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恩智浦發(fā)布業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET-PSMN

2010-12-19 10:36www.elecfans.co 本站我要評論（0）我要收藏

恩智浦發(fā)布業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET-PSMN1R0-30YLC

中國上海，2010年12月6日訊--恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.（Nasdaq: NXPI）今天發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，擁有業(yè)界最低RDSon，4.5V時僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，專門針對4.5V開關應用優(yōu)化，采用LFPAK封裝技術，是目前業(yè)界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術已專門針對高性能DC-DC轉換應用進行了優(yōu)化，例如隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調節(jié)器、同步整流器。

技術要點：

  • 特性和優(yōu)勢：
    針對4.5V柵極驅動的低RDSon而專門優(yōu)化的先進NextPower技術
    Power-SO8封裝確保高可靠性，溫度最高可達175˚C
    超低QG、QGD和QOSS確保了高系統(tǒng)效率
  • PSMN1R0-30YLC現已開始供貨。
  • PSMN1R0-30YLC是25V和30V NextPower LFPAK系列MOSFET的首款產品，全系列產品將在未來幾個月中陸續(xù)推出。

積極評論：

  • 恩智浦半導體Power MOSFET營銷經理Charles Limonard表示："恩智浦NextPower系列MOSFET將幫助設計者實現高性能（高效率）、小尺寸和低成本。恩智浦致力于開發(fā)和創(chuàng)新，并不斷改善導通電阻RDSon、開關速度和熱效率等關鍵參數，從而推出具有業(yè)界領先水平的MOSFET器件。"
  • Limonard還表示，"PSMN1R0-30YLC具有領先于同類器件的超低RDSon，可顯著降低功耗；這反過來能提高新一代電子產品的能效，使能效等級更高，尺寸更小"。
標簽：MOSFET(119)
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(責任編輯：發(fā)燒友)

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