人員接手試產(chǎn)及量產(chǎn)作業(yè)的種子團(tuán)隊(duì)，推動(dòng)新竹寶山和高雄廠于 2024年同步南北試產(chǎn)、2025年量產(chǎn)。 ? 從1971的10000nm制程到5nm，從5nm向3nm、2nm發(fā)展和演進(jìn)，芯片制造領(lǐng)域制程工藝的角逐從來(lái)未曾停歇，到現(xiàn)在2nm芯片大戰(zhàn)已經(jīng)全面打響。 ? 先進(jìn)制程工藝演
2023-08-20 08:32:07
2089 
李時(shí)榮聲稱(chēng)，“客戶對(duì)代工企業(yè)的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力與穩(wěn)定供應(yīng)有嚴(yán)格要求，而4nm工藝已步入成熟良率階段。我們正積極籌備后半年第二代3nm工藝及明年2nm工藝的量產(chǎn)，并積極與潛在客戶協(xié)商。”
2024-03-21 15:51:4381 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:58:12
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:53:030 該內(nèi)存速度高達(dá)5600MT/s，并可同時(shí)兼容5200和4800 MT/s。據(jù)詳情頁(yè)介紹，其工作電壓僅為1.1V，相較于DDR4 3200內(nèi)存，性能提升幅度為1.5倍，且將于本月底開(kāi)始出貨。
2024-03-13 11:43:0589 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:450 使用STM32CubeMx 配置4Gb DDR3L，目前是這樣配置的
2024-03-11 08:35:45
計(jì)劃與國(guó)內(nèi)通信企業(yè)展開(kāi)深度合作。
其FPGA從55/40nm進(jìn)入主流28nm工藝平臺(tái)，在器件性能和容量上也都有較大的提升，相應(yīng)地對(duì)FPGA編譯軟件和IP也提高了要求，28nm器件預(yù)計(jì)在2020年批量供應(yīng)。
2024-01-24 10:46:50
高性能FPGA芯片Titan系列，采用40nm工藝，可編程邏輯資源最高達(dá)18萬(wàn)個(gè)，已廣泛應(yīng)用于通信、信息安全等領(lǐng)域。
Titan系列高端FPGA產(chǎn)品PGT180H已向國(guó)內(nèi)多家領(lǐng)先通信設(shè)備廠商批量供貨
2024-01-24 10:45:40
值得關(guān)注的是，三星已不再?gòu)氖?NOR flash、DDR3 等工藝成熟的存儲(chǔ)芯片加工，轉(zhuǎn)而轉(zhuǎn)向使用華邦生產(chǎn)的產(chǎn)品。近期，隨著 NOR flash 和 DDR3 的市場(chǎng)行情有所好轉(zhuǎn)，華邦與三星依然保持著緊密合作
2024-01-15 09:34:03287 的型號(hào)。 首先，我們來(lái)看一下DDR6內(nèi)存。DDR6是目前市場(chǎng)上最新的內(nèi)存技術(shù)，它在DDR5的基礎(chǔ)上進(jìn)行了一些改進(jìn)。DDR6內(nèi)存的關(guān)鍵特點(diǎn)如下： 1. 帶寬更大：DDR6內(nèi)存的帶寬比DDR5內(nèi)存更大。DDR6內(nèi)存的帶寬可以達(dá)到每秒14.4 GB，而DDR5內(nèi)存的帶寬則為每秒12.8 GB。這意味著DDR6內(nèi)存可
2024-01-12 16:43:052849 ）
DDR3內(nèi)存條，240引腳（120針對(duì)每側(cè)）
DDR4內(nèi)存條，288引腳（144針對(duì)每側(cè)）
DDR5內(nèi)存條，288引腳（144針對(duì)每側(cè)）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數(shù)據(jù)線的分組
2023-12-25 14:02:58
）
DDR3內(nèi)存條，240引腳（120針對(duì)每側(cè)）
DDR4內(nèi)存條，288引腳（144針對(duì)每側(cè)）
DDR5內(nèi)存條，288引腳（144針對(duì)每側(cè)）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數(shù)據(jù)線的分組
2023-12-25 13:58:55
MP4@?MHz
內(nèi)存
長(zhǎng)鑫CXDQ3BFAM DDR4 1GB*4
海力士H5TQ4G63CFR DDR3 512MB*4
三星K4E8E324EBGCF LPDDR3 1GB*3(2+1)
佰維
2023-12-14 23:33:28
芯片的7nm工藝我們經(jīng)常能聽(tīng)到，但是7nm是否真的意味著芯片的尺寸只有7nm呢？讓我們一起來(lái)看看吧！
2023-12-07 11:45:311591 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
法人方面解釋說(shuō)：“標(biāo)準(zhǔn)型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國(guó)企業(yè)主導(dǎo)，因此，中臺(tái)灣企業(yè)在半導(dǎo)體制造方面無(wú)法與之抗衡?！痹?b class="flag-6" style="color: red">ddr3 ddr3的情況下，臺(tái)灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強(qiáng)勢(shì)。ddr3的價(jià)格也隨之上漲，給臺(tái)灣半導(dǎo)體企業(yè)帶來(lái)了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來(lái)越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開(kāi)始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003885 ? ? ? ?在臺(tái)積電的法人說(shuō)明會(huì)上據(jù)臺(tái)積電總裁魏哲家透露臺(tái)積電有望2025年量產(chǎn)2nm芯片。 目前，臺(tái)積電已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)3nm工藝; 臺(tái)灣新竹寶山、高雄兩座工廠的2nm芯片計(jì)劃2024年試產(chǎn)
2023-10-20 12:06:23930 N2，也就是2nm，將采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，預(yù)計(jì)2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 2nm芯片是指采用了2nm制程工藝所制造出來(lái)的芯片，制程工藝的節(jié)點(diǎn)尺寸表示芯片上元件的最小尺寸。這意味著芯片上的晶體管和其他電子元件的尺寸可以達(dá)到2納米級(jí)別。 2nm芯片手機(jī)
2023-10-19 17:06:18799 可以容納更多的晶體管在同樣的芯片面積上，從而提供更高的集成度和處理能力。此外，較小的節(jié)點(diǎn)尺寸還可以降低電路的功耗，提供更高的能效?？梢哉f(shuō)，2nm芯片代表了制程工藝的最新進(jìn)展和技術(shù)創(chuàng)新。 2nm芯片什么時(shí)候量產(chǎn) 2nm芯片什么時(shí)候量產(chǎn)這
2023-10-19 16:59:161958 DDR3是2007年推出的，預(yù)計(jì)2022年DDR3的市場(chǎng)份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫(xiě)分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫(xiě)分離的方法。
2023-10-18 16:03:56516 
的24個(gè)GTY，LVDS信號(hào)，DSP的1路以太網(wǎng)
三、軟件系統(tǒng)
?提供FPGA的接口測(cè)試程序，包括 DDR4、光纖、RapidIO、FMC等接口
?提供DSP接口測(cè)試程序，包括DDR3、Flash
2023-10-16 11:12:06
摘要：本文將對(duì)DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過(guò)對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購(gòu)買(mǎi)和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088 我們?cè)谫I(mǎi)DDR內(nèi)存條的時(shí)候，經(jīng)常會(huì)看到這樣的標(biāo)簽DDR3-1066、DDR3-2400等，這些名稱(chēng)都有什么含義嗎？請(qǐng)看下表。
2023-09-26 11:35:331922 
相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過(guò)渡，這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441478 
Memory）： 指BM1684的片外存儲(chǔ)DDR，通常為12GB，最大支持定制為16GB。PCIe模式：4GB TPU專(zhuān)用 + 4GB VPU專(zhuān)用 + 4GB VPP/A53專(zhuān)用；SoC模式：4GB
2023-09-19 07:47:54
以MT41J128M型號(hào)為舉例：128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個(gè)8bit的DDR3，每個(gè)bank的大小為16Mbit，一共有8個(gè)bank。
2023-09-15 15:30:09629 
DDR3帶寬計(jì)算之前，先弄清楚以下內(nèi)存指標(biāo)。
2023-09-15 14:49:462497 
在全默認(rèn)設(shè)置的情況下，影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800，延遲設(shè)定為40-40-40-76，因此在這個(gè)設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出，與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。
2023-09-15 10:40:42750 
?首搭國(guó)內(nèi)首款自研車(chē)規(guī)級(jí)7nm量產(chǎn)芯片“龍鷹一號(hào)”，魅族車(chē)機(jī)系統(tǒng)首發(fā)上車(chē)。
2023-09-14 16:12:30484 Z20K11xN采用國(guó)產(chǎn)領(lǐng)先半導(dǎo)體生產(chǎn)制造工藝SMIC 車(chē)規(guī) 40nm工藝，提供LQFP48，LQFP64以及LQFP100封裝，CPU主頻最大支持64MHz，支持2路帶64個(gè)郵箱的CAN-FD通訊接口，工作電壓3.3V和5V。
2023-09-13 17:24:081073 
128MB DDR3
256MB Nand Flash
-40℃~+85℃
MYC-YT113S3-4E128D-110-I
T113-S3
128MB DDR3
4GB eMMC
-40℃~+85℃
開(kāi)發(fā)板
2023-09-09 18:07:13
最新的32Gb DDR5內(nèi)存芯片，繼續(xù)采用12nm級(jí)別工藝制造，相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款內(nèi)存產(chǎn)品，容量已經(jīng)增加了50多萬(wàn)倍！
2023-09-04 14:28:11264 日前有信息稱(chēng)，三星將采用 12納米 (nm) 級(jí)工藝技術(shù)，生產(chǎn)ERP開(kāi)發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，而這樣就可以在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍。
2023-09-04 10:53:46470 本文介紹一個(gè)FPGA開(kāi)源項(xiàng)目：DDR3讀寫(xiě)。該工程基于MIG控制器IP核對(duì)FPGA DDR3實(shí)現(xiàn)讀寫(xiě)操作。
2023-09-01 16:23:19741 
本文開(kāi)源一個(gè)FPGA項(xiàng)目：基于AXI總線的DDR3讀寫(xiě)。之前的一篇文章介紹了DDR3簡(jiǎn)單用戶接口的讀寫(xiě)方式：《DDR3讀寫(xiě)測(cè)試》，如果在某些項(xiàng)目中，我們需要把DDR掛載到AXI總線上，那就要通過(guò)MIG IP核提供的AXI接口來(lái)讀寫(xiě)DDR。
2023-09-01 16:20:371887 
MCU200T的DDR3在官方給的如下圖兩份文件中都沒(méi)有詳細(xì)的介紹。
在introduction文件中只有簡(jiǎn)略的如下圖的一句話的介紹
在schematic文件中也沒(méi)有明確表明每個(gè)接口的具體信息
2023-08-17 07:37:34
在配置DDR200T的DDR3時(shí)，一些關(guān)鍵參數(shù)的選擇在手冊(cè)中并沒(méi)有給出，以及.ucf引腳約束文件也沒(méi)有提供，請(qǐng)問(wèn)這些信息應(yīng)該從哪里得到？
2023-08-16 07:02:57
PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
xilinx平臺(tái)DDR3設(shè)計(jì)教程之設(shè)計(jì)篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58
以下內(nèi)存設(shè)備：
?雙倍數(shù)據(jù)速率3（DDR3）SDRAM。
?低壓DDR3 SDRAM。
?雙倍數(shù)據(jù)速率4（DDR4）SDRAM。
2023-08-02 11:55:49
隨著制程工藝的進(jìn)步，DRAM內(nèi)存芯片也面臨著CPU/GPU一樣的微縮難題，解決辦法就是上EUV光刻機(jī)，但是設(shè)備實(shí)在太貴，現(xiàn)在還要榨干DUV工藝最后一滴，DDR5內(nèi)存有望實(shí)現(xiàn)單條1TB。
2023-07-31 17:37:07875 
營(yíng)收大幅下降，同比下降22%至469.15億美元，三星半導(dǎo)體部門(mén)（包括內(nèi)存、SoC和代工業(yè)務(wù)）的營(yíng)收下降至298.6億美元，同比下降48%，業(yè)務(wù)虧損34億美元。作為三星收益報(bào)告的一部分，該公司還透露其第三款3nm(GAAFET)芯片已開(kāi)始生產(chǎn)：“得益于3nm工藝的穩(wěn)定，我們的第三款
2023-07-31 10:56:44480 DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片，其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061877 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 09:50:470 一篇拆解報(bào)告，稱(chēng)比特微電子的Whatsminer M56S++礦機(jī)所用的AISC芯片采用的是三星3nm GAA制程工藝。這一發(fā)現(xiàn)證實(shí)了三星3nm GAA技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用。
2023-07-21 16:03:571012 三星3nm GAA商業(yè)量產(chǎn)已經(jīng)開(kāi)始。
2023-07-20 11:20:001124 
大約一年前，三星正式開(kāi)始采用其 SF3E（3nm 級(jí)、早期全柵）工藝技術(shù)大批量生產(chǎn)芯片，但沒(méi)有無(wú)晶圓廠芯片設(shè)計(jì)商證實(shí)其產(chǎn)品使用了該節(jié)點(diǎn)。
2023-07-19 17:13:331010 IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-07-06 20:20:122 IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:19:241 IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:12:510 IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:47:260 IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:561 IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:111 DDR3的速度較高，如果控制芯片封裝較大，則不同pin腳對(duì)應(yīng)的時(shí)延差異較大，必須進(jìn)行pin delay時(shí)序補(bǔ)償。
2023-07-04 09:25:38312 
外媒在報(bào)道中提到，根據(jù)公布的計(jì)劃，三星電子將在2025年開(kāi)始，采用2nm制程工藝量產(chǎn)移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用所需的芯片，2026年開(kāi)始量產(chǎn)高性能計(jì)算設(shè)備的芯片，2027年則是利用2nm制程工藝開(kāi)始量產(chǎn)汽車(chē)所需的芯片。
2023-06-30 16:55:07458 開(kāi)箱大吉#紫光同創(chuàng)PGL22G關(guān)鍵特性評(píng)估板@盤(pán)古22K開(kāi)發(fā)板 開(kāi)箱教程來(lái)啦！詳細(xì)教程手把手來(lái)教啦！#紫光盤(pán)古系列開(kāi)發(fā)板@盤(pán)古22K開(kāi)發(fā)板 基于紫光同創(chuàng)40nm工藝的FPGA主控芯片（Logos系列
2023-06-28 10:46:17
【視頻】盤(pán)古Logos系列PGL22G關(guān)鍵特性評(píng)估板@盤(pán)古22K開(kāi)發(fā)板#紫光同創(chuàng)FPGA開(kāi)發(fā)板#基于紫光同創(chuàng)40nm工藝的FPGA主控芯片（Logos系列: PGL22G-MBG324），掛載
2023-06-12 17:38:43
參考： KLMAG1JETD-B041(eMMC 5.1) | eMMC | 三星半導(dǎo)體官網(wǎng) (samsung.com)
內(nèi)存芯片
開(kāi)發(fā)板上的閃存芯片是：K4A8G165WC-BCTD
主要規(guī)格信息如下
2023-06-10 12:26:35
該芯片基于40nm工藝，將會(huì)在今年二季度小規(guī)模量產(chǎn)，2023年三季度客戶導(dǎo)入，2024年二季度規(guī)模出貨。
2023-06-05 14:38:18291 
解決方案，配置方式比較靈活，采用軟核實(shí)現(xiàn) DDR memory 的控制，有如下特點(diǎn)：
?支持 DDR3
?支持 x8、x16 Memory Device
?最大位寬支持 32 bit
?支持裁剪的 AXI4
2023-05-31 17:45:39
我正在使用帶有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 連接到 T1040 處理器 DDR 控制器。
我嘗試了這個(gè)序列，但未能成功生成 DDR 地址奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤：
步驟1：
ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03
供應(yīng)XPD320B 20w協(xié)議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協(xié)議，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車(chē)載充電器等設(shè)備的USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-30 14:24:29
供應(yīng)XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級(jí)代理富滿，廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車(chē)載充電器等設(shè)備提供高性價(jià)比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-29 11:37:36
供應(yīng)XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案 ，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、USB 充電設(shè)備等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-29 10:09:46
S32G3開(kāi)發(fā)板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B
但是我們的開(kāi)發(fā)板使用的是三星的芯片（K4FBE3D4HM THCL）。
如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片？。以及如何支持新的DDR芯片？
2023-05-23 07:15:48
MES50HP 開(kāi)發(fā)板簡(jiǎn)介
MES50HP 開(kāi)發(fā)板集成兩顆 4Gbit（512MB）DDR3 芯片,型號(hào)為 MT41K256M16。DDR3 的總線寬度共為 32bit。DDR3 SDRAM 的最高
2023-05-19 14:28:45
%。西安二廠預(yù)計(jì)將生產(chǎn)13.5萬(wàn)片，比之前的14.5萬(wàn)片減少了約7%。業(yè)界觀察人士認(rèn)為，三星選擇砍掉部分NAND產(chǎn)能，因?yàn)楫?dāng)前內(nèi)存市場(chǎng)形勢(shì)慘淡。
【臺(tái)積電28nm設(shè)備訂單全部取消！】
4月消息，由于
2023-05-10 10:54:09
在 i.MX6 SOLO 中有沒(méi)有辦法讀取芯片 DDR3 的大??？
2023-05-06 07:04:11
我有一塊使用基于 i.MX8QM MEK 板的 i.MX8QM 的板。我使用了 2 x MT53D512M32D2（總計(jì) 4GB DDR 內(nèi)存）并且它可以正常工作。
現(xiàn)在我想把內(nèi)存加倍到 8GB。我
2023-05-04 06:39:14
：PGL50H-6IFBG484),交互時(shí)鐘頻率最高到400MHz, DDR3的數(shù)據(jù)位寬32bit，總數(shù)據(jù)帶寬高達(dá)25600（800×32）Mbps；4路HSST高速收發(fā)器，每路速度高達(dá)6.375Gb/s，適合用于光纖、PCIe數(shù)據(jù)通信；外圍接口豐富，滿足全方位的開(kāi)發(fā)需求。
聯(lián)系我們：
2023-04-26 17:19:06
的最小系統(tǒng)運(yùn)行及高速數(shù)據(jù)處理和存儲(chǔ)的功能。FPGA選用的是紫光同創(chuàng)40nm工藝的FPGA （logos系列：PGL5OH-61FBG484），PGL5OH和DDR3之間的數(shù)據(jù)交互時(shí)鐘頻率最高到
2023-04-19 11:45:57
搞定2nm工藝需要至少3方面的突破，一個(gè)是技術(shù)，一個(gè)是資金，一個(gè)是市場(chǎng)，在技術(shù)上日本是指望跟美國(guó)的IBM公司合作，后者前兩年就演示過(guò)2nm工藝，但I(xiàn)BM的2nm工藝還停留在實(shí)驗(yàn)室級(jí)別，距離量產(chǎn)要很遠(yuǎn)。
2023-04-14 10:24:55507 型號(hào)：JFMK50TFGG484PL端內(nèi)存：1GB DDR3,數(shù)據(jù)速率1600Mbps，32bitGTX收發(fā)器：4X速度等級(jí)：對(duì)標(biāo)進(jìn)口-2 芯片級(jí)別：工業(yè)級(jí)工作溫度：-40℃-100℃邏輯單元數(shù)量
2023-04-13 16:04:38
DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場(chǎng)，直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺(jué)有點(diǎn)跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對(duì)比。
2023-04-04 17:08:472867 
我們使用 10*MT40A1G16 獲得 16GB 內(nèi)存，一個(gè) ddr 控制器連接 8GB。三個(gè)問(wèn)題：1)在codewarrior ddr config上，我們應(yīng)該選擇什么dram類(lèi)型？NoDimm
2023-04-03 07:24:21
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