),濾波器是一個(gè)很大的市場(chǎng),但分立濾波器很難形成一個(gè)賽道和龍頭企業(yè)。射頻前端芯片的末端是模組,接收濾波器的盡頭是DiFEM和LFEM,而發(fā)射濾波器的盡頭則是PAMiD。
2023-09-25 11:21:32
797 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A5/FB/wKgaomUQ_YKAAXuzAAAr4kRnMag391.png)
更廣泛的大眾化、規(guī)模化應(yīng)用,本芯片性能的提升實(shí)現(xiàn)了更快速的定位,更持久的續(xù)航,為衛(wèi)星導(dǎo)航定位技術(shù)在物聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛、交通運(yùn)輸領(lǐng)域的規(guī)模化應(yīng)用構(gòu)建了堅(jiān)實(shí)的硬件基礎(chǔ)。
秉承30余年集成電路設(shè)計(jì)底蘊(yùn)和經(jīng)驗(yàn)積累
2023-09-22 14:46:30
系統(tǒng),使用的是單模的藍(lán)牙芯片,今天給大家介紹一顆低功耗,高性能的國(guó)產(chǎn)藍(lán)牙芯片PHY6222 PHY6222是一款支持BLE 5.2功能和IEEE 802.15.4通信協(xié)議的系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC),集成
2023-09-18 17:05:13
濾波器是一個(gè)很大的市場(chǎng),但分立濾波器很難形成一個(gè)賽道和龍頭企業(yè)。射頻前端芯片的末端是模組,接收濾波器的盡頭是DiFEM和LFEM,而發(fā)射濾波器的盡頭則是PAMiD。
2023-09-18 12:21:00
532 大北斗擁有30余年的集成電路設(shè)計(jì)底蘊(yùn)和經(jīng)驗(yàn)積累,在GNSS導(dǎo)航定位芯片的基帶與射頻一體化設(shè)計(jì)、算法研究、產(chǎn)品化解決方案等方面具備扎實(shí)基礎(chǔ)。作為全球領(lǐng)先的無(wú)線通信模組提供商,廣和通在物聯(lián)網(wǎng)及無(wú)線通信領(lǐng)域
2023-09-13 09:58:17
、射頻功率放大器的技術(shù)和產(chǎn)品能力,助推射頻前端中技術(shù)復(fù)雜度、集成度最高的“明珠型”產(chǎn)品L-PAMiD研發(fā)。
2023-09-10 09:38:27
667 和天線技術(shù)的集成電路,主要實(shí)現(xiàn)處理射頻信號(hào)的功能。下面詳細(xì)講解射頻前端和射頻芯片的關(guān)系。 首先,射頻前端是指從天線開(kāi)始到最后一級(jí)放大器之間的電路系統(tǒng)。射頻前端包括天線、跨越器、調(diào)節(jié)器、偏置器、放大器和濾波器等
2023-09-05 09:19:14
1805 最新開(kāi)發(fā)進(jìn)展、消費(fèi)類/工業(yè)類/車載類射頻前端最新應(yīng)用、未來(lái)射頻前端技術(shù)演進(jìn)等最新射頻技術(shù)與射頻產(chǎn)品。
現(xiàn)場(chǎng),還匯聚了安路科技、紫光同創(chuàng)、神州龍芯、沐曦、中微電、高云、賽昉科技、孤波、凱云聯(lián)創(chuàng)、沁恒
2023-08-24 11:49:00
英集芯IP6832是一款高度集成、支持WPC Qi標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)線充電接收SOC芯片。民信微其內(nèi)部集成高效全橋同步整流電路,民信微可實(shí)現(xiàn)AC-DC轉(zhuǎn)換,經(jīng)過(guò)內(nèi)部LDO穩(wěn)壓后輸出穩(wěn)定的直流電壓VRECT供后
2023-08-22 21:08:22
本文從射頻前端小型化,高集成的趨勢(shì)出發(fā),討論了射頻前端公司競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì),特別是有射頻濾波器設(shè)計(jì)生產(chǎn)能力的企業(yè)在未來(lái)射頻模組的競(jìng)爭(zhēng)中,可能具有的優(yōu)勢(shì)和遇到的問(wèn)題。
2023-08-21 14:04:28
2222 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/94/10/wKgZomTi_y-AVKL7AAArfwlWY9M377.png)
RFID技術(shù)(Radio Frequency Identification射頻識(shí)別)在未來(lái)的數(shù)字化、信息化、自動(dòng)化中為何如此重要?RFID系統(tǒng)具有哪些獨(dú)特優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用價(jià)值?RFID系統(tǒng)在工業(yè)領(lǐng)域有
2023-08-16 09:12:12
定制化合物半導(dǎo)體并將其集成到外國(guó)襯底上的能力可以帶來(lái)卓越或新穎的功能,并對(duì)電子、光電子、自旋電子學(xué)、生物傳感和光伏的各個(gè)領(lǐng)域產(chǎn)生潛在影響。這篇綜述簡(jiǎn)要描述了實(shí)現(xiàn)這種異質(zhì)集成的不同方法,重點(diǎn)介紹了離子
2023-08-14 17:03:50
483 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/90/75/wKgZomTZ7eSAbKpfAAAqImaNU8g055.png)
,多檔位自由選擇;冷暖新風(fēng)子系統(tǒng),引入中央空氣解決方案,交互更便捷更智能,全空間全系列引入頭部廠家旗艦產(chǎn)品;能耗子系統(tǒng):全屋電池看板免除低電焦慮,集成綠電實(shí)現(xiàn)能源可生產(chǎn),全套系智能+機(jī)械面板,統(tǒng)一ID
2023-08-09 17:14:34
作為全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)提供商,長(zhǎng)電科技已經(jīng)開(kāi)始大批量生產(chǎn)面向5G毫米波市場(chǎng)的射頻前端模組和AiP模組的產(chǎn)品。
2023-07-13 10:51:11
663 作為全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)提供商,長(zhǎng)電科技已經(jīng)開(kāi)始大批量生產(chǎn)面向5G毫米波市場(chǎng)的射頻前端模組和AiP模組的產(chǎn)品。在通信應(yīng)用方面,針對(duì)5G毫米波的商用相關(guān)需求,公司已率先在客戶導(dǎo)入5G
2023-07-12 15:39:49
396 無(wú)線通信系統(tǒng)中,一般包含有天線、射頻前端、射頻收發(fā)模塊以及基帶信號(hào)處理器四個(gè)部分。
2023-07-08 09:46:21
1398 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8C/45/wKgaomSowGyAHTutAAA2bficvBI046.png)
射頻前端芯片是無(wú)線通信的核心器件,是指天線之后、收發(fā)機(jī)之前的功能模塊,因?yàn)槲挥谕ㄐ?b class="flag-6" style="color: red">系統(tǒng)的最前端,所以被稱為“射頻前端”,一般包含功率放大器、濾波器/雙工器、開(kāi)關(guān)以及低噪聲放大器。
2023-07-05 15:37:20
2111 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8C/0F/wKgaomSlHWGAWt3zAAGGjAwhnRk026.jpg)
濾波器是射頻前端重要的模塊之一。顧名思義,濾波器的主要功能是“濾波”,即通過(guò)有用信號(hào),阻擋干擾信息。
2023-07-04 14:32:36
1494 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/92/F4/pYYBAGPzC4eASQrCAAHltKLWhhk717.jpg)
晶圓測(cè)溫系統(tǒng),晶圓測(cè)溫?zé)犭娕迹?b class="flag-6" style="color: red">晶圓測(cè)溫裝置一、引言隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,晶圓制造工藝對(duì)溫度控制的要求越來(lái)越高。熱電偶作為一種常用的溫度測(cè)量設(shè)備,在晶圓制造中具有重要的應(yīng)用價(jià)值。本文
2023-06-30 14:57:40
小得多,因此每塊晶圓就可以生產(chǎn)出更多的氮化鎵器件,從而實(shí)現(xiàn)可量產(chǎn)、具低成本、成熟、迅速反應(yīng)和非常易于擴(kuò)展的供應(yīng)鏈。
誤解5 :GaN FET和集成電路的價(jià)格昂貴
這是關(guān)于氮化鎵技術(shù)最常見(jiàn)的錯(cuò)誤觀念! 氮化
2023-06-25 14:17:47
獲得無(wú)與倫比的正弦電壓和電流波形,讓電機(jī)實(shí)現(xiàn)更平穩(wěn)、更安靜的運(yùn)行和更高的系統(tǒng)效率。由基于氮化鎵器件的逆變器以更高的PWM頻率和最短促的死區(qū)時(shí)間驅(qū)動(dòng)時(shí),電機(jī)變得更有效率。把輸入濾波器中的電解電容器改為
2023-06-25 13:58:54
芯百特原裝CBG9092替代TQL9092推薦國(guó)產(chǎn)高線性低噪聲放大器CBG9092用于收發(fā)組件射頻前端CBG9092是一個(gè)平坦增益、高線性度、超低噪聲放大器,采用2x2mm表面貼裝封裝。應(yīng)用場(chǎng)
2023-06-25 11:11:44
2.4G無(wú)線射頻前端PA芯片CB5309CB5309 是一款高度集成的 2.4 GHz 前端模塊 (FEM),集成了 2.4 GHz 單刀雙擲 (SPDT),發(fā)射/接收 (T/R) 開(kāi)關(guān)、帶旁路
2023-06-25 11:08:54
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
納維半導(dǎo)體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應(yīng)用示例:高密度手機(jī)充電器?應(yīng)用實(shí)例:高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)器?應(yīng)用示例;高功率開(kāi)關(guān)電源?結(jié)論
2023-06-16 10:09:51
通過(guò)SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
。
在器件層面,根據(jù)實(shí)際情況而言,歸一化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和柵極電荷(QG)乘積得出的優(yōu)值系數(shù),氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過(guò)采用更小的晶體管和更短的電流路徑,氮化鎵充電器將能實(shí)現(xiàn)了
2023-06-15 15:53:16
高效能、高電壓的射頻基礎(chǔ)設(shè)施。幾年后,即2008年,氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)場(chǎng)效晶體(MOSFET)(在硅襯底上形成)得到推廣,但由于電路復(fù)雜和缺乏高頻生態(tài)系統(tǒng)組件,使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵,由鎵(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷(低電容)、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件,以及分立氮化鎵的典型開(kāi)關(guān)頻率(65kHz)相比,集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片,可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究,始于 2009 年左右的香港科技大學(xué),但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
包含關(guān)鍵的驅(qū)動(dòng)、邏輯、保護(hù)和電源功能,消除了傳統(tǒng)半橋解決方案中相關(guān)的能量損失、成本過(guò)高和設(shè)計(jì)復(fù)雜的問(wèn)題。
納微推出的世界上首款氮化鎵功率芯片同時(shí)能提供高頻率和高效率,實(shí)現(xiàn)了電力電子領(lǐng)域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
,構(gòu)建基于光子集成芯片技術(shù)的微波光子射頻前端微系統(tǒng)勢(shì)在必行。文章分析了集成微波光子射頻前端微系統(tǒng)目前在器件層面和系統(tǒng)集成層面面臨的挑戰(zhàn),并從高精細(xì)、可重構(gòu)的光濾波器設(shè)計(jì)、混合集成系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)和系統(tǒng)頻率漂移抑制方案三個(gè)方面重點(diǎn)介紹了作者所在課題組開(kāi)展的關(guān)于混合集成可重構(gòu)微波光子射頻前端的研究現(xiàn)狀。
2023-06-14 10:22:32
1273 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/89/A0/wKgaomSJJPWADQA0AABSTowu7xA423.png)
多種模組產(chǎn)品。 據(jù)悉,千米電子推出了包括MAC層通訊協(xié)議和PHY層射頻SoC在內(nèi)的物聯(lián)網(wǎng)專用通訊技術(shù)LaKi。 這項(xiàng)技術(shù)成功地解決了物聯(lián)網(wǎng)最后一公里低成本海量覆蓋問(wèn)題,是目前唯一同時(shí)實(shí)現(xiàn)廣覆蓋、低時(shí)延和低功耗的三大關(guān)鍵特性的無(wú)線技術(shù)!
2023-06-13 14:32:12
428 用于電動(dòng)摩托 砷化鎵+ Si混合可編程線性霍爾IC-GS302SA-3產(chǎn)品概述:GS302SA-3通過(guò)磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化,輸出等比例霍爾電勢(shì),從而感知電流及線性位移,廣泛用于電流傳感器、線性馬達(dá)等。由于
2023-05-31 10:02:47
QPB9380產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 QPB9380是一款面向5G TDD基站的高集成射頻前端模塊。該模塊在雙通道配置中集成了一個(gè)兩級(jí) LNA 和一個(gè) 20 W 功率處理開(kāi)關(guān)。第二級(jí) LNA 具有
2023-05-22 13:34:37
QPF4588A 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的QPF4588A 是專為 Wi-Fi 6 (802.11ax) 系統(tǒng)設(shè)計(jì)的集成前端模塊 (FEM)。小尺寸和集成匹配最大限度地減少了應(yīng)用中的布局
2023-05-22 10:53:37
QPF4568產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的QPF4568 是專為 Wi-Fi 6 (802.11ax) 系統(tǒng)設(shè)計(jì)的集成前端模塊 (FEM)。超小外形和集成匹配最大限度地減少了應(yīng)用中的布局面積。性能側(cè)重于
2023-05-22 10:39:26
QPF4551 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的QPF4551 是專為 Wi-Fi 6 (802.11ax) 系統(tǒng)設(shè)計(jì)的集成前端模塊 (FEM)。緊湊的外形和集成匹配最大限度地減少了應(yīng)用中的布局
2023-05-22 10:32:44
QPF4550 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的QPF4550 是專為 Wi-Fi 6 (802.11ax) 系統(tǒng)設(shè)計(jì)的集成前端模塊 (FEM)。緊湊的外形和集成匹配最大限度地減少了應(yīng)用中的布局
2023-05-22 10:25:53
QPF4538產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 QPF4538 是專為 Wi-Fi 802.11a/n/ac 系統(tǒng)設(shè)計(jì)的集成前端模塊 (FEM)。緊湊的外形和集成匹配最大限度地減少了應(yīng)用中的布局面積。性能
2023-05-22 10:18:55
QPF4532產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的QPF4532 是專為 Wi-Fi 6 (802.11ax) 系統(tǒng)設(shè)計(jì)的集成前端模塊 (FEM)。緊湊的外形和集成匹配最大限度地減少了應(yīng)用中的布局面積。性能側(cè)重于
2023-05-22 10:11:38
QPF4526產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 QPF4526 是專為 Wi-Fi 6 (802.11ax) 系統(tǒng)設(shè)計(jì)的集成前端模塊 (FEM)。緊湊的外形和集成匹配最大限度地減少了應(yīng)用中的布局
2023-05-22 09:47:59
QPF8248產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo的 QPF8248 是專為 Wi-Fi 802.11a/n/ac 系統(tǒng)設(shè)計(jì)的集成前端模塊 (FEM)。緊湊的外形和集成匹配最大限度地減少了應(yīng)用中的布局面積。性能側(cè)重于
2023-05-19 14:52:29
射頻前端主要為無(wú)人機(jī)探測(cè)雷達(dá)系統(tǒng)提供信號(hào)輸入功能,作為無(wú)人機(jī)數(shù)據(jù)鏈測(cè)控系統(tǒng)的重要組成部分,小體積、低功耗、高可靠等特點(diǎn)的射頻前端單元是無(wú)人機(jī)數(shù)據(jù)鏈測(cè)控系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)小型化、通用化特性的關(guān)鍵部分。
2023-05-18 12:43:12
369 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/82/E3/wKgZomRlraWAD8usAAAihZL8jfc129.png)
射頻前端的作用是對(duì)射頻信號(hào)進(jìn)行放大、過(guò)濾、降噪等,主要包含射頻前端分立器件和射頻前端模組兩類產(chǎn)品,因?yàn)槲挥谕ㄐ?b class="flag-6" style="color: red">系統(tǒng)的最前端,所以通常被稱為“射頻前端”,其功能直接決定了終端可以支持的通信制式,其性能決定了終端的通信速率、接收信號(hào)強(qiáng)度、通話穩(wěn)定性等重要通信指標(biāo)。
2023-05-18 10:12:57
618 半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)過(guò)程中需要在晶圓上沉積集成電路芯片,然后再分割成各個(gè)單元,最后再進(jìn)行封裝和焊接,因此對(duì)晶圓切割槽尺寸進(jìn)行精準(zhǔn)控制和測(cè)量,是生產(chǎn)工藝中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。  
2023-05-09 14:12:38
和流暢度。
聲音模組:在人臉識(shí)別終端產(chǎn)品中,通常需要輸出語(yǔ)音提示信息,以指導(dǎo)用戶操作。因此,可以選擇支持高保真音質(zhì)、多種音頻格式解碼的聲音模組,以提供優(yōu)質(zhì)的語(yǔ)音輸出效果。
網(wǎng)絡(luò)通信模組:為了實(shí)現(xiàn)人臉
2023-05-06 14:30:45
前端模組化程度將越來(lái)越高。隨著通信制式升級(jí),頻段變多,高一級(jí)的通信系統(tǒng)要向下兼容,導(dǎo)致射頻器件越來(lái)越多越來(lái)越復(fù)雜;同時(shí)要求增加電池容量, 壓縮PCB板面積,決定了模組化是必然趨勢(shì):
1、終端小型化
2023-05-05 10:42:11
半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)過(guò)程中需要在晶圓上沉積集成電路芯片,然后再分割成各個(gè)單元,最后再進(jìn)行封裝和焊接,因此對(duì)晶圓切割槽尺寸進(jìn)行精準(zhǔn)控制和測(cè)量,是生產(chǎn)工藝中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。 
2023-04-28 17:41:49
異質(zhì)集成技術(shù)開(kāi)發(fā)與整合的關(guān)鍵在于融合實(shí)現(xiàn)多尺度、多維度的芯片互連,通過(guò) 三維互連技術(shù)配合,將不同功能的芯粒異質(zhì)集成到一個(gè)封裝體中,從而提高帶寬和電源效率并減小 延遲,為高性能計(jì)算、人工智能和智慧終端
2023-04-26 10:06:07
519 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/82/48/wKgaomRIh4CAGy_SAAA1zx7IOiQ099.png)
SW-209-PIN砷化鎵匹配 GaAs SPST 開(kāi)關(guān) DC - 3.0 GHz MACOM 的 SW-209-PIN 是一款射頻開(kāi)關(guān)
2023-04-18 15:19:22
MA4AGSW2AlGaAs 反射式MA4AGSW2 是一種鋁-鎵-砷、單刀雙擲 (SPDT)、PIN 二極管開(kāi)關(guān)。該開(kāi)關(guān)采用增強(qiáng)型 AlGaAs 陽(yáng)極,采用 MACOM
2023-04-18 12:00:04
MA4AGSW1MA4AGSW1AlGaAs 反射式MACOM 的 MA4AGSW1 是一種鋁-鎵-砷、單刀、單擲 (SPST)、PIN 二極管開(kāi)關(guān)。該開(kāi)關(guān)采用增強(qiáng)型 Al-GaAs 陽(yáng)極,采用
2023-04-18 11:06:14
IATF16949汽車標(biāo)準(zhǔn)體系認(rèn)證,擁有TVS、FRED、MOSFET、肖特基、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、整流二極管等產(chǎn)品線,可按照客戶的多元化需求提供定制化產(chǎn)品。在二極管之外,晶導(dǎo)微把目光瞄準(zhǔn)系統(tǒng)級(jí)封裝賽道,集中于氮化
2023-04-14 16:00:28
我們開(kāi)發(fā)了一個(gè)定制的基于 iMX8M 的板來(lái)集成 SONY FCB-EV9500M MIPI 攝像頭。我們想從 SONY FCB-EV9500M MIPI 攝像頭接收視頻數(shù)據(jù),所以我如何將 SONY FCB-EV9500M MIPI 攝像頭與定制的基于 iMX8M 的板集成,請(qǐng)幫助我們。
2023-04-03 06:28:05
評(píng)論