東芝將新建NAND閃存芯片工廠

北京時間4月4日下午消息，據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報道，由于移動設(shè)備的需求持續(xù)增加，東芝(微博)最早計劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。

該工廠是東芝第五座NAND工廠的二期項目，但具體建設(shè)時間表還不確定。

《日刊工業(yè)新聞》稱，該工廠將于2013年開始運營，但并未提供投資規(guī)?；蚰戤a(chǎn)量的詳細(xì)數(shù)據(jù)。
東芝尚未立刻對此置評。

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東芝(120305) 東芝(120305)
NAND(134547) NAND(134547)
閃存芯片(19309) 閃存芯片(19309)

NAND存儲種類和優(yōu)勢

非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器（Flash Memory）與只讀存儲器（Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。

2024-03-22 10:54:15

三星計劃NAND閃存價格談判欲漲價15%—20%

三星計劃NAND閃存價格談判欲漲價15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判，目標(biāo)價位是漲價15%—20%。

2024-03-14 15:35:22

216

三星西安NAND廠開工率回升至70%

三星電子，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，近期在其位于中國西安的NAND閃存工廠實現(xiàn)了開工率的顯著回升，從去年的低谷20-30%提升至目前的70%。這一變化不僅反映了三星電子對市場趨勢的敏銳洞察和快速響應(yīng)，也凸顯了中國智能手機市場回暖以及全球半導(dǎo)體庫存調(diào)整對產(chǎn)業(yè)鏈上游的積極影響。

2024-03-14 12:32:26

317

東芝在日本新建功率半導(dǎo)體后端生產(chǎn)設(shè)施，預(yù)計2025年春季投產(chǎn)

近日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝”）宣布，位于日本西部兵庫縣姬路市的半導(dǎo)體工廠已啟動新的功率半導(dǎo)體后端生產(chǎn)設(shè)施建設(shè)。這一舉措標(biāo)志著東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的進一步擴展，以滿足日益增長的市場需求。據(jù)悉，新工廠預(yù)計將于2025年春季開始量產(chǎn)。

2024-03-12 10:23:57

247

東芝開始建設(shè)功率半導(dǎo)體后端生產(chǎn)設(shè)施

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）近期宣布，已開始在位于日本西部兵庫縣的姬路運營 - 半導(dǎo)體工廠建設(shè)功率半導(dǎo)體后端生產(chǎn)設(shè)施。新工廠將于2025年春季開始量產(chǎn)。

2024-03-07 18:26:21

585

鎧俠提升NAND閃存產(chǎn)能利用率

據(jù)最新報道，全球領(lǐng)先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產(chǎn)策略，并計劃在本月內(nèi)將開工率提升至90%。這一策略調(diào)整反映出市場需求的變化和公司對于行業(yè)發(fā)展的積極預(yù)期。

2024-03-07 10:48:35

263

鎧俠終止減產(chǎn)或致NAND芯片市場再動蕩

據(jù)統(tǒng)計，鎧俠是全球第二大NAND芯片制造商，市場份額約為15%-20%，緊隨其后的是韓國的三星。面對之前NAND報價持續(xù)下跌的困境，鎧俠率先采取了減產(chǎn)策略，幅度達到了三成。

2024-03-05 09:23:51

143

什么是NAND 型 Flash 存儲器？

的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了 NAND Flash 結(jié)構(gòu),后者的單元電路尺寸幾乎只是 NOR 器件的一半,可以在給定的芯片尺寸內(nèi)提供更高的容量,也就相應(yīng)地降低了價格。 1.NAND

2024-03-01 17:08:45

158

鎧俠NAND產(chǎn)能預(yù)計恢復(fù)90%，減產(chǎn)策略或面臨調(diào)整

2022年10月起，鎧俠已經(jīng)減少了在日本四日市和北上市兩家工廠的NAND晶圓投片量達30%。截至目前，鎧俠NAND生產(chǎn)已恢復(fù)至原廠產(chǎn)能的兩成左右。

2024-03-01 13:53:55

159

Tech Talk：解讀閃存原理與顆粒類型

NAND閃存作為如今各種電子設(shè)備中常見的非易失性存儲器，存在于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動器和智能手機存儲等器件。而隨著電腦終端、企業(yè)存儲、數(shù)據(jù)中心、甚至汽車配件等應(yīng)用場景要求的多樣化

2024-02-05 18:01:17

418

江波龍首顆自研NAND閃存問世

江波龍首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash于近日問世。該產(chǎn)品采用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數(shù)據(jù)訪問帶寬可達400MB/s，將有望應(yīng)用于eMMC、SSD等產(chǎn)品上。

2024-02-01 15:08:48

361

CS 創(chuàng)世SD NAND FLASH 存儲芯片，比TF卡更小巧輕便易用的大容量存儲，TF卡替代方案

閃存技術(shù)，通常用于存儲數(shù)據(jù)，并且具有一些額外的安全特性。這種技術(shù)結(jié)合了 NAND 閃存的高密度存儲能力和安全性能。它通常用于存儲數(shù)據(jù)，如圖像、視頻、音頻、文檔等，同時具備保護數(shù)據(jù)免受未經(jīng)授權(quán)訪問或篡改

2024-01-24 18:30:00

CS 創(chuàng)世SD NAND FLASH 存儲芯片，比TF卡更小巧輕便易用的大容量存儲，TF卡替代方案

文章目錄介紹創(chuàng)世SD卡引腳與NORFlash存儲比較介紹SDNANDFLASH（SecureDigitalNANDFlash）是一種安全數(shù)字NAND閃存技術(shù)，通常用于存儲數(shù)據(jù)，并且具有一些額外的安全

2024-01-24 18:29:55

373

日本半導(dǎo)體設(shè)備巨頭Disco計劃新建工廠

日本知名半導(dǎo)體制造設(shè)備制造商Disco近日宣布，將在日本廣島縣新建一座工廠，專注于生產(chǎn)用于晶圓生產(chǎn)的關(guān)鍵零部件。此舉旨在抓住客戶需求的增長，進一步加快生產(chǎn)進度，以滿足全球半導(dǎo)體市場的持續(xù)擴張。

2024-01-18 15:52:15

430

正點原子emmc和nand的區(qū)別

）和NAND（NAND Flash Memory）。 eMMC是一種嵌入式多媒體控制器，它為移動設(shè)備（如智能手機和平板電腦）提供了一種高性能的存儲解決方案。它包括一個閃存控制器、一個NAND閃存芯片和一些

2024-01-08 13:51:46

597

什么是SD NAND存儲芯片? SD NAND與TF卡的區(qū)別

什么是SD NAND？它俗稱貼片式T卡，貼片式TF卡，貼片式SD卡，貼片式內(nèi)存卡，貼片式閃存卡，貼片式卡...等等。雖然SD NAND 和TF卡稱呼上有些類似，但是SD NAND和TF卡有著本質(zhì)上的區(qū)別。

2024-01-06 14:35:57

861

什么是SD NAND存儲芯片?

卡有著本質(zhì)上的區(qū)別。　　SD NAND 與 TF卡的區(qū)別：（看圖表）　　SD和TF區(qū)別　　LGA-8封裝　　什么是LGA-8封裝？　　LGA-8封裝是一種將芯片引腳通過電路板的層間連接

2024-01-05 17:54:39

東芝暫時關(guān)閉NAND閃存工廠！

1月4日消息，據(jù)外媒報道，日本的7.6級地震迫使石川縣的芯片和電子公司暫時關(guān)門，受影響的公司包括東芝、環(huán)球晶圓（GlobalWafers）、Murata等。

2024-01-05 09:51:57

189

今日看點丨日本強震影響東芝、村田、科意，部分工廠停產(chǎn)待恢復(fù)運營；英偉達H20 AI GPU參數(shù)曝光：完全符合美

1. 日本強震影響東芝、村田、科意運營，部分工廠停產(chǎn) ? 日本石川縣1月1日發(fā)生7.6級地震并引發(fā)海嘯，截至1月2日已造成55人死亡，影響波及運輸、制造、服務(wù)業(yè)等，破壞了供應(yīng)鏈。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的東芝

2024-01-03 11:33:38

589

DRAM、NAND閃存漲價意愿非常強烈

NAND產(chǎn)品中，同樣代表市場行情的256Gb TLC，第四季度單價為1.85美元左右，相比三季度上漲12％。

2023-12-26 13:54:31

東芝與羅姆投資27億美元聯(lián)合生產(chǎn)功率芯片

近日，據(jù)路透社消息，東芝和羅姆表示，他們將投資 3883 億日元（27 億美元）聯(lián)合生產(chǎn)功率芯片。

2023-12-14 09:30:47

413

東芝和羅姆將合作生產(chǎn)功率半導(dǎo)體日本政府補貼8.3億美元

東芝正在石川縣能美市建設(shè)新工廠，羅馬正在宮崎縣宮崎市建設(shè)新工廠，兩個工廠將分別進行生產(chǎn)。另外，羅姆將于明年在宮崎縣國富町開業(yè)，東芝將在石川縣野見市建設(shè)的新工廠中共享半導(dǎo)體生產(chǎn)。兩家公司目前在海外采購的半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)也將從日本開始。

2023-12-08 13:56:45

251

NAND Flash和NOR Flash的區(qū)別

NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。

2023-11-30 13:53:20

734

提高3D NAND閃存存儲密度的四項基本技術(shù)

增加3D（三維）NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因為支持傳統(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計將在不久的將來達到其極限。2025 年至 2030 年間，新的基礎(chǔ)技術(shù)的引入和轉(zhuǎn)化很可能會變得更加普遍。

2023-11-30 10:20:26

243

【MCU】SD NAND芯片之國產(chǎn)新選擇

：大家好，請問有沒有SD卡芯片，可以直接焊接到PCB板上的。項目需要保存900M以上字節(jié)，nand flash 比較貴?；蛘哂惺裁幢阋说拇鎯?b class="flag-6" style="color: red">芯片提供。謝謝！傳統(tǒng)做法無非如下幾種：用eMMC芯片

2023-11-23 17:25:18

簡單認(rèn)識閃速存儲器

器（NAND Flash)。閃存器于1980 年由在東芝工作的日本工程師 Fujio Masuoka 發(fā)明并獲得 1997 年 IEEE 的獎勵。1988 年 Intel 發(fā)布了最早的或非閃存器產(chǎn)品

2023-11-23 09:36:17

909

CS創(chuàng)世SD NAND的存儲芯片應(yīng)用方案

前言: 　很感謝深圳雷龍發(fā)展有限公司為博主提供的兩片SD NAND的存儲芯片，在這里博主記錄一下自己的使用過程以及部分設(shè)計。　深入了解該產(chǎn)品：　拿到這個產(chǎn)品之后，我大致了解了下兩款芯片的性能

2023-11-15 18:07:57

NAND出貨減少，拖累鎧俠Q3營收大減38%

鎧俠公司為應(yīng)對存儲芯片價格的持續(xù)下跌，從2022年10月開始采取了將晶片減產(chǎn)30%的措施。2023年q3的nand閃存價格將比q2上漲5%至9%，出貨量將比前一個月減少10至14%。以美元為準(zhǔn)，nand閃存價格將比前一個月上漲0至4%。

2023-11-15 10:17:03

335

存儲芯片價格上漲已從DRAM擴大到NAND閃存明年上半年預(yù)計上漲超過10%

但是，存儲芯片大企業(yè)的價格已經(jīng)出現(xiàn)上漲跡象。還有外電報道說，已經(jīng)從dram開始的存儲器價格上升趨勢正在擴大到nand閃存。

2023-11-13 14:53:28

487

三星計劃NAND閃存芯片每個季度漲價20%

三星采取此舉的目的很明確，希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個閃存市場，穩(wěn)定NAND閃存價格，并實現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場等目標(biāo)。

2023-11-03 17:21:11

1214

三星西安廠計劃將NAND工藝升級為236層明年初更換設(shè)備

據(jù)業(yè)界2日透露，三星電子計劃對中國西安nand閃存工廠進行改造，將目前正在生產(chǎn)的128段（v6） nand閃存生產(chǎn)線擴大到236段（v8）。三星決定從明年初開始更換設(shè)備，并向業(yè)界通報了到2025年分階段完成的目標(biāo)。

2023-11-03 11:48:03

1140

三星喊NAND季季漲價20% 幅度超預(yù)期有利群聯(lián)、威剛等運營

　據(jù)多名半導(dǎo)體業(yè)界消息人士稱，三星繼本季度將nand閃存價格上調(diào)10至20%后，決定明年第一季度和第二季度也分別上調(diào)20%。三星電子正在努力穩(wěn)定nand閃存價格，試圖在明年上半年逆轉(zhuǎn)市場。

2023-11-02 10:35:01

523

FAQ0049將IAP放在非閃存起始地址的方法

將IAP放在非閃存起始地址的方法如何將IAP放在非閃存起始地址？

2023-10-20 07:02:29

消息稱三星西安半導(dǎo)體工廠開啟工藝升級，正采購新設(shè)備備產(chǎn) 236 層 NAND

采取相應(yīng)措施。據(jù) Business Korea 報道，三星電子高層已決定將其西安 NAND 閃存工廠升級到 236 層 NAND 工藝，并已開始大規(guī)模擴張。消息人士稱，三星已開始采購最新的半導(dǎo)體設(shè)備，新設(shè)備預(yù)計將在 2023 年底交付，并于 2024 年在西安工廠陸續(xù)引進可生產(chǎn)第

2023-10-18 08:35:55

194

獲得美國豁免！晶圓大廠將擴建中國工廠！

在NAND閃存市場難以復(fù)蘇的情況下，三星升級西安工廠是保持全球NAND閃存第一的戰(zhàn)略對策；去年下半年開始，IT市場放緩和半導(dǎo)體市場疲軟也導(dǎo)致三星電子NAND業(yè)務(wù)下滑。

2023-10-17 15:29:57

433

中芯國際“NAND閃存器件及其形成方法”專利獲授權(quán)

中芯國際方面表示：“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲器密度、快速使用和刪除速度等優(yōu)點，已成為廣泛使用在閃存上的結(jié)構(gòu)。”目前主要用于數(shù)碼相機等的閃存卡和mp3播放器。

2023-10-17 09:46:07

265

三星西安工廠將引進236層NAND芯片生產(chǎn)設(shè)備

　三星決定升級西安工廠的原因大致有兩個。第一，在nand閃存市場尚未出現(xiàn)恢復(fù)跡象的情況下，在nand閃存市場保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開始的it景氣低迷和半導(dǎo)體景氣低迷的影響，三星nand的銷量增加，從而使虧損擴大。

2023-10-16 14:36:00

832

韓國NAND閃存芯片出口額恢復(fù)增長

據(jù)韓國貿(mào)易部16日公布的資料顯示，韓國9月份的nand閃存出口額比去年同期增加了5.6%，但8月份減少了8.9%。存儲器半導(dǎo)體業(yè)界的另一個支柱——3.3354萬dram的出口在同期減少了24.6%。這比上個月的35.2%有所減少。

2023-10-16 14:17:21

244

兆易創(chuàng)新“一種NAND閃存芯片的測試樣本”專利獲授權(quán)

　根據(jù)專利摘要，本發(fā)明實際公開了nand閃存芯片的測試樣本，測試樣本由多個相同的樣本區(qū)域組成，每個樣本區(qū)域包含多個相鄰的數(shù)據(jù)塊。相鄰的幾個數(shù)據(jù)塊會測試不同的擦除次數(shù)。在多個相同的樣本區(qū)域中，任意兩個相鄰的樣本區(qū)域之間的間隔預(yù)先設(shè)定相鄰數(shù)據(jù)塊的數(shù)量。

2023-10-13 09:47:33

313

美國同意三星向其中國工廠提供設(shè)備

海力士在無錫工廠生產(chǎn)DRAM芯片，在大連生產(chǎn) NAND 閃存。對于存儲而言，三星電子和SK海力士是當(dāng)之無愧的巨頭。

2023-10-10 11:59:16

368

三星將削減NAND和DRAM平澤P3晶圓廠投資

　平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報道，三星原計劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。

2023-10-08 11:45:57

762

NAND FLASH與NOR FLASH的技術(shù)對比

目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。

2023-10-01 14:05:00

468

CS SD NAND在STM32精英V2開發(fā)板的測試-是時候將TF卡換為SD NAND了

前言嵌入式項目中,比較常見的存儲擴展方案是使用TF/SD卡或者EMMC或者RAW NAND,各種方案都有其優(yōu)缺點,而SD NAND相對于上述方案具備很多優(yōu)勢,是目前嵌入式項目中存儲擴展方案的一個

2023-09-26 17:40:35

DRAM芯片價格有望隨NAND溫和上漲

據(jù)消息人士透露，nand閃存價格從第三季度初的最低點開始逐漸反彈，到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示：“nand價格上漲將為dram價格上漲營造有利的市場氛圍。存儲器模塊制造企業(yè)正在密切關(guān)注dram價格反彈的時間。

2023-09-20 10:19:50

503

NAND Flash第四季價格有望止跌回升，最高上漲5%

業(yè)內(nèi)人士說：“nand閃存價格將比dram快反彈”，“nand閃存供應(yīng)商們的赤字繼續(xù)擴大，因此銷售價格正在接近生產(chǎn)成本，供應(yīng)商們?yōu)榱司S持運營，擴大減產(chǎn)，價格停止下跌，反彈率領(lǐng)的”。

2023-09-11 14:56:17

508

淺析NAND閃存工藝

閃存芯片是非揮發(fā)存儲芯片，廣泛用于電子產(chǎn)品，特別是如數(shù)碼相機、MP3播放器、手機、全球定位系統(tǒng)(GPS)、高端筆記本電腦和平板電腦等移動電子產(chǎn)品的存儲應(yīng)用。

2023-09-11 09:32:31

833

三星將在2024年升級NAND設(shè)備供應(yīng)鏈

三星業(yè)績近期表現(xiàn)非常差，三星為了增強NAND閃存競爭力計劃在2024年升級其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈。

2023-08-30 16:10:02

192

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存

2023-08-21 18:30:53

281

三星計劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產(chǎn)

三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，三星的nand閃存產(chǎn)量可能會減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績中，由于市場持續(xù)低迷，三星電子正式公布了存儲器減產(chǎn)計劃。

2023-08-16 10:23:58

422

NAND存儲芯片廠商掀起減產(chǎn)浪潮

由于長期nand型需求沒有得到恢復(fù)，鎧俠將在日本巖手縣其他場建設(shè)的生產(chǎn)工廠的啟動時間從當(dāng)初的2023年推遲到了2024年以后。另外，成套設(shè)備的交貨也在推遲。

2023-08-14 10:06:52

283

SD NAND FLASH : 什么是pSLC?

一、什么是pSLC pSLC（Pseudo-Single Level Cell）即偽SLC，是一種將MLC/TLC改為SLC的一種技術(shù)，現(xiàn)Nand Flash基本支持此功能，可以通過指令控制MLC

2023-08-11 10:48:34

SK海力士發(fā)布全球首款321層NAND！

SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發(fā)進展情況。

2023-08-10 16:01:47

704

pSLC閃存介紹：高性能和耐久性的閃存解決方案

在當(dāng)今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND?閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC

2023-08-02 15:16:59

3365

三星或提高512Gb NAND閃存晶圓報價漲幅為15%

據(jù)《電子時報》報道，三星提出的512gb nand閃存晶片單價為1.60美元，比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示，由于上下nand閃存的庫存緩慢，很難說服上調(diào)價格。

2023-08-02 11:56:24

762

pSLC 閃存介紹：高性能和耐久性的閃存解決方案

在當(dāng)今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討pSLC閃存

2023-08-02 08:15:35

790

在當(dāng)今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND 閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC 閃存的原理、優(yōu)勢以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。

2023-08-01 11:15:47

1559

【貼片SD Card介紹】貼片式tf卡/SD NAND/SD2.0協(xié)議

官方網(wǎng)站：深圳市雷龍發(fā)展有限公司目前雷龍發(fā)展代理的 SD NAND 已可在立創(chuàng)商城搜索到，其詳情頁也附有手冊。芯片簡介芯片外觀及封裝實拍圖： ? 根據(jù)官方文檔介紹，此款芯片采用 LGA-8

2023-07-28 16:23:18

芯科普 | 一文了解 NAND 閃存技術(shù)的發(fā)展演變

對 NAND 存儲器的需求也大幅增加。從移動或便攜式固態(tài)硬盤到數(shù)據(jù)中心，從企業(yè)固態(tài)硬盤再到汽車配件， NAND 閃存的應(yīng)用領(lǐng)域和使用場景愈發(fā)多樣化，各種要求也隨之出現(xiàn)，常見的譬如更高的讀寫速度、最大化的存儲容量、更低的功耗和更低的成本等等

2023-07-24 14:45:03

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一文了解NAND閃存技術(shù)的發(fā)展演變

隨著游戲產(chǎn)業(yè)和數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展，全球 NAND 市場正呈擴張之勢。而由于新冠疫情的爆發(fā)，人們更多選擇遠(yuǎn)程辦公和在線課程，對數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)器的需求隨之增長

2023-07-24 14:42:48

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麥格納將投資7.9億美元新建三家工廠

路透社20日發(fā)表聲明稱，麥格納設(shè)施將支援福特生產(chǎn)新一代電動卡車。福特園區(qū)的一家工廠將生產(chǎn)提供給卡車的電池外殼，另一家工廠將生產(chǎn)聚氨酯泡沫和坐墊。

2023-07-21 11:35:39

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基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25%

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達到最高

2023-07-19 19:02:21

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蘋果閃存和固態(tài)硬盤的區(qū)別固態(tài)硬盤為什么不建議分區(qū)

蘋果閃存和SSD都基于閃存技術(shù)，但存在一些細(xì)微差別。蘋果閃存是專為蘋果產(chǎn)品而開發(fā)的，使用NAND（非易失性閃存）芯片技術(shù)，而SSD可以是通用的，采用不同類型的閃存芯片，如NAND、MLC（多級單元）或TLC（三級單元）。

2023-07-19 15:21:37

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NAND閃存加速度，推動Multi-Die驗證新范式

NAND閃存，所有主要閃存制造商都在積極采用各種方法來降低閃存的每位成本，同時創(chuàng)造出適用于各種應(yīng)用的產(chǎn)品。閃存制造商還在積極展開研究，期望能夠擴展3D NAND閃存的垂直層數(shù)。雖然15nm似乎是NAND閃存目前能夠達到的最小節(jié)點，但開發(fā)者

2023-07-18 17:55:02

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各家3D NAND技術(shù)大比拼被壟斷的NAND閃存技術(shù)

隨著密度和成本的飛速進步，數(shù)字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領(lǐng)域并非如此，與半導(dǎo)體行業(yè)的其他產(chǎn)品不同，NAND 的成本逐年大幅下降。

2023-07-18 10:13:35

1203

NAND閃存內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析

NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。

2023-07-12 09:43:21

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三星：2030年3D NAND將進入1000層以上

　三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃，預(yù)計在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達到280層

2023-07-04 17:03:29

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東芝開始建設(shè)300mm晶圓功率半導(dǎo)體制造工廠

Electronics Corporation）開工新建一家300晶圓功率半導(dǎo)體制造工廠。該功率半導(dǎo)體制造工廠的建造將分兩個階段進行，一期工程計劃于2024財年內(nèi)投產(chǎn)。東芝還將在新工廠附近建造一棟辦公樓，以滿足增員需求。新工廠將具有抗震結(jié)構(gòu)和業(yè)務(wù)連續(xù)性計劃（BCP）

2023-06-29 17:45:02

545

NAND芯片是用于哪些領(lǐng)域 NAND和SSD的區(qū)別

閃存存儲設(shè)備：NAND芯片作為主要的閃存存儲媒介，被廣泛用于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動器、內(nèi)存卡（如SD卡、MicroSD卡）和閃存盤等。

2023-06-28 16:25:49

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開放NAND閃存接口ONFI介紹

本文轉(zhuǎn)自公眾號,歡迎關(guān)注開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個由100多家

2023-06-21 17:36:32

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淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術(shù)

3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內(nèi)，容納更高的存儲容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。

2023-06-15 09:37:56

1727

SK海力士宣布量產(chǎn)世界最高238層4D NAND閃存

238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片，生產(chǎn)效率比上一代的176層提升了34%，成本競爭力得到了大幅改善。

2023-06-11 14:32:54

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NAND閃存特點及決定因素

內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個扇區(qū)也為512

2023-06-10 17:21:00

1982

QLC閃存 D5-P5430的基本規(guī)格、性能表現(xiàn)

SK海力士收購Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重組而來的Solidigm，就發(fā)布了一款QLC閃存的企業(yè)級產(chǎn)品P5-D5430，可以說是QLC SSD的一個代表作。

2023-06-09 10:41:43

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SK海力士量產(chǎn)世界最高238層4D NAND閃存

sk海力士表示：“以238段nand閃存為基礎(chǔ)，開發(fā)了智能手機和pc用客戶端ssd （client ssd）解決方案產(chǎn)品，并于5月開始批量生產(chǎn)。該公司通過176層、238層的產(chǎn)品，在成本、性能、品質(zhì)等方面確保了世界最高的競爭力。

2023-06-08 10:31:53

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請問ESP8285芯片(Soc) 是否帶有內(nèi)置閃存？

ESP8285 芯片（Soc）是否帶有內(nèi)置閃存？如果是，我們可以使用帶有內(nèi)置閃存的 ESP8285 芯片（Soc）通過 ESP8285 芯片（Soc）的 UART 配置使其作為 WiFi 連接

2023-06-05 08:31:11

三種不同的存儲芯片性能比較

為了進行性能比較，使用了三種不同的存儲芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR閃存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND閃存。

2023-05-31 17:14:24

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3D-NAND 閃存探索將超過300層

全行業(yè)正在努力將 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 僅涉及利用當(dāng)前成熟的 3D NAND 工藝，這與學(xué)術(shù)論文提出和內(nèi)存行業(yè)研究的許多將 DRAM 遷移到 3D 的替代方案不同。

2023-05-30 11:13:46

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如何將ESP8266EX連接到EEPROM芯片而不是閃存？

有沒有人成功地將 ESP8266EX 連接到 EEPROM 芯片而不是閃存？在我住的地方，沒有人出售大于 512k 的閃存芯片，我至少需要 4 個。如果可以使用 EEPROM，我不想從美國進口。

2023-05-30 11:10:19

如何將引導(dǎo)加載程序預(yù)刷到外部閃存芯片？

時下載最新的固件。然后，OTA 引導(dǎo)加載程序?qū)⒂煞咒N商閃存到芯片上（digikey 對此報價為每個芯片約 0.15 美元......但可能會繼續(xù)尋找更便宜的......）所以我們將通過卷軸收到

2023-05-29 08:21:45

NAND閃存 – 多芯片系統(tǒng)驗證的關(guān)鍵元件

NAND閃存上的位密度隨著時間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元（MLC），閃存可以為每個單元存儲兩個或更多位，因此位密度會增加

2023-05-25 15:36:03

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如何在帶有spi的iMX RT 1052上使用NAND閃存？

我想知道是否有人在 RT1052 或類似的東西上使用過 NAND FLASH。因為我試圖將它包含在我的 PCB 中而且我看到 RT1052 支持它但我沒有看到任何關(guān)于它的示例。

2023-05-18 06:53:45

GD25Qxx芯片解讀

NORFlash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。大多數(shù)情況下閃存只是用來存儲少量的代碼，這時NOR閃存更適合一些，而NAND

2023-05-15 09:18:59

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MCU Boot Utility是否支持此串行NAND？

我試圖讓 RT1052 從外部 QSPI NAND 閃存 W25N01GVZEIG 啟動。我們選擇了RT1050參考手冊中提到的這個NAND flash。我還附上了數(shù)據(jù)表。我還使用 NXP MCU

2023-05-12 07:55:18

8倍密度，像做3D NAND一樣做DRAM

Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會上，除了鎧俠、SK海力士、長江存儲、三星等大廠所做的技術(shù)分享外，大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商，其去年推出的X-NAND第二代技術(shù)，允許3D NAND閃存

2023-05-08 07:09:00

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如何使用QSPI接口將外部Nand Flash連接到S32K344？

我查看了 S32DS IDE 中的現(xiàn)有示例 Fls_Example_S32K344，它可以與外部 NOR 閃存MX25L6433FM2I-08G 64Mb通信。移植 Nand 閃存，其讀/寫協(xié)議

2023-04-28 08:29:07

imx28無法從NAND啟動并進入USB恢復(fù)模式怎么解決？

- 我的任務(wù)是找出根本原因并解決基于 imx28 的定制設(shè)計板中的問題。 - imx28 無法從 NAND 啟動并進入 USB 恢復(fù)模式。 - 將 NAND 閃存更改為不同的 NAND 閃存后

2023-04-27 06:50:47

走在前沿！日本芯片企業(yè)Rapidus計劃興建1nm芯片工廠

日本芯片制造商Rapidus社長小池淳義在一次最新會議上闡述了該公司在北海道千歲市工廠的新建計劃，其中包括一座1納米工藝的芯片工廠，這代表著目前全球最先進的生產(chǎn)工藝。

2023-04-26 16:51:42

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如何啟動IMX6ULL NAND閃存？

我正在嘗試啟動 IMX6ULL NAND 閃存。供您參考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動了 IMX6ULL NAND 閃存。（uboot 4.15 和 linux 4.15

2023-04-20 07:55:17

【正點原子STM32精英V2開發(fā)板體驗】CS SD NAND在本開發(fā)板上的測試-是時候將TF卡換為SD NAND了!

前言嵌入式項目中,比較常見的存儲擴展方案是使用TF/SD卡或者EMMC或者RAW NAND,各種方案都有其優(yōu)缺點,而SD NAND相對于上述方案具備很多優(yōu)勢,是目前嵌入式項目中存儲擴展方案的一個非常

2023-04-18 23:03:42

ESP32-D0WDR2-V3帶外接flash和emmc，外部閃存將無法將內(nèi)存映射到cpu內(nèi)存空間是怎么回事？

閃存+eMMC）一起工作？當(dāng)我閱讀 ESP32 數(shù)據(jù)表第 18 頁時，在表 2 上方，它指出“表 2 列出了芯片與嵌入式閃存/PSRAM 之間的引腳到引腳映射。不建議將此處列出的芯片引腳用于其他

2023-04-12 06:01:59

什么是3D NAND閃存？

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。

2023-03-30 14:02:39

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東芝將新建NAND閃存芯片工廠

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