AD587代表了先進(jìn)單芯片基準(zhǔn)電壓源領(lǐng)域取得的重大進(jìn)步。它采用專有離子植入嵌入式齊納二極管，并對(duì)高度穩(wěn)定的薄膜電阻進(jìn)行激光晶圓調(diào)整，從而能夠以較低的成本提供出色的性能。
AD587的性能明顯高于大多數(shù)其它10 V基準(zhǔn)電壓源。它采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳排列，因此許多系統(tǒng)都可以利用AD587迅速完成升級(jí)。
基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)采用嵌入式齊納方法，使噪聲和漂移均低于帶隙基準(zhǔn)電壓源。該器件還提供降噪引腳，可進(jìn)一步降低嵌入式齊納二極管產(chǎn)生的噪聲電平。
AD587推薦用作需要外部精密基準(zhǔn)電壓源的8位、10位、12位、14位或16位DAC的基準(zhǔn)電壓源。該器件也適合最高14位精度的逐次逼近型或集成式ADC，而且其性能通常優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)片內(nèi)基準(zhǔn)電壓源。
AD587J和AD587K的額定工作溫度范圍為0°C至70°C，AD587U則為?55°C至+125°C。AD587JQ和AD587UQ提供8引腳CERDIP封裝，其它型號(hào)提供8引腳SOIC封裝（適合表貼應(yīng)用）或8引腳PDIP封裝。
- 激光調(diào)整高精度
10.000 V ± 5 mV （U級(jí)） - 經(jīng)過(guò)調(diào)整的溫度系數(shù)
5 ppm/°C （最大值，U級(jí)） - 降噪能力
- 低靜態(tài)電流：4 mA（最大值）
- 輸出調(diào)整能力
- 提供符合MIL-STD-883標(biāo)準(zhǔn)的版本
LT1461BIS8-2.5
LT1461BIS8-3
LT1461BIS8-3.3
LT1461BIS8-4
LT1461BIS8-5
LT1461CCS8-2.5
LT1461CCS8-3
LT1461CCS8-3.3
LT1461CCS8-4
LT1461CCS8-5
LT1461CIS8-2.5
LT1461CIS8-3
LT1461CIS8-3.3
LT1461CIS8-4
LT1461CIS8-5
LT1461DHS8-2.5
LT1461DHS8-3
LT1461DHS8-3.3
LT1461DHS8-4
LT1461DHS8-5
LTC1798CS8-2.5
LTC1798CS8-3
LTC1798CS8-4.1
LTC1798CS8-5
