應(yīng)用場(chǎng)景的深入洞察，正式發(fā)布人工智能大模型——“知繪”，旨為推動(dòng)大模型在垂直行業(yè)應(yīng)用落地，加速產(chǎn)業(yè)重塑和價(jià)值提升，并進(jìn)一步激發(fā)個(gè)人創(chuàng)意的無限潛能，釋放生產(chǎn)力！ 大模型千帆競(jìng)渡，“知繪”開拓新航道 年初，IDC發(fā)布《2024 AI
2024-03-20 17:30:56
122 柵（Gate）是一種控制元件，通常用于場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）中，比如金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）等。
2024-03-13 11:41:42222 
晶閘管（Thyristor）是一種常用的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子和電路控制領(lǐng)域。它可以用作開關(guān)、穩(wěn)壓器、整流器等。在進(jìn)行詳細(xì)介紹晶閘管的導(dǎo)通條件和關(guān)斷條件之前，我們需要先了解一些基礎(chǔ)知識(shí)
2024-03-12 15:01:54331 如下硅與石墨復(fù)配的負(fù)極材料的背散SEM，圓圈標(biāo)的地方是硅嗎？如果不是還請(qǐng)大佬指點(diǎn)一下，那些位置是硅？
2024-03-12 08:53:37
晶體管是一種半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電子技術(shù)中的放大、開關(guān)、整流等電路中。晶體管的放大作用在電子技術(shù)應(yīng)用中起著至關(guān)重要的作用。晶體管放大的內(nèi)部條件和外部條件包括了很多方面，下面我將詳細(xì)介紹。 首先
2024-02-27 16:56:01263 人工破碎就是工人用碳化鎢錘多晶硅棒進(jìn)行錘擊達(dá)到粉碎的目的。碳化鎢的硬度僅次于鉆石，能夠保持鋒利的邊緣和形狀，即使在高強(qiáng)度使用下也不容易磨損。
2024-02-27 10:17:40181 
關(guān)注和應(yīng)用。本報(bào)告旨在探討PFA晶圓夾在芯片制造中的具體應(yīng)用。 PFA晶圓夾是一種用于半導(dǎo)體多晶硅行業(yè)的特殊夾具，而PFA材質(zhì)良好的性能常常應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè) 那么有什么特點(diǎn)呢？一起來看看吧： 1.耐高溫性：PFA晶圓夾可以耐受高溫
2024-02-23 15:21:52151 淺談安科瑞有源濾波器在多晶硅行業(yè)中的應(yīng)用 張穎姣 安科瑞電氣股份有限公司 上海嘉定 201801 摘要：本文結(jié)合青海黃河水電多晶硅項(xiàng)目中的有源濾波器使用效果進(jìn)行應(yīng)用分析，結(jié)果表明有源濾波器在多晶硅
2024-02-22 14:46:52120 
inFET 技術(shù)有幾個(gè)含義。最重要的是，硅鰭片的高度和寬度尺寸是由制造工藝決定的，而不是由電路設(shè)計(jì)者決定的。這意味著每個(gè)晶體管的寬度尺寸是由柵極多晶硅穿過的鰭的數(shù)量而不是擴(kuò)散形狀的寬度來設(shè)置的。
2024-02-21 18:19:30172 
電力企業(yè)造成了較大的經(jīng)濟(jì)損失甚至是人身傷亡。
內(nèi)蒙東立“年產(chǎn)4.8萬噸多晶硅”項(xiàng)目，占地占地700畝畝，項(xiàng)目共分二期建設(shè)，東立光伏年產(chǎn)4.8萬噸多晶硅項(xiàng)目總投資116億元，規(guī)劃建設(shè)7500兆瓦
2024-02-20 11:04:57
，單晶光伏板和多晶光伏板的材料不同。單晶光伏板由高純度硅材料制成，硅材料由純凈的硅石經(jīng)過高溫熔煉而來，再經(jīng)過拉晶、切片、拋光等步驟制成單晶硅片。而多晶光伏板采用的是多晶硅材料，制備工藝相對(duì)簡(jiǎn)單一些，直接從熔融
2024-02-03 09:19:22651 多晶硅（polysilicon）是太陽能電池、儲(chǔ)能設(shè)備和半導(dǎo)體領(lǐng)域中廣泛使用的關(guān)鍵材料。
2024-01-23 17:16:18199 
多晶硅是一種重要的半導(dǎo)體材料，在許多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。以下是多晶硅的一些主要用途。 太陽能電池板制造：多晶硅是太陽能電池板制造的關(guān)鍵材料之一。它可以通過將硅礦石熔化、形成硅棒并切割成薄片，進(jìn)而制備
2024-01-23 16:01:47666 光伏板單晶和多晶哪個(gè)發(fā)電多？ 太陽能光伏板是利用太陽光的能量轉(zhuǎn)換為電能的裝置。而光伏板的發(fā)電效率是一個(gè)衡量其性能的重要指標(biāo)。單晶和多晶是光伏電池的兩種常見制造工藝，它們?cè)诎l(fā)電效率上有所不同。在這
2024-01-23 14:58:14349 高質(zhì)量的p型隧道氧化物鈍化觸點(diǎn)(p型TOPCon)是進(jìn)一步提高TOPCon硅太陽能電池效率的可行技術(shù)方案?；瘜W(xué)氣相沉積技術(shù)路線可以制備摻雜多晶硅層，成為制備TOPCon結(jié)構(gòu)最有前途的工業(yè)路線之一
2024-01-18 08:32:38287 
在MEMS器件設(shè)計(jì)過程中電學(xué)性能是重中之重。MEMS大多數(shù)由襯底、介質(zhì)層和金屬層組成，硅襯底、多晶硅和金屬均與電學(xué)性能密不可分。
2024-01-13 10:38:201064 
2023年11月，工信部等四部門聯(lián)合發(fā)布《關(guān)于開展智能網(wǎng)聯(lián)汽車準(zhǔn)入和上路通行試點(diǎn)工作的通知》。其中提到，具備量產(chǎn)條件、搭載自動(dòng)駕駛功能的智能網(wǎng)聯(lián)汽車在取得準(zhǔn)入許可后，可在限定區(qū)域內(nèi)開展上路通行試點(diǎn)。
2023-12-28 17:06:42378 
工信部網(wǎng)站信息顯示，2022年11月，工信部發(fā)布《關(guān)于開展智能網(wǎng)聯(lián)汽車準(zhǔn)入和上路通行試點(diǎn)工作的通知（征求意見稿）》，針對(duì)搭載中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)（GB/T 40429-2021）定義的L3級(jí)（有條件自動(dòng)駕駛）/L4級(jí)（高度自動(dòng)駕駛）自動(dòng)駕駛功能的智能網(wǎng)聯(lián)汽車，提出車企或運(yùn)營(yíng)平臺(tái)準(zhǔn)入上路測(cè)試的征求意見稿文件。
2023-12-27 17:09:43480 
SEMI-e 第六屆深圳國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展覽會(huì)將持續(xù)關(guān)注產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)和發(fā)展前沿，向20多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域提供一站式采購(gòu)與技術(shù)交流平臺(tái)。
2023-12-25 16:43:54284 
光伏產(chǎn)業(yè)鏈涵蓋多晶硅料、硅片、電池片、組件以及電站五個(gè)環(huán)節(jié)。產(chǎn)業(yè)鏈以硅材料為主線，具體包括：上游為高純度多晶硅料以及硅片生產(chǎn)；中游為光伏電池片及組件生產(chǎn)；下游為光伏發(fā)電的應(yīng)用端即集中式和分布式電站。
2023-12-13 09:39:08254 
編前： 為落實(shí)《關(guān)于加強(qiáng)智能網(wǎng)聯(lián)汽車生產(chǎn)企業(yè)及產(chǎn)品準(zhǔn)入管理的意見》，促進(jìn)智能網(wǎng)聯(lián)汽車推廣應(yīng)用，提升智能網(wǎng)聯(lián)汽車產(chǎn)品性能和安全運(yùn)行水平，近日，工業(yè)和信息化部、公安部、住房和城鄉(xiāng)建設(shè)部以及交通運(yùn)輸部聯(lián)合發(fā)布
2023-12-12 17:45:01236 
了解死鎖產(chǎn)生的條件。 互斥條件（Mutual Exclusion）：一個(gè)資源每次只能由一個(gè)線程使用。這是引發(fā)死鎖的最基本條件。當(dāng)一個(gè)線程占有某個(gè)資源時(shí)，其它線程無法同時(shí)訪問該資源。 請(qǐng)求與保持條件（Hold and Wait）：線程至少已經(jīng)占有一個(gè)資源，并
2023-12-04 13:42:56161 在Excel中，如果我們需要根據(jù)多個(gè)條件來執(zhí)行不同的操作，我們可以使用IF函數(shù)的嵌套或邏輯運(yùn)算符來實(shí)現(xiàn)。 IF函數(shù)是一個(gè)常用的邏輯函數(shù)，它用于根據(jù)特定條件的真假來執(zhí)行不同的操作。IF函數(shù)的語法如下
2023-12-03 10:35:02591 要輸入多個(gè)條件并列的if函數(shù)，可以使用邏輯運(yùn)算符將它們連接起來。常用的邏輯運(yùn)算符有"and"（與）、"or"（或）、"not"（非）。以下是一個(gè)示例： if 條件 1 and 條件 2 and 條件
2023-12-03 10:31:491044 IF函數(shù)是Excel中最常用的函數(shù)之一，它根據(jù)一個(gè)邏輯條件的返回結(jié)果來決定應(yīng)該執(zhí)行哪一個(gè)動(dòng)作。在Excel中使用IF函數(shù)可以實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的邏輯判斷，應(yīng)用范圍廣泛。本文將詳細(xì)解析IF函數(shù)的三個(gè)條件，并介紹
2023-12-03 10:28:471468 外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長(zhǎng)的方法介紹。
2023-11-30 18:18:16877 
9月份，西安智多晶微電子有限公司再傳好消息，智多晶微電子完成了數(shù)億人民幣的E輪融資，此次智多晶微電子的E輪融資由尚頎資本（上汽集團(tuán)金融平臺(tái)上汽金控旗下私募股權(quán)投資機(jī)構(gòu)）在管基金、上汽金控旗下上汽
2023-11-30 17:37:25789 SUMIF函數(shù)是一種非常常用的Excel函數(shù)，它用于根據(jù)給定的條件，在相應(yīng)的區(qū)域內(nèi)求和。SUMIF函數(shù)可以通過設(shè)置一個(gè)條件、區(qū)域和要求和的范圍，從而對(duì)滿足條件的數(shù)值進(jìn)行求和。而如果需要使用SUMIF
2023-11-30 16:38:212096 太陽能光伏板的主要材料是硅，通常采用單晶硅、多晶硅或非晶硅等不同類型的硅片制成，以吸收和轉(zhuǎn)換太陽光為電能。
2023-11-25 09:34:20849 在SQL中，WHERE條件用于篩選符合特定條件的記錄。它提供了一種在查詢中過濾數(shù)據(jù)的方法，使您能夠根據(jù)所需的特定條件對(duì)查詢結(jié)果進(jìn)行更精確的控制。 在WHERE子句中，您可以使用各種操作符和函數(shù)來構(gòu)建
2023-11-23 11:30:04755 在Python中，可以使用多個(gè)條件來編寫if語句。這些條件可以使用邏輯運(yùn)算符進(jìn)行組合，包括and、or和not。 當(dāng)if語句中有多個(gè)條件時(shí)，可以使用邏輯運(yùn)算符將這些條件組合在一起。and運(yùn)算符表示
2023-11-21 16:45:04638 在 Python 中，使用 if 語句可以根據(jù)給定條件的真假來決定程序的執(zhí)行路徑。通常情況下，if 語句有一個(gè)條件，并根據(jù)這個(gè)條件來判斷是否執(zhí)行某段代碼。然而，在某些情況下，我們需要根據(jù)多個(gè)條件
2023-11-21 16:42:52395 多晶硅層用作電荷俘獲層是RF-SOI中提高器件射頻性能的關(guān)鍵技術(shù)，晶粒大小、取向、晶界分布、多晶硅電阻率等參數(shù)與電荷俘獲性能有密切的關(guān)系；此外，由于多晶硅/硅的復(fù)合結(jié)構(gòu)，使得硅晶圓應(yīng)力極難控制。
2023-11-21 15:22:10410 近日，工業(yè)和信息化部、公安部、住房和城鄉(xiāng)建設(shè)部、交通運(yùn)輸部（以下統(tǒng)稱“四部門”）聯(lián)合發(fā)布了《關(guān)于開展智能網(wǎng)聯(lián)汽車準(zhǔn)入和上路通行試點(diǎn)工作的通知》（以下簡(jiǎn)稱《通知》）?，F(xiàn)就《通知》有關(guān)內(nèi)容解讀如下
2023-11-18 16:10:01219 
據(jù)報(bào)道，內(nèi)蒙古鑫華半導(dǎo)體科技有限公司有關(guān)負(fù)責(zé)人表示，該項(xiàng)目投資約28億元，產(chǎn)值約24億元，可生產(chǎn)1萬噸電子級(jí)硅。鑫華是目前國(guó)內(nèi)最大的半導(dǎo)體多晶硅供應(yīng)企業(yè)。
2023-11-17 14:55:25677 ，適用于單晶硅、多晶硅、非晶薄膜、染料敏化、有機(jī)、III-V 族半導(dǎo)體等各種不同類型的太陽電池。太陽光模擬器不僅應(yīng)用于太陽能電池研究，還可用于光電響應(yīng)型器件測(cè)試，表面
2023-11-04 15:44:27
前面討論了簡(jiǎn)單的條件結(jié)構(gòu)。條件結(jié)構(gòu)用于實(shí)現(xiàn)需要判斷的情況，它以一個(gè)邏輯條件成立與否為條件，決定一個(gè)操作的執(zhí)行或不執(zhí)行，或執(zhí)行兩個(gè)不同的操作。前面介紹的if和if-else結(jié)構(gòu)，它是C語言中實(shí)現(xiàn)判斷
2023-11-02 11:27:50220 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何生產(chǎn)多晶硅太陽能電池.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-02 10:09:50
0 可以直接用光耦三極管來控制可控硅的g極嗎？之前沒用過，可以把可控硅理解為一個(gè)大功率高速開關(guān)嗎
2023-11-02 06:51:06
硅，我們都知道。但是芯片制程中的硅，有的用的是單晶硅，有的用的是多晶硅。多晶硅與單晶硅的性能差別很大，那么他們各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？有哪些應(yīng)用？又是怎樣制造出來的呢？
2023-10-26 09:47:01501 
請(qǐng)教各位大神，如圖，這個(gè)是延遲關(guān)斷燈的電路，請(qǐng)問這個(gè)電路開始按下開關(guān)的時(shí)候，可控硅是怎么打開的，電路的上可控硅的G極我看不出來有正向的電壓啊。。。。2個(gè)穩(wěn)壓管的參數(shù)我是隨便寫的，可以的話幫忙算下穩(wěn)壓管大概多少值的。手上沒工具測(cè)。
2023-10-24 16:05:18
igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件，常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管，由一個(gè)PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622 有沒有簡(jiǎn)單一些的辦法實(shí)現(xiàn)可控硅直流關(guān)斷技術(shù)
2023-10-10 07:21:55
儲(chǔ)能便攜電源充電的時(shí)候，有一種充電方式是太陽能板充電。這種充電方式非常適合在遠(yuǎn)離都市沒有電源的環(huán)境下利用太陽光進(jìn)行充電，身在曠野也不用擔(dān)心用電問題，這是戶外電源非常受旅友喜歡的一個(gè)原因。
2023-10-07 10:37:08431 今天給大家?guī)韕ython條件判斷。
2023-10-01 10:48:00318 實(shí)用可控硅電路集合
2023-09-26 14:19:22
【電磁兼容技術(shù)分享】電動(dòng)車輛準(zhǔn)入強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)GB/T 18387-2017解析
2023-09-22 08:19:071186 
2023-09-18 17:04:381 if語句 對(duì)于if語句，若條件判定為真，那么后面的語句塊就會(huì)被執(zhí)行。若條件判定為假，語句塊就會(huì)被跳過，不會(huì)執(zhí)行。 1 #if語句 2 age = 20 3 if age >= 18
2023-09-12 16:45:28326 太陽能電池（光伏電池）：是光伏組件的核心部分，將太陽光轉(zhuǎn)化為電能。常見的光伏電池包括單晶硅、多晶硅和薄膜硅等。
2023-09-03 10:46:53445 變頻器運(yùn)行的兩個(gè)條件? 隨著工業(yè)自動(dòng)化程度的不斷提升，變頻器已經(jīng)成為了現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中不可或缺的一部分。變頻器運(yùn)行的條件是指在滿足一定的物理條件下，讓變頻器正常工作和運(yùn)行的前提條件。本文將從兩個(gè)方面
2023-08-31 15:52:49879 2023年8月全球市場(chǎng)準(zhǔn)入資訊:巴西2023年7月6日，巴西國(guó)家電信局（ANATEL）發(fā)布了第7971號(hào)法案，批準(zhǔn)了《電信產(chǎn)品的IPV6協(xié)議合規(guī)性評(píng)估的技術(shù)要求》，該法案自2024年1月8日起實(shí)施
2023-08-24 09:19:23428 
的尺寸和更輕的重量。 傳統(tǒng)硅晶體管有兩種類型的損耗：傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。 功率晶體管是開關(guān)電源中功率損耗的主要原因。 為了遏制這些損失，GaN 晶體管（取代舊的硅技術(shù)）的開發(fā)已引起電力電子行業(yè)的關(guān)注
2023-08-21 17:06:18
開關(guān)電源常用的開關(guān)管有哪些類型 開關(guān)電源的開關(guān)管是構(gòu)成開關(guān)電源的核心部分，其主要功能是對(duì)高電壓、大電流進(jìn)行開關(guān)控制，實(shí)現(xiàn)輸入電源與輸出負(fù)載之間的轉(zhuǎn)換。常見的開關(guān)管類型包括多晶硅管、背陰極場(chǎng)效應(yīng)管
2023-08-18 14:07:132241 AT&T是美國(guó)第二大移動(dòng)運(yùn)營(yíng)商和互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)提供商，截至今年一季度末，AT&T北美用戶總量已達(dá)2.44億。SLM750模組通過各項(xiàng)嚴(yán)苛測(cè)試獲得AT&T認(rèn)證，驗(yàn)證了其穩(wěn)定、安全、可靠的物聯(lián)網(wǎng)無線通信性能，具備了北美市場(chǎng)的準(zhǔn)入條件，為公司拓展北美及相關(guān)海外市場(chǎng)奠定了良好的基礎(chǔ)。
2023-08-15 17:14:19525 實(shí)際使用的材料多由多晶體組成，多晶體材料是由許多取向不同的小單晶體，即晶粒組成的。晶粒和晶粒之間的過渡區(qū)域就稱為晶界
2023-08-11 10:20:381077 
不構(gòu)成任何投資建議，據(jù)此投資，風(fēng)險(xiǎn)自負(fù)。 一、多晶硅 1、180億 | 阿特斯全產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目投資簽訂！ 7月16日，阿特斯(688472.SH)發(fā)布公告，根據(jù)公司經(jīng)營(yíng)戰(zhàn)略和產(chǎn)能布局，公司于2023年7月16日與呼和浩特市人民政府、呼和浩特經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委
2023-07-21 17:36:411017 
條件變量 條件變量用于自動(dòng)阻塞線程，直到某個(gè)特定事件發(fā)生或某個(gè)條件滿足為止，通常情況下，條件變量是和互斥鎖一起搭配使用的。使用條件變量主要包括兩個(gè)動(dòng)作： 一個(gè)線程等待某個(gè)條件滿足而被阻塞； 另一個(gè)
2023-07-21 11:18:29293 2023年上半年以多晶硅致密料、單晶硅片M10、單晶PERC電池片M10為例，價(jià)格分別下降71.43%、51.97%、34.26%。 年內(nèi)多晶硅致密料最高價(jià)位于2月，硅片最高價(jià)位于4月中旬，電池
2023-07-17 15:34:51639 
多晶硅 本周多晶硅復(fù)投料價(jià)格61-70元/千克，致密料價(jià)格58-67元/千克，多晶硅價(jià)格大穩(wěn)小動(dòng)。 隨著6月底多筆萬噸大單簽訂多晶硅生產(chǎn)企業(yè)庫存壓力顯著減少，市場(chǎng)價(jià)格觸底言論盛行，多家貿(mào)易商進(jìn)場(chǎng)囤貨
2023-07-14 16:15:57191 注：本文來源網(wǎng)絡(luò)，SMM光伏視界整理發(fā)布轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明來源。本文非SMM觀點(diǎn)，版權(quán)歸出處所有，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。發(fā)布此文章的目的在于傳遞更多行業(yè)信息，僅供參考，不代表本平臺(tái)對(duì)其觀點(diǎn)和內(nèi)容負(fù)責(zé)。本文
2023-07-13 15:09:34479 2023年上半年，國(guó)內(nèi)光伏市場(chǎng)“劇烈動(dòng)蕩”，在市場(chǎng)各個(gè)主材環(huán)節(jié)過剩的大背景下，光伏上游價(jià)格出現(xiàn)“雪崩”，SMM價(jià)格追蹤顯示截至6月30日，國(guó)內(nèi)多晶硅價(jià)格較上半年高點(diǎn)跌幅達(dá)到72.2%，182mm硅片
2023-07-13 15:02:291519 
加速公共領(lǐng)域用車綠色清潔替代，不得對(duì)甲醇汽車設(shè)置不合理和歧視性的準(zhǔn)入條件。在符合相關(guān)政策要求前提下，新增、更新出租汽車(含網(wǎng)約車),對(duì)甲醇汽車和新能源汽車同等對(duì)待；對(duì)運(yùn)營(yíng)方、車主明確甲醇汽車購(gòu)買意愿的，給 予政策允許的最大指標(biāo)空間。
2023-07-06 14:32:491459 
IGBT單胞結(jié)構(gòu)參數(shù)：溝道長(zhǎng)度4.3μm，溝道寬度2E4μm，多晶硅區(qū)半寬度13μm，窗口區(qū)半寬度12μm
2023-07-05 10:40:22585 
編者注：TSV是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項(xiàng)技術(shù)是目前唯一的垂直電互連技術(shù)，是實(shí)現(xiàn)3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。
2023-07-03 09:45:342001 
局部加熱的推薦焊接條件
2023-06-28 19:14:060 波峰焊的推薦焊接條件
2023-06-28 19:12:520 在DRAM生產(chǎn)中，離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻，這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進(jìn)行重?fù)诫s。
2023-06-19 09:59:27317 
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
什么是單晶硅，什么是多晶硅，二者究竟是怎么形成的，單晶硅和多晶硅有什么區(qū)別，多晶矽與單晶硅的主要差異體現(xiàn)在物理性質(zhì)方面，主要包括力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面，下面具體來了解下。
2023-06-12 16:44:423975 當(dāng)晶體管尺寸縮小時(shí)，多晶硅內(nèi)摻雜物的擴(kuò)散效應(yīng)可能會(huì)影響器件的性能。
2023-06-11 09:09:19727 
單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽能電池板的類型，其主要區(qū)別在于材料。
單晶硅光伏板是由單個(gè)晶體制成的硅片組成。該類型的太陽能電池板具有較高的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性，因此在太陽能發(fā)電領(lǐng)域中應(yīng)用較為廣泛。但是，制造過程成本較高，價(jià)格較貴。
2023-06-08 16:04:414914 BSIM5模型從基本的一維MOSFET物理學(xué)出發(fā)，推導(dǎo)出基本的電荷和通道電流方程，然后將其擴(kuò)展到準(zhǔn)二維和三維情況，包括短通道、窄通道、多晶硅耗盡和量子力學(xué)效應(yīng)。
2023-06-08 09:01:57860 
硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會(huì)用到強(qiáng)堿作表面腐蝕或減薄，器件生產(chǎn)中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒，一部分機(jī)理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011596 多晶硅 晶7元/千克，多晶硅致密料主流價(jià)格110-123元/千克，多晶硅價(jià)格指數(shù)106.23元/千克。 多晶硅價(jià)格再度走跌，多晶硅庫存持續(xù)走高目前已經(jīng)逼近13萬大關(guān)，硅片價(jià)格的走跌一定程度加速
2023-06-05 09:53:13918 審核編輯?黃宇
2023-06-05 09:52:18153 
審核編輯?黃宇
2023-06-01 09:38:20245 
審核編輯?黃宇
2023-05-31 10:04:53149 
密鑰的跟蹤器。
我計(jì)劃使用 CPU 的硅 ID 作為 SAM 主密鑰，以便將它們綁定在一起
是否有為 SAM 創(chuàng)建主密鑰的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方法？
2023-05-18 14:53:23
單晶爐，全自動(dòng)直拉單晶生長(zhǎng)爐，是一種在惰性氣體（氮?dú)狻⒑鉃橹鳎┉h(huán)境中，用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生長(zhǎng)無錯(cuò)位單晶的設(shè)備。
2023-05-16 09:48:515624 
LTC?3524 是一款集成 BIAS 和白光 LED 功率轉(zhuǎn)換器解決方案，以用于中小尺寸的多晶硅薄膜晶體管 (TFT) 液晶 (LCD) 顯示屏。該器件采用單節(jié)鋰離子/鋰聚合物電池或任何 2.5V
2023-05-15 17:04:32
局部加熱的推薦焊接條件
2023-05-11 18:50:570 波峰焊的推薦焊接條件
2023-05-11 18:49:391 在 Python 中，if...else 是一種條件語句，可以根據(jù)給定的條件執(zhí)行不同的操作。這個(gè)語句通常用于控制程序的流程。
2023-04-19 15:39:51504 電鍍目的、組成及條件
2023-04-14 15:30:051635 光伏電站的光伏板電壓是變化的，因?yàn)樗艿蕉鄠€(gè)因素的影響。一般來說，標(biāo)準(zhǔn)的單晶或多晶硅太陽能電池板的額定電壓為大約 30 ～ 40 伏特。
2023-04-11 15:28:0422601 如圖所示：1.單片機(jī)給IO口發(fā)送一個(gè)高電平后光耦3063會(huì)立即導(dǎo)通還是在交流電壓的過零點(diǎn)導(dǎo)通2.如果光耦在輸入電壓的過零點(diǎn)導(dǎo)通，是否可以認(rèn)為可控硅兩端的電壓為零，此時(shí)可控硅不導(dǎo)通，那如果是這樣請(qǐng)問這個(gè)電路可控硅是何時(shí)導(dǎo)通的，又是和是關(guān)斷的 。導(dǎo)通是可控硅T2和G極之間的電壓為多少，怎么理解
2023-04-10 21:59:00
DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162195 下圖顯示了Intel的第6代晶體管（6T）SRAM尺寸縮小時(shí)間表，以及多晶硅柵刻蝕技術(shù)后從90nm到22nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖?？梢钥闯?，SRAM的布局從65nm節(jié)點(diǎn)已發(fā)生
2023-04-03 09:39:402451
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