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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMG3401LSN 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMG3401LSN

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMG3401LSN
  • 名稱 30V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SC59

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMG3401LSN 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMG3401LSN 這款新一代 30V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能。該設(shè)備非常適合手持式應(yīng)用

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號(hào)            DMG3401LSN
名稱            30V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地            臺(tái)灣
封裝            SC59


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.7 A
PD @TA = +25°C (W) 1.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 50 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 60 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 85 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 11.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 25.1 nC
CISS Typ (pF) 1326 pF


主要特征
低輸入電容
低導(dǎo)通電阻
低輸入/輸出泄漏


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DMG2305UXQ
DMG301NU
DMG302PU
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