優(yōu)勢和特點

• 出色的聲學特性
• 低噪聲： 6 nV/√Hz
• 低失真： 0.0006%
• 高壓擺率： 22 V/μs
• 寬帶寬： 9 MHz
• 低電源電流： 5 mA
• 低失調(diào)電壓： 1 mV
• 低失調(diào)電流： 2 nA
• 單位增益穩(wěn)定
• SOIC-8封裝
• PDIP-8封裝

產(chǎn)品詳情

OP275是首款采用巴特勒放大器前端的放大器。這種新型前端設(shè)計集雙極性與JFET晶體管于一體，兼有雙極性晶體管的精度和低噪聲性能，以及JFET晶體管的速度和音質(zhì)?？傊C波失真+噪聲(THD+N)與以前的音頻放大器相當，但電源電流低得多。

l/f轉(zhuǎn)折頻率低于6 Hz，因而噪聲密度響應(yīng)很平坦。無論在30 Hz還是1 kHz測量噪聲，其值僅為6 nV/√Hz。即使在需要較大輸出擺幅時，輸入級的JFET部分也能使OP275具有高壓擺率，從而保持低失真。該器件的壓擺率為22 V/μs，在所有標準音頻放大器中最快。最可喜的是，實現(xiàn)這種低噪聲和高速性能所耗用的電源電流不到5 mA，低于所有標準音頻放大器。

相對于純雙極性設(shè)計，偏置和失調(diào)電流大大降低，從而改善了直流性能。輸入失調(diào)電壓能保證達到1 mV，通常低于200 μV。因此OP275可以用在許多直流耦合或求和應(yīng)用中，無需進行特別選擇，或者因采用附加失調(diào)電壓調(diào)整電路而增加噪聲。

驅(qū)動600 Ω負載時輸出電壓達10 V rms，同時保持低失真。3 V rms時總諧波失真+噪聲低至0.0006%。

OP275的額定溫度范圍為-40°C至+85°C擴展工業(yè)溫度范圍。OP275提供塑封DIP和SOIC-8兩種封裝。SOIC-8封裝以2500片卷盤形式提供。出于各種原因，許多音頻放大器都不提供SOIC-8表貼封裝；不過，OP275經(jīng)過特別設(shè)計，采用表貼封裝也能提供最高性能。

方框圖