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射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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CAB530M12BM3碳化硅功率模塊

型號： CAB530M12BM3

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 阻斷電壓 1200V
  • 包裹 62毫米
  • 配置 半橋
  • 電阻 2.6μJ
  • 模塊尺寸 106 x 62 x 30 毫米
  • 最高結溫 175°C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CAB530M12BM3是62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半橋功率模塊。用于開關和傳導優(yōu)化應用的 BM2 和 BM3 半橋模塊。62mm 功率模塊平臺提供了碳化硅 (SiC) 的系統(tǒng)優(yōu)勢；同時保持穩(wěn)??；行業(yè)標準的 62 毫米模塊封裝。62mm BM 封裝的內(nèi)部設計實現(xiàn)了高速碳化硅開關的優(yōu)勢；由于低電感布局。BM 平臺非常適合工業(yè)測試設備中的應用；軌道/牽引；和電動汽車充電基礎設施市場。

CAB530M12BM3

系統(tǒng)優(yōu)勢
? 從 62mm Si IGBT 封裝過渡所需的開發(fā)時間極短且上市時間短
? 由于 SiC 的低開關和傳導損耗，提高了系統(tǒng)效率
? 高可靠性材料選擇


技術特點
? 行業(yè)標準 62 毫米尺寸
? 高濕度操作 THB-80 (HV-H3TRB)
? 高結溫 (175 °C) 操作
? 實施交換優(yōu)化的第三代
碳化硅MOSFET技術
? 低電感 (10.2 nH) 設計
? 氮化硅絕緣體和銅基板


應用
? 鐵路和牽引
? 太陽的
? 電動汽車充電器
? 工業(yè)自動化與測試


阻斷電壓:1200V
包裹：62毫米
配置：半橋
電阻：2.6μJ
模塊尺寸：106 x 62 x 30 毫米
最高結溫：175°C


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