概述：
HAL 1502SU-A 是由 Micronas 公司生產(chǎn)的高性能霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)，采用先進(jìn)的 CMOS 技術(shù)制造。這款三線設(shè)備配備了開(kāi)漏輸出晶體管，具備溫度補(bǔ)償?shù)幕魻柊搴椭鲃?dòng)偏移補(bǔ)償功能，適用于工業(yè)和汽車應(yīng)用領(lǐng)域。
產(chǎn)品特性：
- 封裝類型：SOT23-3L JEDEC TO236 兼容封裝，小型化設(shè)計(jì)，便于集成。
- ISO 26262 合規(guī)性：作為 ASIL A 準(zhǔn)備設(shè)備，符合汽車安全完整性等級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。
- 低功耗：典型工作電流僅為 1.6 mA，適合電池供電的應(yīng)用。
- 寬電壓范圍：工作電壓從 2.7 V 至 24 V，適應(yīng)不同的電源環(huán)境。
- 過(guò)壓保護(hù)：能夠承受高達(dá) 40 V 的過(guò)壓，提供“負(fù)載傾倒”保護(hù)。
- 反向電壓保護(hù)：具備 -18 V 的反向電壓保護(hù)功能。
- 高 ESD 性能：±8 kV 的人體模型 (HBM) ESD 保護(hù)。
- 上電自檢：設(shè)備上電時(shí)自動(dòng)執(zhí)行功能檢查，確?？煽啃?。
- 高采樣頻率：最大 500 kHz 的采樣頻率，2 μs 的輸出刷新時(shí)間。
- 寬結(jié)溫范圍：從 -40°C 至 170°C，適應(yīng)極端溫度環(huán)境。
- 機(jī)械應(yīng)力抵抗：通過(guò)主動(dòng)偏移補(bǔ)償技術(shù)，減少機(jī)械應(yīng)力對(duì)性能的影響。
- 電磁兼容性：優(yōu)化的 EMC 性能，滿足多種國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。
應(yīng)用領(lǐng)域：
- 大空氣間隙或弱磁體應(yīng)用：適合于磁力較弱或空氣間隙較大的場(chǎng)合。
- 轉(zhuǎn)速或計(jì)數(shù)測(cè)量：如轉(zhuǎn)每分鐘 (RPM) 測(cè)量和其他計(jì)數(shù)應(yīng)用。
- 無(wú)刷直流電機(jī)換向：在電機(jī)控制系統(tǒng)中檢測(cè)換向位置。
- 末端位置檢測(cè)：用于檢測(cè)機(jī)械部件的極限位置。
- 磁性編碼器：在需要精確位置反饋的應(yīng)用中。
技術(shù)規(guī)格：
絕對(duì)最大額定值
- 結(jié)溫范圍 (TJ)：-40°C 至 190°C
- 供電電壓 (VSUP)：-18 V 至 40 V
推薦操作條件
- 供電電壓 (VSUP)：2.7 V 至 24 V
- 結(jié)溫范圍 (TJ)：-40°C 至 170°C
電氣特性
- 供電電流 (ISUP)：1.1 mA 至 2.4 mA
- 端口低輸出電壓 (Vol)：0.13 V 至 0.5 V
- 輸出上升時(shí)間 (tr)：小于 1 μs
- 輸出下降時(shí)間 (tf)：小于 1 μs
- 輸出抖動(dòng) (tj)：±0.58 μs 至 ±0.72 μs
磁性特性
- BON (開(kāi)啟點(diǎn))：2.5 mT (室溫下典型值)
- BOFF (關(guān)閉點(diǎn))：-2.5 mT (室溫下典型值)
- 滯后性 (BHYS)：BON 與 BOFF 之間的差值
應(yīng)用電路
- 電源線和地線連接。
- 開(kāi)漏輸出連接到上拉電阻 (RL)。
- 可能需要的外部電路元件，如去耦電容 (CP 和 CL) 和 TVS 二極管，以提高抗干擾性能。
結(jié)論
HAL1502SU-A 是一款高性能、高可靠性的霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)，適合在嚴(yán)苛的工業(yè)和汽車環(huán)境中使用。其小型化封裝、低功耗特性和寬工作電壓范圍，使其成為多種應(yīng)用的理想選擇。
