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      NLAS4717 模擬開(kāi)關(guān) 高帶寬 雙SPDT

      數(shù)據(jù)：

      NLAS4717是采用亞微米硅柵CMOS技術(shù)制造的先進(jìn)CMOS模擬開(kāi)關(guān)。該器件是雙獨(dú)立單刀雙擲（SPDT）開(kāi)關(guān)，在3.0V時(shí)具有兩個(gè)4.5的低R ON 。
      該器件還具有保證Break Before Make開(kāi)關(guān)，確保開(kāi)關(guān)永不短路NLAS4717采用2.0 x 1.5 mm凸點(diǎn)裸片陣列，具有4 x 3排列的焊料凸點(diǎn)。焊料凸點(diǎn)的間距為0.5 mm，便于處理。
      特性
      • 低R DS（開(kāi)啟）; 4.5V，3.0V
      • 開(kāi)關(guān)之間匹配±0.5Ω
      • 寬電壓范圍：1.8V至5.5V
      • 高帶寬> 40 MHz
      • 1.65V至5.5V工作范圍
      • 引腳4和8上的低閾值電壓（CTRL引腳）
      • 超低電荷注入≤6.0pC
      • 低待機(jī)電流-I CC = 1.0nA（最大值）@T A = 25°C
      • 引腳4和8上的OVT（CTRL引腳）
      應(yīng)用
      • 手機(jī)
      • 掌上電腦
      • MP3s
      • 數(shù)碼相機(jī)

      電路圖、引腳圖和封裝圖




      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1） 相關(guān)資料（4）
      元器件購(gòu)買(mǎi) NLAS4717 相關(guān)庫(kù)存

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