美的獲實(shí)用新型專利授權(quán) 美的新獲得一項(xiàng)實(shí)用新型專利授權(quán)，該專利名為“一種功放模塊組件、射頻發(fā)生裝置、射頻解凍裝置以及冰箱”，專利申請(qǐng)?zhí)朇N202223387092.2。 該技術(shù)可以幫助解決現(xiàn)有技術(shù)目前功率放大電路散熱結(jié)構(gòu)使用不便的技術(shù)問(wèn)題；而且非常更適用于小型化設(shè)備中。
2024-02-24 17:18:33
1051 據(jù) 2 月 23 日公布的信息，蘋(píng)果已獲專利許可證，用于即將推出的 Vision Pro 頭戴式顯示器。此技術(shù)能有效解決長(zhǎng)時(shí)間佩戴帶來(lái)的不適感。
2024-02-23 10:10:34104 臺(tái)積電預(yù)期，目前營(yíng)收總額約 70% 是來(lái)自 16 納米以下先進(jìn)制程技術(shù)，隨著 3 納米和 2 納米制程技術(shù)的貢獻(xiàn)在未來(lái)幾年漸增，比重將會(huì)繼續(xù)增加，預(yù)估未來(lái)成熟制程技術(shù)占營(yíng)收總額將不超過(guò) 2 成。
2024-02-21 16:33:23320 美國(guó)證交會(huì)（SEC）公布的文件顯示，貝索斯是在上周末開(kāi)啟了本次股票出售行動(dòng)，于周二結(jié)束。其間，貝索斯總共出售 23.7 億美元估值的 14006906 股亞馬遜股票。
2024-02-21 15:50:55133 近日，美國(guó)知名數(shù)字標(biāo)牌解決方案供應(yīng)商Stratacache與半導(dǎo)體技術(shù)公司Lumiode達(dá)成戰(zhàn)略合作，共同推動(dòng)Micro LED技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。Stratacache計(jì)劃將Lumiode的背板沉積技術(shù)集成到其即將完成的Micro LED生產(chǎn)線E4當(dāng)中。
2024-02-05 17:07:04582 近三年，美國(guó)蘋(píng)果公司與醫(yī)療技術(shù)公司Masimo的專利糾紛官司真是一波三折，峰回路轉(zhuǎn)。 ? 2023年12月26日，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)（ITC）發(fā)布的蘋(píng)果手表（Apple Watch）禁售令正式生效
2024-01-25 02:22:004524 
1納米尺寸的芯片制造面臨著物理極限的挑戰(zhàn)，可能導(dǎo)致晶體管的性能下降甚至失效。作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要參與者之一，臺(tái)積電已經(jīng)宣布開(kāi)始研發(fā)1納米工藝。
2024-01-22 14:18:31232 優(yōu)化硅的形態(tài)與沉積方式是半導(dǎo)體和MEMS工藝的關(guān)鍵，LPCVD和APCVD為常見(jiàn)的硅沉積技術(shù)。
2024-01-22 09:32:15433 
納米技術(shù)是一種高度前沿的技術(shù)，利用控制和操縱物質(zhì)的尺寸在納米級(jí)別來(lái)創(chuàng)造新的材料和應(yīng)用。納米技術(shù)的特點(diǎn)主要包括以下幾個(gè)方面：高比表面積、尺寸效應(yīng)、量子效應(yīng)和可調(diào)控性。 首先，納米技術(shù)的一個(gè)重要特點(diǎn)是
2024-01-19 14:06:424309 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《索雷碳納米聚合物材料技術(shù)修復(fù)輥壓機(jī)軸磨損的工藝.docx》資料免費(fèi)下載
2024-01-18 15:50:55
0 一維空心圓柱形碳納米管納米結(jié)構(gòu)自被發(fā)現(xiàn)以來(lái)，在納米技術(shù)的發(fā)展中起著至關(guān)重要的作用。
2024-01-18 09:18:12464 
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2024-01-16 15:29:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《索雷碳納米聚合物材料技術(shù)對(duì)修復(fù)烘缸軸磨損有什么優(yōu)勢(shì).docx》資料免費(fèi)下載
2024-01-14 09:31:380 通過(guò)化學(xué)鍍鎳沉積增強(qiáng)納米多孔硅光電陰極的光電化學(xué)性能 可再生能源，特別是太陽(yáng)能，是我們脫碳努力的關(guān)鍵。本文研究了納米多孔硅及其Ni涂層雜化體系的光電化學(xué)行為。這些方法包括將Ni涂層應(yīng)用于NPSi
2024-01-12 17:06:13112 
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2024-01-07 09:51:170 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何選擇索雷碳納米聚合物材料技術(shù).docx》資料免費(fèi)下載
2023-12-29 11:02:410 據(jù)可靠消息來(lái)源透露，聯(lián)電已就12納米工藝授權(quán)與英特爾進(jìn)行多輪接觸且近期將達(dá)成協(xié)議。主要原因在于聯(lián)電的12納米 ARM架構(gòu)技術(shù)和主攻 x86 架構(gòu)的英特爾形成了很好的互補(bǔ)效應(yīng)，根據(jù)計(jì)劃，聯(lián)電將在今后一段時(shí)間內(nèi)收授高達(dá)數(shù)百億新臺(tái)幣的專利費(fèi)。
2023-12-28 14:46:00197 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《索雷碳納米聚合物材料技術(shù)是如何實(shí)現(xiàn)現(xiàn)場(chǎng)快速修復(fù).docx》資料免費(fèi)下載
2023-12-27 09:24:430 在太陽(yáng)能電池的薄膜沉積工藝中，具有化學(xué)氣相沉積（CVD）與物理氣相沉積（PVD）兩種薄膜沉積方法，電池廠商在沉積工藝中也需要根據(jù)太陽(yáng)能電池的具體問(wèn)題進(jìn)行針對(duì)性選擇，并在完成薄膜沉積工藝后通過(guò)
2023-12-26 08:33:01311 
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2023-12-25 09:33:340 共讀好書(shū) 魏紅軍 謝振民 （中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所） 摘要： 電化學(xué)沉積技術(shù)，作為集成電路制造的關(guān)鍵工藝技術(shù)之一，它是實(shí)現(xiàn)電氣互連的基石，主要應(yīng)用于集成電路制造的大馬士革銅互連電鍍工藝
2023-12-20 16:58:23154 
納米材料具有獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)，其作為新一代藥物給藥劑型日益受到重視。納米材料的小尺寸能夠增加藥物負(fù)載能力，延長(zhǎng)藥物的血液循環(huán)時(shí)間，并改善藥物的細(xì)胞攝取和組織滲透。特定的納米結(jié)構(gòu)有助于調(diào)節(jié)藥物的負(fù)載
2023-12-12 16:59:45259 
共讀好書(shū) 魏紅軍 謝振民 （中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所） 摘要： 電化學(xué)沉積技術(shù)，作為集成電路制造的關(guān)鍵工藝技術(shù)之一，它是實(shí)現(xiàn)電氣互連的基石，主要應(yīng)用于集成電路制造的大馬士革銅互連電鍍工藝
2023-12-11 17:31:18234 
金屬柵極的沉積方法主要由HKMG的整合工藝決定。為了獲得穩(wěn)定均勻的有效功函數(shù)，兩種工藝都對(duì)薄膜厚度的均勻性要求較高。另外，先柵極的工藝對(duì)金屬薄膜沒(méi)有臺(tái)階覆蓋性的要求，但是后柵極工藝因?yàn)樾枰匦绿畛湓瓉?lái)多晶硅柵極的地方，因此對(duì)薄膜的臺(tái)階覆蓋 性及其均勻度要求較高。
2023-12-11 09:25:31654 
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2023-12-08 09:56:120 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《什么是索雷碳納米聚合物材料技術(shù)？他與傳統(tǒng)的修復(fù)工藝比有什么優(yōu)點(diǎn).docx》資料免費(fèi)下載
2023-12-05 09:50:110 三星去年6 月底量產(chǎn)第一代3 納米GAA (SF3E) 制程，為三星首次采用全新GAA 架構(gòu)晶體管技術(shù)，而第二代3 納米制程3GAP(SF3) 將使用第二代MBCFET 架構(gòu)，從第一代3 納米SF3E基礎(chǔ)上再最佳化，預(yù)期2024 年進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2023-12-04 15:55:37362 索雷碳納米聚合物材料技術(shù)的優(yōu)勢(shì)
2023-12-04 10:18:550 某造紙公司出現(xiàn)了鍵槽磨損，鍵槽磨損1-1.5mm公司選擇索雷碳納米聚合物材料技術(shù)來(lái)進(jìn)行修復(fù)。
2023-12-04 09:42:590 性能影響很大。例如，在制備納米材料時(shí)，如果顆粒尺寸分布不均勻，則會(huì)影響其光學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)等性能；在制備藥物時(shí)，如果藥物微粒大小不一致，則會(huì)影響其生物利用度和藥效。圖1：中芯啟恒LNP脂質(zhì)體制備設(shè)備
2023-11-28 13:38:39
半導(dǎo)體前端工藝（第五篇）：沉積——“更小、更多”，微細(xì)化的關(guān)鍵
2023-11-27 16:48:42217 
? 一種使用等離子體激元的新型成像技術(shù)能夠以增強(qiáng)的靈敏度觀察納米顆粒。休斯頓大學(xué)納米生物光子學(xué)實(shí)驗(yàn)室的石偉川教授和他的同事正在研究納米材料和設(shè)備在生物醫(yī)學(xué)、能源和環(huán)境方面的應(yīng)用。該小組利用等離子體
2023-11-27 06:35:23121 該公司成立于2008年，是一家專門(mén)生產(chǎn)尖端國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的企業(yè)。到目前為止，包括73項(xiàng)發(fā)明專利權(quán)和國(guó)際專利在內(nèi)，共有165項(xiàng)其他原創(chuàng)專利。
2023-11-24 09:27:12288 形態(tài)，在沉積技術(shù)之間和沉積技術(shù)內(nèi)部可以有很大的不同，導(dǎo)致上述物理響應(yīng)的變化，即使對(duì)于相同的材料也是如此。
2023-11-22 10:20:59213 
LSTC 和 Leti 希望建立設(shè)計(jì)采用 1.4 納米至 1 納米工藝制造的半導(dǎo)體所需的基本技術(shù)。制造1納米產(chǎn)品需要不同的晶體管結(jié)構(gòu)，而在該領(lǐng)域，Leti在薄膜沉積和類似技術(shù)方面實(shí)力雄厚。
2023-11-20 17:14:37750 專利申請(qǐng)趨勢(shì)分析可以反映技術(shù)發(fā)展的過(guò)去和現(xiàn)在，有助于相關(guān)人員掌握該技術(shù)的發(fā)展脈絡(luò)及發(fā)展現(xiàn)狀，從一定程度上也可以預(yù)測(cè)未來(lái)技術(shù)發(fā)展的可能。對(duì)uRLLC技術(shù)進(jìn)行基礎(chǔ)檢索，從專利申請(qǐng)趨勢(shì)來(lái)看，其專利申請(qǐng)從2016年至2022年申請(qǐng)量呈上升趨勢(shì)
2023-11-15 17:59:49477 
近日，我司收到廣東專利獎(jiǎng)評(píng)審委員會(huì)辦公室頒發(fā)的廣東省第九屆廣東專利獎(jiǎng)銀獎(jiǎng)證書(shū)——我司“利用手機(jī)控制紅外熱像儀的系統(tǒng)及方法”發(fā)明專利獲獎(jiǎng)。
2023-11-13 09:07:54234 據(jù)DIGITIMES此前消息，SK海力士2023年引進(jìn)佳能納米壓印設(shè)備，正在進(jìn)行測(cè)試與研發(fā)，目標(biāo)在2025年左右將該設(shè)備用于3D NAND量產(chǎn)。有業(yè)內(nèi)人士表示：“與EUV相比，納米壓印技術(shù)形成圖案
2023-11-10 16:25:06434 
中圖儀器SJ5730系列納米探針式輪廓儀采用超高精度納米衍射光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)、超高直線度研磨級(jí)摩擦導(dǎo)軌、高性能直流伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、高性能計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)技術(shù)，分辨率高達(dá)0.1nm，系統(tǒng)殘差小于3nm
2023-11-09 09:14:22
從領(lǐng)域來(lái)看，華為擁有很多無(wú)線和其他通信技術(shù)相關(guān)的網(wǎng)絡(luò)專利。騰訊重視電子郵件和認(rèn)證等認(rèn)證技術(shù)，螞蟻集團(tuán)擁有許多要求數(shù)據(jù)庫(kù)處理的搜索語(yǔ)言相關(guān)專利。
2023-11-08 11:58:17432 近日，深圳市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)委員會(huì)辦公室公布了 2023 年度深圳市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)獎(jiǎng)項(xiàng)名單，鯤云科技“基于數(shù)據(jù)流的深度網(wǎng)絡(luò)加速方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)”的專利項(xiàng)目（專利號(hào)：201910280156.2
2023-11-07 19:12:44427 
，多次申請(qǐng)、多次公布或批準(zhǔn)的內(nèi)容相同或基本相同的一組專利文獻(xiàn)。通俗點(diǎn)理解（非嚴(yán)謹(jǐn)），同族專利是指對(duì)同一項(xiàng)技術(shù)方案提出的所有相關(guān)專利申請(qǐng)所產(chǎn)生的專利文獻(xiàn)。在同一專利族中每件專利文獻(xiàn)被稱作專利族成員（Patent Family Members），同一專利族中每件
2023-11-03 18:45:01299 
中的應(yīng)用。 膠體量子點(diǎn)作為一種半導(dǎo)體納米晶，具有獨(dú)特的高表面活性以及量子限制效應(yīng)的物化特性，擁有室溫溶液處理的能力，更容易與硅基兼容。但隨著硅基板尺寸逐漸縮小，對(duì)敏感膜沉積的精度和工藝要求開(kāi)始變高，目前常用于
2023-11-03 09:09:10767 
黎微明博士指出，傳統(tǒng)的PVD和CVD在鍍膜方面具有局限性。ALD技術(shù)特點(diǎn)在于可在復(fù)雜形貌上，完成原子層精度控制能力的高質(zhì)量薄膜沉積工藝。具體來(lái)看，ALD技術(shù)具有三維共形性，可廣泛適用于不同形狀的基底。
2023-11-02 17:27:05435 諾基亞執(zhí)行官Arvin Patel在公司網(wǎng)站上發(fā)表聲明稱，該訴訟分別被提交到美國(guó)、德國(guó)、印度、英國(guó)和歐洲專利法院。另外，在美國(guó)也以視頻相關(guān)技術(shù)專利向惠普提出了訴訟。
2023-11-01 14:29:02384 根據(jù)專利摘要，該申請(qǐng)涉及提高三維存儲(chǔ)器存儲(chǔ)密度的半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域。這個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的外部層沉積層、電容器、第一次接觸柱子及首家信號(hào)線組成，外圍堆疊層包括層疊設(shè)置的多個(gè)膜層對(duì)，膜層對(duì)第一個(gè)防止介質(zhì)層和柵極層，包括各雙膜形成多個(gè)臺(tái)階。
2023-10-30 11:32:24540 
近期，臺(tái)積電總裁魏哲家在一次法說(shuō)會(huì)中透露了有關(guān)2納米芯片的最新進(jìn)展，并提到了“晶背供電”技術(shù)，這個(gè)領(lǐng)域的神秘黑科技正逐漸引起人們的興趣。
2023-10-27 14:59:19310 其中，2納米芯片的制程技術(shù)要求極高，需要采用全新的晶體管架構(gòu)、高精度材料和設(shè)備，同時(shí)對(duì)制程參數(shù)的精度和穩(wěn)定性要求更高，因此需要研發(fā)更加先進(jìn)的制程技術(shù)。
2023-10-20 15:37:06317 璞璘科技成立于2017年，致力于納米壓印設(shè)備及材料的生產(chǎn)和開(kāi)發(fā)。據(jù)璞璘科技官方消息，公司是目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上唯一一家集納米壓印設(shè)備、材料、技術(shù)于一體的納米壓印尖端微納米制造企業(yè)。
2023-10-13 10:03:231622 納米科技的迅猛發(fā)展將我們的視野拓展到了微觀世界，而測(cè)量納米級(jí)尺寸的物體和現(xiàn)象則成為了時(shí)下熱門(mén)的研究領(lǐng)域。納米級(jí)測(cè)量?jī)x器作為一種重要的工具，扮演著重要的角色。那么，如何才能準(zhǔn)確測(cè)量納米級(jí)物體呢？在
2023-10-11 14:37:46
在鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)工藝中，ITO薄膜沉積是能夠提升鈣鈦礦太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換率的關(guān)鍵步驟，其中，真空蒸鍍沉積技術(shù)可較為便捷的制備高純度、高質(zhì)量的ITO薄膜，是沉積工藝中的一項(xiàng)核心技術(shù)
2023-10-10 10:15:53647 OpenAI尋求800億至900億美元估值出售股份 ChatGPT火爆全球之后OpenAI的估值今年以來(lái)已經(jīng)翻了三倍。有媒體報(bào)道稱OpenAI正在尋求出售股份，目前OpenAI的目標(biāo)估值高達(dá)800
2023-09-27 18:38:381064 星閃技術(shù)專利是華為的嗎 星閃技術(shù)專利不是華為的，星閃技術(shù)(NearLink)是國(guó)際星閃無(wú)線短距通信聯(lián)盟發(fā)布的新型無(wú)線短距通信標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。華為在星閃技術(shù)的參與是因?yàn)槿A為作為星閃聯(lián)盟的成員之一，投入了自己
2023-09-27 14:20:329861 高通在去年的驍龍首腦會(huì)談上，今年推出了5g主力芯片snapdragon 8 gen 2的4納米工程。高通曾將高通的前作snapdragon 8 gen 1以4納米工程上市，但出現(xiàn)發(fā)熱量問(wèn)題后，將snapdragon 8+ gen 1換成了4納米工程。
2023-09-26 09:40:352197 由于異質(zhì)結(jié)電池不同于傳統(tǒng)的熱擴(kuò)散型晶體硅太陽(yáng)能電池，因此在完成對(duì)其發(fā)射極以及BSF的注入后，下一個(gè)步驟就是在異質(zhì)結(jié)電池的正反面沉積ITO薄膜，ITO薄膜能夠彌補(bǔ)異質(zhì)結(jié)電池在注入發(fā)射極后的低導(dǎo)電性
2023-09-21 08:36:22407 不是所有尺寸小于100nm納米材料都叫納米科技納米科技廣義的定義，泛指尺寸小于100nm(納米)的材料，而研究納米材料的科學(xué)技術(shù)泛稱為「納米科技(Nanotechnology)」。納米技術(shù)的研究領(lǐng)域
2023-09-09 08:28:01562 
高通已獲準(zhǔn)向華為出售5G芯片？? 在去年5月份，美國(guó)政府宣布禁令，禁止美國(guó)公司向華為出售芯片和其他相關(guān)技術(shù)。這一事件對(duì)華為的供應(yīng)鏈產(chǎn)生了巨大的沖擊。唯一的一家能夠?yàn)槿A為提供芯片的公司是華為自己擁有
2023-09-01 14:57:49894 升騰910是幾納米？什么架構(gòu)？ 華為昇騰910是一款專門(mén)為人工智能應(yīng)用設(shè)計(jì)的芯片，它采用了華為自主研發(fā)的達(dá)芬奇架構(gòu)。該架構(gòu)采用了全新的并行計(jì)算的方式，可以實(shí)現(xiàn)更高效、更快速的人工智能計(jì)算，進(jìn)而滿足
2023-08-31 17:13:476569 芯片為啥不能低于1納米 芯片可以突破1納米嗎? 從計(jì)算機(jī)發(fā)明以來(lái)，芯片技術(shù)已經(jīng)有了數(shù)十年的發(fā)展，從最初的晶體管到如今的微米級(jí)或納米級(jí)芯片，一直在不斷地創(chuàng)新?，F(xiàn)在，隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的日益發(fā)展，芯片的尺寸
2023-08-31 10:48:313374 5nm制造工藝是什么呢？首先，我們需要了解一下納米級(jí)別的定義。納米級(jí)別是指長(zhǎng)度范圍在1到100納米之間的物質(zhì)，也就是說(shuō)，它們比人類頭發(fā)的直徑還要小100倍。由于這種尺寸在物理和化學(xué)上具有獨(dú)特的特性，因此在信息技術(shù)、生物醫(yī)學(xué)和能源等領(lǐng)
2023-08-30 17:49:5717362 來(lái)自斯圖加特大學(xué)(德國(guó))的 Harald Gie?en 教授的團(tuán)隊(duì)正在致力于將光子學(xué)和納米技術(shù)用于新的應(yīng)用和設(shè)備。研究人員正在研究通過(guò)控制等離子體效應(yīng)來(lái)創(chuàng)建顯示器的技術(shù)。等離激元學(xué)研究光與金屬納米
2023-08-23 06:33:33215 
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-08-17 15:33:27370 
【技術(shù)特輯】新唐自有專利 可程序化串行接口PSIO
2023-08-11 15:12:14448 
來(lái)源：經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào) 臺(tái)灣地區(qū)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》消息，臺(tái)積電近日宣布，為滿足先進(jìn)制程技術(shù)的強(qiáng)勁市場(chǎng)需求，高雄廠確定以 2 納米的先進(jìn)制程技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)規(guī)劃。至此，臺(tái)積電將擁有三個(gè)2 納米生產(chǎn)基地。 據(jù)臺(tái)灣地區(qū)
2023-08-09 18:21:09640 上也放話，2025年用2納米、1.8納米從臺(tái)積電手中拿回制程技術(shù)龍頭地位，分析師透露，臺(tái)積電內(nèi)部相當(dāng)緊張，到處在打探消息。 科技媒體Tom's hardware報(bào)道，Rapidus計(jì)劃于2027年量產(chǎn)2納米芯片，并希望獲得一家跨國(guó)大企業(yè)的訂單，這代表Rapidus將與臺(tái)積電和其他代
2023-08-02 11:39:00440 點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ 納米材料技術(shù) 今年很火的《三體》和《流浪地球》大家看了嗎？很多人會(huì)好奇里面的古箏計(jì)劃和太空電梯使用的到底是什么技術(shù)呢？ 答案： 這就是常在科幻世界里被提到的 納米
2023-07-20 17:45:03252 
輔助沉積或是光刻技術(shù)刻蝕材料，在亞 10nm 加工應(yīng)用中 ORION NanoFab 均表現(xiàn)不凡。 集三種離子束顯
2023-07-19 15:45:07243 
據(jù)資料顯示，微導(dǎo)納米是一家面向全世界的半導(dǎo)體、泛半導(dǎo)體尖端微型納米設(shè)備制造企業(yè)。以原子層沉積技術(shù)為核心，形成了梯級(jí)開(kāi)發(fā)cvd等多種真空薄膜技術(shù)的產(chǎn)品體系。致力于微米級(jí)，納米級(jí)薄膜設(shè)備的開(kāi)發(fā)，生產(chǎn)和銷售，為下游客戶提供尖端薄膜設(shè)備，相關(guān)產(chǎn)品和服務(wù)。
2023-07-19 09:30:51340 薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜，使之具有光學(xué)、電學(xué)等方面的特殊性能。
2023-07-13 09:10:487763 
關(guān)鍵尺寸的不斷縮小，其制造變得越來(lái)越復(fù)雜，在硅晶圓上構(gòu)建納米級(jí)器件需要數(shù)百個(gè)工藝步驟。僅需一個(gè)工藝步驟，Coronus DX 可在晶圓邊緣的兩側(cè)沉積一層專有的保護(hù)膜，有助于防止在先進(jìn)半導(dǎo)體制造過(guò)程中
2023-07-05 00:39:29422 近日，中國(guó)科學(xué)院近代物理研究所材料研究中心與俄羅斯杜布納聯(lián)合核子研究所合作，研發(fā)出一種孔徑小于10納米的固態(tài)納米孔制備新技術(shù)。相關(guān)研究成果發(fā)表在《納米快報(bào)》（Nano Letters
2023-07-04 11:10:56364 
高質(zhì)量固態(tài)納米孔的制備是DNA測(cè)序、納流器件以及納濾膜等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。當(dāng)前，在無(wú)機(jī)薄膜材料中制備固態(tài)納米孔的主流方法是聚焦離子/電子束刻蝕。
2023-07-04 11:08:08137 
和在刻蝕工藝中一樣，半導(dǎo)體制造商在沉積過(guò)程中也會(huì)通過(guò)控制溫度、壓力等不同條件來(lái)把控膜層沉積的質(zhì)量。例如，降低壓強(qiáng)，沉積速率就會(huì)放慢，但可以提高垂直方向的沉積質(zhì)量。因?yàn)?，壓?qiáng)低表明設(shè)備內(nèi)反應(yīng)氣體粒子
2023-07-02 11:36:401211 
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-06-29 16:58:37404 
在前幾篇文章（點(diǎn)擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過(guò)程來(lái)形象地說(shuō)明半導(dǎo)體制程 。在上一篇我們說(shuō)到，為制作巧克力夾心，需通過(guò)“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，然后倒入巧克力糖漿，再蓋上一層餅干層?！暗谷肭煽肆μ菨{”和“蓋上餅干層”的過(guò)程在半導(dǎo)體制程中就相當(dāng)于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:17830 
越來(lái)越復(fù)雜，在硅晶圓上構(gòu)建納米級(jí)器件需要數(shù)百個(gè)工藝步驟。僅需一個(gè)工藝步驟，Coronus DX可在晶圓邊緣的兩側(cè)沉積一層專有的保護(hù)膜，有助于防止在先進(jìn)半導(dǎo)體制造過(guò)程中經(jīng)常發(fā)生的缺陷和損壞。這一強(qiáng)大的保護(hù)
2023-06-29 10:08:27650 韞茂科技成立于2018年，致力于成為平臺(tái)形態(tài)的納米級(jí)薄膜沉積設(shè)備制造企業(yè)。目前擁有ald原子層沉積系統(tǒng)、pvd物理氣體沉積系統(tǒng)、cvd化學(xué)氣體沉積系統(tǒng)、uhv超高真空涂層設(shè)備等12種產(chǎn)品。
2023-06-28 10:41:03540 原子層沉積技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè)微導(dǎo)納米的愿景是成為世界級(jí)的微納技術(shù)解決方案裝備制造商；正在一步一步堅(jiān)定邁進(jìn)。 江蘇微導(dǎo)納米科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱“微導(dǎo)納米”，股票代碼688147.SH）成立于2015年12月，是一家面向全球的半導(dǎo)體、泛半導(dǎo)體高端微納裝備制造商。公司形成了
2023-06-21 17:23:03924 3D NAND 工藝通過(guò)堆疊存儲(chǔ)單元, 提供更高的比特密度, 上海伯東日本 Atonarp Aston? 質(zhì)譜分析儀適用于先進(jìn)半導(dǎo)體工藝（如沉積和蝕刻）所需的定量氣體分析. 沉積應(yīng)用中: 實(shí)時(shí)過(guò)程
2023-06-21 10:09:13197 
沉積晶圓通量是晶圓廠 FAB 效率的關(guān)鍵指標(biāo)之一, 也是晶圓廠 FAB 不斷改進(jìn)以降低每次移動(dòng)成本和減少資本支出的關(guān)鍵指標(biāo). 上海伯東日本 Atonarp Aston? 質(zhì)譜儀提供腔室清潔終點(diǎn)
2023-06-21 10:03:30236 
eLEAP顯示技術(shù)是JDI開(kāi)發(fā)出的世界上第一個(gè)使用無(wú)掩模沉積和光刻技術(shù)準(zhǔn)備大規(guī)模生產(chǎn)的OLED技術(shù)
2023-06-18 10:03:115266 
請(qǐng)問(wèn)一下8寸 原子層沉積設(shè)備ALD，單晶片。國(guó)內(nèi)設(shè)備大約在什么價(jià)位啊？
2023-06-16 11:12:27
原子層沉積（Atomic layer deposition，ALD）是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學(xué)氣相沉積技術(shù)。
2023-06-15 16:19:212037 
離子束輔助沉積 (IBAD) 是一種薄膜沉積技術(shù)，可與濺射或熱蒸發(fā)工藝一起使用，以獲得具有出色工藝控制和精度的最高質(zhì)量薄膜。
2023-06-08 11:10:22980 
在了解芯片沉積工藝之前，先要闡述下薄膜（thin film）的概念。薄膜材料是厚度介于單原子到幾毫米間的薄金屬或有機(jī)物層。
2023-06-08 11:00:122192 
據(jù)悉，黑莓將于2022年結(jié)束手機(jī)事業(yè)，此后正在尋找出售移動(dòng)設(shè)備專利的可能性。黑莓試圖將其專利出售給Catapult，但由于交易時(shí)間太長(zhǎng)而失敗。Catapult由于無(wú)法及時(shí)籌集股票資金，失去了從外部收購(gòu)資產(chǎn)組合的機(jī)會(huì)。
2023-06-08 10:00:391243 武漢大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院何軍教授課題組利用范德瓦爾斯外延技術(shù)，通過(guò)精確控制生長(zhǎng)和溫度，在云母襯底上實(shí)現(xiàn)了大尺寸、厚度可調(diào)、具有高吸收系數(shù)的二維硒化鉛納米片。通過(guò)化學(xué)氣相沉積過(guò)程合成了具有一層單位
2023-06-02 07:01:22311 
PVD篇 PVD是通過(guò)濺射或蒸發(fā)靶材材料來(lái)產(chǎn)生金屬蒸汽，然后將金屬蒸汽冷凝在晶圓表面上的過(guò)程。應(yīng)用材料公司在 PVD 技術(shù)開(kāi)發(fā)方面擁有 25 年以上的豐富經(jīng)驗(yàn)，是這一領(lǐng)域無(wú)可爭(zhēng)議的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者
2023-05-26 16:36:511748 上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼品牌 RF 射頻離子源, 無(wú)需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標(biāo), 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 IBD 離子束沉積是其典型的應(yīng)用.
2023-05-25 10:18:34501 
納米壓印技術(shù)，即Nanoimprint Lithography（NIL），是一種新型的微納加工技術(shù)。該技術(shù)將設(shè)計(jì)并制作在模板上的微小圖形，通過(guò)壓印等技術(shù)轉(zhuǎn)移到涂有高分子材料的硅基板上。
2023-05-19 09:37:47949 
近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中微公司”，上交所股票代碼：688012）推出自主研發(fā)的12英寸低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）設(shè)備Preforma Uniflex CW。這是中微公司深耕高端微觀加工設(shè)備多年、在半導(dǎo)體薄膜沉積領(lǐng)域取得的新突破，也是實(shí)現(xiàn)公司業(yè)務(wù)多元化增長(zhǎng)的新動(dòng)能。
2023-05-17 17:08:41831 目前，用于制造具有復(fù)雜形狀的納米級(jí)物體的最精確的3D打印技術(shù)可能是雙光子光刻。這種方法依賴于液態(tài)樹(shù)脂，只有當(dāng)它們同時(shí)吸收兩個(gè)光子而不是一個(gè)光子時(shí)，它們才會(huì)固化。這使得能夠精確制造具有體素（相當(dāng)于像素的3D）的物體，尺寸只有幾十納米。
2023-05-17 09:59:22661 
半導(dǎo)體材料在開(kāi)發(fā)納米光子技術(shù)方面發(fā)揮著重要作用。
2023-05-14 16:58:55590 
研究人員首先對(duì)銀納米顆粒/銅納米線進(jìn)行了合成，并對(duì)制備的銅納米線和化學(xué)沉積后負(fù)載不同尺寸銀納米顆粒的銅納米線進(jìn)行了形貌和結(jié)構(gòu)表征（圖1）。隨后，利用制備的銀納米顆粒/銅納米線材料制備獲得銀納米顆粒/銅納米線電極，用于后續(xù)無(wú)酶葡萄糖傳感性能的研究。
2023-05-12 15:19:28631 
壓電納米定位臺(tái)在精密定位領(lǐng)域中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，可集成于各類高精密裝備，為其提供納米級(jí)運(yùn)動(dòng)控制，且應(yīng)用非常廣泛，例如顯微掃描、光路調(diào)整、納米操控技術(shù)、激光干涉、納米光刻、生物科技、光通信、納米
2023-05-11 08:56:02347 
的全部5G聲明專利及其同族擴(kuò)展專利，從專利聲明量、多國(guó)授權(quán)專利量、技術(shù)領(lǐng)域等維度進(jìn)行了統(tǒng)計(jì)分析，以展示全球5G標(biāo)準(zhǔn)必要專利活動(dòng)的情況。此外，本報(bào)告基于截至2022年12月31日3GPP網(wǎng)站中的全部5G
2023-05-10 10:39:03
ALD技術(shù)是一種將物質(zhì)以單原子膜的形式逐層鍍?cè)诨妆砻娴姆椒ǎ軌驅(qū)崿F(xiàn)納米量級(jí)超薄膜的沉積。
2023-04-25 16:01:052437 
納米微針是將外源性生物分子遞送至細(xì)胞的有效工具。盡管納米微針目前已被應(yīng)用于多種疾病的治療，但關(guān)于細(xì)胞如何與納米微針相互作用的機(jī)制仍然缺乏研究。
2023-04-18 09:42:43959 18/20/28針閃存微控制器與納米瓦特XLP技術(shù)
2023-03-28 15:01:47
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