安森美（onsemi）全新推出的EliteSiC功率集成模塊，可為電動汽車直流超快速充電樁提供雙向充電功能。
2024-03-21 09:59:25
276 安森美公司近日發(fā)布了全新EliteSiC功率集成模塊，這款創(chuàng)新產(chǎn)品為電動汽車直流超快速充電樁賦予了雙向充電的先進功能。相較于傳統(tǒng)的硅基IGBT解決方案，EliteSiC在尺寸上實現(xiàn)了最多40%的縮減
2024-03-21 09:34:5280 Elite Power仿真工具是安森美(onsemi)推出的一款基于PLECS的具有獨特功能的領先在線仿真工具，適用于軟/硬開關應用，使工程師在開發(fā)周期的早期階段，
2024-03-20 09:58:3883 安森美（onsemi）近日宣布成立全新的模擬與混合信號事業(yè)部（AMG），以進一步加強其在電源管理和傳感器接口領域的市場地位，并瞄準價值193億美元的新增市場。該事業(yè)部由新任命的總裁Sudhir Gopalswamy領導，他將帶領團隊專注于擴大安森美的產(chǎn)品組合，并加速公司在汽車、工業(yè)和云端市場的增長。
2024-03-15 09:53:21103 2023年，東芝半導體的功率器件銷售額估計約為1000億日元，其中35%用于汽車市場，20%用于工業(yè)市場。
2024-03-04 18:10:33301 天宜微宣布，雙方將在下一代AR/VR OLED微型顯示器的開發(fā)領域展開戰(zhàn)略合作，以滿足中國和全球市場對先進AR/VR解決方案日益增長的需求。
2024-03-04 10:54:17401 安森美，智能電源和智能感知技術的領軍企業(yè)，今日宣布推出SPM31智能功率模塊（IPM），該模塊采用了創(chuàng)新的場截止第7代（FS7）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）技術。SPM31 IPM以其更高的能效、更小的尺寸和更高的功率密度，顯著降低了總體系統(tǒng)成本，為行業(yè)樹立了新的標桿。
2024-03-01 09:53:53163 ）。另一方面，功率GaN的技術路線從不同的層面看還有非常豐富的種類。 ? 器件模式 ? 功率GaN FET目前有兩種主流方向，包括增強型E-Mode和耗盡型D-Mode。其中增強型GaN FET是單芯片常關器件，而耗盡型GaN FET是雙芯片常關器件（共源共柵Cascode結構）。 ? E-
2024-02-28 00:13:001843 來源：安森美 SPM31 智能功率模塊 (IPM) 用于三相變頻驅動應用，能實現(xiàn)更高能效和更佳性能 2月27日，智能電源和智能感知技術的領先企業(yè)安森美(onsemi)，宣布推出采用了新的場截止
2024-02-27 15:42:11121 智能電源和智能感知技術的領先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59344 三星電子近日宣布，已在美國硅谷開設一個新的研發(fā)（R&D）實驗室，專注于下一代3D DRAM芯片的開發(fā)。這一新實驗室將由三星的Device Solutions America（DSA）運營，并負責監(jiān)督公司在美國的半導體生產(chǎn)活動。
2024-01-29 11:29:25432 前不久，我們分享了安森美(onsemi)2023年度精選汽車方案。在2023年，安森美還發(fā)布了多項全新工業(yè)產(chǎn)品和解決方案，使我們能夠不斷將創(chuàng)新和愿景付諸實踐。我們的持續(xù)創(chuàng)新也獲得了電力電子行業(yè)的認可。今天將為大家盤點安森美2023年在工業(yè)領域所取得成就中的一些亮點。
2024-01-12 09:39:01253 半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：2024 年1月 9日，智能電源和智能感知技術的領先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達克股票代碼：ON)，宣布和豪華智能電動車品牌理想汽車(Li Auto)續(xù)簽長期供貨協(xié)議。
2024-01-10 09:23:11577 晶體管）結構。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:41667 安森美，一家在智能電源和智能感知技術領域領先的企業(yè)，近日宣布與豪華智能電動車品牌理想汽車續(xù)簽長期供貨協(xié)議。這一合作標志著兩家公司在推動汽車電動化和智能化方面邁出了重要的一步。
2024-01-09 14:38:46557 MIPI A-PHY標準的芯片組,以滿足市場對這一創(chuàng)新連接解決方案的強勁需求。雙方合作的起點是通過英特爾的領先技術在汽車行業(yè)開發(fā)下一代A-PHY產(chǎn)品,本次合作進一步加強了Valens和英特爾之間的戰(zhàn)略
2024-01-09 11:38:23390 安森美成熟的800萬像素圖像傳感器。此協(xié)議簽訂后，理想汽車將在其下一代800V高壓純電車型中采用安森美高性能EliteSiC 1200V裸芯片，并繼續(xù)在其未來車型中集成安森美800萬像素高性能圖像傳感器。兩家公司的合作將加快汽車電動化進程和提升行車安全性。
2024-01-09 11:08:52375 2024年1月8日--領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布推出九款全新 EliteSiC 功率集成模塊 (PIM)，可為電動汽車 (EV) 直流超快速充電樁和儲能系統(tǒng) (ESS) 提供雙向充電功能。
2024-01-08 18:04:37464 由于宇航電源整體及其組件面臨的綜合挑戰(zhàn)，GaN功率器件的全面應用至今尚未達成。但是，隨著GaN功率器件輻照強化及驅動方式的創(chuàng)新改良，宇航電源將會得到更大助推。
結合高集成度電源設計，以及優(yōu)化的宇航
2024-01-05 17:59:04272 
近日，安森美2023 China EPS Training Certification會議現(xiàn)場， 安富利安森美團隊榮獲由安森美授予的“Emerging Power and Sensing
2023-12-27 17:10:02168 
隨著半導體技術的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應用在更多的領域中。高質量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎。
2023-12-27 09:32:54374 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 功率等級的功率轉換、更快的開關速度、傳熱效率上也優(yōu)于硅材料。 本篇博客探討了SiC材料如何提升產(chǎn)品性能以超越基于硅材料的領域，從而為我們?nèi)碌臄?shù)字世界創(chuàng)造下一代解決方案。 硅基MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET、氮化鎵（GaN）HEMT或
2023-12-21 10:55:02182 安森美的核心制勝主要推動力，一個是智能感知方面的圖像傳感器技術；在智能感知方面，安森美的圖像傳感器在全球汽車和工業(yè)市場排名全球前列。
2023-12-18 10:28:45193 
2023年12月15日，中國-意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導體技術簡化電源設計，實現(xiàn)最新的生態(tài)設計目標。
2023-12-15 16:44:11462 我們正在進行一項關于下一代開發(fā)者體驗的研究，旨在深入了解和優(yōu)化未來的開發(fā)工作流程和工具。在全部數(shù)據(jù)回收后， 將抽取一定比例的開發(fā)者獲得50元京東卡 ，請您在問卷最后準確留下您的聯(lián)系方式，以便兌獎
2023-12-15 15:50:02159 GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動速度以及較低的電阻
2023-12-07 17:27:20337 進的SiC制造工廠之一。該工廠全負荷生產(chǎn)時，每年可生產(chǎn)超過一百萬片200mm SiC晶圓，能夠滿足市場對碳化硅器件的迅速增長需求。 安森美在第三季度取得了 21.8 億美元的穩(wěn)健業(yè)績，接近其上季度的指導范圍上限。 全年碳化硅營收預計將創(chuàng)新高。 對于2024年的預期，
2023-12-07 10:25:02231 作為一種新型功率器件，GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優(yōu)勢。
2023-12-07 09:44:52776 
氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場強、高熱導率、低導通和開關損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維GaN器件、高電子遷移率等特點，用于制造高頻、高功率密度和高效率的功率電子器件
2023-12-06 10:04:03350 
點擊藍字?關注我們 三城巡回圓滿落幕，繼可再生能源大會金句集錦之后，小編再為大家?guī)黼妱悠噾眉夹g大會的演講精華，這些看點不可錯過：安森美功率產(chǎn)品在主驅、車載充電機（OBC）、電動
2023-11-30 19:50:01269 適用于下一代大功率應用的XHP?2封裝
2023-11-29 17:04:50265 
點擊藍字?關注我們 安森美（onsemi） 可再生能源大會圓滿收官 來自 古瑞瓦特、 蔚來、 中認國創(chuàng)檢測技術 的嘉賓以及 安森美專家天團 金句頻出，帶來 可再生能源高速增長下SiC等功率器件
2023-11-28 19:10:02369 解鎖高速高精度工業(yè)應用，安森美電感式位置傳感器了解一下？
2023-11-24 17:33:39337 
如何保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
2023-11-23 17:00:21163 
/電動汽車 (xEV) 和能源基礎設施 (EI) 電源轉換系統(tǒng)方案的迭代和創(chuàng)新。這先進的系統(tǒng)應用實驗室提供專用設備，并與汽車主機廠(OEM)、一級供應商和 EI 供應商合作，開發(fā)和測試下一代硅 (Si
2023-11-21 10:45:02166 
保證了HEMT器件產(chǎn)品在0-850V的電壓區(qū)間上的安全穩(wěn)定工作，在國內(nèi)市場中位居前列。利用芯生代的GaN-on-Si外延片，可開發(fā)出650V、900V、以及1200V HEMT產(chǎn)品，推動氮化鎵向更高壓、更高功率應用領域邁進。
2023-11-16 11:56:22590 
2023年11月10日，溫州芯生代科技有限公司在2023世界青年科學家峰會上隆重發(fā)布了面向高電壓大電流HEMT功率器件應用的850V Cynthus?系列硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延產(chǎn)品。行業(yè)客戶、知名投資機構爭相了解合作。
2023-11-14 10:32:08383 
氮化鎵（GaN）功率器件在幾個關鍵性能指標上比硅（Si）具有優(yōu)勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場，能實現(xiàn)更薄的漂移層，同時在較高的擊穿電壓下可以降低導通電阻（Rds（on））。由于
2023-11-06 09:39:293605 
瑞薩高性能計算、模擬和電源方案事業(yè)群功能部門和業(yè)務開發(fā)主管 Takeshi Fuse 表示：“安森美是汽車圖像傳感器技術的市場領導者和創(chuàng)新者，我們與安森美攜手將為客戶提供超高系統(tǒng)性能、功能安全和網(wǎng)絡安全，是明智的選擇。
2023-11-01 17:21:17537 安森美半導體已完成其在韓國富川的全球最大的碳化硅(SiC)制造工廠的擴建。該工廠將能夠以峰值產(chǎn)能每年生產(chǎn)超過100萬個200毫米SiC晶圓。為了支持SiC制造能力的增長，安森美美計劃在未來三年內(nèi)雇用
2023-10-26 17:26:58742 產(chǎn)能的提升，安森美計劃在未來三年內(nèi)雇傭多達 1,000 名當?shù)貑T工來填補大部分高技術職位；相比目前的約 2,300 名員工，人數(shù)將增加 40% 以上。 碳化硅器件是電動汽車 (EV)、能源基礎設施和大功率 EV 充電樁中進行功率轉換的關鍵器件。市場對這些產(chǎn)品的需求迅速增長，使得 對Si
2023-10-24 15:55:22779 CAT5113VI-10-GT3,ON/安森美,100抽頭數(shù)字可編程電位計CAT5113VI-10-GT3,ON/安森美,100抽頭數(shù)字可編程電位計CAT5113VI-10-GT3,說明
2023-10-24 15:09:48
使用GaN（氮化鎵）的功率半導體作為節(jié)能/低碳社會的關鍵器件而受到關注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項新技術，解決了導致其全面推廣的問題。
2023-10-20 09:59:40707 
點擊藍字?關注我們 在工業(yè)、汽車和可再生能源應用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術的組件，比如 SiC，對提高能效至關重要。在本文中， 安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展
2023-10-20 01:55:01180 
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關GaN非常需要HEMT來降低功率并簡化電路和系統(tǒng)架構，這是GaN HEMT技術的主要挑戰(zhàn)之一。凹進的AlGaN/GaN結構是實現(xiàn)常關操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:11291 
機構Yole數(shù)據(jù)顯示，2022年GaN功率器件在總功率半導體（功率芯片、功率分立器件和模塊）市場中的占比僅為0.3%。盡管GaN功率率器件的復合年增長率很高（59%），Yole預計到2027
2023-09-21 17:39:211626 
GaN因其特性，作為高性能功率半導體材料而備受關注，近年來其開發(fā)和市場導入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長GaN晶體）和垂直型（原樣使用GaN襯底）。
2023-09-13 15:05:25657 
樁套件 涵蓋光伏低、中、高功率范圍的功率集成模塊 NCS32100旋轉位置傳感器 超高密度（UHD）方案 ...... 此外，安森美專家天團已高能集結，歡迎來
2023-08-31 11:40:01386 
范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581144 
寬禁帶半導體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉換，射頻功放，以及極端環(huán)境電子應用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢。
2023-08-09 16:10:10555 
近日，阿卜杜拉國王科技大學（King Abdullah University，KAUST）了一項研究成果，該成果可能有助于改進下一代電池的陽極材料。
2023-08-08 14:44:28178 2023年6月13日，力源信息與安森美（onsemi）應用聯(lián)合實驗室揭牌成立。力源信息董事長兼總經(jīng)理趙馬克先生、力源信息副總經(jīng)理兼銷售及市場總監(jiān)陳福鴻先生、安森美全球銷售執(zhí)行副總裁MikeBalow
2023-07-31 18:02:58736 
Agreement, LTSA)，為多家領先的光伏逆變器制造商提供智能電源技術，進一步鞏固了安森美在這一快速增長領域的頭部功率半導體供應商地位。 安森美提供卓越的裸片技術、優(yōu)化和定制的模塊設計及封裝，助力光伏逆變器供應商能夠在產(chǎn)品上市時間、產(chǎn)品開發(fā)、供應彈性和穩(wěn)健的質量保證方面具
2023-07-27 11:35:02269 來源：安森美 博格華納將集成安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件到其VIPER功率模塊中，用于主驅逆變器解決方案，以提高電動汽車的性能 Viper 800V碳化硅逆變器 近日
2023-07-20 18:01:24663 
證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方
2023-07-19 11:15:03421 
據(jù)麥姆斯咨詢報道，Skylark Lasers近日宣布獲得“創(chuàng)新英國（Innovate UK）”項目234萬英鎊資金，以助其開發(fā)下一代量子導航和計時系統(tǒng)。
2023-07-18 09:01:35430 點擊藍字?關注我們 上海機器視覺展DAY 2精彩繼續(xù) 5.1號館 D204 安森美展臺有哪些精彩呈現(xiàn)？ 通過30s快閃視頻一睹為快 安森美展示了系列圖像傳感器，多種熱門應用場景輕松拿捏。這些明星產(chǎn)品
2023-07-12 14:35:03183 
; CP1342AMDCDAD1R2G安森美65W氮化鎵快充電源IC 產(chǎn)品介紹：NCP1342準諧振反激控制器是一種高度集成的高頻PWM(脈寬調制)控制器，旨在
2023-07-11 11:31:20
數(shù)據(jù)速率，而 6G 預計從 2030 年起將以 100Gbit/s 的速度運行。除了應對更多數(shù)據(jù)和連接之外，研究人員還研究下一代無線通信如何支持自動駕駛和全息存在等新用例。
2023-07-06 10:00:10339 
中的應用也越來越廣泛。 安森美(onsemi)工業(yè)電源方案產(chǎn)品營銷總監(jiān)Ajay Sattu 近日接受探索科技采訪，就工業(yè)功率器件的相關問題闡述了精彩觀點，一起來看看吧~ Ajay Sattu 安森美工業(yè)電源方案產(chǎn)品營銷總監(jiān) Q1 工業(yè)用功率器件相較于其它行業(yè)的功率器件，
2023-07-05 19:20:02198 
安森美 準諧振反激控制器 產(chǎn)品介紹：NCP1342準諧振反激控制器是一種高度集成的高頻PWM(脈寬調制)控制器，旨在簡化高性能脫機功率變換器的設計。NCP1342控
2023-07-05 15:44:15
安森美65W氮化鎵PD充電器芯片 產(chǎn)品介紹：NCP1342準諧振反激控制器是一種高度集成的高頻PWM(脈寬調制)控制器，旨在簡化高性能脫機功率變換器的設計。NCP13
2023-07-05 15:24:23
安森美 NCV8415自保護低側MOSFET驅動器是三端保護的智能分立FET，適用于嚴苛的汽車環(huán)境。NCV8415元件具有各種保護特性，包括用于Delta熱關斷、過電流、過溫、ESD和用于過壓保護的集成漏極-柵極鉗位。該器件還通過柵極引腳提供故障指示。下面AMEYA360電子元器件采購網(wǎng)詳細介紹。
2023-07-04 16:24:15266 
繼第一代和第二代半導體技術之后發(fā)展起來的第三代寬禁帶半導體材料和器件，是發(fā)展大功率、高頻高溫、抗強輻射和藍光激光器等技術的關鍵核心。因為第三代半導體的優(yōu)良特性，該半導體技術逐漸成為了近年來半導體研究
2023-06-25 15:59:21
GaN功率半導體器件集成提供應用性能
2023-06-21 13:20:16
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
單片GaN器件集成驅動功率轉換的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
GaN功率集成電路技術:過去，現(xiàn)在和未來
2023-06-21 07:19:58
MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述 安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響 ，作為安森美提供的全方位
2023-06-16 14:40:01389 
之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供
2023-06-16 14:39:39538 
基于GaN器件的產(chǎn)品設計可以提高開關頻率，減小體積無源器件，進一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設計、驅動設計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
的設計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
最重要的器件之一，在功率器件和射頻器件領域擁有廣泛的應用前景。HEMT器件通常是在硅(Si)、藍寶石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等異質襯底上通過金屬有機氣象外延(MOCVD)進行外延制備。由于異質
2023-06-14 14:00:551643 
點擊藍字?關注我們 智能電源和智能感知技術的領先企業(yè) 安森美 （ onsemi ，美國納斯達克上市代號：ON），將于美國時間2023年6月20日星期二開市前被納入 納斯達克100指數(shù) 。安森美已連續(xù)
2023-06-13 10:35:02262 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）日前，工業(yè)富聯(lián)舉行2022年度股東大會，工業(yè)富聯(lián)董事周泰裕在會上表示，工業(yè)富聯(lián)已著手開發(fā)下一代AI服務器，并將和客戶合作進行AI Cloud data center
2023-06-09 11:59:331418 MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述 安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響 ，作為安森美提供的全方位
2023-06-08 20:45:02281 
和豪華智能純電品牌極氪智能科技（ZEEKR）簽署長期供應協(xié)議（LTSA）。安森美將為極氪提供碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能電動汽車（EV）的動力總成能效推出Hyperlux圖像傳感器系列，這是開發(fā)先進駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）和自動駕駛（AD）解決方案的一項關鍵賦能技術
2023-05-30 15:27:06453 智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力電力電子工程師實現(xiàn)更出色的能效和更低系統(tǒng)成本。
2023-05-25 10:39:07281 MOSFET 和 二極管 ，用于可擴展的電動汽車（EV）充電樁。雙方此項合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC產(chǎn)品在內(nèi)的各種功率半導體技術，開發(fā)電動汽車充電方案套件。這些器件將用于 有源
2023-05-17 12:15:02249 
“
安森美幫助我們解決了最具挑戰(zhàn)性的技術問題，如系統(tǒng)設計、仿真、熱分析和控制算法等。我們采用
安森美高能效的EliteSiC產(chǎn)品，能夠根據(jù)客戶的特定需求
開發(fā)并實施尖端前沿的可再生能源方案。此外，
安森美的端到端SiC供應鏈為我們的長期發(fā)展提供了供貨保證?！?/div>
2023-05-16 15:24:45724 ）。安森美將為極氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能電動汽車（EV）的能效，從而提升性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程。 極氪將采用安森美的 M3E 1200V ?EliteSiC MOSFET ，以配合其不斷擴大的高性能純電車型產(chǎn)品陣容，實現(xiàn)更強的電氣和機械性能及可靠性。這
2023-05-11 20:16:29276 
2023 年 5 月 11日—智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），推出Hyperlux?汽車圖像傳感器系列，該系列產(chǎn)品擁有2.1 μm像素尺寸、領先業(yè)界
2023-05-11 16:58:03941 智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力電力電子工程師實現(xiàn)更出色的能效和更低系統(tǒng)
2023-05-10 16:54:10656 近日，安森美宣布已向海拉（HELLA）交付第10億顆感應傳感器接口集成電路（IC）。這顆由安森美設計的IC被用于海拉的汽車線控系統(tǒng)非接觸型感應位置傳感器（CIPOS）技術。 CIPOS是一種感應技術
2023-05-08 10:42:35240 佛瑞亞(FORVIA)集團旗下公司。這顆由安森美設計的IC被用于海拉的汽車線控系統(tǒng)非接觸型感應位置傳感器(CIPOS)技術。在長達25年的合作中，兩家公司開發(fā)的創(chuàng)新設計縮小了海拉模塊和安森美IC的尺寸，以更好地適配對模塊外形尺寸有著高要求的應用。
2023-05-06 15:12:54661 GaN基功率開關器件能實現(xiàn)優(yōu)異的電能轉換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質結構中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關的核心器件增強型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結構。
2023-04-29 16:50:00793 
傳統(tǒng)GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統(tǒng)有Au歐姆接觸通常采用高溫退火工藝（＞800℃），第1層Ti在常溫下
2023-04-29 16:46:00735 
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領域主要優(yōu)勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:212330 
氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導體，日本和海外正在進行研究和開發(fā)。
2023-04-14 15:42:06363 由于對SiC功率半導體的強勁需求和對GaN功率半導體的強勁需求，2022年下一代功率半導體將比上年增長2.2倍。預計未來市場將繼續(xù)高速擴張，2023年達到2354億日元（約合人民幣121億元），比2022年增長34.5%，2035年擴大到54485億日元（約合人民幣2807億元），增長31.1倍。
2023-04-13 16:10:46444 碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161468 以下文章來源于安森美，作者安森美領先于智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），具備業(yè)界領先的性能
2023-04-06 16:07:10367 安森美（Emerson）是一家跨國工業(yè)制造和技術公司，其產(chǎn)品線涵蓋了控制、自動化、機電設備、獨立氣動產(chǎn)品以及流量、壓力、溫度、液位等傳感器等領域。
2023-03-30 17:55:07549 安森美收購了哪些公司 安森美產(chǎn)品線優(yōu)勢有哪些 安森美On Semiconductor Corporation于1999年根據(jù)特拉華州法律注冊成立。該公司及其子公司從事節(jié)能電子驅動創(chuàng)新業(yè)務。公司
2023-03-29 17:54:283054 
安森美公司介紹 安森美官網(wǎng) 安森美公司是1999年從摩托羅拉半導體部門分拆出來的，后來安森美半導體ON Semiconductor，在美國納斯達克上市；代號：ON；安森美半導體在北美、歐洲和亞太地區(qū)
2023-03-29 16:21:523015 ，從而使音響器件發(fā)出更好的音質和更出色的表現(xiàn)效果。 安森美功放管怎么樣 安森美作為美國大牌它生產(chǎn)的功率管非常優(yōu)質，屬于高檔功放的配件，清晰度和解析度都很好。 比如NJW0281G/NJW0302G是安森美專門為音頻功率放大器專門開發(fā)的
2023-03-29 16:09:5815076 安森美半導體怎么樣？安森美是哪國的？ 有人問小編安森美半導體怎么樣？安森美是哪國的？其實行業(yè)內(nèi)人士都知道美國公司安森美半導體實力很強悍，安森美是美國公司；并且在納斯達克上市。 安森美是哪國
2023-03-28 18:37:265891 安森美功放管怎么樣 安森美對管是美國的名牌優(yōu)質大功率管。 安森美管是一種功率放大器，用來放大電流和電壓，從而增強信號的強度。它可以加強輸出電流和電壓，使信號發(fā)出更加強大的功率，從而使音響器件發(fā)出更好
2023-03-27 14:21:344011 安森美是哪國的 于1999年從摩托羅拉拆分獨立，于2016年收購Fairchild仙童半導體公司，全球領先的半導體制造商，提供8萬多款不同的器件和全球供應鏈 安森美半導體
2023-03-27 14:19:50755 已全部加載完成
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