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電子發(fā)燒友網(wǎng)>市場分析>市場動(dòng)態(tài):ROM需求減少 NOR跌價(jià)壓力

市場動(dòng)態(tài):ROM需求減少 NOR跌價(jià)壓力

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DOORS和Reqtify—需求管理和需求追溯工具

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NOR FLASH的結(jié)構(gòu)和特性及原理圖

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2023年全球硅晶圓出貨量及營收雙雙減少

究其因素,終端市場需求減緩及大量庫存處置是主因;內(nèi)存與邏輯芯片產(chǎn)業(yè)需求疲軟引起12英寸晶圓訂單減少,而代工和模擬領(lǐng)域需求不足導(dǎo)致8英寸晶圓出貨量下滑。
2024-02-18 10:00:26202

rom斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失嗎

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RAM和ROM的區(qū)別,哪個(gè)與CPU連接

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東晶電子2023年預(yù)計(jì)虧損,擬計(jì)提存貨跌價(jià)準(zhǔn)備約2700萬至3700萬

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四路2輸入NOR門74LV02A數(shù)據(jù)手冊

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怎么選擇擴(kuò)散硅壓力變送器、單晶硅壓力變送器、電容式壓力變送器

和應(yīng)用范圍,以便讀者能夠全面了解這些設(shè)備,并能夠根據(jù)實(shí)際需求做出正確的選擇。 擴(kuò)散硅壓力變送器是一種常見的壓力測量設(shè)備,其工作原理是利用硅晶體的應(yīng)力效應(yīng)來測量壓力。該設(shè)備具有以下幾個(gè)特點(diǎn): 1. 精度高:擴(kuò)散硅壓力
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rom與ram的主要區(qū)別 rom斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失嗎

ROM(Read-Only Memory)是只讀存儲(chǔ)器,而RAM(Random Access Memory)是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它們在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中扮演著不同的角色和功能。 ROM是一種非易失性存儲(chǔ)器
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復(fù)旦微電預(yù)計(jì)2024年實(shí)現(xiàn)NOR Flash大容量512Mbit/1Gbit新品量產(chǎn)

此舉意味著,復(fù)旦微電的NOR Flash存儲(chǔ)產(chǎn)品線將進(jìn)一步充實(shí),有潛力在不遠(yuǎn)的將來擴(kuò)大市場占有率。此外,面向SLC NAND Flash領(lǐng)域的布局也已初步形成
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NAND Flash市場動(dòng)態(tài)需求擴(kuò)大與價(jià)格漲勢

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中國交換機(jī)行業(yè)概覽:市場動(dòng)態(tài)與未來展望

近年來云計(jì)算、大數(shù)據(jù)等新一代技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速發(fā)展,各類相應(yīng)新興應(yīng)用逐漸增多,包括虛擬現(xiàn)實(shí)、遠(yuǎn)程控制、自動(dòng)駕駛、超高清視頻等,這些新興應(yīng)用給現(xiàn)有網(wǎng)絡(luò)和算力帶來越來越大的壓力。
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XC7SH02 2輸入NOR門產(chǎn)品數(shù)據(jù)表

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2024-01-03 16:32:160

存儲(chǔ)市場動(dòng)態(tài):DRAM價(jià)格大幅上漲在即

隨著上游原廠醞釀提價(jià),多家存儲(chǔ)器模塊業(yè)者已經(jīng)開始備貨,以應(yīng)對潛在的市場變化。預(yù)計(jì)供應(yīng)給OEM廠商的合約價(jià)將在二季度起全面反映DRAM的漲價(jià)趨勢。
2024-01-03 15:34:13733

2024年1月,預(yù)計(jì)NOR Flash價(jià)格將上漲5%

 NOR Flash是一種基于NOR門結(jié)構(gòu)的閃存,NOR是邏輯門電路中的“或非”門。NOR Flash具有并行訪問結(jié)構(gòu),這意味著每個(gè)存儲(chǔ)單元都有一個(gè)地址,可以直接訪問任何存儲(chǔ)單元,這使NOR Flash具有快速的隨機(jī)訪問能力,適用于執(zhí)行代碼和讀取關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
2023-12-27 14:37:05292

NOR Flash行業(yè)將迎來拐點(diǎn) 明年可能供不應(yīng)求

在這一氛圍下,NOR Flash行業(yè)已開始醞釀漲價(jià)。臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日報(bào)今日有消息指出,預(yù)計(jì)NOR Flash將接棒啟動(dòng)存儲(chǔ)芯片新一輪漲價(jià)潮,預(yù)計(jì)明年1月起先漲5%,二季度漲幅有望擴(kuò)大至10%。
2023-12-26 14:37:42127

NOR Flash掀存儲(chǔ)器新一輪漲價(jià)潮!

業(yè)界普遍看好,NOR Flash市況最快有機(jī)會(huì)在明年終結(jié)庫存調(diào)整,迎來新一波漲價(jià)循環(huán)。
2023-12-25 16:56:58367

思爾芯CEO深刻洞見: 新應(yīng)用、新技術(shù)、新市場下的大規(guī)模數(shù)字電路設(shè)計(jì)

具體而言,為了在競爭激烈的半導(dǎo)體市場中保持領(lǐng)先地位,將客戶需求融入產(chǎn)品迭代過程至關(guān)重要。這意味著EDA供應(yīng)商需時(shí)刻關(guān)注市場動(dòng)態(tài)和客戶反饋,將這些輸入轉(zhuǎn)化為產(chǎn)品改進(jìn)和創(chuàng)新。
2023-12-20 16:19:05291

2輸入單電源轉(zhuǎn)換NOR門74LV1T02產(chǎn)品介紹

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2023-12-19 15:42:230

Nor Flash與NAND Flash閃存技術(shù)的關(guān)鍵特點(diǎn)區(qū)分

Nor Flash采用NOR門結(jié)構(gòu),其中每個(gè)存儲(chǔ)單元都有不同的地址用于直接訪問。這種并行訪問功能可以實(shí)現(xiàn)高效的隨機(jī)訪問和快速的數(shù)據(jù)檢索。
2023-12-05 15:21:59363

Nor Flash編程和擦除操作的詳細(xì)流程

Nor Flash 中的編程和擦除操作涉及寫入數(shù)據(jù)和擦除存儲(chǔ)單元的特定步驟。
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Nor Flash作為存儲(chǔ)解決方案的優(yōu)勢與限制

選擇Nor Flash作為存儲(chǔ)解決方案的一個(gè)主要原因就是Nor Flash的并行訪問結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)快速讀取速度和低讀取延遲。
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Nor Flash編程和擦除操作實(shí)踐與指南

閃存編程也不涉及將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)單元,為確保準(zhǔn)確編程,Nor Flash 支持字節(jié)級(jí)編程,允許寫入或修改單個(gè)字節(jié),而無需擦除整個(gè)塊。
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Nor Flash的基本概念 Nor Flash的內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析

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2023-08-11 15:45:32899

串行Nor Flash的結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性(1)

引言:串行Nor Flash是一類使用比較多的存儲(chǔ)器件,在特殊應(yīng)用場景中具有不可替代的地位,本節(jié)是數(shù)字存儲(chǔ)器件系列第一節(jié),介紹串行Nor Flash的結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性。
2023-08-11 15:44:221074

nor flash和nand flash的區(qū)別 單片機(jī)是Nor還是Nand Flash?

NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣,即可以根據(jù)地址隨機(jī)讀寫,用戶可以直接運(yùn)行裝載在NOR FLASH里面的代碼,這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。因?yàn)槠渥x取速度快,多用來存儲(chǔ)程序、操作系統(tǒng)等重要信息。
2023-08-07 09:47:03763

TWS藍(lán)牙耳機(jī)SPI NOR Flash

近年來,在物聯(lián)網(wǎng)和消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求下,特別是在各種新興應(yīng)用的推動(dòng)下,NOR?Flash迎來了低谷翻轉(zhuǎn)的機(jī)遇。不僅中高容量價(jià)格穩(wěn)定,而且低容量NOR?Flash價(jià)格的下降也大大縮小。特別是在TWS
2023-07-31 14:33:10460

Mask ROM存儲(chǔ)單元構(gòu)成

MASK ROM:是制造商為了要大量生產(chǎn),事先制作一顆有原始數(shù)據(jù)的ROM或EPROM當(dāng)作樣本,然后再大量生產(chǎn)與樣本一樣的 ROM,這一種做為大量生產(chǎn)的ROM樣本就是MASK ROM,而燒錄在MASK
2023-07-12 17:35:25736

國產(chǎn)車規(guī)級(jí)SPI NOR Flash替代芯片

SPI NOR Flash可存儲(chǔ)配置和校準(zhǔn)數(shù)據(jù),滿足車載應(yīng)用對參數(shù)存儲(chǔ)的各種需求,具有高可靠性;低失效率;擦寫次數(shù)最高可達(dá)400萬次以上;溫度適應(yīng)能力強(qiáng);數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)100年等特點(diǎn)。可以覆蓋從消費(fèi)級(jí),到工業(yè)級(jí),直至汽車級(jí)的所有應(yīng)用,產(chǎn)品在可靠性,功耗,溫度和速度等關(guān)鍵性能指標(biāo)方面達(dá)到國內(nèi)外前沿水準(zhǔn)。
2023-07-07 16:58:17332

RH850コンパイラ CC-RH ROM

RH850コンパイラ CC-RH ROM
2023-07-06 20:22:561

NOR FLASH和NAND FLASH基本結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)介紹

非易失性存儲(chǔ)元件有很多種,如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH,前兩者已經(jīng)基本被淘汰了,因此我僅關(guān)注后兩者
2023-06-29 09:06:051887

LSPG1000-激波管壓力傳感器測試系統(tǒng)

系統(tǒng)概述:激波管動(dòng)態(tài)壓力校準(zhǔn)系統(tǒng)利用激波管高壓室和低壓室充之間的壓力差破膜形成激波階躍壓力,數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)將被校壓力傳感器(被校壓力測試系統(tǒng))的響應(yīng)輸出進(jìn)行采集并傳輸?shù)叫?zhǔn)軟件,進(jìn)行顯示、計(jì)算和分析
2023-06-27 16:55:53

LSPG1000-激波管壓力傳感器測試系統(tǒng)

系統(tǒng)概述: 激波管動(dòng)態(tài)壓力校準(zhǔn)系統(tǒng)利用激波管高壓室和低壓室充之間的壓力差破膜形成激波階躍壓力,數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)將被校壓力傳感器(被校壓力測試系統(tǒng))的響應(yīng)輸出進(jìn)行采集并傳輸?shù)叫?zhǔn)軟件,進(jìn)行顯示、計(jì)算和分析
2023-06-27 16:52:47347

愛立信移動(dòng)市場報(bào)告6月刊發(fā)布 | 全球5G市場繼續(xù)增長

的創(chuàng)新 。 點(diǎn)擊閱讀原文獲取中文報(bào)告 報(bào)告第8頁《東北亞:深入觀察》詳細(xì)分析了該地區(qū)5G市場動(dòng)態(tài) 全球5G移動(dòng) 簽約數(shù)穩(wěn)定增長 報(bào)告顯示,盡管一些市場存在地緣政治問題和宏觀經(jīng)濟(jì)放緩,全球運(yùn)營商仍繼續(xù)投資5G。在2022年10月上線5G服務(wù)后,印度正在“數(shù)字印度”計(jì)劃下開
2023-06-21 19:25:03363

SPI NOR Flash在車載市場的應(yīng)用

SPI NOR Flash車規(guī)等級(jí)125℃,可以很好地滿足車載市場需求。產(chǎn)品主要應(yīng)用于車載攝像頭、液晶顯示、娛樂系統(tǒng)等外圍部件,并逐漸延伸到新能源車三電系統(tǒng)、車身控制、底盤傳動(dòng)及微電機(jī)、智能座艙等核心部件。
2023-06-20 17:03:53228

ROM與RAM的主要區(qū)別 存儲(chǔ)器rom的功能是什么

ROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在斷電后依然存在,不會(huì)丟失,因此也被稱為非易失性存儲(chǔ)器。而RAM是易失性存儲(chǔ)器,當(dāng)斷電時(shí),其中的數(shù)據(jù)將會(huì)丟失。
2023-06-20 16:38:442014

xSPI NOR Flash的“x”代表什么?

Flash閃存是一種存儲(chǔ)器,主要用于一般性程序存儲(chǔ),以及電腦與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù)。根據(jù)內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)不同,Flash主要有兩種,NOR Flash和NAND Flash。
2023-06-12 17:08:26468

PCB壓力傳感器介紹

壓電式壓力傳感器常用來測量動(dòng)態(tài)壓力,一般不適用于靜態(tài)壓力的測量。動(dòng)態(tài)壓力測量(典型應(yīng)用如湍流,爆炸,彈道和發(fā)動(dòng)機(jī)燃燒等)需要用到有特殊功能的傳感器,包括快速響應(yīng),外殼堅(jiān)固,高剛度,可擴(kuò)展量程和可以測量準(zhǔn)靜態(tài)壓力的能力。
2023-06-07 14:34:021899

高頻動(dòng)態(tài)壓力傳感器應(yīng)用案例

高頻壓力傳感器又稱高頻動(dòng)態(tài)壓力傳感器、動(dòng)態(tài)壓力傳感器、脈動(dòng)壓力傳感器,通常用于快速變化的壓力測量。例如爆炸瞬間的壓力檢測、頻繁的往復(fù)壓力檢測等。
2023-06-03 10:20:24747

深入i.MXRT1050系列ROM中串行NOR Flash啟動(dòng)初始化流程

我們知道外部串行NOR Flash是接到i.MXRT的FlexSPI外設(shè)引腳上,有時(shí)串行NOR Flash啟動(dòng)也叫FlexSPI NOR啟動(dòng)。
2023-06-02 17:43:28928

MLCC市場迎來復(fù)蘇,價(jià)格跌幅減小向穩(wěn)步增長-阻容1號(hào)

,基站和手機(jī)等產(chǎn)品中,MLCC的用量不斷增加。這些產(chǎn)品的快速發(fā)展,大大拉動(dòng)了MLCC的市場需求。 -服務(wù)器 另外一個(gè)驅(qū)動(dòng)MLCC出貨量大漲的因素是,由于全球云計(jì)算和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的迅速發(fā)展
2023-06-01 17:20:47

Boot rom如何啟用nor flash中的QE位?

通過在 evbmimxrt1060_flexspi_nor_cofig.c 文件中添加 QE 啟用相關(guān)代碼,我能夠成功地將 QE 位設(shè)置為 1。 然后我考慮如果我手動(dòng)將 QE 位設(shè)置為 0 并重
2023-05-30 13:11:32

LSPZ2000-正弦動(dòng)態(tài)壓力傳感器測試系統(tǒng)

系統(tǒng)概述:LSPZ2000-正弦動(dòng)態(tài)壓力傳感器測試系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)固定頻率段壓力校準(zhǔn)測試,還可實(shí)現(xiàn)一定范圍內(nèi)的掃頻壓力校準(zhǔn)測試,有利于幫助用戶分析產(chǎn)品提升改進(jìn)動(dòng)態(tài)特性。正弦壓力發(fā)生機(jī)構(gòu)由驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)﹑傳動(dòng)系統(tǒng)
2023-05-26 16:47:53

M5156-000002-025BG壓力傳感器動(dòng)態(tài)測試方法

測試設(shè)備和方法,以下是M5156-000002-025BG壓力傳感器動(dòng)態(tài)測試的主要標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備和方法。 靜態(tài)精度等級(jí)和靜態(tài)壓力范圍測試不在本文中描述。 正弦壓力標(biāo)準(zhǔn),正弦壓力標(biāo)準(zhǔn)主要產(chǎn)生周期性的壓力
2023-05-26 11:16:57368

使用mtd_debug工具讀取nor flash的內(nèi)存時(shí),nor flash讀取問題求解

當(dāng)我使用mtd_debug工具讀取nor flash的內(nèi)存時(shí),輸出結(jié)果中每128字節(jié)的前7字節(jié)為0。 以下是mtd命令: #mtd_debug 擦除/dev/mtd0 0x5a0000
2023-05-24 13:14:51

單板硬件設(shè)計(jì):存儲(chǔ)器( NAND FLASH)

在單板設(shè)計(jì)中,無論是涉及到一個(gè)簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì),都離不開存儲(chǔ)器設(shè)計(jì): 1、存儲(chǔ)器介紹 存儲(chǔ)器的分類大致可以劃分如下: ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37

MEAS動(dòng)態(tài)壓力傳感器

,將頻率高、壓力波形上升快且陡峭、幅度、有效值、上升時(shí)間極短、響應(yīng)頻帶寬且優(yōu)良的動(dòng)態(tài)壓力波形定義為高頻動(dòng)態(tài)壓力傳感器。
2023-05-17 16:08:48419

S32G399 DMA傳輸時(shí)間問題,為什么時(shí)間在增加而不是減少?

我使用 DMA 將數(shù)據(jù)從 NorFlash 傳輸?shù)?SRAM 以進(jìn)行圖像加載。 對它花在數(shù)據(jù)傳輸上的時(shí)間感到困惑。 將總共?? 4MB 的數(shù)據(jù)從 Nor 傳輸?shù)?SRAM: 1.只使用eDMA_0
2023-05-17 08:03:08

求分享串行NOR引導(dǎo)實(shí)用程序

我們在板上使用 MIMXRT1051CVL5B。 通過 LPSPI NOR/EEPROM(BOOT_MODE[1:0]= x01 串行下載器)成功連接到引導(dǎo)實(shí)用程序。 在燒斷保險(xiǎn)絲并定義
2023-05-10 08:53:24

NOR閃存啟動(dòng)時(shí),Core0如何獲取啟動(dòng)代碼?

NOR 閃存啟動(dòng)時(shí),Core0 如何獲取啟動(dòng)代碼? 電路板設(shè)置 (T1024RDB) 是: 開關(guān)將 RCW_SRC 設(shè)置為 NOR 閃存 PBL/RCW 設(shè)置為 BOOT_LOC = NOR
2023-05-04 07:16:23

定制板上的T1042 NOR無法啟動(dòng)是為什么?

我們有一個(gè)定制板,其中存在 T1042 處理器。以前我已經(jīng)能夠通過修改 T1042D4DRB QORIQ SDK 項(xiàng)目的 u-boot 源代碼從 SDCARD 啟動(dòng)它?,F(xiàn)在,我試圖從 NOR 閃存啟動(dòng)它,但我無法成功。 我已經(jīng)將圖像寫入了NOR flash的以下地址。
2023-04-17 07:55:21

庫存去化加速,市場需求走出了谷底?

萬億韓元,同比減少19%,利潤更是大跌95.75%,創(chuàng)下近14年來最低紀(jì)錄。 ? 另一方面,隨著市場需求的減弱,各大廠商都開始調(diào)整供應(yīng),并進(jìn)行減庫存操作。與此同時(shí),在國內(nèi)金融領(lǐng)域中,芯片類股票屢創(chuàng)新高,除了國產(chǎn)替代的大需求外,也意味
2023-04-13 05:07:001896

從QSPI NOR MIMXRT1062啟動(dòng),頻率限制在60MHz,如何達(dá)到所需的頻率?

我正在嘗試在來自 QSPI 閃存 NOR(Macronix #MX32L32356)的自定義板中的 mcu IMXRT1062 中啟動(dòng),我達(dá)到了最大 60MHz我在 RAM 中嘗試了示例
2023-04-10 06:51:33

如何從連接到EVK板上的ECSPI2接口的SPI NOR啟動(dòng)?

我嘗試從連接到 EVK 板上的 ECSPI2 接口的 SPI NOR 啟動(dòng)。我成功準(zhǔn)備了 dtb 文件以在 Linux (5.4.24) 中激活旋量。在 CS0 (GPIO) 的內(nèi)核模塊中打了一些
2023-04-04 08:46:14

手機(jī)上的ROM和RAM技術(shù)原理

ROM和RAM的區(qū)別是什么?ROM和RAM都是一種存儲(chǔ)技術(shù),只是兩者原理不同,RAM為隨機(jī)存儲(chǔ),掉電不會(huì)保存數(shù)據(jù),而ROM可以在掉電的情況下,依然保存原有的數(shù)據(jù)。ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器
2023-03-30 14:53:271938

LPG2500高精度數(shù)字壓力計(jì)

需求。此設(shè)備標(biāo)配為單通道單模塊,還可以選裝大氣壓參考模塊以模擬表壓和絕壓。可根據(jù)用戶具體需求定制。這個(gè)特點(diǎn)使LPG2500特別適合用于需要對不同量程的壓力裝置進(jìn)行數(shù)據(jù)比對的場合。技術(shù)參數(shù):1)精確度
2023-03-28 17:08:35

LPC6000 全自動(dòng)壓力校驗(yàn)儀

概述:全自動(dòng)壓力校驗(yàn)儀定制化按需求匹配,以最大限度滿足客戶需求。此設(shè)備為單通道多模塊,及大氣壓參考模塊以實(shí)現(xiàn)模擬表壓和絕壓??筛鶕?jù)用戶具體需求定制。這個(gè)特點(diǎn)使LPC6000特別適合用于需要對多種
2023-03-28 17:06:57

小型化大勢所趨,電源模塊市場需求量攀升

是傳統(tǒng)DC-DC電源模塊產(chǎn)品)需求,包括板塊電源,包括最后的POL電源等等,需求量增長非常迅速。從2020年的2億美元的小眾市場,逐步成長至2024年,預(yù)估會(huì)成為接近10億美元的較大市場。如果包含廣義
2023-03-24 15:23:18

BLHost從NOR執(zhí)行應(yīng)用程序無法正常啟動(dòng)的原因?

FLASH_AUTO_PROBE_EN=1 和 BT_FUSE_SEL=1。這使我們成功啟動(dòng)了應(yīng)用程序,同時(shí) BOOT_MODE[1:0] = 00(從熔絲啟動(dòng))和 BOOT_MODE[1:0] = 10(內(nèi)部 ROM
2023-03-23 07:37:28

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