LMG1205 用于增強模式 GaN FET 的 100V、1.2A/5A 半橋柵極驅(qū)動器

數(shù)據(jù)： LMG1205 80-V, 1.2-A to 5-A, Half Bridge GaN Driver with Integrated Bootstrap Diode 數(shù)據(jù)表

描述

LMG1205設(shè)計用于同步降壓，升壓或半同步驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)增強型氮化鎵（GaN）FET - 橋梁配置。該器件具有集成的100V自舉二極管和獨立輸入，用于高端和低端輸出，以實現(xiàn)最大的控制靈活性。使用自舉技術(shù)產(chǎn)生高側(cè)偏置電壓，并在內(nèi)部鉗位至5 V，這可防止柵極電壓超過增強型GaN FET的最大柵極 - 源極電壓額定值。 LMG1205的輸入兼容TTLlogic，無論VDD電壓如何，均可承受高達14 V的輸入電壓。 LMG1205具有分柵輸出，可獨立調(diào)節(jié)開啟和關(guān)斷強度。

此外，LMG1205的強吸收能力可將柵極維持在低態(tài)，從而防止在開關(guān)過程中意外接通。 LMG1205可以工作在幾MHz .LMG1205采用12引腳DSBGA封裝，占板面積小，封裝電感最小。

特性

獨立的高側(cè)和低側(cè)TTL邏輯輸入
1.2-A峰值源，5-接收器電流
高側(cè)浮動偏置電壓軌
最高可達100 VDC
內(nèi)部自舉電源電壓鉗位
分離輸出可調(diào)節(jié)
Turnon，關(guān)斷強度
0.6Ω下拉，2.1Ω上拉電阻
快速傳播時間（典型值35 ns）
優(yōu)秀的傳播延遲匹配
（典型值1.5 ns）
電源軌欠壓鎖定
低功耗

所有商標(biāo)均為其各自所有者的財產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?GaN FET 驅(qū)動器

?
Driver Configuration
Number of Channels (#)
Power Switch
Bus Voltage (V)
Peak Output Current (A)
Input VCC (Min) (V)
Input VCC (Max) (V)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
Prop Delay (ns)
Input Threshold
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
?

LMG1205	LM5113-Q1	LMG1020	LMG1210
Half Bridge ? ?	Half Bridge ? ?	Low Side ? ?	Half Bridge ? ?
2 ? ?	2 ? ?	1 ? ?	2 ? ?
MOSFET GaNFET ? ?	MOSFET GaNFET ? ?	MOSFET GaNFET ? ?	MOSFET GaNFET ? ?
90 ? ?	90 ? ?	?	200 ? ?
5 ? ?	5 ? ?	7 ? ?	3 ? ?
4.5 ? ?	4.5 ? ?	4.75 ? ?	6 ? ?
5.5 ? ?	5.5 ? ?	5.25 ? ?	18 ? ?
7 ? ?	7 ? ?	0.21 ? ?	0.5 ? ?
3.5 ? ?	3.5 ? ?	0.21 ? ?	0.5 ? ?
35 ? ?	30 ? ?	2.5 ? ?	10 ? ?
TTL ? ?	TTL ? ?	TTL ? ?	TTL ? ?
Catalog ? ?	Automotive ? ?	Catalog ? ?	Catalog ? ?
-40 to 125 ? ?	-40 to 125 ? ?	-40 to 125 ? ?	-40 to 125 ? ?
DSBGA ? ?	WSON ? ?	DSBGA ? ?	WQFN ? ?
See datasheet (DSBGA) ? ?	See datasheet (WSON) ? ?	See datasheet (DSBGA) ? ?	19WQFN: 12 mm2: 4 x 3(WQFN) ? ?