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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMG4800LSD 溝道增強模式 MOSFET 晶體管

型號： DMG4800LSD

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMG4800LSD
  • 名稱 雙 N 溝道增強模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SO-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMG4800LSD 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMG4800LSD 這種MOSFET被設(shè)計為使導(dǎo)通電阻最小化（RDS（ON））同時保持卓越的切換性能，使其成為理想之選用于高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號            DMG4800LSD
名稱            雙 N 溝道增強模式 MOSFET
產(chǎn)地            臺灣
封裝            SO-8

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 25 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.8 A
PD @TA = +25°C (W) 1.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 16 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 22 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.6 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.56 (@5V) nC
CISS Typ (pF) 798 pF


主要特征
100%雪崩額定部件
低RDS（ON）–最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
低Qg–最大限度地減少開關(guān)損耗


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