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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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QPF4005 雙通道 GaN 前端模塊

型號(hào)： QPF4005

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最小頻率(GHz) 37
  • 最大頻率(GHz) 40.5
  • 發(fā)射增益(dB) 23
  • Tx Psat (W 2個(gè)
  • 發(fā)射電壓(V) 20
  • 發(fā)射電流（毫安） 159
  • 接收增益(dB) 18
  • 接收噪聲系數(shù)(dB) 4.2
  • 接收電壓(V) 20
  • 接收電流(mA) 15
  • 包裝類(lèi)型 層壓SMP
  • 包裝（毫米） 4.5 x 6.0 x 1.8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

QPF4005 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
Qorvo 的 QPF4005是一款面向39GHz相控陣5G基站和終端的雙通道多功能氮化鎵MMIC前端模塊。對(duì)于每個(gè)通道，多功能 MMIC 芯片結(jié)合了低噪聲放大器、低插入損耗高隔離 TR 開(kāi)關(guān)和高增益高效多級(jí) PA。
QPF4005 的工作頻率范圍為 37 GHz 至 40.5 GHz。接收路徑 (LNA + T/R SW) 旨在提供 15dB 的增益和低于 4.5dB 的噪聲系數(shù)。發(fā)射路徑 (PA + T/R SW) 提供 18 dB 的小信號(hào)增益和每個(gè)通道 2W 的飽和輸出功率。
緊湊的 4.5 mm x 6.0 mm 表面貼裝封裝配置旨在滿(mǎn)足嚴(yán)格的晶格間距要求并支持多通道/雙極化相控陣應(yīng)用。
QPF4005 采用 Qorvo 的 0.15um GaN on SiC 工藝制造。它采用帶有嵌入式銅散熱片的氣腔層壓封裝。銅片與低熱阻貼片工藝相結(jié)合，使 QPF4005 能夠在相控陣應(yīng)用所需的極端外殼溫度下運(yùn)行。

 

產(chǎn)品規(guī)格
最小頻率(GHz) 37
最大頻率(GHz) 40.5
發(fā)射增益(dB) 23
Tx Psat (W) 2個(gè)
發(fā)射電壓(V) 20
發(fā)射電流（毫安） 159
接收增益(dB) 18
接收噪聲系數(shù)(dB) 4.2
接收電壓(V) 20
接收電流(mA) 15
包裝類(lèi)型 層壓SMP
包裝（毫米） 4.5 x 6.0 x 1.8

 

主要特征
頻率范圍：37 - 40.5 GHz
RX 噪聲系數(shù)：4.2dB
RX小信號(hào)增益：18dB
RX 輸出 TOI：17 dBm
TX 小信號(hào)增益：23dB
TX 飽和功率：33dBm
TX 線(xiàn)性度：4% EVM @ 24 dBm 平均 P輸出 (1)
TX PAE：7% @ 24 dBm 平均 P輸出 (1)
封裝尺寸：4.5 x 6.0 x 1.8 毫米
性能是室溫下的典型值。
(1) - OFDM，400 MHz 調(diào)制帶寬，64QAM。

 

相關(guān)型號(hào)
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QPF7552
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RFFM4558A
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